【課題】ビアや配線形成のために層間絶縁膜をレジストマスクにより開口エッチングした後、レジストアッシング中に異物が発生する事を抑制する。
【解決手段】半導体基板上に、ＳｉＯ_２膜４０、Ｎを含むストッパ膜５０、反射防止膜６０、および、レジストパターン７０をこの順に積層する積層工程と、レジストパターン７０をマスクとして、Ｆを含むエッチングガスで、反射防止膜６０、ストッパ膜５０およびＳｉＯ_２膜４０をエッチングし、開口を形成するエッチング工程と、該エッチング工程の後に行われ、酸素ガスおよび不活性ガスを含むガスを（酸素ガスラジカル）／（不活性ガスラジカル）≦５となる条件で用いて、レジストパターン７０をアッシングし除去するアッシング工程と、を有する。 （もっと読む）

【課題】容量結合型の片側電極に周波数の異なる２つの高周波（または高周波と直流）を印加する方式において両高周波のそれぞれの作用または働きを同時に最適化する。
【解決手段】プラズマ空間ＰＳを挟んでサセプタ（下部電極）１４と対向する上部電極８０は、第１上部電極８４と第２上部電極８６とを有する。シャワーヘッドを兼ねる第１上部電極８４には可変直流電源９２より直流電圧が印加される。また、第１上部電極８４の内部またはガス室にはガス供給管６０を介して処理ガス供給源６２が接続される。第２上部電極８６は、第１上部電極８４の背後に設けられ、第１上部電極８４やチャンバ９０から電気的に絶縁されている。この第２上部電極８６には高周波電源９６より整合器を介してプラズマ生成用の高周波が印加される。 （もっと読む）

【課題】プラズマエッチングにおいて、ステップ間で連続放電を行った場合の、スループット低下，再現性低下，プラズマ放電不安定の問題を解決する。
【解決手段】ガス供給源１０１からガス供給源１１１に切換える場合に、事前にバルブ１１４を開き、ＭＦＣ１１２の流量を次ステップで使用する流量に設定して、ガス供給源１１１を排気手段５に流しておいて、バルブ１１３を開くと同時にバルブ１１４を閉じることでガス供給源１０１からガス供給源１１１に切換えるガス切換方法において、バルブ１１３，バルブ１１４およびＭＦＣ１１２で囲まれた部分のガス配管１１５の容積Ｖ１を、ガス貯め１０や処理ガスライン８を含むシャワープレートからバルブ１１３までの間の容積Ｖｏに比べて十分小さくする。これによって、圧力のアンダーシュートがなくなり放電不安定が発生しなくなる。 （もっと読む）

【課題】
真空処理室の残留ガスと導入ガスを高速に置換することのできる真空処理装置を提供する。
【解決手段】
真空処理室１０９内に、それぞれ異なるガスを導入する複数の処理ステップにより試料１１７の処理を行なう真空処理装置において、複数の処理ステップを継続する時、前ステップ終了時のガス流量を定常処理時の設定値より減少させる、または後ステップの開始時のガス流量を設定値より増加させる、または前ステップ終了時のガス流量を設定値より減少させ、且つ後ステップの開始時のガス流量を設定値より増加させる。これにより高速置換が可能となり安定した真空処理が実現できる。 （もっと読む）

【課題】熱膨張・収縮に対処した真空処理チャンバを提供する。特定の実施形態では、チャンバ・ボディに構造的応力を与えたり、真空シールを破壊したりすることなく熱膨張・収縮することができるシャワーヘッドを備えるプラズマ処理チャンバを提供する。
【解決手段】シャワーヘッド・アセンブリは、チャンバ・ボディに堅固に取り付けられたバック・プレート１２５と、シャワーヘッド・プレート１２０をＯリング１４０，スペーサ１４５を介してバック・プレート１２５に摺動可能に取り付け、それにより、シャワーヘッド・プレート１２０とバック・プレート１２５との間にガスシールが維持されているときにシャワーヘッド・プレート１２０をバック・プレート１２５に対して摺動可能にする締結アセンブリ１５０とを含む。 （もっと読む）

【課題】基板上の犠牲膜又は被処理膜のパターンの寸法を正確に測定し、基板上の被処理膜にスペース比率が１：１となるパターンを形成する。
【解決手段】検査用ウェハのモニターパターンの目標スペース比率を１：１と異なる比率に決定する（Ｓ１）。ライブラリのスペース比率の範囲を、目標スペース比率を含み１：１を含まない範囲に決定する（Ｓ２）。検査用ウェハに所定の処理を行い、被処理膜にモニターパターンを形成する（Ｓ３〜Ｓ８）。モニターパターンの寸法を測定する（Ｓ９）。モニターパターンの寸法を１：１のスペース比率の被処理膜のパターンの寸法に変換し（Ｓ１０）、変換された被処理膜のパターンの寸法に基づいて所定の処理の処理条件を補正する（Ｓ１１）。その後、補正された条件でウェハに所定の処理を行い、被処理膜に１：１のスペース比率のパターンを形成する（Ｓ１２〜Ｓ１７）。 （もっと読む）

