【課題】フッ化水素（ＨＦ）を用いた表面処理における安全性を向上させる。
【解決手段】貯留容器１０に無水または含水の液体フッ化水素１１を貯留する。吸込加圧手段２０によって、容器１０内を大気圧以下または前記被処理物の配置環境の圧力以下にし、気化したＨＦガスを吸い込んで加圧し、被処理物Ｗへ供給して表面処理を行なう。氷を蓄熱剤３２とする温調手段３０によって、貯留容器１０内をＨＦの大気圧下での沸点（約２０℃）より低温に保つ。 （もっと読む）

【課題】 均一性を改善するための、層をエッチングまたはスパッタ堆積する装置を提供する。
【解決手段】 スパッタされたターゲット材料を基板上に堆積させるためのプラズマ堆積装置において、ＲＦコイルのインピーダンス整合ボックス内のキャパシタンスを、堆積プロセス中に、ＲＦコイルと基板の加熱、及び薄膜の堆積が、ＲＦコイルに沿ったＲＦ電圧分布の「時間平均」によってより均一になるように、変化させる。 （もっと読む）

【課題】成膜レートの安定化、面内均一性の向上およびターゲットの長寿命化を図る。
【解決手段】プラズマ形成空間２１ａを形成する真空槽２１と、この真空槽の上部を閉塞する天板２９と、プラズマ形成空間にプラズマを発生させる高周波コイル２３と、磁気コイル群２４と、プラズマ形成空間に設置された基板支持用のステージ２６と、プラズマ形成空間へプロセスガスを導入するガス導入部３３と、天板に固定されたスパッタリング用のターゲット４０とを備え、エッチング処理とスパッタ処理を交互に行って基板の表面に高アスペクト比の孔又は溝を形成するプラズマ処理装置２０であって、ターゲット４０の外周部をプラズマ形成空間に向かって突出形成することによって、ターゲットの外周部の集中的な摩耗による成膜レートのバラツキ、面内均一性の低下およびターゲットの寿命の低下を抑制する。 （もっと読む）

【課題】エッチング装置において、電極と絶縁体からなる被処理基板との間で一部に間隙が存在するとエッチング速度の不均一性が発生する。
【解決手段】絶縁体の被処理基板１の全面上に導電性薄膜とベース絶縁層とによる積層膜が形成され、導電性薄膜とパターニング加工を行うエッチング処理装置の電極とが処理中には同電位となり、そのベース絶縁層３上にアイランドに分離された半導体層４と、ゲート絶縁膜５と、ゲート電極６と、層間絶縁膜７と、ソース・ドレイン電極とで構成される薄膜トランジスタが形成される。 （もっと読む）

【課題】基板の面内方向における加工量を調整して加工精度を向上することができる基板加工方法を提供する。
【解決手段】イオン源と、多数の微細孔を有し該イオン源で発生させたイオンを微細孔からイオンビームとして引き出す引出電極と、を具備する基板加工装置を用いて基板を加工する際に、引出電極９の所定領域の微細孔１０に封止部材２０を挿入して所定数の前記微細孔１０を塞ぐことによって基板の面内方向における加工量を調整する調整工程を実施するようにする。 （もっと読む）

【課題】ポッピングの発生を抑制するとともに、ポッピングが発生してしまった場合には飛散した変質層の破片をも除去することができるアッシング方法およびアッシング装置を提供する。
【解決手段】イオン注入により表面に形成された変質層４とその下の未変質層３とを有するレジストを除去するアッシング方法であって、基板の前記レジストが形成された面を覆うように塗布膜５を形成し、前記レジストと前記塗布膜５とを反応性ガスを用いたプラズマ処理により除去する。 （もっと読む）

【課題】金属電極の表面に電界が集中することを防止する。
【解決手段】プラズマ処理装置１０は、処理容器１００と、マイクロ波を出力するマイクロ波源９００と、マイクロ波を伝送させる同軸管の内部導体３１５ａと、貫通穴３０５ａを有し、内部導体３１５ａを伝送したマイクロ波を透過させて処理容器１００の内部に放出する誘電体板３０５と、貫通穴３０５ａを介して内部導体３１５ａに連結され、少なくとも一部が誘電体板３０５の基板側の面に隣接した状態にて誘電体板３０５の基板側の面から露出した金属電極３１０とを有する。金属電極３１０の露出面のうち一面が誘電体カバー３２０にて覆われている。 （もっと読む）

