【解決手段】（プラズマ処理チャンバを備える）プラズマ処理システムがウエハを処理できる状態にあるか否かの判定を容易にするための試験システムが開示されている。試験システムは、少なくとも試験プログラムを格納するコンピュータ読み取り可能な媒体を備えてよい。試験プログラムは、プラズマ処理チャンバ内にプラズマが存在しない時に少なくとも１つのセンサによって検出された信号から導出された電気パラメータ値を受信するためのコードを備えてよい。試験プログラムは、さらに、電気パラメータ値および数学モデルを用いて電気モデルパラメータ値を生成するためのコードを備えてよい。試験プログラムは、さらに、電気モデルパラメータ値を基準モデルパラメータ値情報と比較するためのコードを備えてよい。試験プログラムは、さらに、この比較に基づいてプラズマ処理システムの準備状態を判定するためのコードを備えてよい。試験システムは、さらに、試験プログラムに関連する１または複数のタスクを実行するための回路ハードウェアを備えてよい。 （もっと読む）

【課題】 プラズマ励起効率の高い小型のプラズマ発生装置を提供する。
【解決手段】 プラズマ発生装置１００は、マイクロ波を発生するマイクロ波発生装置１０と、マイクロ波発生装置１０で発生されたマイクロ波を放射するスロットアンテナ２１ｂと、内管２０ａと外管２０ｂからなる同軸構造を有し、内管２０ａの一端にスロットアンテナ２１ｂが取り付けられ、マイクロ波発生装置１０で発生させたマイクロ波をスロットアンテナ２１ｂへ導く同軸導波管２０と、誘電体材料からなり、スロットアンテナ２１ｂを保持する共振器２２と、共振器２２が配置される開口面を有し、スロットアンテナ２１ｂから共振器２２を通して放射されたマイクロ波が導かれ、かつ所定の処理ガスが供給され、マイクロ波によって処理ガスが励起されるプラズマ励起用のチャンバ所定の処理ガスが供給されるプラズマ励起用のチャンバ２３とを具備する。 （もっと読む）

【課題】所定の処理室において、先に実行された処理作業単位によって作られた雰囲気を後に実行する処理作業単位において柔軟に利用することができる基板処理装置の制御方法を提供する。
【解決手段】ＰＭ１２〜１７を備える基板処理装置１０の制御方法では、各ウエハに施される同一内容の処理からなる処理群に相当する作業単位であるプロセスジョブ（ＰＪ）と、複数のＰＪからなる作業単位群であるコントロールジョブ（ＣＪ）とが用いられ、先に実行されたＰＪが属するＣＪが、或るＰＭにおいて実行可能なＰＪを有さないときに、他のＣＪに属する当該ＰＭにおいて実行可能なＰＪの実行が許可される。 （もっと読む）

【解決手段】基板処理中に自動的に障害状態を検出及び分類するための方法が提供される。方法は、基板処理中にセンサのセットによって処理データを収集することを含む。方法は、また、処理データを障害検出／分類コンポーネントに送信することを含む。方法は、更に、障害検出／分類コンポーネントによって処理データのデータ操作を実施することを含む。方法は、尚もまた、処理データと、障害ライブラリに保存されている複数の障害モデルとの間で比較を実施することを含む。複数の障害モデルの各障害モデルは、特定の障害状態を特徴付けるデータのセットを表している。各障害モデルは、少なくとも、障害徴候と、障害境界と、主成分解析（ＰＣＡ）パラメータのセットとを含む。 （もっと読む）

【解決手段】基板処理中に処理チャンバ内におけるその場での（in-situ）高速過渡事象を検出するための方法が提供される。方法は、第１のデータセットが潜在的なその場での高速過渡事象を含むかどうかを決定するためにデータセットを基準のセット（その場での高速過渡事象）と比較することを含む。もし、第１のデータセットが潜在的なその場での高速過渡事象を含む場合は、方法は、その潜在的なその場での高速過渡事象が発生する期間中に発生する電気的徴候を保存することも含む。方法は、更に、電気的徴候を、保存されたアーク徴候のセットと比較することを含む。もし、一致が決定された場合は、方法は、尚も更に、電気的徴候を第１のその場での高速過渡事象として分類することと、既定の閾値範囲のセットに基づいて第１のその場での高速過渡事象の深刻度レベルを決定することとを含む。 （もっと読む）

