【課題】 処理の均一性を非常に良く制御することができるような方法および装置を提供すること。
【解決手段】 少なくとも１つの基板がプロセスチャンバ内に配置され、プロセスチャンバ内の圧力が比較的低くなっており、少なくとも１つのプラズマ源によりプラズマが生成され、処理を行う間、少なくとも１つのプラズマ源（３）および／または任意で設けられた少なくとも１つの処理流体供給源が、基板の表面に対して移動するようになっているような、少なくとも１つの基板の表面を処理する方法である。本発明は更に、プロセスチャンバと少なくとも１つのプラズマ源とを備え、少なくとも１つのプラズマ源（３）および／または少なくとも１つの任意で設けられた処理流体発生源が移動自在に設けられた、少なくとも１つの基板の表面を処理する装置を提供する。
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【課題】小型で設置面積の小さいプラズマ処理装置を提供することにある。
【解決手段】その内側が減圧される真空容器と、この真空容器内に配置されその上に処理対象の試料が載置される試料台とを備え、前記真空容器内の前記試料台の上方の空間にプラズマを形成して前記試料を処理するプラズマ処理室であって、前記真空容器内の前記試料台上方に配置され前記プラズマが形成される空間を囲む側壁を有する放電室と、この放電室の下方の前記真空容器内に配置され該放電室と連通する真空室と、前記真空容器の内側に配置されて前記試料台の周囲を囲んで前記真空室の側面を構成する側壁と、前記放電室の側壁の外周側に配置されこの温度を調節する第１の温度調節手段と、前記真空室の側壁の温度を前記放電室の側壁の温度より低い温度に調節する第２の温度調節手段とを備えたプラズマ処理装置。 （もっと読む）

【課題】
安定した所望の電圧波形を被処理物に印加することのできるプラズマ処理技術を提供する。
【解決手段】
処理ガスの導入口５、真空排気手段２および試料を載置するステージ６を備え、導入した処理ガスをプラズマ化して試料にプラズマ処理を施すプラズマ処理装置において、ステージ６に高周波電力を供給して試料に入射するイオンを加速する高周波電圧発生手段８と、ステージに供給される高周波電圧を検出して、該電圧が設定値になるように高周波電圧発生手段を制御する電圧センサ１０と、前記ステージに並列に接続され、前記高周波発生手段８の負荷として作用する固定インピーダンス回路９を備え、固定インピーダンス回路のインピーダンス値は、固定インピーダンス回路側に供給される電力が前記高周波電圧発生手段８の出力の５０％以上になるように設定した。 （もっと読む）

【課題】ガス流に対するコンダクタンスを確保しつつプラズマ発生領域の容積を従来に比べて小さくすることができ、かつ、プラズマリークの発生や堆積物の発生を抑制することのできるプラズマ処理装置を提供する。
【解決手段】処理容器１の内部の側壁部にフィン状構造物２３が設けられている。このフィン状構造物２３は、アルミニウム等からなるリング状の部材に、所定幅の切り込み２３ａを所定間隔で形成して構成されている。フィン状構造物２３は、少なくとも、側壁部１ａの上端部から、載置台２の半導体ウエハＷの載置面高さと同じ高さ位置までの領域に位置するよう設けられている。切り込み２３ａの所定幅（隣接するフィン状構造物との間隔）は、プラズマシースの幅より狭く設定されている。 （もっと読む）

【課題】 耐プラズマエッチング性に優れ、静電チャック可能で安定保持可能なトレーを提供する。
【解決手段】 厚み０．３〜１．４ｍｍで開気孔率５〜５０％である無機連続気孔焼結体を保護基板として半導体基板に接着してなる静電チャック用の気相工程用トレーにおいて、該気相工程がプラズマエッチング工程であり、該保護基板が被エッチング物搭載用部の外周囲に幅０．３〜１ｍｍの壁を形成してなり、該エッチング物の位置合わせ用の切除部に相当する部分を除去してなる形状である気相工程用トレー。
【効果】 本トレーは、従来のプラズマエッチング装置などの設定された静電チャック機能を改良せずに使用でき、工程中の安定保持、および容易な取り出しでき、さらに、エッチング中の被エッチング物の温度制御も好適に実施できる。 （もっと読む）