【課題】プラズマを生成するための電極間のギャップを安定した放電間隔としながら処理室に配置するウエハの枚数の減少を防止できるようにする。
【解決手段】基板を処理する反応室１と、前記反応室１内に多段に配置されたリング状の支持板２１８と、前記支持板２１８にそれぞれ支持された複数の電極板２２０と、プラズマを生成するための電力を隣接する電極板２２０に印加して各電極板２２０及び各基板２００に支持された基板間にプラズマを発生させるプラズマ発生装置とを備えた縦型基板処理装置であって、前記各電極板２２０がそれぞれ前記基板２００と同材質の材料で構成されると共に、前記支持板が石英で構成され、前記各電極板２２０が前記各支持板２１８にそれぞれ固定される。 （もっと読む）

プラズマ処理チャンバ内の基材を処理する方法が提供される。基材は、チャックの上方に配置され、第１のエッジリングによって囲まれている。第１のエッジリングは、チャックから電気的に絶縁される。方法は、第２のエッジリングを提供することを含む。第２のエッジリングは、基材のエッジの下方に配置される。また、方法は、結合リングを提供することを含む。結合リングは、ＥＳＣ（静電チャック）アセンブリから第１のエッジリングへのＲＦ結合を容易にして、基材処理中に第１のエッジリングにエッジリング電位を有せしめ、基材処理中に、第１のエッジリングにおいてＲＦ結合を最大化せしめ、第２のエッジリングにおいてＲＦ結合を最小化せしめるように構成される。 （もっと読む）

【課題】複数の部材を積層してなる処理ガス供給機構が熱膨張などにより部材間に隙間が生じた場合でも，その隙間から処理ガスが漏洩しないようにする。
【解決手段】処理ガス供給孔２１１は，電極板２０６に設けられたガス吐出孔２１４と，処理ガス供給機構本体２０１に設けられたガス噴出孔２１２とにより構成し，ガス噴出孔は，上流側に流入した処理ガスを下流側に設けられたノズル部２３２の噴出口２３２ａからガス吐出孔に向けて噴出することにより，エジェクタ作用を利用してノズル部の周りに形成した吸引流路２３６に吸引力を発生させる。これにより，処理ガス供給機構本体２０１と電極板２０６との境界に処理ガスが漏洩しないようにすることができる。 （もっと読む）

【課題】プラズマ化の所要電力を小さくするとともに連続的な処理を可能にする。
【解決手段】被処理物Ｗを略大気圧下に配置する。処理流体源１からのガス（処理流体）を略大気圧より低い圧力のプラズマ化手段２０に導入して低圧下でプラズマ化する。プラズマ化後のガスを加圧手段３０で略大気圧に加圧し、供給部４０から略大気圧下の被処理物Ｗに接触させる。 （もっと読む）

【要約書】
真空チャンバの内部に取り付けられるように構成されたシャワーヘッド電極と、シャワーヘッド電極に取り付けられたオプションのバッキングプレートと、バッキングプレートの全域の複数の接触点でバッキングプレートにまたはシャワーヘッド電極に取り付けられた熱制御プレートと、接触点で、バッキングプレートと熱制御プレートとをまたはバッキングプレートとシャワーヘッド電極とを分離する少なくとも１つの熱および電気伝導性のガスケットとを含むシャワーヘッド電極アセンブリが開示される。シャワーヘッド電極アセンブリを使用して半導体基板を処理する方法も開示される。
（もっと読む）

基板洗浄チャンバは、例えば消耗セラミックライナ、基板加熱台座部及び処理キット等の様々な構成部品を備える。消耗セラミックライナは、遠隔ガスエナジャイザのガス出口チャネルを基板洗浄チャンバのガス入口チャネルに接続するために設置される。基板加熱台座部は、配列された凹部内に複数のセラミックボールが位置決めされた基板受け面を有する環状プレートを備える。処理キットは、トッププレート、トップライナ、ガス分散プレート、ボトムライナ及びフォーカスリングを備える。
（もっと読む）

