【課題】ガス供給系の簡略化を図るとともに、エッチング形状の異方性を向上することができるドライエッチング装置及びドライエッチング方法を提供する。
【解決手段】酸化ケイ素膜を有する基板Ｓｂを収容する処理室１２と、高周波電力が供給されるとともに誘電体を介して基板Ｓｂと接触する基板電極ステージ２０と、基板電極ステージ２０上に直接接触した状態で配置されるカーボンリング２６と、処理室１２に、四フッ化炭素と不活性ガスとからなるエッチングガスを供給するガス供給系１５と、エッチングガスを誘導結合によりプラズマ化する高周波アンテナ３０及び高周波電源３１とを備える。 （もっと読む）

【課題】被処理基板における凹凸形状を備えた面と下地基板の表面とを仮接着した後に減圧下において処理する際の、加工精度、処理効率、及び／又は処理の安全性を高める。
【解決手段】本発明の１つの貼り合せ構造体４０の製造方法は、凹部４２Ａ及び凸部４２Ｂが形成された第１表面を備える被処理基板４１の第１表面４２上に、２５℃における粘度が０．０２Ｐａ・ｓ以上０．１Ｐａ・ｓ以下である溶液状仮接着材を供給する溶液状仮接着材供給工程と、その溶液状仮接着材を加熱することにより、第１表面４２の凸部４２Ｂを１０μｍ超２０μｍ以下の厚みの仮接着材４６Ｂによって覆う仮接着材形成工程と、その仮接着材４６Ｂを介して、第１表面４２と平板状の下地基板４８とを一時的に貼り合わせる貼り合せ工程とを含む。 （もっと読む）

【課題】基板を均一に処理できるアンテナユニット、それを含む基板処理装置、及び前記装置を利用する基板処理方法を提供する。
【解決手段】本発明による基板処理装置は、内部に空間が形成された工程チャンバー１００と、工程チャンバー１００の内部に位置し、基板Ｗを支持する基板支持部２００と、工程チャンバー１００の内部へ工程ガスを供給するガス供給部と、工程チャンバー１００の内部へ高周波電力を印加して工程チャンバー１００の内部へ供給された工程ガスを励起させるアンテナと、アンテナのサイズを可変させる駆動部と、を含む。 （もっと読む）

【課題】エッチング対象が透光性を有し、且つパターンが微細である場合であってもエッチング処理の終点検出の精度を向上させることができる基板の製造装置および基板の製造方法を提供することである。
【解決手段】実施形態に係る基板の製造装置は、処理容器と、前記処理容器の内部にガスを供給するガス供給部と、前記処理容器の内部を排気する排気部と、前記処理容器の内部にプラズマを発生させるプラズマ発生部と、前記処理容器の内部に設けられ基板を載置する載置部と、前記載置部に載置された前記基板の前記載置部に対峙する側の面に検出光を入射させ、前記基板からの反射光に基づいてエッチング処理の終点を検出する終点検出部と、を備えている。そして、前記終点検出部は、前記基板の前記面に対して垂直な方向から前記検出光を入射させ、前記基板の透光性を有する材料から形成された部分における前記エッチング処理の終点を検出する。 （もっと読む）

【課題】エッチング時に生成されるプラズマの密度を高めることのできるプラズマエッチング装置を提供する。
【解決手段】高周波アンテナ１０を有するプラズマエッチング装置であって、高周波アンテナ１０の備える上段アンテナ１０ａ及び下段アンテナ１０ｂの各々は、渦巻き状をなす一つの配列ライン上に配列されて互いに並列の線路部材を有している。上段アンテナ１０ａ及び下段アンテナ１０ｂは、複数の線路部材として、配列ラインの中心側に配置された内側線路１１と、内側線路１１を取り巻く線路部材である外側線路１２とからなる。配列ラインにおける旋回の回数が、内側線路１１と外側線路１２とで連続している。 （もっと読む）

