【課題】上部電極の消耗を防止しつつ、処理空間におけるプラズマの密度分布の制御性を向上することができる基板処理装置を提供する。
【解決手段】第１の高周波電源１８に接続され且つウエハＷを載置するサセプタ１２と、該サセプタ１２と対向して配された上部電極板２８と、サセプタ１２及び上部電極板２８の間の処理空間ＰＳとを備え、プラズマを用いてウエハＷにプラズマエッチング処理を施す基板処理装置１０は、上部電極板２８における処理空間ＰＳに面する部分を覆う誘電体板２７を備え、上部電極板２８は、ウエハＷの中央部と対向する内側電極２８ａと、ウエハＷの周縁部と対向する外側電極２８ｂとに分割され、内側電極２８ａと外側電極２８ｂとは互いに電気的に絶縁され、内側電極２８ａには第２の可変直流電源３３から正の直流電圧が印加されるとともに、外側電極２８ｂは電気的に接地される。 （もっと読む）

【課題】ウェハ処理特性を安定化するプラズマ処理装置または方法を提供する。
【解決手段】内部に減圧されて処理対象のウェハ１７１を処理するためのプラズマが形成される処理室１１０を有する真空容器と、この真空容器の上部でこれを構成し前記処理室の上方に配置されその下方の前記処理室内の空間に前記プラズマを形成するための電界が透過する誘電体製の板部材１１１と、前記板部材の上方に配置され温度を検出する検出器１８１と、この検出器が検出した結果に応じて前記プラズマの形成を調節する制御部とを備え、前記検出器が、前記プラズマが形成される前の第一の時刻とこのプラズマが形成された後所定の時間後の第二の時刻とこの所定時間後の時刻の後の前記プラズマが形成中の任意の第三の時刻における放射エネルギーの量に基づいて前記第三の時刻の温度を検出する。 （もっと読む）

【課題】真空処理室内壁表面に発生する自己バイアスを抑制することにより、真空処理室内壁表面の削れあるいは真空処理室内パーツの消耗を抑制することを課題とする。
【解決手段】本発明は真空処理室と、前記真空処理室の上部を閉塞する真空処理室蓋と、誘導アンテナと、前記誘導アンテナと前記真空処理室蓋との間に設置されたファラデーシールドと、前記誘導アンテナに高周波電力を印加する高周波電源とを有するプラズマ処理装置において、前記誘導アンテナは、２つ以上に分割され、前記ファラデーシールドは、前記誘導アンテナの分割数に応じた分割数で分割され、また、一つの前記高周波電源から整合器を介して、高周波電圧を印加されることを特徴とするプラズマ処理装置である。 （もっと読む）

【課題】ナノインプリント技術に用いるモールドを高い精度で製造する方法と、このモールドの製造を簡便に行うことができるドライエッチング用のトレーとその製造方法、および、このトレーを用いたドライエッチング方法を提供する。
【解決手段】ドライエッチング用のトレー１を、基体２と、この基体の一つの面２ａに位置する被エッチング体嵌合用の凹部３と、この凹部３の周囲の面２ａである開口面積率調整面４と、この開口面積率調整面４を０〜１００％の範囲で被覆する開口面積率調整層５と、を備えたものとし、基体２と開口面積率調整層５は、一方をドライエッチング可能な材質とし、他方をドライエッチングされない材質とする。 （もっと読む）

【課題】伝熱ガスのガス流路の圧力損失の影響をなくして基板の位置ずれ検出の精度を向上させる。
【解決手段】載置台３００とその基板保持面に保持された被処理基板との間にガス供給源からのガスを供給するためのガス流路３５２と，載置台の基板保持面に形成され，ガス流路からのガスを基板保持面Ｌｓ上に案内する複数のガス孔３５４と，基板保持面におけるガス孔形成領域Ｒの外側に形成され，基板の裏面にかかる圧力を検出する複数の圧力検出孔３７０ａ〜３７０ｄと，これら圧力検出孔に接続された圧力センサ３８０ａ〜３８０ｄとを設け，これら圧力センサからの検出圧力に基づいて基板の位置ずれ検出を行うようにした。 （もっと読む）

