【課題】被処理基板のプラズマ処理の面内均一性を向上することを可能とする。
【解決手段】開口部２２０を有する処理容器と、ガス供給手段と、排気手段と、開口部から処理室２０１内に挿入される基板を保持する基板保持具と、基板保持具に積層されるプラズマ生成用の少なくとも１対の電極であって電極間に基板が配置される第１、第２電極と、基板保持具を処理室内で回転自在に支持するための回転軸３１０と、回転軸を回転自在に軸支し開口部を閉塞する蓋体と、回転軸中を通って処理室内に導入され第１、第２電極とに接続される第１、第２供給ラインと、処理室外に導出される第１、第２供給ラインに接続される第１、第２回転コンデンサ３１４ａ、３１４ｂと、第１、第２回転コンデンサから第１、第２供給ラインを介して第１、第２電極に異なる位相の電力を別々に供給する電力供給手段とを備える。 （もっと読む）

エッチング装置のためのバッフルアセンブリが開示される。このバッフルアセンブリは、リングと、フランジ部分と下側のフレーム部分との間に延びる湾曲したウォールを有する下側のバッフル部分とを含む。加熱アセンブリがこのバッフルの温度を制御するために、下側フレーム部分の中に存在するかもしれない。このバッフルアセンブリはチャンバー内の処理空間内にプラズマを閉じ込めるのに役立つかもしれない。このリングはシリコンカーバイドを含み、下側のバッフル部分はアルミニウムを含むかもしれない。
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【課題】半導体・液晶製造工程で使用される腐食性ガスやそのプラズマに対して高い耐食性を有するＹ_２Ｏ_３単相からなる焼結体の提供。
【解決手段】（ａ）Ｙ_２Ｏ_３の含有量が９９．７重量％以上、（ｂ）ＳｉＯ_２の含有量が０．０５〜０．３重量％、（ｃ）Ａｌ_２Ｏ_３の含有量が０．０２重量％以下、（ｄ）ＴｉＯ_２の含有量が０．０１重量％以下、（ｅ）不可避不純物量が０．０１重量％以下であり、（ｆ）結晶相として第２相が存在しないＹ_２Ｏ_３単相からなり、（ｇ）その相対密度が９５％以上であり、（ｈ）平均結晶粒径が５〜２０μｍであることを特徴とするＹ_２Ｏ_３質焼結体。 （もっと読む）

【課題】基板の破壊を防止して基板をステージ上から容易に且つ確実に取り外すことができる基板の取り外し方法を提供する。
【解決手段】ステージ２０上に基板１を保持する保持手段３０による当該基板１の保持状態を解除した後、前記基板１の前記ステージ２０側の面に気体を送風して当接させる送風工程と、該送風工程による前記気体の送風を停止する停止工程とを繰り返し行って、前記ステージ２０上から前記基板１を取り外す。 （もっと読む）

基板支持装置及びこれを備えるプラズマエッチング装置が開示される。基板支持装置の中心領域に基板支持のための電極を配設し、かつ基板支持装置のエッジ領域にＲＦ電源受信のための電極を配設することにより、中心領域とエッジ領域に電源がそれぞれ別々に提供可能な基板支持装置が開示される。この基板支持装置を備えることにより、半導体基板のエッジ領域に堆積される薄膜又はパーティクルが除去可能であり、しかも、基板エッジのエッチング工程中における半導体基板の中心領域の損傷が防止可能な基板エッジエッチング装置が開示される。
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【課題】非金属材料よりなる発熱体のマイクロ波による異常発熱や消耗の発生を防止して、長寿命化を図ることが可能な載置台構造を提供する。
【解決手段】処理容器４内にて被処理体Ｗに対してマイクロ波を用いつつ所定の熱処理を施すために、非金属材料よりなる発熱体６２を有する加熱手段が埋め込まれると共に前記被処理体を載置する載置台８と、前記載置台を前記処理容器の底部より起立させて支持する支柱とを有する載置台構造において、前記載置台の上面に、前記マイクロ波に対するシールド部材６８を設けるように構成する。これにより、非金属材料よりなる発熱体のマイクロ波による異常発熱や消耗の発生を防止して、長寿命化を図る。 （もっと読む）