【課題】チャネル形成領域が形成される半導体層のチャネル形成領域と逆側近傍の加工方法を工夫した半導体装置の作製方法を提供する。
【解決手段】少なくとも結晶性半導体膜上に非晶質半導体膜が設けられた積層半導体膜の一部に対して、少なくとも第１のエッチングと第２のエッチングを行い、第１のエッチングは非晶質半導体膜の一部を残存させつつ行い、第２のエッチングは非晶質半導体膜上の被覆膜を除去させた後に、非晶質半導体膜に対するエッチングレートが高く、且つ結晶性半導体膜に対するエッチングレートが低い条件により行い、積層半導体膜に設けられた結晶性半導体膜の一部を露出させる。 （もっと読む）

【課題】シリコンウエハに貫通孔を形成することが不可欠なチップサイズパッケージや３次元積層型のパッケージについて、シリコンウエハに直接識別記号を形成する技術を提供することを目的とした
【解決手段】少なくとも、シリコンウエハ上に感光性レジストを塗布する塗布工程、感光性レジストを所定のパターンを有する濃度分布マスクを介して露光する露光工程、感光性レジストにシリコンウエハが露出する開口部と露出しない開口部とを形成する現像工程、ドライエッチングにより感光性レジスト開口部に対応する部位のシリコンウエハを除去してシリコンウエハに導通用の貫通孔と非貫通孔から構成される識別記号とを同時に形成する工程、残余の感光性レジストを除去する工程、とを有することを特徴とするシリコンウエハの加工方法である。 （もっと読む）

【課題】誘導結合プラズマ処理装置において、大きな面積であっても効率的に高周波エネルギーを供給する高周波コイル配置を提供する。
【解決手段】誘電結合プラズマチャンバー２００のためにＲＦエネルギーを結合するための配置であり、ＲＦコイル２１５又はＲＦ放射体は、チャンバー２００のシーリング２２０に形成された溝の内部に組み込まれており、絶縁フィラーは、溝内のコイルを覆っている。シーリング２２０は、二つのプレート、つまり、導電性物質からなる上部プレートと誘電体物質からなる底部プレートからなり、物理的に接触している。コイルからの磁場の拡散を制御する磁気シールドはコイル２１５の上方に設けられてもよく、流体流路は、熱制御を提供するために導電性プレート内に設けられてもよい。また、流体導管は、金属プレートと誘電体プレートとの間のスペース中にガスを注入できるように設けられてもよい。 （もっと読む）

【課題】複数の半導体基盤に同時にアッシングまたはエッチング処理を行うのに最適な広域高周波プラズマ供給源を提供する。
【解決手段】高周波プラズマ処理室のアンテナアレイ３０は、電極アレイ３６と、各電極チューブと個別に同心円状に配置された誘電体チューブからなる誘電体チューブアレイ３６と、気密シール４０とを有している。各電極チューブの外面と、当該電極チューブに対応する誘電体チューブの内面とによって、大気圧の空洞が形成される。気密シール４０が各誘電体チューブと処理室との間にあることによって、処理室の内部を真空圧または低圧にする。 （もっと読む）

【課題】エッチング処理後の放置時間の長短に係わらず、効率的に堆積物を除去することができ、かつ、パターン中の構造物の二酸化シリコンに対するダメージを抑制することのできる堆積物の除去方法を提供する。
【解決手段】基板上にエッチングによって形成されたパターンの表面に堆積した堆積物を除去する堆積物除去方法であって、前記基板を加熱しながら酸素プラズマに晒す酸素プラズマ処理工程と、前記酸素プラズマ処理工程の後、前記基板を、処理チャンバー内でフッ化水素ガスとアルコールガスの混合ガスの雰囲気に晒し、かつ、前記アルコールガスの分圧を第１の分圧とする第１の期間と、処理チャンバー内を排気し前記アルコールガスの分圧を第１の分圧より低い第２の分圧とする第２の期間とを、複数サイクル繰り返すサイクル処理工程と、を具備したことを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】高アスペクト比のコンタクトホールなどのパターンを形成することが可能となるドライエッチングガスを提供する。
【解決手段】二重結合に直接結合したCF₃CFフラグメントを持つ化合物（ただし、CF₃CF=CFCF=CF₂を除く）を含むドライエッチングガス。特に、ＣＦ_３ＣＦ＝ＣＦ_２及びＣＨ_２Ｆ_２を含むドライエッチングガスが好ましい。 （もっと読む）