【課題】プラズマ分布、プラズマ電位、エッチング特性あるいは表面処理特性が時間的、空間的に変動し、制御性および信頼性の高いプラズマ処理装置（プラズマエッチング装置あるいはプラズマ表面処理装置）を実現することが困難であった。
【解決手段】放電形成用電磁波の少なくとも一部を透過型電極体を介して処理室内に導入する。透過型電極体は、透過型電極層を少なくとも構成要素の一部としており。透過型電極層には、細長形状のスロット開口領域が稠密に形成されている。この透過型電極体はRFバイアス用電磁波あるいはイオンプラズマ振動の電磁波にとっては電気的伝導性を有する材料のように振る舞い、プラズマ特性およびプラズマ処理特性の高安定化、高信頼性化を実現する。 （もっと読む）

【課題】半導体装置のチャネル部分等のエッチングを効率化し処理タクトを短縮する。
【解決手段】被処理物９を大気圧近傍の圧力の搬送経路１１に沿って連続的に搬送する。搬送経路１１の上流側の位置において、供給ノズル２１からエッチング液を被処理物９に供給し、金属膜９７をウェットエッチングする。続いて、搬送経路１１の下流側の処理空間１９において、フッ素系反応成分及び酸化性反応成分を含むエッチングガスを被処理物９の表面に接触させ、半導体膜９４をドライエッチングする。フッ素系反応成分は、大気圧プラズマにて生成する。被処理物９の搬送速度に応じて、被処理物９が処理空間１９を通過する期間中のエッチング深さが、不純物がドープされた膜部分９６の厚さとほぼ等しくなるよう、エッチングレートを設定する。 （もっと読む）

【課題】基準クロックを生成する水晶発振器の出力周波数に誤差があっても、精度の良い電力制御ができる高周波電源装置を提供する。
【解決手段】複数の基準クロック信号を発生させる基準クロック発生部１１６と、第１及び第２の高周波信号をそれぞれ発生する第１及び第２の高周波発生部１０１及び１０２と、両高周波発生部に周波数指令を与える周波数指令部１０４と、第１の高周波信号を増幅する電力増幅部１０５と、進行波電力の検出信号と第２の高周波信号とを乗算して両高周波信号の周波数の差の周波数成分を含む信号を得る乗算部１０７と、乗算部の出力から上記差の周波数成分を有する差周波数信号を抽出するフィルタ１０９と、フィルタにより抽出された差周波数信号のレベルと設定レベルとの比較演算の結果に基づいて進行波電力を設定値に保つように第１の高周波発生部１０５に振幅指令を与えるレベル制御部１１２とを備えた。 （もっと読む）

【課題】イオンエネルギー分布の制御に加えて正イオンによるチャージアップの緩和を行うことで、加工形状の制御をさらに高精度に行うことができる半導体装置の製造方法及び半導体製造装置を提供する。
【解決手段】半導体製造装置としてのプラズマ処理装置１０は、チャンバー１１と、チャンバー１１に設けられ、半導体ウエハＷが配置されるウエハ設置電極１２と、ウエハ設置電極１２に対向するようにチャンバー１１内に設けられた対向電極１３と、ウエハ設置電極１２に高周波電圧を印加する高周波電源１４と、ウエハ設置電極１２に高周波電圧と重畳するように負の第１のＤＣパルス電圧Ｖ_１を印加する第１のＤＣパルス電源１７Ａと、第１のＤＣパルス電圧Ｖ_１のオフ期間に、対向電極１３に負の第２のＤＣパルス電圧Ｖ_２を印加する第２のＤＣパルス電源１７Ｂとを備える。 （もっと読む）

【課題】移動電極と筒状容器の一方の端壁の間の空間におけるプラズマの発生を抑制することができる基板処理装置を提供する。
【解決手段】基板処理装置１０は、ウエハＷを収容する筒状のチャンバ１１と、該チャンバ１１内においてチャンバ１１の中心軸に沿って移動自在なシャワーヘッド２３と、チャンバ１１内においてシャワーヘッド２３に対向するサセプタ１２と、シャワーヘッド２３及びチャンバ１１の蓋１４を接続する伸縮自在なベローズ３１とを備え、シャワーヘッド２３及びサセプタ１２の間に存在する処理空間ＰＳに高周波電力が印加されるとともに処理ガスが導入され、シャワーヘッド２３及びチャンバ１１の側壁１３は非接触であり、シャワーヘッド２３及びチャンバ１１の蓋１４又は側壁１３とを電気的に接続するバイパス部材３５が配設される。 （もっと読む）

