【課題】測定対象物上に薄膜が形成されている場合でも、測定対象物の温度を従来に比べて正確に測定できる温度測定方法を提供する。
【解決手段】光源からの光を、基板上に薄膜が形成された測定対象物の測定ポイントまで伝送する工程と、基板の表面での反射光による第１の干渉波と、基板と薄膜との界面及び薄膜の裏面での反射光による第２の干渉波を測定する工程と、第１の干渉波から第２の干渉波までの光路長を算出する工程と、第２の干渉波の強度に基づいて、薄膜の膜厚を算出する工程と、算出した薄膜の膜厚に基づいて、基板の光路長と算出した光路長との光路差を算出する工程と、算出した光路差に基づいて算出した第１の干渉波から第２の干渉波までの光路長を補正する工程と、補正された光路長から測定ポイントにおける測定対象物の温度を算出する工程と、を備える。 （もっと読む）

【課題】微細で良好な形状のコンタクトホールを有する半導体装置の製造方法を提供する。
【解決手段】絶縁膜３６上にフォトレジスト膜４２を形成する工程と、フォトレジスト膜４２に開口部４４を形成する工程と、開口部４４が形成されたフォトレジスト膜４２をマスクとして絶縁膜３６をエッチングすることによりコンタクトホール４８を形成する工程とを有し、コンタクトホール４８を形成する工程は、開口部４４が形成されたフォトレジスト膜４２上に保護膜４６を堆積しながら絶縁膜３６をプラズマエッチングする第１の工程と、フォトレジスト膜４２上に堆積された保護膜４６を一旦除去する第２の工程と、保護膜４６が一旦除去されたフォトレジスト膜４２上に他の保護膜を新たに堆積しながら絶縁膜３６を更にプラズマエッチングする第３の工程とを含んでいる。 （もっと読む）

【課題】ウエハ処理の効率化を図り、真空処理室あるいは搬送中継室内の雰囲気ガスが他の真空搬送室あるいは搬送中継室内に流出することによる汚染を抑制する。
【解決手段】被処理基板をロック室に搬送する大気搬送装置を収容した大気搬送室１０６と、第１の真空処理装置を備え、前記ロック室にある被処理基板を前記第１の処理装置に搬入、搬出する第１の搬送装置を備えた第１の真空搬送室１０４と、第２の真空処理装置を備え、処理基板を前記第２の処理装置に搬入、搬出する第２の搬送装置を備えた第２の真空搬送室１１１と、第１の真空搬送室と第２の真空搬送室の間で被処理基板を受け渡しするための搬送中継室１１２と、前記第１および第２の真空搬送室にガスを供給するとともに、前記処理室、第１および第２の真空搬送室、および搬送中継室のガスを排気するガス供給系を備え、前記真空搬送室のガス圧は、真空処理室および搬送中継室よりも高く設定する。 （もっと読む）

【課題】任意の領域のみをエッチング処理ができるドライエッチング装置、ドライエッチング方法およびフォトマスク製造方法を提供する。
【解決手段】カソード２２上に載置された被エッチング材料１０に対して、被エッチング材料１０に対向するアノード２３からプラズマを発生させてエッチングするドライエッチング装置において、被エッチング材料１０とアノード２３との間に配置され、プラズマを通過させる開口の大きさを変更可能なシャッター３０を設け、シャッター３０は、被エッチング材料に対して離間接近する方向に対して直交する方向に移動可能に配置された複数のプレート３０ａと、各プレート３０ａを移動可能支持する支持体２９と、プレート３０を移動させる第１移動手段３０１を備える構成にした。 （もっと読む）

【課題】誘導結合型のプラズマ処理装置において、高周波給電部（特に整合器）内のパワー損失を少なくして、プラズマ生成効率を向上させること。
【解決手段】この誘導結合型プラズマ処理装置は、同軸アンテナ群５４とトランス部６８との間で複数の独立した閉ループの二次回路９６，９８を形成し、可変コンデンサ６４，６６の静電容量を可変することにより、同軸アンテナ群５４の内側アンテナ５８および外側アンテナ６０でそれぞれ流れる二次電流Ｉ_2A，Ｉ_2Bを各々任意かつ独立に制御して、半導体ウエハＷ上のプラズマ密度分布を径方向で自在に制御できるようにしている。 （もっと読む）