【課題】リモートプラズマを発生させる機構備える基板処理装置で、基板を支持する支持板を均一にガスクリーニングできる基板処理装置を提供する。
【解決手段】基板１を処理する処理室５０と、処理室内にガスをシャワー状に供給するシャワーヘッド１５と、シャワーヘッド内に処理ガスを供給する処理ガス供給口６と、処理室の外部に設けられ少なくともクリーニングガスをプラズマで活性化するプラズマ発生器１１と、プラズマ発生器によりプラズマで活性化したガスをシャワーヘッド内に供給する活性化ガス供給口１２と、処理室内で基板を支持する支持板２と、支持板の下方に設けられ支持板により支持した基板を加熱するヒータ３と、処理室内を排気する排気口７と、を有し、活性化ガス供給口は、活性化ガス供給口を支持板に対して垂直な方向に投影した場合に基板が載置される領域１６とは重ならない位置に配置される。 （もっと読む）

【課題】 プラズマ処理装置において、電子密度を高くしてプラズマ生成効率を向上する
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【解決手段】 対向する一対の平板電極３、１７間にガスを供給し、一対の平板電極の少
なくとも一方の平板電極に高周波電力を印加してプラズマを発生させて基板４にプラズマ処理を行うプラズマ処理装置において、前記高周波電力が印加されるひとつながりの平板電極１７に複数の突起５０を設け、前記複数の突起５０に前記ガスを供給するガス供給孔４０を設けた。 （もっと読む）

【課題】電極体の位置決めが容易なプラズマ処理装置を提供する。
【解決手段】反応室内に被処理基板を所定の間隔をおいて多段に且つ同心に配置する共に、処理ガスを供給し、所定の圧力の下で前記被処理基板を処理する基板処理装置において、前記被処理基板の各々の表面から所定の距離にプラズマを発生させて基板を処理する電極体２０１を配置し、前記各電極体２０１には互いを同心に位置決めさせる位置決め部２２０を設け、前記各位置決め部にはこれらを一括に位置決めする位置決め機構２２４，２２５を設ける。 （もっと読む）

【課題】プラズマ処理を効率よく行うことができるプラズマ処理装置を提供すること。
【解決手段】プラズマ処理装置１は、印加電極２と、ワーク１００を載置するとともに印加電極２の対向電極としての機能を併有するパレット（第１の電極）４と、プラズマ処理用のガスを供給するガス供給手段１１と、印加電極２とパレット４との間に電圧を印加する第１の回路（電源部）８を備え、パレット４を載置するテーブル６の下面６３には、振動子９が配設され、振動子９の振動数を調整する周波数調整手段７４と、周波数調整手段７４の作動を制御する制御手段７０とを有しており、この振動子９によりパレット４とワーク１００とを一体的に振動させながらワーク１００の被処理面１１０を処理するに際し、制御手段７０により、周波数調整手段７４が作動するよう構成されている。 （もっと読む）

半導体構造をエッチングするためのパルス化反応ガスを補充するパルス化プラズマシステムが記載されている。ある実施形態において、サンプルの一部はパルス化プラズマ・エッチング・プロセスを適用することにより除去される。パルス化プラズマ・エッチング・プロセスは複数のデューティサイクルから成り、各デューティサイクルはプラズマのオン状態とオフ状態の組合せを表す。プラズマは反応ガスから生成され、反応ガスはプラズマのオン状態の間でなくオフ状態の間に補充される。別の実施形態では、サンプルの第１部分は連続プラズマ・エッチング・プロセスを適用して除去される。次に連続エッチング・プロセスは終了され、そしてサンプルの第２部分はパルス化反応ガスを補充するパルス化プラズマ・エッチング・プロセスを適用することにより除去される。 （もっと読む）

【課題】反応生成物を周囲に飛散させることがなくて、被加工部材を精密に加工することができ、かつ、大掛かりなメンテナンス作業を必要としないプラズマ加工装置およびプラズマ加工方法を提供すること。
【解決手段】回転電極２に、ガス滞留室１６と、電極部３３における回転軸２３側とは反対側の端部の外面とガス滞留室１６とを連通する吸引側ガス流路１４と、回転軸２３の外面とガス滞留室１６とを連通する排出側ガス流路１５とを形成する。 （もっと読む）

プラズマチャンバ材料としてのイットリウム酸化物の寿命を延長する２つの方法が提供される。１つの方法は、２層の未焼結体を同時焼結することによってプラズマ処理チャンバの３層部品を作成することを備え、１つの層はセラミックパーティクルを備え、第２の層はイットリアパーティクルを備える。２つの層は、焼結処理の間、密に接触する。好ましい実施形態では、３層部品は、イットリアの外層と、ＹＡＧの中間層と、アルミナの第２の外層とを備える。随意的に、ディスは、焼結処理の間、共にプレスされる。３層部品は、低い多孔性を有する。好ましくは、イットリアの外層、ＹＡＧの中間層及びアルミナの第２の外層のいずれかの多孔性は、３％未満である。第２の方法は、部品の全てのイットリア表面上の封止剤をブラッシングして部品に室温で５０ｃＰ未満の粘度の液体嫌気性封止剤を適用することと、部品をウエットクリーニングすることと、ウエットクリーニングした部品を窒素環境における少なくとも１５０℃の温度で２時間以上修復させることと、第１のコートを適用するために用いた手順を繰り返して修復した基板に第２の封止剤コート適用すること、によって、イットリアプラズマ溶射を被覆した部品を封止する。 （もっと読む）