【課題】 インピーダンスの可変範囲内の広域にわたって処理速度の制御を容易に行うことを可能とする。
【解決手段】 基板処理装置は、基板を処理する処理室と、処理室内にて基板を支持する基板支持部と、処理室内に処理ガスを供給する処理ガス供給部と、処理室内に供給された処理ガスをプラズマ状態とするプラズマ生成電極と、プラズマ生成電極に高周波電力を印加する高周波電源と、基板支持部に設けられ基板の電位を制御するインピーダンス可変電極と、インピーダンス可変電極に接続され、プラズマ生成電極のピーク間電圧値の逆数に応じてインピーダンスを変更可能なインピーダンス可変機構と、処理室内の雰囲気を排気する排気部と、少なくともインピーダンス可変機構を制御する制御部と、を備えて構成される。 （もっと読む）

【課題】プラズマ洗浄処理の制限を緩和し、使用勝手の良いプラズマ洗浄装置を提供すること。
【解決手段】プラズマ洗浄処理のレシピ設定をする際には、パソコン１５により、プラズマエッチング（ＰＥ）方式かリアクティブイオンエッチング（ＲＩＥ）方式かのどちらであるかを判定し、ＲＩＥ方式であればプラズマ処理制限を内部メモリから読み込む。次に、プラズマ処理パワー（Ｗ）と処理時間（秒）の積がプラズマ処理制限を超えていないか判定する。ＲＦ電源出力パワーを「５００（Ｗ）」と入力して、プラズマ処理時間を「２５（秒間）」と入力すると、パソコン１５は５００Ｗ×２５秒＝１２５００Ｗ秒と算出して、プラズマ処理制限の１００００Ｗ秒を超えたと判定して、超えた旨をモニター１７に表示させる。次に、ＲＦ電源出力パワーはそのままとし、１００００Ｗ秒÷５００Ｗ＝２０秒間を算出し、プラズマ処理時間を２０秒間として内部メモリに保存する。 （もっと読む）

【課題】被エッチング材料に加えてエッチングマスクのエッチングダメージを考慮した最適なプラズマ状態でエッチング処理ができるドライエッチング装置、ドライエッチング方法およびプラズマ制御装置を提供する。
【解決手段】被エッチング材料をドライエッチングするドライエッチング装置において、エッチング処理中に被エッチング材料と反応するエッチングガスのプラズマ発光スペクトルデータとエッチングマスクと反応するエッチングガスのプラズマ発光スペクトルデータを検出し、検出したエッチングガスのプラズマ発光スペクトルデータを演算、記憶し、演算、記憶したデータに基づきエッチング装置にフィードバック制御（被エッチング材料の処理前にダミー基板をエッチングして、演算、記憶したデータを満たすように高周波電力またはガス流量比を調整）を行う。 （もっと読む）

【課題】従来の複数の処理室が設置された半導体処理装置において、ガスを混在させずに複数の処理室に、半導体処理装置のウェハ処理能力が損なわれることなく、並行して試料を搬送する装置を提供する。
【解決手段】試料を内部に収納して大気と真空を切り替えるロック室と、ロック室とそれぞれの真空処理室の間を相互に隔離した状態で接続する真空搬送室と、真空搬送室を経由してロック室とそれぞれの真空処理室の間で試料を搬送する搬送手段と、ロック室と真空搬送室の間の遮断・開通を切り替えるロック室バルブと、真空処理室と真空搬送室の間の遮断・開通を切り替える処理室バルブと、該バルブの開閉のタイミングを制御する制御手段を備え、試料の搬送に同期してバルブの開閉タイミングを制御する。 （もっと読む）

【課題】複数の処理室を有しかつラダープログラムで工程が制御される真空処理装置で、工程管理、各種機器の進捗確認について可視性を向上させ、工程管理と進捗確認を容易に行える真空処理装置とその制御方法等を提供する。
【解決手段】この真空処理装置１１１は、制御用コンピュータ１１０と処理室１１４を備え、処理室の動作が制御コンピュータに用意されたラダープログラム５１に従って制御され、処理室はＰＬＣ５４を備え、制御データは制御用コンピュータから通信手段を経由してＰＬＣに与えられ、ラダープログラムは予め制御用コンピュータ上でテーブル化され、テーブル化された制御データはＰＬＣの記憶領域に書き込まれ、ＰＬＣは、記憶領域に書き込まれた制御データを分解し、処理室が必要とする入力および状態に係るデータを取り込み、取り込んだデータに基づいて処理動作に関係する進行条件の判定を実行し、処理室での処理動作を実行する。 （もっと読む）

