【課題】拡散空間を備えたシャワーヘッド方式を採用しても、均一な基板処理を可能とする基板処理装置を提供すること。
【解決手段】反応ガス供給部６が、反応ガス供給管７１ｂに接続され、処理空間Ｓに対して反応ガスＢを吐出する複数の吐出孔６４を有する拡散空間６３を含み、反応ガス供給管７１ｂに接続されて拡散空間６３の内部に設けられ、この拡散空間６３の内部において拡散空間６３の平面方向に沿って環状をなし、拡散空間６３に対して反応ガスＢを吐出する複数の小孔１０４を有し、末端１０２が閉塞している環状部位１０３を有した反応ガス吐出部１００を備えている。 （もっと読む）

【課題】本発明は、プラズマを発生させる領域におけるプロセスガスの濃度分布の均一化を図ることができるプラズマ発生装置およびプラズマ処理装置を提供する。
【解決手段】内部にプラズマを発生させる領域を有する放電管と、マイクロ波発生手段から放射されたマイクロ波を伝播させて、前記放電管の前記プラズマを発生させる領域にマイクロ波を導入する導入導波管と、前記プラズマを発生させる領域を第１の方向に挿通して設けられたガス濃度均一化手段と、を備え、前記ガス濃度均一化手段は、前記プラズマを発生させる領域に面して設けられたプロセスガスを導入する開口部を有すること、を特徴とするプラズマ発生装置が提供される。 （もっと読む）

【課題】処理容器の温度上昇を抑制する。
【解決手段】下側容器１２と上側容器１３とで処理室１４を形成した処理容器１１と、処理室１４内に設置されてウエハ１を保持するサセプタ２１と、サセプタ２１上のウエハ１を加熱するヒータ４１と、反応ガスをウエハ１に向けて供給するシャワーヘッド２６と、反応ガスを励起させる筒状電極１５と、磁界を形成する筒状磁石１９とを備えているＭＭＴ装置において、下側容器１２の内側表面にリフレクタ４２を設置する。ヒータおよびウエハから照射して来る赤外線や遠赤外線等の熱線をリフレクタによって反射することにより、下側容器の温度上昇を抑制できる。 （もっと読む）

【課題】基板へのパーティクルの付着を効果的に防止した、優れた性能の絶縁膜エッチング装置を提供する。
【解決手段】プロセスチャンバー１内の基板ホルダー２上に基板９が保持され、エッチング用ガスがガス導入系３により導入される。プラズマ形成手段４に手段によりプラズマが形成され、プラズマ中の活性種やイオンの作用により基板９の表面の絶縁膜のエッチングが行われる。制御部８は、エッチング終了後、クリーニング用ガスをガス導入系３により導入し、プラズマ形成用手段４によりプラズマを形成して、プロセスチャンバー１内の露出面に堆積した膜をプラズマの作用により除去する。基板保持面より下方に設けられた冷却トラップ１２は、強制冷却され、堆積作用のあるガス分子を捕集して多くの膜を堆積させる。冷却トラップ１２は交換可能である。 （もっと読む）

【課題】メンテナンス及び清浄の頻度を低減し、長い稼動期間を有する反応炉を提供する。
【解決手段】反応炉２０は、ハウジング２２及びエッチングチャンバ２４を含み、ウェーハ２６は、底部電極２８に結合したチャックに配置される。チャンバ２４はさらに、チャンバ２４において発生したプラズマの結果として、接地されるか又は浮動電位を生成することを許可される側面周縁電極３０を含み、見通し経路に沿って、ウェーハ２６から、電極３２へ、又は電極３２を反応炉２０の反応チャンバ５１に結合させる窓３８へと、例えばスパッタリングによって材料が堆積するのを防止するシールド５０を含む。 （もっと読む）