【課題】リッジ部を形成するためのエッチングの際にＧａＡｓキャップ層の側壁にサイドエッチングが進行することを防止できる半導体レーザ素子の製造方法を提供する。
【解決手段】本発明の半導体レーザ素子の製造方法は、半導体基板２上にｎクラッド層３と、活性層４と、第１ｐクラッド層５と、エッチングストップ層６と、第２ｐクラッド層７と、キャップ層９とを順次積層して形成する工程と、キャップ層９の一部を除去した開口部１０ＡにＺｎＯ層１１を形成して窓領域を形成する工程と、開口部１０Ａからキャップ層９上にかけてストライプ状の絶縁膜マスクパターン１６を形成し、絶縁膜マスクパターン１６から露出したキャップ層９をエッチング除去する工程と、絶縁膜マスクパターン１６から露出しているキャップ層９の側壁を酸化する工程と、エッチングストップ層６に達するまでエッチングを行ってリッジを形成する工程とを含むことを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】ポッピングの発生を抑制するとともに、ポッピングが発生してしまった場合には飛散した変質層の破片をも除去することができるアッシング方法およびアッシング装置を提供する。
【解決手段】イオン注入により表面に形成された変質層４とその下の未変質層３とを有するレジストを除去するアッシング方法であって、基板の前記レジストが形成された面を覆うように塗布膜５を形成し、前記レジストと前記塗布膜５とを反応性ガスを用いたプラズマ処理により除去する。 （もっと読む）

【課題】プラズマ処理中に基板の縁部およびトレイに付着した副生成物の除去を行って、製品の品質を向上させる。
【解決手段】基板が収容される複数の基板収容孔が設けられ、基板収容孔の内壁から突出する基板支持部を有するトレイを基板ステージのトレイ支持部上に載置するとともに基板保持部上に基板を載置して、基板保持部の端縁よりはみ出した基板の縁部と基板支持部とを離間させる基板載置工程と、トレイおよび基板が基板ステージ上に載置された状態にて、チャンバ内を減圧するとともに処理ガスを供給し、基板に対するプラズマ処理を行う第１プラズマ処理工程と、チャンバ内を減圧するとともに処理ガスを供給してプラズマ処理を行い、第１プラズマ処理工程により基板の縁部と基板支持部とに付着した副生成物を除去する第２プラズマ処理工程とを実施する。第２プラズマ処理工程は、副生成物の基板保持部への付着を抑制する位置までトレイを上昇させて行う。 （もっと読む）

【課題】パッシブ素子の特性の設計値からの低下を抑制することができる光集積素子の製造方法を提供すること。
【解決手段】基板上に、活性コア層を含む半導体積層構造で形成された、アクティブ素子を形成するためのアクティブ領域と、パッシブコア層を含む半導体積層構造で形成された、パッシブ素子を形成するためのパッシブ領域とを形成し、アクティブ領域とパッシブ領域とに被覆部と開口部とを有する第１エッチングマスクを形成し、アクティブ領域およびパッシブ領域において開口部からドライエッチングを行い、アクティブ領域にアクティブ素子のアクティブメサ構造を形成するとともにパッシブ領域にパッシブ素子のパッシブメサ構造を形成し、パッシブ領域に第２エッチングマスクを形成し、パッシブメサ構造を第２エッチングマスクにて保護しながらアクティブメサ構造をウェットエッチングする、ことを含む。 （もっと読む）