【課題】微小パーティクルの基板への付着を極力防止することができる基板搬送方法を提供する。
【解決手段】基板処理システム１０は、内部空間Ｓ１を有するプロセスモジュール１２〜１７と、該プロセスモジュール１２〜１７に接続され且つ内部空間Ｓ２を有するトランスファモジュール１１と、内部空間Ｓ１及び内部空間Ｓ２を仕切る開閉自在なゲートバルブ３０とを備え、トランスファモジュール１１は、ウエハＷを把持してプロセスモジュール１２〜１７に対するウエハＷの搬出入を行う搬送アーム機構２１を内部空間Ｓ２に有し、ゲートバルブ３０の開弁動作中において、搬送アーム機構２１は把持するウエハＷをゲートバルブ３０と対向する対向位置から退避させる。 （もっと読む）

【課題】複数の処理条件が切り替わる際における、インピーダンス整合が取れるとともにプラズマが安定化するまでに要する時間を短縮することに適した電源制御装置を提供する。
【解決手段】１つの実施形態によれば、処理室内にプラズマを発生させるプラズマ発生部を有するプラズマ処理装置の電源制御装置であって、前記プラズマ発生部に電力を供給するための高周波電源と、第１の処理条件のプロセス情報に対応した第１の整合値と第２の処理条件のプロセス情報に対応した第２の整合値と前記第１の処理条件から前記第２の処理条件へ切り替わる過渡状態のプロセス情報に対応した第３の整合値とを含む整合情報を記憶する記憶部と、前記整合情報に基づきインピーダンス整合を行う整合回路とを備えたことを特徴とする電源制御装置が提供される。 （もっと読む）

【課題】複数の層からなるパターンを形成する際の寸法制御性や処理の安定性を向上させることができるエッチング処理装置およびエッチング処理方法を提供する。
【解決手段】処理容器と、ゲートバルブと、フッ素を含むガスを供給する供給部と、排気部と、プラズマ発生部と、を有した第１の処理部１４０と、処理容器と、ゲートバルブと、塩素を含むガスを供給する供給部と、排気部と、プラズマ発生部と、を有した第２の処理部１５０と、第１の搬入搬出口と、第２の搬入搬出口と、を介して被処理物の搬送を行う搬送部１３０と、を備え、前記第１の処理部１４０は、前記被処理物に形成されたタンタルホウ素酸化物を含む層を所定の形状となるように除去し、前記第２の処理部１５０は、前記被処理物に形成されたタンタルホウ素窒化物を含む層を所定の形状となるように除去することを特徴とするエッチング処理装置１００。 （もっと読む）

【課題】 縦横比が大きい回路パターンを容易に形成可能なプラズマ処理方法及びその装置を提供する。
【解決手段】 本発明の実施形態による基板の蝕刻方法はチャンバー内に基板サポート上に基板を提供する段階、前記チャンバー内にプラズマ内で前記基板内に形成物を蝕刻する段階、前記形成物内に正電荷を減少させる段階、および前記形成物内に正電荷を減少させた後に、プラズマ内で前記基板内に前記形成物をさらに蝕刻する段階を含む。 （もっと読む）

【課題】装置内部材の温度を安定化し、ＣＤ変動の少ないプラズマ処理装置を提供する。
【解決手段】誘電体窓１０３に温風ヒーター１２６を接続し、誘電体窓１０３温度を温度センサー１２８により計測された温度信号を元に誘電体窓１０３の温度制御を行う。 （もっと読む）

