【課題】マイクロ波を用いたプラズマ処理装置において、広いプラズマ処理条件に対してマイクロ波の円偏波化が達成され、軸対称性の良いプラズマ処理特性を得ることのできるプラズマ処理装置の実現と処理方法を提供する。
【解決手段】反射波が有っても、マイクロ波の円偏波化が行える円偏波発生器を用いてプラズマ処理の軸対称性を高めるため、円矩形変換器４０２の円形導波管４０５側にスタブ４０３および４０４を設け、スタブ４０３および４０４は円柱状で先端部は半球状とした。 （もっと読む）

【課題】平行平板型の電極間においてプラズマの生成に消費される高周波による電界強度分布を制御するためのプラズマ処理装置用の電極の構造を提供する。
【解決手段】プラズマエッチング装置は、内部にてウエハＷをプラズマ処理する処理容器１００と、処理容器１００の内部にて互いに対向し、その間に処理空間を形成する上部電極１０５及び下部電極１１０と、上部電極１０５及び下部電極１１０の少なくともいずれかに接続され、処理容器１００の内部に高周波電力を出力する高周波電源１５０と、を有する。上部電極１０５及び下部電極１１０の少なくともいずれかは、板状の誘電体からなる基材１０５ａと、開口部を有し、基材１０５ａを覆う導電性カバー１０５ｂと、基材１０５ａとプラズマとの間に設けられた金属の第１の抵抗体１０５ｄと、を含む。 （もっと読む）

【解決手段】回転式シャッタを有するＵＶランプアセンブリ。各回転式シャッタは、反射性の陥凹面を伴う凹面壁を有する。回転式シャッタは、開位置と閉位置との間で一体的に回転させることができる。回転式シャッタは、開位置では、ＵＶランプのＵＶ光がＵＶランプアセンブリから出て行くのを阻まない一方で、閉位置では、ＵＶ光がＵＶランプアセンブリから出て行くのを阻む。 （もっと読む）

【課題】シリコン半導体および化合物半導体などを製造する装置内で高い耐プラズマ性を要求される部品に好適なフッ化物焼結体を提供する。
【解決手段】MgF₂を１〜５wt.％含有するCaF₂−MgF₂焼結体からなり、該焼結体の嵩密度が３．００g/cm³以上の緻密な構造を有している。 （もっと読む）

【課題】上部板と下部板との間で生じる摩擦を緩衝し、パーティクルの発生を抑制することができるシャワーヘッドを提供する。
【解決手段】ヒドロキシル基を有する含フッ素エチレン性重合体から構成されると共に上部板１０と下部板１２との間に介在して上部板１０と下部板１２とを互いに接合する熱融着シート１１を備えるシャワーヘッドとする。前記上部板１０，前記下部板１２および前記熱融着シート１１は、それぞれ複数の貫通孔１３，１４，１５を有し、前記熱融着シート１１に形成された複数の貫通孔１５は、それぞれ前記上部板および前記下部板に形成された複数の貫通孔１３，１４よりも大きな径を有することが好ましい。 （もっと読む）

【課題】処理空間内のプラズマ密度分布を制御することができ、プラズマ処理の面内均一性を向上させることのできるプラズマ処理装置及びシャワーヘッドを提供する。
【解決手段】内部で基板を処理する処理チャンバー２０１に、前記基板を載置するための載置台２０３と対向するように設けられ、前記載置台２０３と対向する対向面に複数設けられたガス吐出孔１１から前記基板に向けてガスをシャワー状に供給するためのシャワーヘッド１００を備えたプラズマ処理装置２００であって、前記シャワーヘッド１００の前記対向面と反対側の面とを貫通する複数の排気孔１３と、前記反対側の面側の前記排気孔１３と連通した排気空間内に、立設状態で設けられた複数の棒状の磁石柱１６ａ，ｂと、前記磁石柱１６ａ，ｂの少なくとも一部を移動させて前記排気孔１３との距離を変更するための移動手段１６１ａ，ｂと、を具備している。 （もっと読む）

【課題】加熱効率および冷却効率に優れ、プラズマ処理後における被処理物の諸特性に悪影響が及ぶおそれがなく、製造コストも比較的少ないプラズマ処理装置を提供すること。
【解決手段】加熱装置Ｅ１は、トレー５および基板が載置されるアノード電極７と、アノード電極７の内部にその長手方向に沿って埋設された加熱部材３１と冷却部材３２とを備えてなる。加熱部材３１は、アノード電極７の一方端部寄り箇所に平面形状がＵ字型の湾曲部分３１ａを有し、それ以外の箇所に直線状部分３１ｂを有し、互いに並列状に隣り合って設けられた７本の管状ヒータからなる。冷却部材３２は、対応する前記管状ヒータの湾曲部分３１ａを臨む箇所に蛇行状部分３２ｃを有し、それ以外の箇所に直線状部分３２ｂを有し、それぞれの前記管状ヒータの外側に沿って互いに並列状に隣り合って設けられた７本の冷却管からなる。 （もっと読む）