【課題】 反応性プラズマエッチング加工など加工時に発生する熱量が大きな局所加工において、被加工物の温度プロファイルが変化し、それに依って単位加工形状が変化する場合においても、高精度かつ低コストで加工を行えるようにする。
【解決手段】 上述の課題を解決するために、
温度測定器（１１１）によって被加工物（１０３）の表面の複数の点の温度を測定することで被加工物の温度プロファイルを計測する工程と、その温度プロファイルと局所加工ツール（１０１）の単位加工形状とに基づき被加工物に対する局所加工ツールの滞留時間分布を算出する工程と、この滞留時間分布に基づき局所加工ツールを制御して被加工物を加工する工程と、を有する局所加工方法を提供する。 （もっと読む）

【課題】高温状態のトレイによる基板の加熱を抑制する。
【解決手段】基板２の下面縁と当接可能なテーパー面２１ｅ，２１ｆを含む内周面を備える基板収容孔２１ｄが形成されたトレイ２１を用いる基板のドライエッチング方法において、基板収容孔２１ｄの中心軸Ａｃと静電チャック１１の基板載置面１３ａの中心Ｃ２とが重なるようにトレイ２１を位置決めして所定の位置に降下させることにより、下面縁の少なくとも一部がテーパー面２１ｅ，２１ｆから離間した状態で基板２を基板載置面１３ａに載置し、基板２が基板載置面１３ａから離れるまでトレイ２１を上昇させることにより、テーパー面２１ｅ，２１ｆと接触する基板２の下面縁の部分を該テーパー面にならわせ、基板２の中心Ｃ１を基板収容孔２１ｄの中心軸Ａｃ上に位置合わせし、トレイ２１を所定の位置に降下させることにより、トレイ２１から離間した状態で基板２を基板載置面１３ａに載置する。 （もっと読む）

【課題】シリコン基板に形成される凹部の加工精度を高めることのできるシリコン基板のエッチング方法及び該方法を用いるシリコン基板のエッチング装置を提供する。
【解決手段】シリコン基板に対してその厚さ方向に延びる凹部を形成する際に、シリコン基板を含む基板Ｓを収容する真空槽１１内に六フッ化硫黄（ＳＦ_６）ガスのプラズマを生成して、該シリコン基板の厚さ方向に延びる凹部を形成する。加えて、真空槽１１内に三フッ化ホウ素（ＢＦ_３）ガスのプラズマを生成して、上記凹部の内壁面にホウ素とシリコンとを含む保護膜を形成する。 （もっと読む）

【課題】 被処理基板の大型化に対応でき、かつ、処理室内におけるプラズマ分布の制御性を良好にすることが可能な誘導結合プラズマ処理装置を提供すること。
【解決手段】 処理室内のプラズマ生成領域に誘導結合プラズマを発生させる高周波アンテナ１１ａ、１１ｂと、プラズマ生成領域と高周波アンテナとの間に配置される金属窓３と、を備え、金属窓３が、この金属窓３の周方向θに沿って２以上に互いに電気的に絶縁されて分割される第１の分割がされ（３ａ、３ｂ）、かつ、第１の分割がされた金属窓３が、さらに周方向θと交差する方向ｒ１、ｒ２に沿って互いに電気的に絶縁されて分割される第２の分割がされている（３ａ１〜３ａ４、３ｂ１〜３ｂ４）。 （もっと読む）

【課題】処理経過時間毎に異常範囲設定したグラフと比較して異常検知することにより、設定値とは無関係にモニタ値が一定ではないデータの異常を検知する基板処理装置を提供する。
【解決手段】本願発明の基板処理装置は、複数のステップから構成される各種レシピをファイルとして少なくとも格納する記憶部と、少なくとも前記ファイルのパラメータ編集を行うための操作画面を表示する表示部と、該表示部等を介して入力された指示データや前記レシピ編集時におけるパラメータ設定値を入力する入力部とを少なくとも備えた操作部と、各ステップにおいて、前記パラメータ設定値、ステップ終了条件、異常監視条件のそれぞれが指定される所定のレシピを実行する制御部とを有する。 （もっと読む）