【課題】監視したり人手を要したりすることなく、容易にかつ確実にプラズマを点火した
り再点火したりすることが可能なプラズマ点火技術を提供する。
【解決手段】所定の高周波信号ＨＳを発生しプラズマ発生させるための負荷電極１１４に
供給する高周波電源装置１０１、高周波電源装置側と負荷電極側とのインピーダンスを整
合させる整合装置１０５、高周波信号ＨＳの進行波および反射波を検出する進行波・反射
波検出装置１０２、所定の高電圧ＨＶを発生する高電圧発生装置１０３、反射波の進行波
に対する比率が第１のしきい値より大きい場合に高電圧ＨＶを高周波信号ＨＳに重畳する
制御装置１００を備える。 （もっと読む）

【課題】試料の搬送中に試料温度の測定を可能とし、測定した試料の温度に応じて試料の搬送を制御して搬送効率の低下を抑制する。
【解決手段】搬入された試料に所定のプラズマ処理を施すプロセスモジュール１１０と、カセットに格納された試料を取り出して前記プロセスモジュールに搬入し、プロセスモジュールにおいてプラズマ処理が施された試料を前記カセットに収納する搬送モジュール１０１を備えたプラズマ処理装置において、前記搬送モジュールは、試料を静電吸着する静電吸着部および吸着した試料の温度を測定する温度測定部を具備する搬送ロボット１０８と、搬送モジュールを制御するモジュールコントローラ１１３を備え、測定した試料の温度をもとに前記静電吸着部の吸着力を推定し、推定した吸着力をもとに搬送ロボットに許容される最大加速度を計算し、計算結果にしたがって搬送制御する （もっと読む）

【課題】簡易な方法を用いて、ガスの切り替え時に発生するガス流量のハンチングを抑制し、ガス流量の安定した制御を行う。
【解決手段】エッチングガスの供給方法は、エッチングプロセスに使用される第１のエッチングガスを処理容器内に供給するステップと、前記エッチングプロセスに使用される第２のエッチングガスを前記処理容器内に供給するステップと、を含み、前記第１のエッチングガス及び前記第２のエッチングガスの一方から他方にガスを切り替える際、切り替え前のエッチングガスとして必要であって切り替え後のエッチングガスとして必要でないガスを微少量だけ供給し続ける。 （もっと読む）

【課題】各ゲートのシール異常を検知することで処理の歩溜まりを向上させるプラズマ処理装置を提供する。
【解決手段】真空容器を構成する外側チャンバとこの外側チャンバの内側に配置されてその内部の減圧された処理室内でプラズマが形成される内側チャンバと、この内側チャンバ内の前記処理室の下部に配置され前記プラズマにより処理されるウエハが載せられて保持される試料台と、前記内側チャンバの側壁に配置されて内部を前記ウエハが搬送されるゲートを開閉する第一のゲートバルブと、前記外側チャンバの側壁に配置されて内部を前記ウエハが搬送されるゲートを開閉する第二のゲートバルブと、前記ウエハが前記試料台上に載せられた後前記第一及び第二のゲートバルブを閉塞して密封した前記内側チャンバと前記外側チャンバとの間の空間である中間室の圧力の変動を検出して前記第一または第二のゲートバルブによる封止の低下を検出するプラズマ処理装置。 （もっと読む）

【課題】半導体製造装置と半導体装置の製造方法において異常放電の有無を判断すること。
【解決手段】チャンバ１１内のステージ１２上にシリコン基板１１を載置するステップP1と、第１のステップの後、チャンバ１２内にプラズマ２２を発生させるステップP2と、プラズマ２２が発生している状態で、ステージ１２の電位V_sとプラズマ２２の発光強度Iとが同時に変動したときに、チャンバ１１内で異常放電が発生していたと判断するステップP5とを有する半導体装置の製造方法による。 （もっと読む）

【課題】微細な加工処理に有効な中密度プラズマ領域での高い制御性とウエハの大口径化に対応した均一性とを両立できるプラズマ処理装置を提供する。
【解決手段】真空排気手段により排気された真空処理室と、真空処理室にガスを供給するためのガス供給手段と、プラズマを生成するためのマイクロ波電力供給手段と、前記真空処理室に備えられた誘電体製のマイクロ波透過窓と、ウエハを載置するための基板ステージと、前記基板ステージを介してウエハに高周波バイアス電力を印加するための高周波バイアス電源と、真空容器に磁場を発生させるためのソレノイドコイルとヨークとを備えたプラズマ処理装置において、前記した誘電体製マイクロ波透過窓の中央部を、他の部分に対して、誘電体中のマイクロ波の波長の概略１／４突出させる。 （もっと読む）