【課題】高周波電力の投入時に発生した反射電力を速やかに極小値に導いて高周波電力を再現性良く安定に供給できるようにする。
【解決手段】高周波電力を負荷２に供給可能な高周波電源１１とマッチングボックス１２とをスイッチング稼働可能に設ける。高周波電源とマッチングボックスとの間に高周波反射電力検知器１３と制御信号発生器１４を設け、制御信号発生器１４から、高周波電源１１に対し基本制御信号を出力し、マッチングボックス１２と高周波反射電力検知器１３に所定時間の遅れをもって外部制御信号を出力する。それに同期して反射電力信号が制御信号発生器１４に帰還されるようにし、この反射電力信号が最小値となるように負荷の時間的変動に対する外部制御信号の制御信号パラメータを調節してマッチングを行う。 （もっと読む）

【課題】異なる幅のトレンチを同じ深さに制御できる半導体装置の製造方法を提供する。
【解決手段】保護膜形成ステップとエッチングステップを繰り返すにあたり、保護膜形成ステップを酸化膜形成ステップとポリマー系保護膜形成ステップとに分け、酸化膜形成ステップの際のＯ₂プラズマ照射により残存しているポリマー系保護膜１０ｂした後酸化膜とポリマー膜の二層構造の保護膜を底面に形成できるようにする。これにより、仮にポリマー系保護膜１０ｂが残存したとしても、次の酸化膜形成ステップの際のＯ₂プラズマ照射により残存しているポリマー系保護膜１０ｂを除去することができる。ポリマー系保護膜については十分はエッチング時間が確保されて残存せず、また最後に残る酸化膜はポリマー膜に比べて残存しにくい。よって、ポリマー系保護膜１０ｂが残存してエッチング残りが発生することが抑制でき、異なる開口幅のトレンチＡ、Ｂを同じ深さにできる。 （もっと読む）

【課題】半導体デバイスの小型化要求を満たす寸法の開口部をマスク層又は中間層に形成することができる制御性に優れた基板処理方法を提供する。
【解決手段】アモルファスカーボン膜５１、ＳｉＯＮ膜５２，ＢＡＲＣ膜５３及びフォトレジスト膜５４が順に積層されたウエハＷを処理する基板処理方法であって、ＣＨＦ_３ガスと、ＣＦ_３Ｉガスと、Ｈ_２ガス及びＮ_２ガスの混合ガスから生成されたプラズマによって、フォトレジスト膜５４の開口部５５のＣＤ値を縮小しつつ開口部底部のＳｉＯＮ膜をエッチングするシュリンクエッチングステップと、開口部５５の側壁面へのデポの堆積を促進させて各ＣＤ値のばらつきを吸収するばらつき吸収ステップと、開口部の内面に薄膜を形成して各開口部の開口幅を縮小させる開口幅縮小ステップとを１ステップで行う。 （もっと読む）

【課題】プラズマの消費電力の経時変化を小さくし、プラズマ処理を安定化する。
【解決手段】プラズマ源の電源系６１は測定装置２２と制御装置２３と交流電源２４を有している。測定装置２２はアンテナ１２の電圧を測定し、測定結果を測定値として出力する。制御装置２３には、交流電源２４の出力電力の値と、アンテナ１２の電圧であるアンテナ電圧の値とから、プラズマの消費電力の変動量を求め、変動量が小さくなるような出力電力の修正値を求め、その修正値を交流電源２４から出力させる。アンテナ１２の電圧測定と、修正値の算出を繰り返しおこなうと、プラズマの消費電力が一定値になる。 （もっと読む）