【課題】基板へのパーティクルの付着を効果的に防止した、優れた性能の絶縁膜エッチング装置を提供する。
【解決手段】プロセスチャンバー１内の基板ホルダー２上に基板９が保持され、エッチング用ガスがガス導入系３により導入される。プラズマ形成手段４に手段によりプラズマが形成され、プラズマ中の活性種やイオンの作用により基板９の表面の絶縁膜のエッチングが行われる。制御部８は、エッチング終了後、クリーニング用ガスをガス導入系３により導入し、プラズマ形成用手段４によりプラズマを形成して、プロセスチャンバー１内の露出面に堆積した膜をプラズマの作用により除去する。基板保持面より下方に設けられた冷却トラップ１２は、強制冷却され、堆積作用のあるガス分子を捕集して多くの膜を堆積させる。冷却トラップ１２は交換可能である。 （もっと読む）

【課題】基板へのパーティクルの付着を効果的に防止した、優れた性能の絶縁膜エッチング装置を提供する。
【解決手段】プロセスチャンバー１内の基板ホルダー２上に基板９が保持され、エッチング用ガスがガス導入系３により導入される。プラズマ形成手段４に手段によりプラズマが形成され、プラズマ中の活性種やイオンの作用により基板９の表面の絶縁膜のエッチングが行われる。制御部８は、エッチング終了後、クリーニング用ガスをガス導入系３により導入し、プラズマ形成用手段４によりプラズマを形成して、プロセスチャンバー１内の露出面に堆積した膜をプラズマの作用により除去する。基板保持面より下方に設けられた冷却トラップ１２は、強制冷却され、堆積作用のあるガス分子を捕集して多くの膜を堆積させる。冷却トラップ１２は交換可能である。 （もっと読む）

【課題】プラズマ処理に用いる誘電体窓の温度を制御して良好なプラズマ処理特性を実現するとともに、装置全体を効率よく温度制御しながら、安全に作業することができる温度調節機構および温度調節機構を用いるプラズマ処理装置を提供する。
【解決手段】プラズマ処理装置１は、誘電体窓３を冷却する冷却流路２１と、外部機構１０を冷却する外部冷却流路２７を備える。チラー２０は、外部機構１０を冷却する熱媒体の温度に設定しておく。熱媒体はチラー２０から往路２７ａへ供給され、外部冷却流路２７を介して外部機構１０の熱を奪い、復路２７ｂを通りチラー２０に戻される。同時に熱媒体はチラー２０から往路２１ａへ供給され、ヒータ２５で所定の温度に加熱され、冷却流路２１を介して誘電体窓３の熱を奪い、復路２１ｂを通りチラー２０に戻される。復路２１ｂと往路２１ａの間、復路２７ｂと往路２１ａの間に、熱交換器２６ａ、２６ｂを備えてもよい。 （もっと読む）

【課題】改良したシャワーヘッドガス注入技術を有するプラズマ反応器を提供する。
【解決手段】ＲＦプラズマ反応器３０は、反応器槽を含み、その中の１対の電極は、間隔をあけて向き合って配置されてその間にプラズマ放電空間３６が規定される金属表面からなり、金属表面のうち少なくとも１つは、貫通する多数のガス給送開口部４４を有する金属表面のプレート４０であり、ガス給送開口部４４は、プラズマ放電空間３６に面するプレート４０に沿って延在する分散室から、金属表面を通って、プラズマ放電空間３６に向かい、それにより分散室は、プレート４０に向き合って離れた後壁３１を有し、かつ多数のガス注入開口部５０を備えたガス注入構成４８を含み、これは後壁３１に沿って分散され、かつ反応器への少なくとも１つのガス給送線に接続される。 （もっと読む）

【課題】ガスを均一に供給することができるガス供給部材及びプラズマ処理装置を提供する。
【解決手段】ガス供給部材１１は、環状に延びるガスの流路がその内部に設けられた円環状である環状部１２を含んでいて、該環状部１２は、ガスを供給する複数の供給孔１９が周方向に等配に設けられた平板部を含む環状の石英からなる第一の部材と、第一の部材との間にガスの流路となる空間を形成する略コ字状である石英からなる環状の第二の部材とから構成されている。 （もっと読む）