【解決手段】 本発明の実施形態は、一般的には、チャンバ構成部品の外部位置洗浄のための方法及び装置に関する。一実施形態では、洗浄化学物質で構成部品を洗浄するためのシステムを提供する。システムは、洗浄プロセス中洗浄すべき１つ又はそれ以上の構成部品を保持するための洗浄槽組立体を含むウェットベンチ装置と、洗浄プロセス中１つ又はそれ以上の洗浄化学物質を洗浄槽組立体に供給するための、洗浄槽組立体と着脱可能に連結された着脱可能な洗浄カートを含む。 （もっと読む）

【課題】ターゲット領域内の基材表面の少なくとも一部において金属酸化物を除去し及び／又は半田接合を形成するための方法及び装置を提供する。
【解決手段】複数の半田バンプを有する層を含む基材において金属酸化物を還元し及び半田接合を形成する方法及び装置であって、１つ又は複数の通電電極を用意し、前記層及び半田バンプの少なくとも一部を前記通電電極にさらすことによって金属酸化物を還元し及び半田接合を形成する方法及び装置が提供される。 （もっと読む）

【課題】レジスト層等の有機マスク層の耐プラズマ性を高く維持して高選択比でエッチングすることができ、また、電極への堆積物の付着を有効に解消することができ、さらにプラズマ密度のコントロールが可能なプラズマエッチング装置を提供すること。
【解決手段】チャンバ１０に互いに対向して配置される上部電極３４およびウエハ支持用の下部電極１６を有し、上部電極３４に相対的に周波数の高い第１の高周波電力を印加する第１の高周波電源４８を接続し、下部電極１６に相対的に周波数の低い第２の高周波電力を印加する第２の高周波電源９０を接続し、上部電極３４に可変直流電源５０を接続し、チャンバ１０内に処理ガスを供給してプラズマ化し、プラズマエッチングを行う。上部電極３４に印加された直流電源５０からの直流電圧に基づく電流をプラズマを介して逃がすために、常時接地されている導電性部材９１を設ける。 （もっと読む）

【課題】プラズマ処理システム用の改良された堆積シールドを提供する。
【解決手段】プラズマ処理システムの処理空間１２を包囲するための改良された堆積シールド１４は、内面８２、外面８４、上端面８６、及び下端面８８を有する円筒体を具備する。下端面８８は端部リップ面１２０を具備する。堆積シールド１４の複数の露出面１４５に保護バリア１５０が結合される。露出面１４５は、内面８２、上端面８６、及び端部リップ面１２０を含む。 （もっと読む）

【解決手段】基板の処理中にプラズマ処理チャンバの処理チャンバの中にＲＦ電流のための低インピーダンスＲＦ帰還経路を提供するための高周波（ＲＦ）接地帰還構成が提供される。ＲＦ接地帰還構成は、基板処理中に前記基板をエッチングするためのプラズマを持続させるように構成された閉じ込めチャンバ体積を取り囲むように構成された閉じ込めリングのセットを含む。ＲＦ接地帰還構成は、また、下部電極サポート構造を含む。ＲＦ接地帰還構成は、さらに、低インピーダンスＲＦ帰還経路がＲＦ源へのＲＦ電流の帰還を促すように閉じ込めリングのセットと下部電極サポート構造との間にＲＦ接触を提供するＲＦ接触対応コンポーネントを含む。 （もっと読む）

【課題】 ウェハ端面での反射防止膜のリンス処理により形成されたハンプ、又は該ハンプに起因するエッチング段差や膜残渣を除去し、ウェハ端面からの微小異物の飛散を防止する。
【解決手段】 半導体ウェハ１１１の端面において、半導体ウェハ１１１上に成膜された反射防止膜１２１、１４１の外周部をリンス処理により除去した後、反射防止膜１２１、１４１上に設けられたレジストパターン１２３、１４３を用いて、反射防止膜１２１、１４１及びその下地構造をエッチングする。リンス処理は、反射防止膜１２１、１４１の最外周部にハンプ１２２、１４２を生じさせ得る。上記エッチングの前又は後に、ウェハ端面において、ウェハ端面以外の領域にマスクを設けることなく、ハンプ１２２、１４２が形成された位置をエッチングする。 （もっと読む）

