【課題】プラズマ処理装置で用いるプロセスガス分流器に対して、分流比を客観的に検定
する装置を提供する。
【解決手段】プラズマによって処理される試料が内部に載置される処理室と、当該処理室
にプロセスガスを供給する配管系統と、当該配管系統を制御する制御装置と、当該制御装
置に接続された表示モニタを有するプラズマ処理装置であって、前記配管系統は、プロセ
スガスを供給するガス供給源と、当該ガス供給源からのガスラインを複数に分岐する分岐
器と、分岐後の各ガスラインに設けられた流量測定器と、分岐後の各ガスラインに設けら
れ且つ前記流量測定器の下流に設けられたガスラインの流量を調節する調節弁を備え、前
記制御装置は、１つのガスラインの前記調節弁を開け他のガスラインの前記調節弁を閉じ
て流量を測定する測定工程を、全てのガスラインで実施して、各ガスラインのガス流量を
得て比較することを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】簡単な配管構成で，しかも簡単な制御で圧力変動などの影響を受けることなく処理室内の複数部位からガスを供給し，所望の面内均一性を実現可能とする。
【解決手段】ウエハの処理に先立って，分流量調整手段２３０に対して各処理ガス用分岐流路内の圧力比が目標圧力比になるように分流量を調整する圧力比制御を実行して，処理ガス供給手段２１０からの処理ガスを第１，第２分岐配管２０４，２０６に分流し，各処理ガス用分岐流路内の圧力が安定すると，分流量調整手段に対する制御を圧力安定時の一方の処理ガス用分岐流路内の圧力を保持するように分流量を調整する圧力一定制御に切り換えてから，付加ガス供給手段２２０により付加ガスを他方の処理ガス用分岐配管に供給する。 （もっと読む）

【課題】「エンドポイントの誤検出」をエンドポイントの検出所要時間のばらつきで発見するようにしたエンドポイント検証方法及びエンドポイント検証システムを提供する。
【解決手段】所定のロットに属する複数枚のウエーハをエンドポイント検出機能を備えたアッシング装置１を用いて１枚ずつ処理した後で、当該処理に伴いウエーハ毎に検出されたエンドポイントの検出所要時間をロット単位で検証する方法であって、ロット内で検出所要時間の最大値と最小値との差分を求め、差分に基づいてロット内でのエンドポイントの検出に異常が有るか否かを判断する。エンドポイントを誤検出して枚葉処理を不完全な状態で終了したウエーハがロット内に存在する場合に、その存在が明らかとなるので、当該ウエーハの次工程への流出を防止することができる。 （もっと読む）

【課題】排ガス処理装置における除害剤の破過時期を正確にかつ確実に予測できるようにすることにある。また、この予測破過時期に基づいて除害剤の交換を自動的に行えるようにし、交換に要する手間を省くことにもある。
【解決手段】排ガス処理装置は、ドライエッチング装置などのガス使用設備１と、このガス使用設備１にＣ_３Ｆ_８などのガスを供給するガス供給装置２と、ガス使用設備１からの排ガスを受け入れて除害する除害装置４と、除害剤充填排出装置５と、制御装置６を備えている。ガス供給装置２からガス使用設備１に送られるガスの種類、流量、供給時間のデータを制御装置６に送る。制御部６は、これらのデータに基づいて除害装置４の除害筒４１の破過時期を予測し、破過時期になると除害筒４１の切替の指示を行い、除害剤の排出、充填を除害剤充填排出装置５に指示する。 （もっと読む）

【課題】従来、プラチナ、イリジウム化合物の蒸気圧が高い物質のドライエッチングを行なったとき、真空容器内が低音であるため、これらの化合物が付着し、処理を重ねると剥がれが生じる。そのため、付着を防止するためにチャンバー壁にイオンを引き寄せる電極を追加する必要があった。
【解決手段】真空容器１のイオンを引き寄せる電極７に基板６を搬送できるようにし、複数の基板６をエッチングすることによって、真空容器１内部のエッチングできる表面積が増加し、パーティクル低減とスループット向上の両立ができる。 （もっと読む）

【課題】側面で正確に定義された切欠部が得られる、エッチングマスクを用いるケイ素基板でのプラズマによる異方性エッチング方法を提供する。
【解決手段】高周波発生器１４と結び付いている基板電極１２が配置されているエッチング室１０中へ、マイクロ波プラズマ励起のための共振器２０と接続しているスルファトロン１６の作用範囲内で、基板電極１２上に、ケイ素基板１８が配置され、更に、反応性ガスを導くための導波管２２を有するマイクロ波プラズマ装置を使用して、それぞれ交互に連続する重合工程及びエッチング工程を実施する。 （もっと読む）