【課題】クリーニングガスとしてフッ素系ガスを使用することにより、処理容器自体や被処理体を保持する保持手段にダメージを与えることなく不要な高分子薄膜のみを選択的に且つ効率的に除去することが可能な成膜装置を提供する。
【解決手段】被処理体Ｗの表面に高分子薄膜を形成する成膜装置において、被処理体を収容する処理容器４と、処理容器内で被処理体を保持する保持手段６と、処理容器内を真空引きする真空排気系３０と、処理容器内へ高分子薄膜の複数の原料ガスを供給するガス供給手段２０と、処理容器内へクリーニングガスとしてフッ素ガスを供給するクリーニングガス供給手段２６と、処理容器を加熱する容器加熱手段１４とを備える。これにより、処理容器内をクリーニング処理するに際して、クリーニングガスとしてフッ素系ガスを使用する。 （もっと読む）

【課題】真空処理装置の金属表面にコーティングされた絶縁体表面の微小な凹凸の間にある異物を除去するクリーニング装置を提供する。
【解決手段】基材５１と粘着面５２とを有する粘着シート５と、基材５１に接する導電性シート７と、導電性シート７を粘着シート５に押し付ける押し付け部材１１を備え、導電性シート７に正または負の電圧を印加する電圧印加機構９と、粘着シート５を真空処理装置の曲面１０に押し付ける押し付け力調整機構８を有し、押し付け部材１１が押し付け力調整機構８で調整した押し付け力により導電性シート７と粘着シート５を押し付けて粘着シート５の粘着面５２と絶縁体１０の曲面を密着させることにより絶縁体１０に付着した異物を除去するとともに、導電性シート７に正または負の電圧を印加することによって生じる静電吸引力により絶縁体１０に付着した異物を吸着して除去する。 （もっと読む）

【課題】ウエハ上でのプラズマ放電の均一性を改善する方法及び装置を提供する。
【解決手段】エッチング装置（２００）は、第１の電極（２０８）、第２の電極（２０２）、閉じ込めリング（２１６）、合焦リング（２１８）、及びシールド（２２０）を囲むチャンバを有する。第１の電極は、一定電位の源に結合される。第２の電極は、二重周波数ＲＦ電源（２０６）に結合される。閉じ込めリングは、第１の電極と第２の電極との間に配設される。チャンバは、源に結合された導電性材料で形成される。合焦リングは、実質的に、第２の電極を取り囲み、該第２の電極を電気的に絶縁する。シールドは、実質的に、合焦リングを取り囲む。第２の電極の縁とシールドの縁との間の距離は、少なくとも、該第２の電極の縁と第１の電極の縁との間の距離より少ない。シールドは、一定電位の源に結合された導電性材料で形成される。 （もっと読む）

【課題】各電極体への電力供給を安定化させ、プラズマ密度の均一性を基板間で向上できる基板処理装置を提供する。
【解決手段】基板を処理する処理室２０１と、処理室２０１内で複数枚の基板２００を水平姿勢で多段に積層した状態で保持する基板保持具２１７と、各基板２００の表面から所定の距離にそれぞれ配置される電極体３０１ａ，ｂが多段に積層してなり、各電極体３０１ａ，ｂにそれぞれ電力が供給されることで隣接する基板２００間にプラズマを発生させる電極体群と、各電極体３０１ａ，ｂにそれぞれ接続される導電性部材３０２ａ，ｂが基板２００の積層方向に沿って多段に連結してなる電力供給機構と、処理室の壁面を貫通するように電力供給機構に接続され、電力供給機構を介して各電極体にそれぞれ電力を供給する電力導入部４１０ａ，ｂと、を備え、隣接する導電性部材３０２ａ，ｂは、基板の積層方向に沿って直線上に並ばないように連結されている。 （もっと読む）

【課題】どのようなプロセス条件に対しても均一で、かつ再現性がよいプラズマを発生させることのできるプラズマ処理装置を提供する。
【解決手段】プラズマ処理装置の導波管５は外側導体５ａと内側導体５ｂからなる軸管の部分と、軸管の上部にある矩形導波部５ｃとを備える。ねじ送り機構２０は、矩形導波部５ｃ上に内側導体５ｂを囲うように等間隔に４つ設けられ、平面上のどの方向にも内側導体５ｂを移動させることができる。ねじ送り機構２０は、押さえ板２１、固定ネジ２２、調整ネジ２３、ストッパ２４を備える。直接に内側導体５ｂを押さえ板２１で支持することができ、押さえ板２１に備えた固定ネジ２２を締めることで、内側導体５ｂの位置を固定する。調整ネジ２３により、内側導体５ｂを、外側導体５ａに触れない範囲内で移動させることが可能である。 （もっと読む）

