【課題】高密度かつ複雑な三次元微細構造の加工を可能にする。
【解決手段】基板上の三次元微細構造は、以下の方法で作製される。第１工程では、真空中でIII−Ｖ族化合物半導体基板１の表面に電子ビームを照射することにより、当該基板１の表面の自然酸化膜２をIII族酸化物３に置換させ、改質マスク部３を周期的に形成する。第２工程では、真空中で前記基板１を昇温させることにより、前記改質マスク部３以外の部分の前記自然酸化膜２を脱離させて基板表面を露出させる。第３工程では、真空にＶ族原料を供給した環境下で前記基板１を所定温度で加熱することで、前記基板表面の露出部分からIII族原子を優先的に剥離させて前記改質マスク部３上をホッピングさせ、当該露出部分に窪み４を形成する。第４工程では、固体成長原料を用いた分子線エピタキシャル成長法を行うことで、前記窪み４の部分にIII−Ｖ族化合物半導体結晶５を選択成長させる。 （もっと読む）

【課題】従来に比べて処理の面内均一性の向上を図ることのできるプラズマ処理装置を提供する。
【解決手段】 基板の処理を行うプラズマ処理装置であって、処理チャンバーの上部開口を覆うように設けられ、誘電体窓を備えた上蓋と、処理チャンバー外の誘電体窓の上部に配設された高周波コイルと、誘電体窓の内側に位置するように上蓋に支持され、処理ガスを供給するガス供給機構とを有し、ガス供給機構は、誘電体窓の周縁に沿って配設された周縁側ガス流路と、周縁側ガス流路に基端部が接続され、誘電体窓の中央方向に向かって延在する板体からなり、内部に配設され周縁側ガス流路に接続されたガス流路と、当該ガス流路に接続された複数のガス吐出口とを有する複数のフィン状ガス供給部とを具備し、フィン状ガス供給部は、延在方向に沿った回転軸の回りに回転可能とされている。 （もっと読む）

【課題】Ｍｏ層上に積層されたＡｌＮ層のエッチングにおいて、Ｍｏ層のエッチングを抑えることのできるプラズマエッチング装置、及び誘電体デバイスの製造方法を提供する。
【解決手段】プラズマエッチング装置１０は、エッチング対象を収容する真空槽１１と、誘導アンテナ１９、アンテナ用高周波電源ＲＦ２、及びバイアス用高周波電源ＲＦ１から構成され、エッチング対象に引き込まれるプラズマを生成するプラズマ生成部とを備えている。エッチング対象は、下部Ｍｏ層上に積層されたＡｌＮ層であり、プラズマ生成部は、Ｎ_２ガスからプラズマを生成する。 （もっと読む）

【課題】基板の各部により均一に処理ガスを供給することができ、均一な処理を行うことのできるプラズマ処理装置及びその処理ガス供給構造を提供する。
【解決手段】高周波アンテナに高周波電力を印加することにより処理室内に誘導プラズマを励起して、処理室内の載置台に載置された基板に対して所定のプラズマ処理を施すプラズマ処理装置であって、載置台と対向するように、処理室の天井部に配設された天板と、処理室内の載置台と天板との間の空間に、処理室の側壁側から処理室の中央側に突出するよう配設され、少なくとも天板に向けて処理ガスを噴出させる複数のガス噴出孔を有する複数のガスノズルと、を具備したことを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】貴金属元素を含むエッチング生成物が真空槽内に堆積することを抑えることのできるプラズマエッチング装置、及びプラズマクリーニング方法を提供する。
【解決手段】プラズマエッチング装置１０は、基板Ｓが収容される真空槽Ｃと、真空槽Ｃにエッチングガスを供給するエッチングガス供給部１７ａと、真空槽Ｃにクリーニングガスを供給するクリーニングガス供給部と、真空槽Ｃ内のガスで該真空槽Ｃ内にプラズマを生成するプラズマ生成部とを備え、エッチングガスのプラズマで基板Ｓをエッチングし、クリーニングガスのプラズマで真空槽Ｃ内のエッチング生成物をクリーニングする。エッチング対象物が、イリジウム及び白金の少なくとも１つを含み、クリーニングガスが、六フッ化硫黄ガスと酸素ガスとが混合されたガスである。 （もっと読む）