【課題】下部電極上あるいは下部電極周辺のクリーニングを効率的に行うことができる半導体基板のプラズマ処理方法を提供する。
【解決手段】半導体装置の製造方法は、処理室内を排気した後にプラズマ化したプロセスガスで、処理室内の支持体上に設置された半導体基板に所望の処理を施す工程（４０１〜４０４）と、プラズマ化したクリーニングガスでクリーニングを行う工程（４０５）と、プラズマ化したガスで半導体基板の除電を行う工程（４０６）と、支持体から半導体基板を離間させて支持体と半導体基板との間に空間を形成し、プラズマ化したガスで下部電極表面及び周辺のクリーニングを行う工程（４０７）とを含む。 （もっと読む）

【課題】 位相制御にとって最適なモニタ信号を用いる機能を備えたプラズマ処理装置とプラズマ処理装置の制御方法を提供する。
【解決手段】 プラズマ処理装置の真空容器外に設けた第１の高周波電源から真空容器内または真空容器外に設けた第１の電極に第１の高周波電圧を供給し、真空容器外に設けた第２の高周波電源から上面に試料が載置され真空容器内に設けた第２の電極に第２の高周波電圧を供給し、第１の電極の高周波電圧を測定した信号を用いて、第２の高周波電圧と第３の高周波電源からの第３の高周波電圧の位相差を制御する。 （もっと読む）

【課題】本発明はプラズマ処理方法を提供する。
【解決手段】本発明のプラズマ処理方法によれば、一つの工程チャンバに互いに異なっている種類の複数のプラズマソースを提供し、工程進行の時、用いられるプラズマソースを変化させて工程を進行する。本発明によれば、プラズマソースの種類を工程変数として使用することができるので、工程効率をさらに向上させることができる。 （もっと読む）

【課題】 第２のプラズマ処理装置に第１のプラズマ処理装置に適用される処理条件を適用した場合における運転状態を判定することができるプラズマ処理装置の運転状態判定方法を提供する。
【解決手段】 システムコントローラ３２におけるＣＰＵ３３は、各運転状態データ群の全てを用いて主成分分析を行い、各運転状態データ群における各処理パラメータ値を主成分得点に換算して選択された主成分を軸とする２次元座標系にプロットし、基準装置第１レシピ運転状態データ群から被適用装置第１レシピ運転状態データ群までの移動ベクトルＰを算出し、基準装置第２レシピ運転状態データ群に対応する領域Ａ２を設定し、領域Ａ２を移動ベクトルＰに従って移動して予測正常領域Ｂ２を設定し、被適用装置に第２レシピを適用した際の各処理パラメータ値に対応する主成分得点が予測正常領域Ｂ２に含まれているか否かを判定する。 （もっと読む）

【課題】半導体ワークピースにプラズマ処理を行う各処理ステーション間で気圧の均衡を保ちながら、帯電粒子が互いに干渉されず、各処理ステーションの処理条件の均一性を高めるプラズマ処理装置を提供する。
【解決手段】プラズマ処理装置は、チャンバ筐体を備え、このチャンバ筐体内には少なくとも二個の処理ステーションを含み、処理ステーションの間は仕切り壁によって仕切られ、前記仕切り壁には少なくともひとつの通路が設置され、かつその通路の幅と長さの比は三分の一より小さいものである。 （もっと読む）

【課題】クリーニング終了時点を高精度に検出すること。
【解決手段】真空容器と、真空容器内にプラズマを形成するプラズマ形成部と、プラズマ形成部に電力を供給する高周波電源と、前記電力の周波数に対する成分レベルを分析する周波数成分分析部と、周波数成分分析部の出力をうけて高周波電源を制御する制御部を備え、真空容器内に堆積した物質をプラズマを発生させることによりクリーニングを行い、制御部が所定周波数における成分レベルの変化に基づいてクリーニングの終了時点を検出して前記プラズマを消滅させる。 （もっと読む）

【課題】 マルチチャンバシステムの生産性を向上させる。
【解決手段】 複数のプロセスチャンバ（１００，１１０，１２０）に関する，点火電力供給部６００，主電力供給源４００，インピーダンス整合器（２００，２１０，２２０，５００）を含む電源供給系統を効果的に統合構成し，マルチチャンバシステムの設備面積と費用を節減し，各プロセスチャンバのプラズマ密度を独立に制御して工程収率を向上させることで全体としてマルチチャンバシステムの生産性を向上させることができる。 （もっと読む）