【課題】 コールドトラップの再生処理を行うときにも、再生処理に伴って放出される気体分子の影響を受けることなく基板処理を行い得る基板処理装置を提供する。
【解決手段】 本発明の基板処理装置は、内部空間を真空環境に維持するチャンバと、複数のコールドトラップと、複数の仕切部と、複数のコールドトラップを制御する制御部とを備える。コールドトラップは、チャンバの内部空間の汚染分子を吸着する。仕切部は、開閉可能な扉を有し、扉を閉めることによりコールドトラップを囲む密閉空間をチャンバ内に形成する。制御部は、一つのコールドトラップを再生処理する間、他のコールドトラップが汚染分子の吸着を行うように制御する。 （もっと読む）

【課題】プラズマ発生部のメンテナンス作業を容易に行うことが可能なワーク処理装置を提供する。
【解決手段】このワーク処理装置Ｓは、供給される所定のガスをプラズマ化するプラズマ発生部１８を有し、このプラズマ発生部１８からプラズマ化したガスを放出するプラズマ発生装置６と、プラズマ発生部１８の下方で処理対象であるワークＷを支持する搬送装置２とを備え、ワークＷに対してプラズマ化したガスを照射することにより所定の処理を施与するものであって、プラズマ発生部１８がワークＷ上に位置するようにプラズマ発生装置６を据え付けるための据付枠４を備えている。そして、プラズマ発生装置６は、プラズマ発生部１８がワークＷ上に配置される据付位置から水平方向に引き出し可能に据付枠４に対して取り付けられている。 （もっと読む）

【課題】プラズマが生成する空間において、圧力分布が生じることを抑制できるプラズマ処理装置を提供する。
【解決手段】本発明に係るプラズマ処理装置は、チャンバー１０と、ステージ１２と、ステージ１２の上方に配置されたガス導入部１４と、ガス導入部１４の周囲から下方に突出することにより、半導体ウェハ１の上方に位置していてプラズマが生成される第１の空間１０ａと、チャンバー１０内の他の空間である第２の空間１０ｂとを、互いに部分的に繋がった状態を維持しつつ区切る仕切部材１６と、第２の空間１０ｂを排気する排気機構１８，２０，２０ａと、第１の空間１０ａの圧力を測定する第１の圧力計２２と、第２の空間１０ｂの圧力を測定する第２の圧力計２４と、第１の圧力計２２の測定値に基づいて止切部材１６の突出量を制御し、かつ第２の圧力計２４の測定値に基づいて排気機構２０ａを制御する制御部２６とを具備する。 （もっと読む）

【課題】
基板の加熱効率を高め、基板の加熱時間を短縮してスループットの向上を図ると共に、周囲への放熱量を抑制し、金属汚染、異物の発生を防止し、基板の処理品質を向上させる。
【解決手段】
処理室１内に収納した基板４を加熱して処理する基板処理装置に於いて、基板を載置して加熱する基板載置台３と該基板載置台に対向する熱反射板２５とを具備する。
（もっと読む）

【課題】真空チャンバ内部の分圧分布を簡便に測定する分圧測定方法および分圧測定装置を提供することを目的とする。
【解決手段】真空チャンバ内に備える測定専用の局所プラズマ源９を測定箇所に移動させる移動ステップと、真空チャンバの壁部に設けられ、光が通過する窓を通して、局所プラズマ源が発生させたプラズマからの発光を受光し、受光した発光の発光強度を分光測定することにより、真空チャンバ内の分圧分布を測定する測定ステップとを含むことを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】ファラデーシールドによる処理槽壁のダメージの不均一を解消することができ、ダメージの不均一によるパーティクルの発生を抑制する。
【解決手段】プラズマ処理装置であって、プラズマ処理に供される処理槽１０と、処理槽１０内にプラズマ生成のための誘導電界を印加する誘電コイル３１と、誘電コイル３１と対向した処理槽部分が誘電体で構成された処理槽壁１５と、誘電コイル３１と処理槽壁１５との間に移動可能に設置され、一部に開口を有するファラデーシールド４１と、ファラデーシールド４１を移動させる駆動機構とを備えた。 （もっと読む）

【課題】カーボン基材表面に高純度で高い耐食性を得ることが可能なＳｉＣ膜を形成した耐食性部材を提供する。
【解決手段】耐食性部材において、カーボン基材の表面に、３Ｃと、６Ｈまたは４Ｈの結晶構造を含むＳｉＣ膜を備え、ＳｉＣ膜において、ＳｉＣ膜の最表面における６Ｈまたは４Ｈの割合が、カーボン基材側の面における６Ｈまたは４Ｈの割合より大きい。 （もっと読む）