【課題】フォトレジストマスクに対する窒化ガリウム層の選択比を向上することができるドライエッチング方法を提供する。
【解決手段】フォトレジストマスクが積層された窒化ガリウム層のドライエッチング方法であって、ヨウ化水素ガス及びＢＣｌ_３ガスを含むエッチングガスのプラズマを生成し、該プラズマによって前記窒化ガリウム層をエッチングするとともに、前記エッチングガスのうち前記ヨウ化水素ガスの体積比率は、６０％以上８０％以下である。 （もっと読む）

【課題】Low-k膜を有する試料のプラズマアッシング処理において、高速にアッシング処理を行いつつ、Low-k膜に対する膜ダメージを抑制または低減する処理方法を提供する。
【解決手段】Low-k膜１５を有する試料をプラズマ処理するプラズマ処理方法において、前記試料をプラズマエッチングする工程と、炭化水素系ガスであるメタン(CH₄)ガス１９と希ガスであるアルゴン(Ar)ガスとからなる混合ガスを用いて、プラズマエッチング工程でプラズマエッチングされたレジストマスク１３、炭素ハードマスク１４、反応生成物１６が付着したLow-k膜１５を有する試料を、メタン(CH₄)ガス１９からの炭素（C+)ラジカル１８と水素(H+)ラジカル１９により、プラズマアッシングする工程を有するプラズマ処理方法である。 （もっと読む）

【課題】信頼性が高く、ソースとドレインの間にリーク電流が生じにくく、コンタクト抵抗が小さい半導体装置を提供する。
【解決手段】酸化物半導体膜により形成されるトランジスタの電極膜上に酸化物半導体膜に接して設けられた第１の絶縁膜、及び第２の絶縁膜を積層して形成し、第２の絶縁膜上にエッチングマスクを形成し、エッチングマスクの開口部と重畳する部分の第１の絶縁膜及び第２の絶縁膜をエッチングして電極膜を露出する開口部を形成し、第１の絶縁膜及び第２の絶縁膜の開口部をアルゴンプラズマに曝し、エッチングマスクを除去し、第１の絶縁膜及び第２の絶縁膜の開口部に導電膜を形成し、第１の絶縁膜は加熱により酸素の一部が脱離する絶縁膜であり、第２の絶縁膜は第１の絶縁膜よりもエッチングされにくく、第１の絶縁膜よりもガス透過性が低い。または逆スパッタリングを行ってもよい。 （もっと読む）

【課題】難エッチング材料を、高速、高精度及び低ダメージでエッチングする。
【解決手段】実施形態に係わるエッチング装置は、上面側に披処理基板１９が搭載されるステージ１１と、ステージ１１の上面側を覆うチャンバー１２と、ステージ１１の下面側に付加され、開口部を有する下部電極１３ａと、チャンバー１２内にエッチングガスを供給するガス供給部１４と、下部電極１３ａに高周波を印加することにより、チャンバー１２内のエッチングガスをプラズマ化する高周波電源部１７と、下部電極１３ａの開口部を介して被処理基板１９にマイクロ波を印加することにより、披処理基板１９の温度を最適範囲内に設定するマイクロ波発生部１５と、ガス供給部１４、高周波電源部１７及びマイクロ波発生部１５を制御する制御部１８とを備える。 （もっと読む）

【課題】特殊な装置を用いることなく、好適なエッチングレートを維持しつつ、エッチング形状の異方性を向上することができるドライエッチング方法及びドライエッチング装置を提供する。
【解決手段】ＳＦ_６からなるガスに、酸素を添加するとともに、ＳＦ_６に対する流量比を０．２２以上０．６７以下に調整してＳｉｘＦｙで表されるフッ化ケイ素ガスを添加したエッチングガスをプラズマ化して、シリコン層をエッチングする。 （もっと読む）