【課題】プラズマ処理プロセスの種類に応じて適切なマルチポール磁場の状態を容易に制御、設定することができ、良好な処理を容易に行うことのできるプラズマ処理装置を提供する。
【解決手段】磁場形成機構が、上下に分離して設けられた上側磁場形成機構２２ａと下側磁場形成機構２２ｂとから構成され、これらの上側磁場形成機構と下側磁場形成機構を、互いに近接、離間するよう上下方向に移動可能に構成されている。 （もっと読む）

【課題】処理の結果得られる形状の変動の少ないプラズマ処理装置またはプラズマ処理方法を提供する。
【解決手段】真空容器内部に配置された処理室と、この処理室の下部に配置されその上面に処理対象のウエハが載置される試料台と、前記処理室内部を排気して減圧する排気装置と、前記試料台の上方に配置されて前記処理室に処理用ガスを導入する導入孔とを備え、前記ウエハの上面に配置された膜構造を前記処理用ガスを用いて形成したプラズマによりエッチング処理するプラズマ処理装置であって、前記膜構造が基板上にレジスト膜とマスク膜とポリシリコン膜と絶縁膜とを有して構成されたものであって、前記ウエハを前記試料台上に載せて前記マスク膜の下方に配置されたポリシリコン膜をエッチングする前に前記処理室内にプラズマを形成してこの処理室内部の部材の表面にＳｉを成分として含む皮膜を被覆する工程を行う。 （もっと読む）

【課題】本発明は、生産性の低下を抑制するとともに表面処理効果の向上を図ることができる表面処理装置および表面処理方法を提供する。
【解決手段】被処理物を所定の方向に向けて搬送する搬送部と、前記被処理物に対して、プラズマ処理、紫外線照射処理、およびコロナ放電処理からなる群より選ばれた少なくとも１種の処理を施す処理部と、前記処理部を移動させる移動部と、前記移動部の制御を行う制御部と、を備え、前記制御部は、前記移動部の制御を行うことで、前記所定の方向に向けて搬送される被処理物に対して前記処理を施す際に前記処理部を前記搬送部の搬送面に沿って搬送方向に移動させるとともに、前記被処理物と前記処理部との間の相対速度を制御することを特徴とする表面処理装置が提供される。 （もっと読む）

【課題】エッチング装置の複数アクチュエータ値Ｘから複数波長の発光強度値Ｙを求めるモデルに基づき、値Ｙから値Ｘを算出して、値Ｙに関する好適なRun-to-Run制御を実現する。
【解決手段】本エッチング装置では、アクチュエータ値Ｘと発光強度値Ｙの関係が、ΔＸを入力としΔＹを出力とした代数的な数式に基づく制御モデル（行列モデルＣ１，比率制約モデルＣ２）として定義される。エッチング処理制御で、（Ｓ１）制御無し発光強度値Ｙをもとに、ΔＹ（制御量）から制御モデルに基づきΔＸ（制御量）を算出して値Ｘを設定する。（Ｓ２）値Ｘの設定値に基づきウェハのエッチング処理を行い、値Ｙをモニタする。（Ｓ３）値Ｙの実績値をもとに、次のウェハの処理で用いるための、制御無し発光強度値Ｙを計算する。Ｓ１〜Ｓ３を各ウェハのエッチング処理で繰り返す。 （もっと読む）

【課題】ビアや配線形成のために層間絶縁膜をレジストマスクにより開口エッチングした後、レジストアッシング中に異物が発生する事を抑制する。
【解決手段】半導体基板上に、ＳｉＯ_２膜４０、Ｎを含むストッパ膜５０、反射防止膜６０、および、レジストパターン７０をこの順に積層する積層工程と、レジストパターン７０をマスクとして、Ｆを含むエッチングガスで、反射防止膜６０、ストッパ膜５０およびＳｉＯ_２膜４０をエッチングし、開口を形成するエッチング工程と、該エッチング工程の後に行われ、酸素ガスおよび不活性ガスを含むガスを（酸素ガスラジカル）／（不活性ガスラジカル）≦５となる条件で用いて、レジストパターン７０をアッシングし除去するアッシング工程と、を有する。 （もっと読む）