【課題】シート状圧電センサを使用することによって、検出対象物の異常状態を低コストで高感度かつ高精度に検出できるようにした異常状態検出方法およびその方法に使用するシート状圧電センサを提供する。
【解決手段】検出対象物に可撓性を有するシート状の圧電センサ１を密着させて固定する手順と、前記検出対象物からの音響振動を前記圧電センサによって検出する手順と、前記音響振動の検出信号により前記検出対象物の異常状態を判別する手順とを有する異常状態検出方法である。そして、前記圧電センサは、可撓性を有するシート状の基板３上に圧電層４として、窒化アルミニウム、窒化ガリウム、窒化インジウム、酸化亜鉛およびニオブ酸リチウムから選択された一つの圧電性金属化合物を主成分とする薄膜を形成したものである。 （もっと読む）

【課題】
処理を高精度に行うことができるプラズマ処理装置またはプラズマ処理方法を提供する。
【解決手段】
真空容器内に配置されプラズマが形成される処理室と、この処理室内の下部に配置されその上面に処理対象の試料が載置される試料台と、この試料台の内側に配置され前記試料の表面の電位を調節するための第１の高周波電力が印加される電極と、前記試料台の内側に配置され内部を熱交換媒体が通流する通路と、この通路内を通流する前記冷媒の温度を調節する制御装置とを備え、前記第１の高周波電力を印加しつつ前記処理室内に形成されたプラズマを用いて前記試料を処理するプラズマ処理装置であって、前記制御装置が前記第１の高周波電力の印加前にこの高周波電力の情報に基づいて予め定められた値となるように前記熱交換媒体の温度の調節を開始する。 （もっと読む）

本発明は、工程変化検出アルゴリズムを生成する方法を提供するものである。進化演算技法は、少なくとも１つの公知の工程変化を含む少なくとも１つの工程データセットに適用される。進化演算技法は、公知の工程変化の検出を最適化する工程状態関数（または既存の工程状態関数とともに用いるために設定された標準化係数）を生成する。生成された工程状態関数または係数は、その後、工程状態を検出するために後の（工程中リアルタイムで、または工程後の）データセットに適用することができる。
（もっと読む）

【課題】稼働率の大幅な低下を伴うことなく装置状態を診断することのできる予防保全技術を提供する。
【解決手段】真空処理室内で試料を載置して吸着保持する試料載置電極１０と、導入された処理ガスに高周波電力を印加してプラズマを生成するプラズマ生成用高周波電源８と、試料を前記試料載置電極１０上に搬入し、処理の終了した試料を搬出する搬送装置を備えたプラズマ処理装置本体５０と、前記プラズマ処理装置本体５０を制御する装置制御コントローラ１３を備え、前記装置制御コントローラ１３は、前記プラズマ処理装置本体５０を予め設定した手順に従って制御し搬入された試料に試料毎の処理を施すための複数のレシピ、および前記複数のレシピの内の特定のレシピの実行時に前記プラズマ処理装置本体５０の装置パラメータを取得し、取得した装置パラメータをもとにプラズマ処理装置本体５０の状態の良否を診断する診断装置１００を備えた。 （もっと読む）

【課題】パターンニング形状を制御でき、かつ、加工精度に優れた加工方法及び装置を提供する。
【解決手段】真空容器１内に、ガス供給装置２からガスを導入しつつ、ターボ分子ポンプ３により排気を行い、真空容器１内を所定の圧力に保ちながら、コイル用高周波電源４により高周波電力をコイル６に供給することにより、真空容器１内にプラズマを発生させる。マスク９と基板８の距離を徐々に変化させながらエッチング加工することにより、パターンニング形状を制御することができた。 （もっと読む）

無線周波数電力供給システムは、ＲＦ電力生成器、アーク検知回路、およびアーク検知回路に応答する制御ロジックを備える。動的境界は、電力生成器から負荷まで伝達された電力を表すパラメータ、または該電力に関連付けられたパラメータの測定された値に関して計算される。パラメータの計算された動的境界を超える、次に計測されたパラメータの値は、アークの検知を示す。アークを検知したとき、アークが消滅するまで、発生器からの電力供給は一時中断されるか調整され、または他の措置がとられる。アーク検知境界の動的計算を採用することによって、本発明は、システムが定常電力供給状態に到達したかどうかに関わらず、ＲＦ電力供給システムにおけるアークの扱いを可能にする。 （もっと読む）

【課題】 回路調整が容易で高密度のプラズマを安定的に発生させるＩＣＰ回路を提供する。
【解決手段】 本発明に係るＩＣＰ回路は、共振条件又は共振条件の許容動作範囲で回路動作を行うＩＣＰ回路であって、高周波電流が供給される高周波コイルと、前記高周波コイルの一端に接続され、前記高周波電流が出力されるＩＣＰ電源１８と、前記高周波コイルの他端に接続され、前記高周波電流の周波数及び前記高周波コイルのインダクタンスに対して共振条件又は共振条件の許容動作範囲を満たす容量を有する共振コンデンサ２０と、を具備することを特徴とする。 （もっと読む）