【課題】 処理レートが高く且つ均一な気相反応処理装置を提供する。
【解決手段】 気相反応処理装置のチャンバー２内には触媒体９が配置されている。触媒体９はタングステンなどの高融点金属線からなり、３本の独立した高融点金属線１０，１１，１２にて触媒体９を構成している。各高融点金属線１０，１１，１２は何れも、その直径は０．５〜５．０ｍｍ、長さは５００〜５０００ｍｍとされ、その形状は両端部を上方に折曲した横コ字状をなし、且つ３本の高融点金属線内のうち２本の高融点金属線１０，１１は平行に配置され、残りの高融点金属線１２は前記２本とは高さを異ならせるとともに平面視で前記２本と直交するように配置されている。このように配置した結果、隣接する高融点金属線１０，１１，１２の間隔は１０ｍｍ以上で且つ５０ｍｍ以下となっている。 （もっと読む）

【課題】 処理容器内におけるプラズマ密度の均一性を高めてプラズマ処理の面内均一性を向上させることが可能なプラズマ処理装置を提供する。
【解決手段】 天井部が開口されて内部が真空引き可能になされた処理容器２４と、被処理体Ｗを載置するための載置台２６と、天井部の開口に気密に装着されてマイクロ波を透過する誘電体よりなる天板４０と、処理容器内に向けてプラズマ発生用のマイクロ波を放射する複数のマイクロ波放射孔６４を有する平面アンテナ部材４６と、平面アンテナ部材上に設けられてマイクロ波の波長を短縮するための遅波材４８と、を有するプラズマ処理装置において、天板の下面に、該下面を同心状に複数のゾーンに区画して前記ゾーン間のマイクロ波の干渉を抑制するためのマイクロ波干渉抑制部４４を設ける。 （もっと読む）

【課題】 大気圧プラズマ処理装置において、比較的大型の基板に対してプラズマ処理を行なう際にも支障がなく、活性種の利用効率を高くすることを可能とし、高速のプラズマ処理を可能とする。
【解決手段】 プラズマ処理装置は、大気圧近傍でプラズマを発生させるためのプラズマ発生空間１３に対する露出面６ａを有する放電禁止部６と、放電禁止部６を介して電界を発生させることによってプラズマ発生空間１３のうち露出面６ａ近傍にプラズマを発生させるための電界発生手段とを備える。放電禁止部６は、プラズマ発生空間１３に所望のガスを供給するためのガス流経路７を有する。ガス流経路７の断面形状は、上記電界発生手段によって形成される電界の方向の寸法が、電界が形成されてもガス流経路７内でのプラズマ発生を抑制できる程度に小さい。 （もっと読む）

