【課題】フォトレジスト及びエッチング残渣の除去方法
【解決手段】方法は、プラズマアッシングに対し先行する誘電層のプラズマエッチングの間形成されたフォトレジスト残り及びエッチング残渣を取り除くことを提供する。アッシング方法は、酸素含有ガスを含み、基板からフォトレジスト残りとエッチング残渣のかなりの量を除去するため低バイアスもしくはゼロバイアスを基板に印加する第１のクリーニングステップと、加えてチャンバ表面からの不利益なフルオロカーボン残渣をエッチングし除去する２ステッププラズマを使用する。増加されたバイアスは、フォトレジストの残りと、エッチング残渣を基板から除去するために第２のクリーニングステップにおいて基板に印加される。２ステッププロセスは、従来の１ステップアッシングプロセスに共通に観察されるメモリー効果を減らす。終点検出の方法は、アッシングプロセスをモニタするのに使用できる。 （もっと読む）

【解決手段】プラズマ処理チャンバ内で圧力制御を実行するための装置が開示されており、この装置は、上側電極、下側電極、および、一体化閉じ込めリング装置を備え、上側電極、下側電極、および、一体化閉じ込めリング装置は、閉じ込めチャンバ領域を囲んで、その領域内でのプラズマ生成および閉じ込めを容易にするために少なくとも構成される。その装置は、さらに、第１のガス流路および第２のガス流路の少なくとも一方を調節して圧力制御を実行するために一体化閉じ込めリング装置を垂直方向に移動させるために構成されている少なくとも１つのプランジャを備えており、第１のガス流路は、上側電極と前記一体化閉じ込めリング装置との間に形成され、第２のガス流路は、下側電極と単一の一体化リング装置との間に形成されている。 （もっと読む）

【課題】排気システムのコストを低減することができる基板処理装置を提供する。
【解決手段】基板に処理を施す処理室と、前記基板を前記処理室へ搬送する搬送装置を備えた搬送室１２と、前記搬送室に連結された減圧可能な複数の予備室１４ａ，１４ｂと、前記複数の予備室に接続された排気装置５０と、前記複数の予備室の排気をそれぞれ制御する複数の排気弁６１−６３と、前記複数の排気弁を制御する第二の制御手段８９と、前記複数の排気弁のうちの一が開状態で、他の前記排気弁を開待ちとさせるように制御する第一の制御手段８６と、を備えている。 （もっと読む）

【課題】光の波長以下の微細加工における深さ制御を高い精度で行うことが可能なエッチング方法と、これを利用したナノインプリント用モールドの製造方法と検査方法およびエッチング装置を提供する。
【解決手段】 開口部（３）を有するエッチングマスク（２）を介して基材（１）をエッチングする際に、予めエッチングによるエッチングマスク（２）の減少量（ａ−ｂ）と基材１のエッチング深さｄとの関係式を設定し、エッチングマスク（２）の減少量（ａ−ｂ）を測定することにより上記関係式から対応するエッチング深さｄを算出して、エッチングの制御を行うこととする。 （もっと読む）

【解決手段】プラズマ処理システムの処理チャンバ内において基板を下部電極から機械的に取り除くための最適な時間を特定するための方法が提供される。方法は、センサのセットを用いて、デチャック事象中に基板の上に形成されるプラズマの電気的特性のセットを監視することを含む。方法は、また、電気的特性のセットに関する処理データをデータ収集装置に送信することも含む。方法は、さらに、処理データを閾値のセットと比較することも含む。方法は、なおもまた、もし、処理データが閾値を通過する場合に、基板解放事象が発生しているゆえに、基板を下部電極から取り除くことも含む。 （もっと読む）

【課題】プラズマエッチング処理において、ロット内の加工精度の経時変化を抑制するためには、ロット処理前にヒーティング処理を実施しなければならず、スループットを低下させる問題があった。
【解決手段】プラズマエッチング装置の試料載置電極のヒータ３０１への印加電圧、及び流入電流値を演算してヒータ用電源を制御し、ウエハ、及び試料載置電極の温度を制御する制御器を用いて、ロット内のウエハ毎にヒータにより載置電極温度を制御する。 （もっと読む）

【課題】エッチング速度の変動が少ないエッチングパラメータが得られるプラズマエッチングの試行方法を提供する。
【解決手段】Ｈｉｇｈ−ｋ膜を有する半導体デバイスのエッチング条件出しを行う過程において、真空チャンバー内にプロセスガスを供給して処理台に載置されたウェハ基盤のエッチング形状の変動が少なくなるように、エッチングパラメータを最適化しながら、前記ウェハ基盤をプラズマ処理するプラズマエッチングの際に、前記エッチングパラメータとして複数種類のパラメータを設定し、この中の特定パラメータを選択し、この特定パラメータを変化させながらプラズマ処理を加速試行することを特徴とする。半導体デバイスにおいて、チャンバーコンディションの影響を受け難く、変動の少ない安定したエッチング速度が得られるエッチングパラメータを抽出することができる。 （もっと読む）