【課題】光照射領域の周縁（エッジ）と、ワークの材料層に形成しているスクライブラインを簡便な方法で一致させてレーザ光を照射し、透明基板から材料層を剥離させること。
【解決手段】レーザ光出射部１０から、開口が設けられたマスクＭ、投影レンズ４０を介して蛍光板３０ａにレーザ光を照射して、アライメント顕微鏡５０により蛍光板３０ａ上に形成される光照射領域の位置を検出する。次に、ワークステージ３０上に載置されたワークＷ上のワーク・アライメントマークの位置をアライメント顕微鏡５０で検出する。ワークＷは、透明基板上に形成された材料層がスクライブラインにより複数の領域に分割されたものであり、制御部６０は検出した光照射領域の位置とワーク・アライメントマークの位置とに基づき、ワークステージ３０を移動して光照射領域の位置とワークの分割された一乃至複数の領域の位置とを一致させ、レーザ光をワークＷに対して照射する。 （もっと読む）

【課題】処理室内にパーティクルが発生するのを防止することができ、プラズマの分布を乱すのを防止することができ、排気コンダクタンスの調整幅を拡大することができる基板処理装置を提供する。
【解決手段】基板処理装置１０は、ウエハＷを収容してプラズマエッチング処理を施す処理室１３と、該処理室１３と連通する排気室１４と、処理室１３及び排気室１４を仕切り且つ処理室１３内のプラズマが排気室１４内へ漏洩するのを防止する排気プレート１５と、排気室１４内に配される上部電極板２８とを備え、排気プレート１５は複数の貫通穴を有し、上部電極板２８も複数の貫通穴を有し、上部電極板２８は排気プレート１５と互いに平行に接触可能であるとともに、排気プレート１５から離間可能である。 （もっと読む）

【課題】異なるプラズマ処理装置との間における加工寸法のばらつきを低減できる半導体装置の製造方法、電源回路、及びプラズマ処理装置を提供する。
【解決手段】半導体装置の製造方法は、プラズマ処理装置を用いた半導体装置の製造方法であって、処理室内の電極に半導体基板を載置する載置工程と、電源回路から前記電極に電力を供給するとともに、前記処理室内における前記電極から隔てられた空間にプラズマを発生させる発生工程と、前記発生工程で発生したプラズマの電位と電力が供給された前記電極の電位との差であるバイアス電圧を検出する検出工程と、前記検出工程で検出されたバイアス電圧が目標値に一致するように前記電源回路の容量値を補正する補正工程と、前記補正工程が行われた後に前記検出工程で検出されたバイアス電圧が前記目標値に一致した状態で、前記プラズマ処理装置を用いて前記半導体基板を加工する加工工程とを備えている。 （もっと読む）

【課題】設備コストを低減しつつ、良好なエッチング特性を得ることができるドライエッチング方法およびドライエッチング装置を提供する。
【解決手段】本実施形態のドライエッチング方法は、水素を含む第１の反応ガスとフッ素を含む第２の反応ガスとをニッケルで形成された加熱体１１０に接触させることで、水素ラジカルとフッ素ラジカルとをそれぞれ生成し、前記水素ラジカルおよび前記フッ素ラジカルと、前記第１の反応ガスおよび前記第２の反応ガスとを反応させることでエッチングガスを生成し、前記エッチングガスによって基板上のシリコン酸化物層をエッチングする。これにより、マイクロ波を用いた従来のラジカル源と比較して、ラジカルの生成に必要な設備および電力を低コストに抑えることができる。また、反応ガスに対する加熱体１１０の耐久性が向上し、安定したエッチング特性を維持できる。 （もっと読む）