基材上のＴＥＲＡ層を化学的に処理するための処理システムおよび方法。基材の化学処理は、基材上の露出表面を化学的に変更する。一実施形態では、ＴＥＲＡ層を処理するためのシステムは、ＴＥＲＡ層を基材上に蒸着するためのプラズマ促進化学蒸着（ＰＥＣＶＤ）システムと、形状構成をＴＥＲＡ層の中に創出するためのエッチングシステムと、ＴＥＲＡ層中の形状構成のサイズを縮小するための処理サブシステムとを含む。
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半導体を処理するためのプラズマリアクタは、チャンバ壁を有し、半導体ワークピースを支持するワークピース支持体を含むリアクタチャンバと、前記ワークピース支持体上にあり、前記チャンバ壁の一部を有するオーバヘッド電極と、ＲＦ電力発生器の周波数で電力を前記オーバヘッド電極に供給し、所望のプラズマイオン密度レベルで前記チャンバ内にプラズマを維持することができるＲＦ電力発生器とを有する。オーバヘッド電極は、オーバヘッド電極と所望のプラズマイオン密度でチャンバ内に形成されたプラズマが電極−プラズマ共振周波数で共に共振ような容量を有し、前記発生器の周波数は、前記電極−プラズマ共振周波数の少なくとも近くにある。このリアクタは、更に、ワークピース支持体に面したオーバヘッド電極の表面上に形成された絶縁層、ＲＦ電力発生器とオーバヘッド電極間の容量性絶縁層、及びワークピース支持体から離れて面しているオーバヘッド電極の表面上にあって、接触している金属フォーム層を含む。
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【課題】プラズマ処理システム用の改良された上部電極を提供する。
【解決手段】プラズマ処理システム用の上部電極２２は、電極板２４と、電極板２４に結合された堆積シールド２６とを含む。電極板２４は、上部電極２２を上部アセンブリ２０に結合する第１の面８２と、プラズマ面９０と電極板２４をプラズマ処理システムに係合させる係合面９２とを含む第２の面８８と、周辺エッジ９４と、第１の面８２及び第２の面８８に結合された複数のガス注入オリフィス１００とを含む。堆積シールド２６は、プラズマ面９０と隣接する内面７２と、係合面９２と隣接する外面７４と、末端リップ面７８を含む末端面７６とを有する円筒壁７０を含む。プラズマ面９０、内面７２、及び末端リップ面７８を含む、上部電極２２の露出面１４５に保護バリア１５０が結合される。
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【課題】
【解決手段】最適化されたプロセシングパフォーマンスを達成するように現在のプラズマプロセスを変更するために、パフォーマンス測定値がモデルの測定値に比較されるような、プラズマプロセスの最適化されたプロセス設定を改善しもしくは見つけるために応答曲面とニューラルネットワークとが用いられるプラズマプロセスの多変数データの解析のための方法とシステム。 （もっと読む）

【課題】 本発明は、被処理基体５０２への真空紫外光の照射を抑制して真空紫外光照射ダメージや表面異常拡散を低減し、高速に高品質処理できるプラズマ処理装置を提供する。
【解決手段】 本発明は、隔壁の一部を平板状マイクロ波透過窓で構成されたプラズマ処理室と、該プラズマ処理室内に設置された被処理基体支持手段と、該プラズマ処理室内への処理用ガス導入手段と、該プラズマ処理室内を真空排気する排気手段と、該マイクロ波透過窓を透して該プラズマ処理室へマイクロ波を導入する複数のスロットを有する平板状マイクロ波導入手段とで構成されるプラズマ処理装置であって、該マイクロ波透過窓と該基体支持手段の間に、該基体表面から貫通孔を通して該マイクロ波透過窓が見えないように、斜めに複数の貫通孔が形成された、真空紫外光を透過しない材料で造られた平板状遮光板を設けることを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】基板表面温度の均熱化が可能な基板加熱装置とその製造方法を提供する。
【解決手段】一方の面に基板を載置する加熱面を有する板状のセラミックス基体と、セラミックス基体に埋設された抵抗発熱体とを有し、加熱面が中央部が最も低く周辺部へ近づく程高い凹面形状である、基板加熱装置である。抵抗発熱体が埋設された板状のセラミックス基体を形成する工程と、加熱面となる、セラミックス基体の一方の面を、中央部が最も低く周辺部へ近づく程高い凹面形状に研削加工する工程と、セラミックス基体の他方の面の中央領域に筒状部材を接合する工程とを有する基板加熱装置の製造方法である。 （もっと読む）

ガスクラスターイオンビーム（ＧＣＩＢ）中のガスクラスターイオンエネルギー分布を修飾して、対象物を処理するための改良された装置および方法に関する。減圧環境下で、ビームに加圧領域を通過させることにより、高エネルギーガスクラスターイオンを発生させるものである。 （もっと読む）