【課題】露光処理、現像処理を行って形成したレジストパターンをスリミング処理する際に、スリミング処理後のレジストパターンの線幅のばらつきを低減させることができるレジストパターンのスリミング処理方法を提供する。
【解決手段】基板上に形成したレジストパターンをスリミング処理するレジストパターンのスリミング処理方法において、レジストパターン上にレジストパターンを可溶化する反応物質を塗布し、次に予め決定された熱処理条件で熱処理し、次に現像処理することによって、レジストパターンにスリミング処理を行うスリミング処理工程と、スリミング処理工程前にレジストパターンの線幅を測定する第１の線幅測定工程とを含む。第１の線幅測定工程で測定した線幅の測定値に基づいて熱処理条件を決定する。 （もっと読む）

【課題】従来の温調方法に比べて、半導体ウエハの均一な温調及び高応答性を実現することができる半導体製造装置及び温調方法を提供する。
【解決手段】内部に空洞２１を有するウエハ載置台２と、ウエハ載置台２の温度をプロセス温度に調整すべく、プロセス温度以下の水を空洞２１の内壁に噴射するノズル６４ａとを備える半導体製造装置であって、空洞２１内の圧力を検出する圧力センサ（７１）と、圧力センサ（７１）にて検出された圧力が、ノズル６４ａから噴射される水の温度に係る飽和蒸気圧以上、プロセス温度に係る飽和蒸気圧以下になるように空洞２１内の気体を排出する真空ポンプとを備える。 （もっと読む）

【課題】表面の清浄度及び平坦性に優れた酸化亜鉛基板を得るための酸化亜鉛基板の表面処理方法、及び該方法で処理された酸化亜鉛基板を使用する酸化亜鉛結晶の製造方法の提供。
【解決手段】真空チャンバ１３内で加熱された酸化亜鉛基板３の表面に、ガリウム蒸発源１１からのガリウム分子線ビームを照射して、前記酸化亜鉛基板３の表面をエッチングすることを特徴とする酸化亜鉛基板３の表面処理方法；かかる方法で酸化亜鉛基板３の表面を処理し、次いでその表面において、亜鉛源６、プラズマ励起酸素源５６により、酸化亜鉛結晶を成長させることを特徴とする酸化亜鉛結晶の製造方法。 （もっと読む）

【解決手段】高アスペクト比特徴をエッチングするための装置が提供される。プラズマ処理チャンバエンクロージャを形成するチャンバ壁と、下部電極と、上部電極と、ガス入口と、ガス出口とを含むプラズマ処理チャンバが提供される。上部電極又は下部電極の少なくとも一方に、高周波数無線周波数（ＲＦ）電源が電気的に接続される。上部電極及び下部電極の両方に、バイアス電力システムが電気的に接続され、該バイアス電力システムは、上部電極及び下部電極に少なくとも５００ボルトの大きさのバイアスを供給することができ、下部電極に対するバイアスは、断続的にパルス化される。ガス源が、ガス入口と流体接続している。ガス源、高周波数ＲＦ電源、及びバイアス電力システムには、コントローラが可制御式に接続される。 （もっと読む）

【課題】 静電チャックが確実に再生されたことを判断し得る静電チャックの再生方法を提供する。
【解決手段】 真空チャンバ１２内にプラズマを発生させ、このプラズマにより誘電体たるチャックプレート３の表面をクリーニングする。次に、チャックプレート表面にダミー基板を搬送し、チャック本体の電極４ａ、４ｂ間に電圧を印加してダミー基板を吸着させる工程と、前記ダミー基板の裏側に画成された空間３ｂに不活性ガスを供給し、そのときの前記空間からのガス漏洩量を測定する工程とを含む。そして、前記ダミー基板の複数枚を順次搬送して前記各工程を行い、前記ガス漏洩量が所定の閾値以下になると、静電チャックの再生が終了したと判断する。なお、ガス流量は、所定流量まで段階的または連続して増加させるようにする。 （もっと読む）

