【課題】半導体ウェハの下面の全面をエッチングすることができ、かつ使用するエッチング装置の構造が簡単である半導体装置の製造方法を提供する。
【解決手段】本発明に係る半導体装置の製造方法は、半導体ウェハ１の一部を下面から支持した状態で、半導体ウェハ１をドライエッチング領域まで搬送して半導体ウェハ１の下面にドライエッチングを行わせる搬送ベルト２０と、ドライエッチング領域において搬送ベルト２０を下方から支持する支持棒２４とを具備するエッチング装置１０を用いて半導体ウェハ１の下面をドライエッチングする工程を有する。半導体ウェハ１の下面をドライエッチングする工程において、半導体ウェハ１をドライエッチングしている間に搬送ベルト２２を用いて半導体ウェハ１を少なくとも一回ドライエッチング領域内で移動させる。 （もっと読む）

電極組立体と、半導体基板処理に使用されるプラズマ反応室において電極組立体の周りに外部リングをセンタリングする方法。かかる方法は、電極組立体の補助部材の外部表面に外部リングを配置する工程と、外部リングと補助部材との間に少なくとも１つのセンタリング要素を挿入する工程と、を含む。センタリング要素は、補助部材の外部表面のキャビティに受け入れられる複数のバネ仕掛けセンタリング要素であり、センタリング要素は、外部リングと接するように構成された第１端と、バネを受け入れるように構成された第２端とを有する。外部リングは、補助部材の外部表面を囲み、バネ仕掛けセンタリング要素は、補助部材の外部表面と外部リングの内部表面との間に位置付けられる。 （もっと読む）

半導体基板処理に使用されるプラズマ反応チャンバのための電極組立体は、上部電極、該上部電極の上面に取り付け可能な裏当て部材、及び外側リングを含む。該外側リングは該裏当て部材の外側面を囲み、該上部電極の上面の上に配置される。
（もっと読む）

【課題】大面積を有する基板を用いて半導体装置の大量生産を行う場合、ステッパを製造プロセスに用いない半導体装置の製造装置を提供する。
【解決手段】絶縁表面を有する基板上に形成された薄膜に対して、光制御手段、具体的には電気光学装置を介してレーザ光の照射を選択的に行ってアブレーションを生じさせることで薄膜を部分的に除去し、残存させた領域の薄膜を所望の形状とする。電気光学装置は、半導体装置の設計ＣＡＤデータに基づく電気信号を入力することで可変のマスクとして機能する。 （もっと読む）

【課題】容器本体と蓋体とによりなる角筒形状の処理容器を加熱するにあたり、処理容器の昇温時に前記容器本体と蓋体との間に形成される隙間を狭めること。
【解決手段】角型の処理容器４０は、容器本体４１と、この容器本体４１の上に着脱自在に設けられた蓋体４２とにより構成される。前記蓋体４２の天井部には、前記処理容器４０の昇温時において、前記蓋体４２及び容器本体４１の接合部における反りを抑えるために、前記蓋体４２の中央部の温度が、処理容器４０の側壁角部の温度よりも高いか、或いは前記蓋体４２の中央部の温度が前記側壁角部の温度よりも僅かに低くなるように加熱する第１の温調手段５Ａが設けられると共に、前記容器本体４１の側壁部４１ｂには第２の温調手段５Ｂが設けられる。こうして前記接合部における蓋体４２の反りを抑えながら、処理容器４０を加熱することにより、前記蓋体４２と容器本体４１との間の隙間が狭められる。 （もっと読む）

【課題】基板の跳ね上がり現象や片上がり現象による搬送トラブルを発生させることなく、基板を基板載置台から脱離させることができる基板の脱離方法を提供する。
【解決手段】ステップ２，３で、下部電極４を下降させることで相対的にリフトピン２を基板載置台３より突出させて、ウエハ１を傾斜させることで、ウエハ１の端部をエッヂリング９で支持してウエハ１を基板載置台３から脱離させ、次にステップ４で、下部電極４を上昇させることによって相対的にリフトピン２を下降させ、リフトピン２を基板載置台３の上面よりも下方へ没入させることで、ウエハ１を基板載置台３上に水平に載置し、次にステップ５で、下部電極４を下降させて相対的にリフトピン２を基板載置台３より突出させ、リフトピン２でウエハ１を基板載置台３から持上げて脱離させ、次にステップ６で、リフトピン２をさらに上昇させてウエハ１を搬送位置の高さＨまで持ち上げる。 （もっと読む）

本発明はシリコン単一材質のプラズマチャンバーカソード及びアウトリングに係り、半導体ウェーハのプラズマ工程に用いられる電圧装置であるアノードがＲ．Ｆガスの圧力により変形をもたらし、アノードの下部に連結構成されたカソードも同様に連動して変形しなければならないが、前記カソードの材質はシリコンとグラファイトをエラストマーボンディングして構成されてアノードの変形に伴う有機的な連動がなされず、アノードとカソード及びアウトリングと結合するボルトが割れて離脱するなどの毀損が容易に起こり、グラファイトの素材は容易にパーチクルが発生するなどの不良現象を解消するために、カソードをシリコンの単一材質に構成し、内部に円形の溝及び溝線を構成、プレート及びリングを挿入して溝とプレート及びリングの間に所定の空間部を構成してアノードの変形に伴いカソードの連動が容易になされ、パーチクルの発生を抑えるように構成されたことを特徴とするカソードに関する。 （もっと読む）