ＲＦセンサをＲＦ電流キャリアと電気的接触させるためのクランプアセンブリが、本明細書で提供される。クランプアセンブリ（１０１）は、第一のウェッジ状エレメント（１０３）と、第一のウェッジ状エレメントとスライドして係合する第二のウェッジ状エレメント（１０５）を備える。さらに、クランプアセンブリは、第一と第二のウェッジ状エレメントが配置される首部（１１３）を備えることが好ましい。クランプアセンブリは、さらに、第一と第二のエレメントを隣接させるネジのような締め付け具（１１１）を備えることが好ましい。この場合、ネジが第一の方向に回転するにつれ、第一と第二のエレメントの少なくとも一方が、首部および／またはＲＦ電流キャリアに対して膨張するのに、クランプアセンブリは、適応するようになっている。
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本発明による誘導結合プラズマ源は、半導体ウェハのコーティングやエッチングを行い得るよう、真空チャンバ（３２）内に高密度プラズマを生成するための周縁電離源（３９）を具備している。ＩＣＰ源は、複数の高放射セグメントと複数の低放射セグメントとを有してなるセグメント化構成を具備しており、チャンバの周囲まわりにおいて、プラズマに、リング形状アレイをなすエネルギー分布を付与する。エネルギーは、セグメント化された低インダクタンスアンテナ（４０）から、誘電性ウィンドウ（２５）またはウィンドウアレイ（２５ａ）を介して、さらに、セグメント化されたシールドまたはバッフル（５０）を介して、結合される。アンテナ（４０）は、稠密化して配置された複数の導体セグメント（４５）と、交互的に配置されかつ疎化して配置された複数の導体セグメント（４６）と、を備えている。
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【解決手段】プラズマ処理装置の炭化シリコン部品、その部品の製造方法、半導体基板を処理してその基板のパーティクル汚染を減少させるようにする処理におけるその部品の使用方法が提供される。その炭化シリコン部品は、内部に遊離炭素を生成させるようなプロセスにより製造される。その炭化シリコン部品は、少なくとも表面からその遊離炭素が除去されるように処理される。
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【課題】一体型の多目的光学アラインメントのためのシステムおよび方法
【解決手段】半導体処理システムで使用される光学アラインメントシステムが提供される。この光学アラインメントシステムは、アラインメント用の特徴部を上面に一体形成されたウエハチャックを備える。また、ウエハチャックの上方には、アラインメント用の特徴部に向けて光信号を発することができるビーム形成システムが配置される。また、アラインメント用の特徴部に向けて発せられた光信号の振幅を検出することができる検出器も設けられる。一形態において、アラインメント用の特徴部は、光信号の一部をビーム形成システムに反射し返す反射性アラインメント用の特徴部であって良い。別の一形態において、アラインメント用の特徴部は、光信号の一部がウエハチャックを通過して検出器に到達することを可能にする透過性アラインメント用の特徴部であって良い。この形態では、ウエハチャックの下方に検出器を配置することができる。 （もっと読む）

低ｋ誘電体を含む基板から有機材料を取り除くためのプラズマアッシング装置は、第１ガス源と、この第１ガス源に流体連通するプラズマ発生コンポーネントと、前記プラズマ発生コンポーネントと流体連通し、第２ガス源のための入口を有する排気導管と、前記排気導管に結合され、前記入口が処理室とアフターバーナーアセンブリの中間に配置されるアフターバーナーアセンブリと、前記排気導管に結合し、アフターバーナーアセンブリのプラズマ放電領域内に焦点合わせされる集束光学系を含む光学検出システムとを含む。酸素と窒素を含有しないプラズマ処理のためのエンドポイント検出方法が、プラズマアッシング装置の排気導管内で励起した種をアフターバーナーの工学的放出信号を監視することを含んでいる。この方法と装置は、炭素および／または水素を有する低ｋ誘電体材料を用いることができる。 （もっと読む）