【課題】プラズマ処理装置の高周波給電部において高周波パワー伝送効率の安定化をはかり、プラズマプロセスの再現性・信頼性を向上させる。
【解決手段】この容量結合型プラズマエッチング装置において、チャンバ１０内で半導体ウエハＷを載置するサセプタ１２には、高周波電源２８がマッチングユニット３０および給電棒３２を介して電気的に接続されている。給電棒３２の途中で、あるいはマッチングユニット３０内の整合器の後段で、短絡スイッチ付き抵抗器３５が挿入接続されることにより、整合器から見た負荷抵抗の値はプラズマ抵抗の値に抵抗器の値を加え合わせたものになり、それによってパワー伝送効率の高い安定領域でプラズマにＲＦパワーを供給することができる。 （もっと読む）

【課題】大がかりな可動部を設けることなくＡＣ比を可変にすることが可能な、プラズマ処理装置を提供する。
【解決手段】エッチング装置１０は、処理容器内部１００にてウエハＷをプラズマ処理する装置であって、処理容器内のプラズマ存在領域に少なくとも一部が接するように配設された調整部材２００と、調整部材に連結され、調整部材と接地面との電気的接続状態を制御することによりプラズマ存在領域の接地容量を調整するインピーダンス調整回路２１０とを有する。 （もっと読む）

【課題】
【解決手段】ガスとともに使用するためのプラズマ処理システム。該プラズマ処理システムは、第１の電極と、第２の電極と、ガス注入口と、電源と、受動回路とを含む。ガス注入口は、第１の電極と第２の電極との間にガスを提供するように動作可能である。電源は、第１の電極と第２の電極との間のガスからプラズマを点火するように動作可能である。受動回路は、第２の電極に結合され、第２の電極のインピーダンス、電圧電位、およびＤＣバイアス電位のうちの１以上を調整するように構成される。受動高周波回路は、インダクタに並列に配置されたコンデンサを含む。 （もっと読む）

【課題】被処理体のずれを抑制しつつ、静電チャック上から被処理体を離脱、しかも短時間で離脱することが可能な被処理体の離脱方法を提供すること。
【解決手段】処理室１を排気する排気機構４に伝熱ガス供給流路３を、伝熱ガス排気流路８を介して接続し、静電チャック２の表面と被処理体Ｗの裏面との間から、伝熱ガス供給流路３および伝熱ガス排気流路８を介して伝熱ガスを排気する工程と、処理室１内に不活性ガスを供給する工程と、静電チャック２の表面と被処理体Ｗの裏面との間の圧力が、処理室１内の圧力以下とされた状態で被処理体Ｗの静電吸着を解除して、被処理体Ｗを静電チャック２上から離脱させる。 （もっと読む）

【課題】被処理体の周辺部における温度分布を個別的に、且つ簡単な構成で制御することが可能な載置台構造を提供する。
【解決手段】被処理体Ｗに対して熱処理を施すために被処理体を載置する載置台構造において、載置台本体６２と、載置台本体内に設けられ、複数のゾーンに分割されて給電ラインＬに接続された抵抗加熱ヒータ群８８を有する加熱手段８６と、電力をゾーン毎に制御するヒータ制御部９２とを備え、最外周に位置する最外周ゾーンの抵抗加熱ヒータである最外周抵抗加熱ヒータの周方向に沿った複数の位置に給電ラインＬ１〜Ｌ４を接続することによって最外周抵抗加熱ヒータ１００を複数の領域に区分して区分ヒータ１００Ａ〜１００Ｄとし、ヒータ制御部は、最外周抵抗加熱ヒータに対応する給電ラインである最外周給電ラインの状態を制御することによって区分ヒータ毎に供給電力を制御する。 （もっと読む）

【課題】ウェハのエッチング性能が温度によって変動するため、連続処理中および停止中の温度変動によってウェハ間のエッチング形状の均一性が悪化する。
【解決手段】エッチング処理に先立ってプラズマ放電による加熱によってリアクタ内壁温度を最適な温度にまで加熱し、エッチング処理動作停止（アイドリング）中を判断して、アイドリング中にも間欠的にプラズマ生成４０２を繰り返して、真空処理室の内壁表面温度を維持する。また、真空処理室の内壁表面温度と相関のある処理ガスの発光強度を測定して間欠的なプラズマ生成４０２を制御する。 （もっと読む）