【課題】 誘導結合型の装置であって、アンテナの実効インダクタンスを小さくしてプラズマ電位を低く抑えることができ、しかも当該アンテナによってその長手方向におけるプラズマ密度分布を制御することができるプラズマ処理装置を提供する。
【解決手段】 平面形状がまっすぐなアンテナ３０を、基板２の表面に立てた垂線３に沿う方向である上下方向Ｚに互いに接近して配置されていて、高周波電流Ｉ_R が互いに逆向きに流される往復導体３１、３２によって構成している。往復導体３１、３２間の上下方向Ｚの間隔Ｄを、アンテナ３０の長手方向Ｘにおいて変化させている。かつ、上側の導体３２の近傍に、アンテナ３０の長手方向Ｘに移動可能な複数の磁性体７０を設けている。 （もっと読む）

【課題】基板を均一に処理できる基板処理装置及び方法を提供する。
【解決手段】本発明による基板処理装置は、基板処理が遂行される空間を提供する工程チャンバーと、前記工程チャンバーと連結され、前記工程チャンバー内のガスが外部に排気される通路を提供する排気管と、前記排気管に設置されるポンプと、前記工程チャンバーと前記ポンプとの間の区間で前記排気管に設置され、前記排気管の通路を開閉するバルブと、を含む。前記バルブは、複数の排気ホールが形成された第１プレートと、前記複数の排気ホールが前記排気管の通路上に又は前記通路の外側に位置するように前記第１プレートを移動させる第１駆動器と、を含む。 （もっと読む）

【課題】プラズマを利用した大面積基板処理装置、およびこれを利用した有機発光表示装置の製造方法を提供する。
【解決手段】基板処理装置は、プラズマ処理工程がなされる基板処理室と、基板処理室の上部に設置され、少なくとも一方向に沿って曲がった３次元構造物で形成されるリブ構造体と、エッジがリブ構造体に固定して載置される誘電体と、誘電体それぞれの上部に位置しており、高周波電源と連結して誘電体の内側空間で誘導電磁場を形成するアンテナとを含む。 （もっと読む）

【課題】給電側電極棒と接地側電極棒とを通電可能に接続する接続部材の取り付け容易性を向上させるプラズマ処理装置のアンテナ構造の提供。
【解決手段】交流電源の給電側に接続され、真空チャンバに設けられた処理室内で軸心を鉛直方向に沿わせて垂下支持される給電側電極棒５１と、交流電源の接地側に接続され、給電側電極棒５１に対向して処理室内で垂下支持される接地側電極棒５２と、両電極棒５１、５２の先端を通電可能に接続する接続部材５３と、を備える。給電側電極棒５１および接地側電極棒５２は、先端を軸心に対して１８０度湾曲させた懸架部を有し、給電側電極棒５１の懸架部と接地側電極棒５２の懸架部とに接続部材５３が自重によって懸架可能な構成とする。 （もっと読む）

【課題】過剰なエッチングを抑制するとともに半導体表面の突起物を除去する半導体光素子の製造方法を提供する。
【解決手段】半導体光素子の製造方法は、エッチストップ層１３及び複数の半導体層を含み、半導体光素子のための半導体積層１０を半導体基板１１の主面１１ａにエピタキシャル成長させる半導体積層成長工程と、半導体積層１０の最表面から突出する突起物の先端部が露出するように、最表面にマスク層を形成するマスク層形成工程と、マスク層を用いて、ウェットエッチングにより突起物をエッチングするウェットエッチング工程と、ウェットエッチングの後に、ドライエッチングにより突起物を除去するドライエッチング工程と、突起物を除去した後に、最表面からマスク層を除去するマスク層除去工程と、マスク層を除去した後に、半導体積層１０に半導体光素子のための加工を行う加工工程と、を備えている。 （もっと読む）