プラズマエッチング速度分布におけるスキューの補正を、処理データ内でスキューから決定される角度を持つ傾斜軸周りでオーバーヘッドＲＦソースパワーアプリケータを傾斜させることによって行う。動作の完全な自由は、オーバーヘッドＲＦソースパワーアプリケータを吊り下げる浮動板を支持する正確に３軸のモーションサーボを組み込むことによって提供される。
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【課題】マイクロ波のエネルギを伝達する伝達系中の熱による損傷を回避することを可能とする構造を備えるプラズマ生成装置及び該プラズマ装置の伝達系中のマイクロ波のエネルギ損失を考慮したプラズマ生成方法を提供することが課題である。
【解決手段】マイクロ波を発生させるマグネトロンと、第１導波管と、マイクロ波を放出する先端部とを備えるケーブルと、ケーブルの先端部から放出されたマイクロ波を捕捉する基端部を備える電極と、プラズマを吹き出すための開口部を備えるノズル体とを備えることを特徴とするプラズマ生成装置。 （もっと読む）

【解決手段】半導体処理チャンバにおいて基板を処理するために複数の処理流体を供給する装置を開示する。装置は、複数の処理流体供給弁と、交差弁と調整供給弁との間に画成された流体供給ネットワークとを含む。装置は、更に、調整供給弁を介して流体供給ネットワークに接続されている調整流体供給部を含む。更に、装置と共に、複数の処理流体供給弁を介して流体供給ネットワークに接続された複数の処理流体が含まれる。更に、装置には、基板支持部を有する処理チャンバが含まれる。処理チャンバは、更に、縁端流体供給部と中心流体供給部とを含み、縁端流体供給部は、縁端有効化弁を介して流体供給ネットワークに接続され、中心供給部は、中心有効化弁を介して流体供給ネットワークに接続される。交差弁、縁端有効化弁、及び中心有効化弁により、調整流体又は処理流体の一方を、縁端流体供給部又は中心流体供給部の一方へ流動させることが可能となる。 （もっと読む）

【課題】シミュレーションの精度を向上できる形状シミュレーション装置を提供する。
【解決手段】シミュレーション装置のフラックス演算部は、有効立体角Ｓｅ、ウェハ開口率Ｒｗ及びセミローカル開口率Ｒｓに基づいて、計算点２２１毎の入射フラックスΓを演算する。有効立体角Ｓｅは、計算点２２１が当該計算点２２１を含むローカル領域２２３におけるパターンに遮蔽されずに開放される範囲を計算点２２１側から見込んだ立体角である。ウェハ開口率Ｒｗは、ウェハ２０１を覆うマスク２０７の面積に対するマスク２０７の開口面積の比である。セミローカル開口率Ｒｓは、ローカル領域２２３を含み、ウェハ２０１よりも狭いセミローカル領域２２７の面積に対する当該セミローカル領域２２７におけるマスク２０７の開口面積の比である。 （もっと読む）

【解決手段】基板の処理中にプラズマ処理チャンバの処理チャンバの中にＲＦ電流のための低インピーダンスＲＦ帰還経路を提供するための高周波（ＲＦ）接地帰還構成が提供される。ＲＦ接地帰還構成は、基板処理中に前記基板をエッチングするためのプラズマを持続させるように構成された閉じ込めチャンバ体積を取り囲むように構成された閉じ込めリングのセットを含む。ＲＦ接地帰還構成は、また、下部電極サポート構造を含む。ＲＦ接地帰還構成は、さらに、低インピーダンスＲＦ帰還経路がＲＦ源へのＲＦ電流の帰還を促すように閉じ込めリングのセットと下部電極サポート構造との間にＲＦ接触を提供するＲＦ接触対応コンポーネントを含む。 （もっと読む）

【課題】複数の処理工程（プロセス）を連続して行う基板処理装置において、チャンバー内の処理ガス流量や処理ガス圧力の大幅な変動に対して短時間で連続的に応答可能な圧力制御を行う圧力制御機器、圧力制御方法および該圧力制御機器を備える基板処理装置を提供する。
【解決手段】処理ガスが供給される減圧状態の処理室で複数の処理工程を行う基板処理装置であって、処理室に処理ガスを供給する処理ガス供給機構と、処理室の内部を排気する排気機構と、排気機構の排気量を調節する排気バルブと、複数の処理工程それぞれに最適な処理ガス圧力を算出するための演算テーブルを複数有し、演算テーブルに基づいて排気バルブの開度を制御する演算制御機構と、を備える基板処理装置が提供される。 （もっと読む）

【課題】誘導結合型プラズマ装置において、比較的狭い空間に総ターン数の多い並列コイルを設置できるようにする。
【解決手段】被処理物をプラズマ処理する処理室と、該処理室へプラズマ処理用のガスを導入する導入手段と、該処理室内を排気する排気手段と、被処理物を載置する試料台と、プラズマを発生させるための電力供給手段と、電力給手段と接続される少なくとも一つの誘導コイルを備えたプラズマ処理装置において、誘導コイルが、２以上の同一形状のコイル要素１０１を回路的に並列に接続して構成されるとともに、その中心が被処理物の中心と一致するように配置され、各コイル要素１０１の入力端１０１ｉｎが３６０°をコイル要素１０１の数で割った角度おきに配置され、かつコイル要素が径方向と高さ方向に立体的な構造を持つ。 （もっと読む）

