【課題】Ｉ大口径のＣＰ源プラズマ処理装置において、プラズマの均一性及び着火性を改善する。
【解決手段】真空処理室１内にプラズマを生成して試料をプラズマ処理するプラズマ処理装置であって、真空処理室１内に形成される磁場のＥＣＲ面に右回転する誘導電場を形成する高周波誘導アンテナを複数組（７、７’）設け、電子サイクロトロン共鳴（ＥＣＲ）現象によりプラズマを生成する。高周波誘導アンテナとプラズマ間の容量結合を遮断し誘導結合させるファラデーシールド９には、位相検出器４７−２による監視の基に、位相制御器４４から制御を受けたファラデーシールド用高周波電源４５からの出力が整合器４６を介して電源供給される。複数のフィルター４９が、ファラデーシールド９を異なる箇所で高周波電圧をグラウンドに短絡させており、発生するプラズマ生成用高周波と同一周波数を持つ不均一な電圧分布の発生を防止する。 （もっと読む）

【課題】各アンテナに発生する高周波電圧のバラツキを低減できて、プラズマ発生部の大口径化、大容積化を図っても均一なプラズマを発生でき、プラズマによる薄膜形成やプラズマイオン注入を安定化できる高周波電力供給装置およびプラズマ発生装置を提供する。
【解決手段】２つ以上の誘導性のアンテナ１と、各アンテナ１に対して電力を供給する高周波電源２、４と、各高周波電源２、４に含まれ、各アンテナ１にそれぞれ対応する高周波電力増幅器４と、高周波増幅器４の高周波出力とアンテナ１との間にインピーダンス整合用の受動回路および配線とを有し、各アンテナ１での定在波の発生を回避するために受動回路の出力点から対応するアンテナ１の任意の点までの長さが、高周波電力が各配線および各アンテナ１を波として伝搬する際の高周波電力の波長の１／４未満である。 （もっと読む）

半導体基板が半導体基板支持部上に支持されたベベルエッチング装置内において、プラズマによる半導体基板のベベルエッジエッチングを行う際にアーク放電を防止する方法は、３〜１００Ｔｏｒｒの圧力までベベルエッチング装置を排気した状態で、ウェーハにおいて見られるＲＦ電圧を、アーク放電が回避される十分に低い値に維持しつつ、ベベルエッチング装置においてプラズマによる半導体基板のベベルエッジエッチングを行うステップを備える。 （もっと読む）

【課題】半導体製造装置の機器類にフッ素原子と塩素原子とを含む化合物ガスを作用させた際に、効果的に表面腐食を抑制する方法を提供する。
【解決手段】半導体製造装置の処理チャンバーとこの処理チャンバーに連通する配管路の内部をフッ素原子と塩素原子とを含む化合物ガスを導入してクリーニング処理あるいはプロセス処理した後、この処理チャンバー及び処理チャンバーに連通する配管路に露点温度が２１３Ｋ以下の不活性ガスからなるパージガスを導入する。 （もっと読む）

【課題】プラズマの状態によらず、プラズマの均一性を容易に確保することができるプラズマ処理装置およびプラズマ処理方法を提供すること。
【解決手段】上部電極434および下部電極16との間に処理ガスのプラズマを生成してウエハＷにプラズマエッチングを施すプラズマエッチング装置であって、上部電極434には高周波電源48および可変直流電源50が接続され、上部電極434は、電極板536と、電極板536を支持する一体構造の電極支持部材438とを有し、電極板536は、面内方向に所定の電気抵抗の分布が形成され、上部電極434の表面に所定の直流電界および高周波電界の分布を形成する。 （もっと読む）

【課題】半導体装置の製造方法に於いて、簡便な方法により、処理容器の内壁面をプラズマによりコーティングし、内壁面から酸素等の汚染原子が放出されることを抑止し、成膜品質を向上させる。
【解決手段】基板５を処理する処理容器１の内面を、プラズマ処理により反応ガス１９でコーティング処理する工程と、前記処理容器内に基板を搬入する工程と、前記反応ガスを用いて基板をプラズマ処理する工程と、前記処理容器内から基板を搬出する工程とを有する。 （もっと読む）

【課題】電子デバイスの更なる微細化及び高集積化が進んでも、リソグラフィー及びエッチングにより被加工対象の極めて高い寸法精度を達成し、信頼性の高い電子デバイスを実現する。
【解決手段】被加工対象上に形成されたレジスト膜を加工してレジストパターンを形成する工程と、レジストパターンをマスクとして、所定のエッチング条件で被加工対象をエッチングする工程とを実行する際に、形成されたレジストパターンの寸法及び形状（膜厚及びテーパ角度）を測定し、測定されたレジストパターンの寸法及び形状に基づいて前記エッチング条件を調整する。 （もっと読む）