【課題】誘電体板の下面の形状を適正化する。
【解決手段】マイクロ波プラズマ処理装置１００は、内部にてプラズマが励起される処理容器１０と、処理容器１０の内部にプラズマを励起するためのマイクロ波を供給するマイクロ波源４０と、処理容器１０の内側に面し、マイクロ波源４０から供給されたマイクロ波を処理容器１０の内部に伝送させる誘電体板３１と、を備える。誘電体板３１には、誘電体板３１の基板Ｇに対向した平坦面に窪みｄが形成され、誘電体板３１の平坦面から窪みｄへの立ち上がり角は１０°〜５０°である。 （もっと読む）

本発明の実施形態はフォトマスクプラズマエッチングの後にインサイチュによるチャンバのドライクリーニングを行うための方法を含む。一実施形態において、本方法は支持ペデスタル上にフォトマスクを載置し、プロセスチャンバ内にプロセスガスを導入し、プロセスガスからプラズマを形成し、プラズマが存在する中フォトマスク上に載置されたクロムを含む層に対しエッチングを行い、支持ペデスタルからフォトマスクを取り除き、ペデスタルにダミー基板を載置し、ダミー基板が支持ペデスタル上に置かれている間に、プロセスチャンバに酸素を含むクリーニングガスを流すことによりインサイチュによるドライクリーニングプロセスを実行することを含む。
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【課題】半導体装置とその製造方法において、絶縁膜のホール内に形成される導電性プラグ等の導電性材料のコンタクト抵抗が基板面内でばらつくのを防止すること。
【解決手段】シリコン基板３０の上方に第１の層間絶縁膜４５を形成する工程と、第１の層間絶縁膜４５の上方に強誘電体キャパシタQを形成する工程と、強誘電体キャパシタQの上方に、水素バリア絶縁膜５５、５７、６２と第２の層間絶縁膜５８とを有する積層膜を形成する工程と、エッチングにより積層膜にホール５８ｂ、５８ｃを形成する工程と、ホール５８ｂ、５８ｃ内に金属配線（導電性材料）６９を埋め込む工程とを有し、ホール５８ｂ、５８ｃを形成する工程において、水素バリア絶縁膜５５、５７、６２のエッチングを、第２の層間絶縁膜５８のエッチングとは異なるエッチング手法で行う半導体装置の製造方法による。 （もっと読む）

【課題】可動部が繰り返し動作しても可動部に設けられた線材等に断線や接触不良等が生じ難い半導体製造装置を提供することを目的とする。
【解決手段】固定部と、前記固定部に対して可動する可動部とを有する半導体製造装置であって、前記可動部及び／又は前記固定部は、無線信号を送信する送信ユニットを有し、前記固定部及び／又は前記可動部は、前記無線信号を受信する受信ユニットを有することを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】従来に比べて処理の均一性の向上を図ることができるとともに、装置の小型化を図ることができ、さらに迅速に正確に処理空間内の圧力を調整することのできるシャワーヘッド及び基板処理装置を提供する。
【解決手段】シャワーヘッド１００は、下側部材１と中間部材２と上側部材３とを積層させた積層体１０から構成されている。下側部材１には、第１ガス吐出孔１１が多数形成されており、第１ガス吐出孔１１から基板に向けて第１ガスをシャワー状に供給する。上側部材３には、第２ガス吐出孔２１が多数形成されており、第２ガス吐出孔２１から基板と反対側に向けて第２ガスをシャワー状に供給する。積層体１０には、この積層体１０、を貫通して、多数の排気孔３１が形成されており、これらの排気孔３１から排気を行うよう構成されている。 （もっと読む）