【解決手段】プラズマエッチングシステムは、独立に制御可能な複数のヒーター領域を有する基板支持アセンブリを備える。プラズマエッチングシステムは、臨界デバイスパラメータのプレエッチング及び／又はポストエッチングの不均一性を補償可能に、所定位置のエッチング温度を制御するように構成される。 （もっと読む）

【課題】プラズマ処理装置における優先度の高い制御機器に対する制御をＣＰＵの能力を集中させて行うことができるようにする。
【解決手段】プラズマ処理装置を構成するプロセスモジュールは、全体の処理動作を制御するモジュールコントローラ113と、試料を処理するための複数の制御機器305〜319と、モジュールコントローラからの指示に従って複数の制御機器に制御信号を送信する入出力基板201とを備える。モジュールコントローラ113は、ＣＰＵの負荷率を監視し、その負荷率を取得し、ＣＰＵ負荷率に基づいて前記複数の制御機器のそれぞれに対する制御周期を計算、変更し、制御周期に従って、複数の制御機器のそれぞれに制御信号を送信して制御を行わせる。 （もっと読む）

【課題】プラズマシステムのためのプラズマ点火装置を
提供する。
【解決手段】装置３００は、内側にチャンネルを定める槽３１０、および槽３１０に隣接し、前記チャンネルの隣接部分に沿った方向の寸法Ｄを有する少なくとも一つの容量結合された点火電極３３０を備える。少なくとも一つの点火電極３３０の寸法の全長Ｄは、槽３１０のチャンネルの長さの１０％より大きい。点火電極３３０は、前記チャンネルの中の気体に電場を印加して、気体のプラズマ放電を開始させる。 （もっと読む）

【課題】誘導結合型のプラズマプロセスにおいて簡易な補正コイルを用いてプラズマ密度分布を自在かつ精細に制御すること。
【解決手段】この誘導結合型プラズマ処理装置は、ＲＦアンテナ５４に近接する誘電体窓５２の下で誘導結合のプラズマをドーナツ状に生成し、このドーナツ状のプラズマを広い処理空間内で分散させて、サセプタ１２近傍（つまり半導体ウエハＷ上）でプラズマの密度を平均化するようにしている。そして、サセプタ１２近傍のプラズマ密度分布を径方向で均一化するうえで、ＲＦアンテナ５４の発生するＲＦ磁界に対して補正リング７０により電磁界的な補正をかけるとともに、チャンバ１０内の圧力に応じてアンテナ−コイル間隔制御部７２により補正リング７０の高さ位置を可変するようにしている。 （もっと読む）

【課題】プラズマプロセスの外部条件を容易に最適化する。
【解決手段】本発明によれば、小型のプラズマ発生装置を用い、例えば４．Ａに示されるようにプラズマ密度が位置によって異なり、４．Ｂに示されるようにラジカル密度が位置によって異なる状態を形成できる。そこでこのような小型のプラズマ発生装置に、プラズマプロセスの被処理物や材料形成基板を配置し、当該被処理物等の表面でプラズマ密度やラジカル密度を測定しながらプラズマプロセスを実行する。プラズマプロセスの結果物を位置ごとに評価し、最も評価の高くなる位置でのプラズマ密度やラジカル密度を決定する。この上で、他の、大型或いは一括処理形のプラズマプロセスにおいて、当該最適なプラズマ密度やラジカル密度が生成できるように外部条件を調整する。この調整の際には、被処理物等をプラズマ処理等する必要がない。 （もっと読む）

【課題】負荷インピーダンス測定回路の測定誤差や実プロセス中の高周波の波形ひずみ等に起因する負荷インピーダンス測定精度の低下を補償すること。
【解決手段】この整合ポイント補正のためのオートラーニングにおいては、実際の加工対象ではないダミーの半導体ウエハをチャンバ内に搬入し、実プロセスと同じ条件でプラズマプロセスを実行して、基準インピーダンスＺ_sの下で整合器にオートマッチングを行わせ、反射波測定回路で得られた反射波電力の測定値を取り込んでメモリに格納する。そして、ロギング終了後に、メモリに取り込んである全ての反射波電力測定値の中で最小のものを最小値決定処理で決定し、この反射波電力最小値が得られたときの基準インピーダンスを当該実プロセスに対応する整合ポイントとして登録する。 （もっと読む）

【解決手段】データセンタのエレメントの非標準動作をシミュレートするためのコンピュータ実行方法及びデータセンタ管理装置が提供される。方法は、データセンタエレメントによって影響される１つのデータセンタリソースを決定する行為と、データセンタリソース及びデータセンタエレメントに基づいて複数のシミュレータから１つのシミュレータを選択する行為と、当該シミュレータを使用してデータセンタエレメントの非標準動作のインパクト分析を生成する行為とを含む。データセンタ管理装置は、ネットワークインターフェースと、メモリと、ネットワークインターフェース及びメモリにつながれたコントローラとを含む。コントローラは、データセンタエレメントによって影響される１つのデータセンタリソースを決定するように、データセンタリソース及びデータセンタエレメントに基づいて複数のシミュレータから１つのシミュレータを選択するように、並びに第１のシミュレータを使用してデータセンタエレメントの非標準動作のインパクト分析を生成するように構成される。 （もっと読む）