【課題】平板状部材とこれを支持する支持部材とからなるプラズマエッチング用電極において、平板状部材と支持部材とが強固に固定され、かつ、消耗部である平板状部材の交換が容易なプラズマエッチング用電極を提供すること。
【解決手段】 平板状部材１と、これを支持するリング状支持部材２とからなるプラズマエッチング電極において、平板状部材の外周面に雄ネジが形成され、リング状支持部材の端部の内周面に雌ネジが形成され、平板状部材の雄ネジとリング状部材の雌ネジとを螺合することによって平板状部材とリング状支持部材とを接合してなるプラズマエッチング電極。 （もっと読む）

【課題】プラズマ中に不要なガスが混入しないようにすることにある。
【解決手段】プラズマを発生するプラズマ発生部と、液体カーテンを形成する液体供給部を備え、プラズマを液体カーテンで覆う、プラズマ源にあり、又は、プラズマを液体カーテンで覆う液体供給部と、液体供給部に対向して配置され、被処理物を保持する保持部と、を備え、液体カーテンで覆われたプラズマで被処理物を処理する、処理装置にあり、又は、液体カーテンを形成し、液体カーテン内に液体又はミストを供給し、液体カーテン内にプラズマを形成し、被処理物を処理する、処理方法にある。 （もっと読む）

【課題】 レーザ加工時に発生する飛散物やダストを除去し、且つ半導体基板の損傷を抑制する。
【解決手段】 半導体装置（被加工物）２０のトレンチ形成では、表面に絶縁膜２が形成された半導体装置（被加工物）２０表面に流水を流しながら、フォーカスレンズ５によりレーザ光４を所定のビーム幅に集光した集光後レーザ光６を半導体装置（被加工物）２０に照射する。集光後レーザ光６が半導体装置（被加工物）２０に照射されると照射部の絶縁膜２及びシリコン基板１の表面が溶融され、流水３により冷却され、トレンチ７ａと、照射部周辺の絶縁膜２上に残渣物８ａとが形成される。所定の深さのトレンチ７が形成されると、集光後レーザ光６は走査され、トレンチ７形成が終了した領域には、ノズルから高圧純水からなるウォータジェット９が噴射され、残渣物８が半導体装置（被加工物）２０表面から剥離される。 （もっと読む）

【課題】プラズマの熱に曝された場合でも、熱応力により破壊することのないプラズマ処理装置用電極部材の製造方法を提供する。
【解決手段】プラズマ発生用ガスを処理室に供給するためのガス供給口を有するプラズマ発生用電極の上記ガス供給口の前面に装着されるプラズマ処理装置用電極部材の製造方法であって、焼成によりアルミナセラミックスの多孔質体を形成した後、研削および研磨により成型を行い、その後、１０００℃〜１６００℃の範囲内の温度でもって再焼成する方法である。 （もっと読む）

本発明は、ウエハーの縁部に堆積された膜質とパーティクルをプラズマエッチングで乾式洗浄する装置であって、外部と隔離された空間を提供し、その上面が蓋体によって開閉される筐体と、上記蓋体の開閉時にその位置を保持するように上記蓋体と離隔された状態で上記筐体の内部に設置される上部電極組立体と、上記筐体の内部において上記上部電極組立体の下方に昇降自在に設置され、その上にはウエハーが載置される下部電極組立体、及び上記下部電極組立体を昇降させる昇降手段と、を含む。また、筐体の外部の上面中心と上部電極組立体の中心には透明な観測窓が設けられてウエハーのアラインメント状態を外部から確認することができる。 （もっと読む）

【課題】 種々な処理サイクルの後でも変形や反りに耐え且つ浸食に耐えるような、基板処理チャンバにて使用されるリングアセンブリを提供する。
【解決手段】 基板処理チャンバにおいて使用され、環状棚及び内側周辺側壁を備える基板支持体のためのリングアセンブリ２０が提供される。１つの変形例においては、リングアセンブリ２０は、（ｉ）上記支持体の環状棚に乗る水平脚及び上記支持体の内側周辺側壁に当接する垂直脚を備えるＬ字形分離リング２９と、（ii）上記分離リングの水平脚に重なる重複棚を有する環状バンドを備える堆積リング２６とを備える。別の変形例では、堆積リングは、上記支持体の環状棚を取り巻きそれに重なる絶縁環状バンドを備える。 （もっと読む）