【課題】基板表面処理量の面内均一性も改善することができるアンテナ、誘電体窓、プラズマ処理装置及びプラズマ処理方法を提供する。
【解決手段】アンテナは、誘電体窓と、前記誘電体窓の一方面に設けられたスロット板とを備えている。前記誘電体窓の他方面は、環状の第１凹部１４７に囲まれた平坦面１４６と、平坦面１４６の重心位置を囲むように、平坦面１４６内に形成された複数の第２凹部１５３とを有している。前記スロット板の主表面に垂直な方向からみた場合、前記スロット板におけるそれぞれのスロット１３３内に、それぞれの第２凹部１５３の重心位置が重なって位置している。 （もっと読む）

【課題】コイルからの誘電結合作用によって広域に均一で旺盛なプラズマを発生させることができるプラズマエッチング装置を提供する。
【解決手段】プラズマエッチング装置は、減圧可能なチャンバー１、チャンバーの内部の下側に設けられ被処理物２を保持する載置部３、チャンバー１の上部開口に臨むように配置され、交流電力が印加されてチャンバー１内の反応ガスを誘導結合によりプラズマ化し、載置部３に保持された被処理物２をエッチングするためのコイル４ａ，４ｂを備える。コイル４ａ，４ｂは、周辺部側環状域が高密度分布領域である第１のコイル系４ａと、中央部側環状領域が高密度分布領域である第２のコイル系４ｂとを備える。 （もっと読む）

【課題】 誘導結合型の装置であって、アンテナの実効インダクタンスを小さくしてプラズマ電位を低く抑えることができ、しかも当該アンテナによってその長手方向におけるプラズマ密度分布を制御することができるプラズマ処理装置を提供する。
【解決手段】 このプラズマ処理装置は、平面形状がまっすぐなアンテナ３０を、基板２の表面に立てた垂線３に沿う方向である上下方向Ｚに互いに接近して配置されていて、高周波電流Ｉ_R が互いに逆向きに流される往復導体３１、３２によって構成している。かつ、往復導体３１、３２間の上下方向Ｚの間隔Ｄを、アンテナ３０の長手方向Ｘにおいて変化させている。 （もっと読む）

【課題】Ｉｎ−Ｓｎ−Ｚｎ−Ｏ系半導体を用いた半導体装置を作製する際の加工技術を確立する。
【解決手段】Ｃｌ_２または、ＢＣｌ_３または、ＳｉＣｌ_４などの塩素を含むガスを用いたドライエッチングによりＩｎ−Ｓｎ−Ｚｎ−Ｏ系半導体層を選択的にエッチングする。Ｉｎ−Ｓｎ−Ｚｎ−Ｏ系半導体層上に接して形成する導電層を選択的に除去してソース電極層及びドレイン電極層を形成する場合、塩素を含むガスに加えて酸素を含むガス、またはフッ素を含むガスを用い、Ｉｎ−Ｓｎ−Ｚｎ−Ｏ系半導体層がほとんど除去されないように導電層を選択的にエッチングすることができる。 （もっと読む）

【課題】矩形基板の外側領域におけるプラズマ分布制御を行うことができる誘導結合プラズマ用アンテナユニットを提供すること。
【解決手段】アンテナユニット５０において、アンテナ１３は、誘導電界を形成する部分が全体として矩形基板Ｇに対応する矩形状平面を構成し、かつ、複数のアンテナ線を渦巻状に巻回してなる第１のアンテナ部１３ａと第２のアンテナ部１３ｂとを有し、第１のアンテナ部１３ａの複数のアンテナ線は、矩形状平面の４つの角部を形成するとともに、矩形状平面とは異なる位置において、４つの角部を結合するように設けられ、第２のアンテナ部１３ｂの複数のアンテナ線は、矩形状平面の４つの辺の中央部を形成するとともに、矩形状平面とは異なる位置において、４つの辺の中央部を結合するように設けられる。 （もっと読む）