複数の別個の動作条件下で動作するために同調可能な継続的可変マイクロ波回路は、導波管中に突き出るように構成されたコアを有する、可調同調要素で構成された導波管と、可調同調要素と連動し、プラズマアッシングで反射されたマイクロ波の出力を最小化するための導波管中に突き出しているコアの長さを選択的に変化させるために動作するアクチュエータと、アクチュエータと連動し、複数の動作条件での変化においてアクチュエータを選択的に駆動させるために構成されたコントローラとで構成される。
（もっと読む）

【課題】スペーサーを形成すべき凸部の相互間隔、溝の幅、又は孔の径が小さい場合に、基板保護膜を用いる必要がなく、かつノッチを生じさせずにスペーサーを形成する。
【解決手段】スペーサーを形成する時の異方性エッチングにおいて、「１−（異方性エッチングおける第２スペーサー形成膜５の垂直方向のエッチングレートに対する水平方向のエッチングレートの比）」を異方性度と定義し、「（第１スペーサー形成膜４の膜厚Ｔ１−第２スペーサー形成膜５の膜厚Ｔ２）／（第１スペーサー形成膜４の膜厚Ｔ１）」を第１スペーサー形成膜４の第２スペーサー形成膜５に対する膜厚増分率と定義した時に、第２スペーサー形成膜５の垂直方向のエッチングレートを第１スペーサー形成膜４の垂直方向のエッチングレートより小さく、かつ第１スペーサー形成膜４の垂直方向のエッチングレートに異方性度と膜厚増分率のうち小さい方を乗じた値より大きいエッチング条件にする。 （もっと読む）

【課題】レジスト層等の有機マスク層の耐プラズマ性を高く維持して高選択比でエッチングすることができ、また、電極への堆積物の付着を有効に解消することができ、さらにプラズマ密度のコントロールが可能なプラズマエッチング装置を提供すること。
【解決手段】チャンバ１０に互いに対向して配置される上部電極３４およびウエハ支持用の下部電極１６を有し、下部電極１６に相対的に周波数の高い第１の高周波電力を印加する第１の高周波電源８９および相対的に周波数の低い第２の高周波電力を印加する第２の高周波電源９０を接続し、上部電極34に可変直流電源５０を接続し、チャンバ１０内に処理ガスを供給してプラズマ化し、プラズマエッチングを行う。上部電極３４に印加された直流電源５０からの直流電圧に基づく電流をプラズマを介して逃がすために、常時接地されている導電性部材９１を設ける。 （もっと読む）

【課題】発明は、ディスプレイ又は半導体の製造工程中に低圧工程チャンバで発生する汚染物質を除去するプラズマ反応器を提供する。
【解決手段】本発明に係る汚染物質除去用プラズマ反応器２１０は、互いに距離をおいて位置する第１接地電極２１及び第２接地電極２２と、第１接地電極２１と第２接地電極２２との間に固定される誘電体３０と、第１接地電極２１及び第２接地電極２２と距離をおいて誘電体３０の外面に位置して交流電源部４０と連結し、これから駆動電圧の印加を受ける少なくとも１つの駆動電極５０とを備える。 （もっと読む）

【課題】２００〜５００℃の温度範囲で、高速かつ高精度に基板温度を制御可能な基板温度制御を提供する。
【解決手段】本発明の基板ホルダを用いた基板温度制御方法は、
（１）基板のプロセス開始前に、静電チャック３上の基板１０を第１の設定温度まで昇温させる第１の行程と、
（２）基板１０のプロセス開始時に、静電チャック３上の基板１０を第１の設定温度より高い第２の設定温度まで昇温させる第２の行程と、
（３）基板１０のプロセス中に、第２の設定温度まで加熱された基板１０を第１の設定温度まで降温させる第３の行程と、
（４）基板１０のプロセス終了まで、基板１０を第１の設定温度に維持する第４の行程と、
を含むことを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】基板の温度上昇を速やかに行うことができると共に、熱エネルギーのロスを低減することができる基板載置台の温度制御方法を提供する。
【解決手段】ヒータユニット１４と、冷媒流路１５と、冷媒室１６とを内蔵し、プラズマエッチング処理が施されるウエハＷを載置するサセプタ１２において、冷媒流路１５及び冷媒室１６の内部を冷媒が流れ、ヒータユニット１４が発熱する際に冷媒室１６において冷媒の流れが停止する。 （もっと読む）

【課題】フォトマスクをエッチングする方法および装置を提供する。
【解決手段】フォトマスクをエッチングする方法は、上部に、フォトマスク用基板１２２を受けるように適合された基板支持用ペデスタル１２４を有する処理チャンバ１０２を提供するステップをふくむ。イオン−ラジカル用シールド１７０は、そのペデスタル上に配置される。基板は、イオン−ラジカル用シールドの下のペデスタル上に置かれる。処理ガスは、処理チャンバ内に導入され、プラズマが処理ガスから形成される。基板は、シールドを通過するラジカルを用いて主にエッチングされる。 （もっと読む）