【課題】処理容器内に搬入された基板と載置台との間に位置ずれが生じていても正しい位置にて基板を載置することが可能な基板処理装置等を提供する。また、処理が終了した後に載置台から離脱した基板に生じる位置ずれに対していち早く対応をとることが可能な基板処理装置等を提供する。
【解決手段】プラズマ処理装置１は、ウエハＷ（基板）が外部の搬送装置から載置台３に受け渡される前に、検知ヘッド部２２を退避位置から検知位置まで移動させて、搬送装置６によりウエハＷが保持されている現在位置と受け渡しが行われる予定位置との位置ずれ情報を得る。そして、この位置ずれ情報に基づいてウエハＷの現在位置と予定位置との位置ずれ量が許容範囲内に収まるように、搬送装置６によりウエハＷの受け渡し位置を修正させる。 （もっと読む）

【課題】安価に短時間で所望の単位時間当たりの放出原子密度分布にすることを可能にする。
【解決手段】陽極駆動部３１ａにより陽極２の中心を回動軸として反復回動可能にすることにより、陽極２と原子放出部との距離を変化させる。制御部３２ａは、陽極２の変位により所望の原子密度分布を得るように設定された入力データを受けて、陽極２を変位させるための駆動制御信号を前記陽極駆動部３１ａに出力する。また、制御部３２ａによって、陽極駆動部３１ａを駆動中に停止したり、駆動速度を変更したりして、陽極２における各姿勢の滞在時間などを変更することにより、単位時間あたりの原子密度を変化させる。 （もっと読む）

搬送チャンバと、搬送チャンバに沿う直線配列の基板保持モジュールと、前記チャ
ンバ内に位置する基板搬送部と、を有する基板処理装置。前記チャンバは、隔離雰
囲気を保持することが可能であり、搬送チャンバに沿って縦方向に延在する、１つ
以上の実質的に直線状の搬送経路を画定する。前記チャンバ内の搬送部は、直線状
の搬送経路に沿って、基板を搬送することが可能である。搬送部は、基板の保持お
よび移動が可能である搬送装置を有する。搬送装置は、直線経路の少なくとも１つ
に沿って移動するための、搬送チャンバの壁に接合する。搬送チャンバは、搬送チ
ャンバの向かい合う端部で、他の基板保持モジュールと嵌合するための接合部分を
有する。各接合部分は、２つ以上の直線搬送経路の少なくとも１つが通って延在す
る開口部を有し、搬送チャンバは、選択的に可変である縦方向の長さを接合部分間
に有する。
（もっと読む）

【課題】マイクロ波放射孔から放射される電界を平面アンテナ部材の周方向へ回転させるようにしてプラズマ密度を均一化させるようにした平面アンテナ部材を提供する。
【解決手段】導電性の金属板よりなるアンテナ板８８に、互いに異なる方向に向けられた２つの長溝状のマイクロ波放射用のスロット８６よりなるスロット対１００を複数組設けるようにした平面アンテナ部材８２において、前記複数組のスロット対を同心円状に配置すると共に、最内周に位置するスロット対は８組以内となるようにする。 （もっと読む）

【課題】比較的簡単な構成で、基板を変形させることなくベベルエッチングを行うことができるベベルエッチング装置およびベベルエッチング方法を提供する。
【解決手段】半導体基板７は、電気的に接続された電極１の間に挿入される。電極１には高周波電源６が接続されており、半導体基板７を支持する支持体８には接地電位が付与されている。また、電極１の間隙にガスを供給するとともに、電極１に高周波電力を印加することで、電極１と半導体基板７との間に大気圧グロー放電を発生させる。この状態で、半導体基板７を周方向に回転させることにより、ベベルエッチングを行う。 （もっと読む）

【課題】装置機構の複雑化などを招くことなくパーティクルや金属汚染などの発生を抑えることのできるマイクロ波導入器、これを備えたプラズマ発生装置及びこれを備えたプラズマ処理装置を提供する。
【解決手段】チャンバ３００に取り付けられるマイクロ波導入器１００であって、マイクロ波導入器１００は、チャンバ３００の壁面からプラズマを発生させるチャンバ空間８００に向けて突出した導波体１０１と、導波体１０１の先端に設けられプラズマを発生させるチャンバ空間８００にマイクロ波を放射させる単一材料からなる放射部１００ｅと、を備え、導波体１０１は、内導体１００ａと、内導体１００ａの外側に設けられた外導体１００ｂと、内導体１００ａと外導体１００ｂの間に設けられマイクロ波を伝搬する内部充填部１００ｃと、を有し、内導体１００ａは、放射部１００ｅを貫通せず放射部１００ｅの内部に突出している。 （もっと読む）

【課題】温度変化に対して破損や劣化がなく長期間にわたり安定したプラズマ生成を行うことができる大気圧プラズマ生成用電極を提供する。
【解決手段】ガス供給管２５と高周波電源７によりそれぞれガスと電力とを供給して互いに対向する電極１４，１５間に電界を形成し大気圧下でプラズマを発生させるプラズマ生成装置に用いる一対の電極１４，１５であって、電極１４，１５は導体であり、その導体表面には誘電体層１１，１２が形成され、電極１４，１５の対向面には固体誘電体１６，１７が誘電体層１１，１２を覆うように配置される。 （もっと読む）