【課題】中性化手段の損傷及び異物の生成を防止する中性ビームを用いるエッチング装置を提供する。
【解決手段】複数のグリッド１２によりプラズマから抽出されたイオンビームを、電子との衝突によって中性ビームに変換させる電子放出部１３を備えることによって、イオンビームが電子放出部１３に物理的に衝突するのを防止し、イオンビームを、方向性及びエネルギーの損失を招くことなく、高い中性化効率で中性ビームに変換させ、大面積の中性ビームを生成して半導体ウエハを均一にエッチングする。 （もっと読む）

【課題】
【解決手段】
チャンバ壁を有したプラズマ処理チャンバ内で基板を処理する方法が提供されている。この方法はチャンバ壁に接続された誘電ライナ内に封入された筒状電極を有した電極構造物を提供する。この方法は筒状電極とチャンバ壁との間で接続されている誘導回路構造物をも提供する。この方法は、基板を処理するために、電極構造物をプラズマ処理チャンバ内に配置した状態にてプラズマ処理チャンバ内でプラズマを発生させることもさらに含む。 （もっと読む）

プラズマ処理装置のシャワーヘッド電極組立体が提供される。シャワーヘッド電極組立体は第２の部材に取り付けられる第１の部材を含む。第１及び第２の部材は、流体連通する第１及び第２のガス流路を有する。処理ガスがガス流路を通って流れる場合、第１及び第２のガス流路に沿って全圧の低下が発生する。第２のガス流路に沿った全圧の低下の割合は、第１のガス流路に沿った全圧の低下の割合よりも大きい。 （もっと読む）

【課題】
プラズマ処理システム内のプラズマの均一性を調整・制御する方法及びシステムを提供する。
【解決手段】
基板のエッチング中に弾道電子ビームを生成するために、プラズマ処理システムは、直流（ＤＣ）電力が結合される電子源電極を含んでいる。プラズマの密度分布の変化に影響を及ぼすリング状の中空陰極プラズマを作り出すために、電子源電極に対向するように基板の周囲に設けられたリング状電極が使用される。 （もっと読む）

【課題】ウェーハ上に形成された有機膜などの不要物を容易かつ低費用で除去する。
【解決手段】基材（１０）の縁部に形成された不要物を除去する基材処理装置が、前記基材を回転させる回転ステージ（２０）と、前記不要物を除去するための反応性ガスを供給するガス供給部（６０）と、前記反応性ガスの供給部に接続されていて、前記反応性ガスを含む火炎を前記基材の縁部に向かって放射する少なくとも一つのガスバーナ（３０）と、を備えたことを特徴とする基材処理装置。 （もっと読む）

半導体ウェハ又は誘電体マスクのようなワークピースを処理するためのプラズマリアクタが提供される。リアクタのチャンバは、天井と、側壁と、チャンバ内にあるワークピース支持ペデスタルであって、対称軸に沿って天井を向き、該ペデスタルと天井との間のチャンバ容積を画成するワークピース支持ペデスタルとを有する。ＲＦプラズマソース電力印加装置が天井に設けられる。チャンバ内には、その場の電極本体が横たわり、チャンバを上部チャンバ領域及び下部チャンバ領域に分割する。その場の電極は、軸に平行に延び且つ異なる開口サイズをもつ複数のフロースルー通路を有し、これら通路は、その場の電極本体を通してのガス流抵抗の望ましい半径方向分布に基づいて開口サイズにより半径方向に分布される。 （もっと読む）

【課題】 装置自体が小型で、且つ設置スペースもそれ程要しない熱媒体循環装置を提供する。
【解決手段】 熱媒体循環系７８に、温度制御の対象となる温度被制御体と、熱媒体と主たる熱交換を行う主熱交換器８８と、循環ポンプ８４とを介設してなる温度制御用の熱媒体循環装置において、前記主熱交換器の下流側の前記熱媒体循環系に、熱電冷却素子１００を用いた副熱交換器９６を介設して前記熱媒体の温度制御を行うように構成する。これにより、装置自体が小型で、且つ設置スペースもそれ程要しない構造とする。 （もっと読む）