本発明は、比重誘起ガス拡散分離法によるプラズマ生成を用いた基板処理装置及び方法を供することができる。各異なる比重（つまり気体の構成要素の分子の重さと参照分子の重さとの比）を有する不活性ガスとプロセスガスを含むガスを追加又は使用することによって、2領域又は多領域プラズマを生成することができる。2領域又は多領域プラズマでは、一の種類のガスがプラズマ生成領域付近で強く閉じこめられ、かつ、他の種類のガスは、比重の違いにより誘起される拡散によって、前記一の種類のガスから大きく分離されて、前記一の種類のガスよりもウエハ処理領域の近くで閉じこめられる。
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【課題】プロセス条件などに応じてプロセスガスの流れを最適化できるプラズマ処理装置及びプラズマ処理方法を提供する。
【解決手段】プラズマ処理装置１において、処理容器２の壁面を挿通する軸部と前記軸部の前記処理容器の内部に面する側の一端に設けられた前記軸部の径寸法よりも大きい径寸法を有する拡径部とを有する制御ノズル部１６と、前記処理容器の内壁面に対する前記拡径部の位置を変化させる移動部１７と、前記移動部を制御する制御部１４と、前記制御ノズル部を介して、前記処理容器の内部にプロセスガスを供給するガス供給部１２と、を備え、前記制御部は、前記壁面を挿通する軸部の外周面に沿って供給されるプロセスガスの流れを、前記処理容器の内壁面に対する前記拡径部の位置を変化させることで制御すること、を特徴とするプラズマ処理装置。 （もっと読む）

【課題】均一なエッチング、延いては均一な反応管内のクリーニングを行なう。
【解決手段】基板を反応管に搬入する第１の工程と、反応管内に複数の反応ガスを供給して基板を処理する第２の工程と、処理された基板を反応管外へ搬出する第３の工程と、反応管内をベース圧力に設定する第４の工程と、反応管内の排気を実質的に止めた状態で、第１の流量でクリーニングガスを供給して反応管内の圧力を徐々に上昇させる第５の工程と、第１の流量より少ない第２の流量でクリーニングガスを供給して、反応管内にクリーニングガスを充満させて封じ込める第６の工程と、クリーニングガスの供給を止めた状態で、反応管内を排気する第７の工程とを有し、第１の工程から第３の工程を２サイクル以上繰り返して基板を処理した後、第４の工程から第７の工程を２サイクル以上繰り返して反応管内に付着した反応生成物を除去する。 （もっと読む）

【課題】本発明は、温度状態の管理をより正確に行うことができるプラズマ処理装置及びプラズマ処理方法を提供する。
【解決手段】大気圧よりも減圧された雰囲気を維持可能な処理容器と、前記処理容器の内部を所定の圧力まで減圧する減圧部と、前記処理容器の内部に設けられた被処理物を載置する載置部と、内部にプラズマを発生させる領域を有し、前記処理容器から離隔された位置に設けられた放電管と、マイクロ波発生部から放射されたマイクロ波を伝播させて、前記プラズマを発生させる領域にマイクロ波を導入する導入導波管と、前記プラズマを発生させる領域にプロセスガスを供給するガス供給部と、前記放電管と、前記処理容器と、を連通させる輸送管と、前記放電管の温度を検出する第１の温度検出部と、を備えたことを特徴とするプラズマ処理装置が提供される。 （もっと読む）

【課題】高周波電源の異常を検出することが出来るプラズマ処理装置及び基板処理方法の提供。
【解決手段】高周波電源２の出力側に設置された反射波パワーメータ６及び進行波パワーメータ８によって検出される反射波電力、進行波電力および供給電力の設定に基づき、高周波電源２の異常を検出する機能を備えてお
り、例えば、高周波電源２の４．５ＫＷの設定出力に対し、１０００ｍｓ経過後、進行波電力の値が４４５５〜４５４５Ｗの範囲（±１％の範囲）にない場合、または、反射波電力の値が進行波電力の値の３％以上に達した場合は、高周波電源２の異常と判別する。 （もっと読む）

【解決手段】ＲＦ生成源、第１の電極、第２の電極および要素と共に用いられる装置である。ＲＦ生成源は、第１の電極にＲＦ信号を供給するように動作し、これにより、第１の電極と第２の電極との間に電位を生成する。装置は、接続部および電流シンクを含む。接続部は、第１の電極、第２の電極および要素のうちの１つに電気的に接続するように作動可能である。電流シンクは、接続部分と接地への経路とに電気的に接続する。電流シンクは、電圧閾値を含む。電流シンクは、電気的に接続される第１の電極、第２の電極および要素のうちの１つの電圧が電圧閾値より大きい場合に、接続部から接地に電流を導電させるように作動可能である。 （もっと読む）