【課題】 基板載置台への基板の異常載置状態を早期に発見できる方法を提供する。
【解決手段】 基板処理装置においてヒーターを有する基板載置台に基板を載置して加熱しながら処理を行う際に、１枚の基板を処理する間の全体もしくは一部分の時間において、ヒーターへの供給電力、供給電流もしくは供給電圧または基板載置台の計測温度について、最大値および最小値もしくは積算値を算出し、検出された最大値および最小値もしくは積算値をもとに基板の異常載置状態を検知する。 （もっと読む）

【課題】疎部及び密部のそれぞれにおいて、所望の寸法のデバイスパターンを簡単にエッチングにより形成できるようにする。
【解決手段】金属層１２上に２層のマスク層１３，１４を形成する工程と、２層のマスク層１３，１４に対して、各層ごとに、デバイスパターンを疎に形成する疎部または密に形成する密部におけるＣＤシフト量を調整する１種類のエッチングパラメータを変更させてエッチングを行い、マスクパターン１３−１〜１３−４，１４−１〜１４−４を形成する工程と、マスクパターン１３−１〜１３−４を用いて金属層１２をエッチングし、ゲート電極１２−１〜１２−４を形成する。 （もっと読む）

【課題】小型で、ワークの被処理面を局所的かつ連続的に安定してプラズマ処理することができるプラズマ処理装置を提供すること。
【解決手段】本発明のプラズマ処理装置１は、板状のワーク１０を保持する保持部４と、保持部４に保持されたワーク１０の被処理面１０１に対面するように設置された第１の電極２１と、保持部４に保持されたワーク１０の被処理面１０１と反対側の裏面１０２の一部に対面するように設置された第２の電極２２と、第２の電極２２をワーク１０１の裏面１０２に沿って移動させる移動手段５と、ワーク１０の被処理面１０１上に処理ガスを供給する処理ガス供給手段６と、第１の電極２１と第２の電極２２との間へ通電する通電手段６とを有する。 （もっと読む）

【課題】良好に任意の形状に加工することが可能なエッチング装置、エッチング方法及びエッチングプログラム、並びに成膜装置を提供する。
【解決手段】エッチング装置３０は、イオンガン１１とＸＹステージ１２と制御部１３とＰＣ１５とを備える。予め測定されたエッチングが施される基板３１の厚みの分布から、升目状に区分された基板３１の各領域の被エッチング量を算出し、この被エッチング量に達するようにＰＣ１５は各領域におけるエッチング時間を判別する。このエッチング時間に負となる領域がある場合、当該領域にシャッタ４０を覆うことにより、エッチング時間に負となる領域での過剰なエッチングを防ぎ、基板３１を任意の形状に加工することができる。 （もっと読む）

プラズマ強化型プロセスチャンバ内の部品の温度を調節するための方法及び装置が、本明細書内に提供される。いくつかの実施形態では、基板を処理するための装置は、プロセスチャンバと、プロセスチャンバ内でプラズマを形成するためにＲＦエネルギーを供給するＲＦ源を含む。プラズマが形成されたときに、プラズマによって加熱されるような部品が、プロセスチャンバ内に配置される。ヒーターは、部品を加熱するために構成され、熱交換器は、熱を部品から取り除くために構成される。チラーは、オン／オフ流量制御バルブを中に配置し、及び流量制御バルブを迂回させるバイパスループを有する第１フローコンジットを介して熱交換器に結合され、バイパスループは、流量比バルブを中に配置する。
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【課題】 ライン状に発生したプラズマのプラズマ密度の均一性を改善し、高均一なプラズマ処理が出来るプラズマ発生装置を提供すること。
【解決手段】 ライン状に発生させたプラズマの拡散領域にプラズマ密度の均一性を調整する容器１７が設けられる。容器１７はライン状プラズマの長さ方向に設けられており、長さ方向のプラズマ濃度を調整する第１の調整機構２１、幅方向のプラズマ濃度を調整する第２の調整機構２２、微調整のための第３の調整機構２３を有している。第１の調整機構２１はライン状プラズマの長さ方向の複数位置において幅が異なる開口を持ち、第２の調整機構はライン状プラズマの長さ方向に渡り均一な幅の開口を有している。 （もっと読む）

【課題】真空雰囲気において処理容器内の基板に対して処理ガスをプラズマ化したプラズマを供給してプラズマ処理を行うにあたって、面内均一性高く処理を行うこと。
【解決手段】基板を載置する載置台に対向するように、下面に多数のガス吐出孔が形成されたガスシャワーヘッドを処理容器の天壁に設けると共に、このガスシャワーヘッドの周囲における処理容器の天壁を誘電体により構成し、この誘電体上に基板の上方の処理領域の周囲にマイクロ波により前記基板の径方向に概略平行な電界を形成し、更にガスシャワーヘッドに負の直流電圧を印加する。 （もっと読む）