【課題】部材表面、特に段差部に形成された破砕層を容易に消滅させることができる表面処理方法を提供する。
【解決手段】表面に破砕層２５ｈを有する炭化珪素からなるフォーカスリング２５に対し、表面に電子ビーム４５を照射するか、表面をプラズマトーチ５０で加熱するか、又はアニール処理装置６０に収容して加熱し、これによって、フォーカスリング２５の表面を、炭化珪素の再結晶温度、例えば１１００℃〜１３００℃まで加熱し、当該部分の炭化珪素を再結晶させて緻密層に改質してフォーカスリング２５をプラズマ処理装置１０に適用した際のフォーカスリング２５表面から放出される粒子数を減少させる。 （もっと読む）

【課題】プラズマ処理を行うときにマスクとして使用するフィルムを搬送する時に、これに生じる張力を調整することで、フィルムの延びを防止することができるプラズマ処理装置を提供する。
【解決手段】処理ステージよりも上流側にあるダンサーローラ１１２ａと、処理ステージよりも下流側でフィルムテープ１０１に搬送のための駆動力を与えるアクチュエータ１１７とをみ、ダンサーローラ１１２ａは、一定の力に応じてフィルムテープ１０１に張力を与え、張力が増大すると一定の力とは反対の方向に移動してフィルムテープ１０１を送り出す。フィルムテープ１０１は、処理ステージでワークピース１６のプラズマジェット５によって処理される部分上に開口部１００が位置するように配置され、開口部１００を介してプラズマジェット５による処理が行われる。 （もっと読む）

【課題】排気の偏りが無く、かつ、メンテナンスが容易となるように基板支持台を支持するプラズマ処理装置及び方法を提供する。
【解決手段】プラズマＣＶＤ装置１０において、対向する真空チャンバ１１の側壁１１ａを貫通する貫通孔１２ｃを内部に有し、真空チャンバ１１の中心を通って横断する支持梁１２を真空チャンバ１１と一体に形成し、支持梁１２の上面の中央部に、基板支持台１３を取り付ける上面開口部１２ａを設け、真空側と大気側とをシールする第１シール部材を介して、上面開口部１２ａに円筒状の基板支持台１３を取り付けた。 （もっと読む）

【課題】基板が破損する可能性を軽減しつつ、基板が載置台上に吸着しているか否かを検出し解消する吸着検知解消方法を提供すること。
【解決手段】載置台の載置面から被処理体の裏面に対して、所定の吸着判定圧力にて流体を供給する工程と（ステップ２）、吸着判定圧力にて流体を供給開始してから、所定の吸着判定時間が経過したときの流体の流量を検知する工程と、該工程において検知された流体の流量が、所定の吸着判定流量以下か否か、を判定する工程と（ステップ３）、該工程における判定の結果、流体の流量が吸着判定流量以下の場合、被処理体の裏面に対して流体を供給する圧力を吸着判定圧力よりも高圧の吸着解消圧力にする工程と（ステップ７）、を具備する。 （もっと読む）

【課題】真空処理チャンバ内の中央領域と周辺領域とにおいて生じ得るエッチング速度の差をなくして、大型の基板でも均一に処理できるようにしたドライエッチング装置を提供する。
【解決手段】真空処理チャンバ１の内周側壁１ｃ，１ｄで画定される真空処理チャンバの処理空間が平面において基板２の輪郭形状にほぼ相似形になるように真空処理チャンバを構成し、真空処理チャンバ内に、基板の前後及び左右における縁部から真空処理チャンバの内周側壁までの間隔がそれぞれ等しくなるように基板が基板ホルダー３に配置される。 （もっと読む）

【課題】プロセス以外の放電を抑え、パワーロスや異常放電をなくし安定したプロセス及びエッチングレートを向上させることのできるようにしたドライエッチング装置を提供する。
【解決手段】ドライエッチング装置においては、真空処理チャンバ１１内に設けられ、エッチング処理すべき基板１２の装着される基板電極１３に対向した真空処理チャンバ１１の天板側位置に、プロセスガス導入系１７，１８，１９からのプロセスガスを拡散させるシャワープレート１５を設け、真空処理チャンバ１１の天板１１ａとシャワープレート１５との間の空間に有孔放電防止プレート１６を設ける。 （もっと読む）

【課題】絶縁基板の温度調節をしつつ、絶縁基板を有する配線基板の静電気破壊の発生を低減することを目的とする。
【解決手段】第１方向Ｄ１に延びた配線Ｚが配置された絶縁基板１０を有する配線基板３０を配置可能なテーブル面４０Ｓと、テーブル面４０Ｓに形成されるとともに第１方向Ｄ１と交差する方向に延びた直線状の溝部４１と、溝部４１に形成されるとともにガスが注入される注入口４２Ａと、溝部４１に形成されるとともに注入口４２Ａから注入されたガスを排出する排出口４３Ａと、を有するテーブル４０を備えたことを特徴とする。 （もっと読む）