【課題】マグネトロンの交換を軽減でき、マイクロ波発生装置をより長く使用できるようにする。
【解決手段】マグネトロン８０のフィラメント８１にフィラメント電圧を供給し、フィラメント８１と陽極８４との間に陽極電圧を供給して、マイクロ波を発振させるマグネトロン８０を使ったマイクロ波発生装置４５の制御方法であって、ベース値のフィラメント電圧を供給し、マイクロ波の発振中に陽極電圧と陽極電流を測定する工程と、陽極電圧と陽極電流の関係を基準特性と比較する工程と、陽極電圧と陽極電流の関係が基準特性から外れた場合に、フィラメント電圧を前記ベース値よりも上昇させる工程とを有する。 （もっと読む）

【課題】パターンの異なる複数のマスクの情報を考慮したプロセス制御が可能な半導体装置の製造方法を提供する。
【解決手段】次に処理を施す半導体ウェーハを選択し、処理装置の装置情報および選択された半導体ウェーハと同種の半導体ウェーハの処理結果に基づいて、半導体ウェーハを処理する第１処理条件を算出するステップと、第１処理条件に、半導体ウェーハにパターンを形成したマスクに対して予め定められた補正値を加算し、第２処理条件を算出するステップと、第２処理条件に従って、半導体ウェーハを処理するステップと、半導体ウェーハの処理結果を求め、処理結果を平均した第１平均値を求めるステップと、第１平均値と、第１平均値の履歴を平均した第２平均値との差を示すマスク誤差を求めるステップと、マスク誤差のマスク間バラツキが小さくなるように、処理時間と処理結果との関係から補正値を修正するステップとを具備する。 （もっと読む）

【課題】タッチパネルやＰＤＰ、ＬＣＤやＥＬディスプレイ材料、太陽電池の透明電極や裏面電極、ハイブリッド型太陽電池の透明中間層、化合物半導体高速デバイスに用いる低誘電率膜、表面弾性波素子、赤外線カットなどを目的として、基材の両面に透明電極が形成された透明導電膜のパターニングの方法を提供する。
【解決手段】基材１の両面に透明電極層２，３が形成された透明導電膜のパターニングにおいて、ＹＡＧまたはＹＶＯ₄レーザー４の基本波または第２高調波を用いることで、片面のみの精度の高いパターニングが可能となる。 （もっと読む）

【課題】被処理体に対して単一装置で複数のプラズマ処理を連続で行うことができるプラズマ処理装置を提供することを課題とする。
【解決手段】ワークＷをプラズマ処理する処理部に臨み、ワークＷがセットされるアース電極部６と、放電パターンの異なる複数の印加電極部３と、複数の印加電極部３を、処理部２に選択的に臨ませる電極搬送テーブル５と、処理部２にプロセスガスを供給するガス供給部１１と、印加電極部３に電力を供給する電源部９と、処理部２に臨んだ各印加電極部３に電源部９を断続させる断続手段と、を備える。 （もっと読む）

半導体処理装置の予測メンテナンスのための方法及び装置が、本明細書内で提供される。いくつかの実施形態では、半導体処理装置に予測メンテナンスを実行する方法は、装置内に基板が存在しない半導体処理装置の少なくとも１つの自己診断テストを実行するステップを含んでもよい。自己診断テストは、半導体処理装置からの１以上の予測パラメータ及び１以上の応答パラメータを測定するステップを含んでもよい。１以上の予測される応答パラメータは、予測モデルを用いて測定された予測パラメータに基づいて計算されてもよい。１以上の測定された応答パラメータは、１以上の予測される応答バラメータと比較されてもよい。比較に基づいて装置メンテナンスが必要かどうかの決定がなされてもよい。
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【課題】プロセス処理に最適なプラズマ着火レシピを自動的に作成する。
【解決手段】プロセス処理レシピを特定パラメータでパターン化した複数のレシピパターンと，これらレシピパターンにそれぞれプラズマ着火用のパラメータ値を関連づけたレシピ作成ルール情報を記憶する記憶部３２０を設け，実行しようとするプロセス処理レシピが含まれるレシピパターンに関連づけられたプラズマ着火用のパラメータ値（例えば処理室内圧力６０ｍＴｏｒｒ）をレシピ作成ルール情報から取得し，当該プロセス処理レシピの一部のパラメータ値を当該プラズマ着火用のパラメータ値に置き換えてプラズマ着火レシピを作成する。 （もっと読む）