【課題】加工形状を安定して保持できるエッチングの量産処理方法を提供する。
【解決手段】真空処理室と、ガス供給装置と、プラズマを生成するプラズマ生成手段と、プラズマの発光をモニタする発光分光器と、その発光スペクトルを蓄積する装置を備え、前記真空処理容器内に搬入したウエハにプラズマ処理を施し、ウエハの量産処理を一時中断する装置未稼働時間（アイドリングＳＳ）が発生するエッチングの量産処理方法において、アイドリングＳＳ前後のクリーニングＳ２、Ｓ２’において、リアクタ最表面の反応生成堆積状態と温度の情報を含む前記プラズマ中の発光強度ＳｉＦ（１）、ＳｉＦ（２）をモニタし、これらの発光スペクトルを基にデーターベースＳ４を参照して、アイドリングＳＳ後のプラズマヒーティング工程Ｓ３の時間を調整してリアクタを加熱し、プラズマ加熱Ｓ３後に次の試料をエッチングＳ２する。 （もっと読む）

【課題】シャワーヘッドへの膜成長を抑制する。
【解決手段】アノード電極３とカソード電極１７間に高周波電力を印加してプラズマを発生させて、アノード電極３とカソード電極１７間に第一ガスと第二ガスを供給し、アノード電極３上に保持した基板４に成膜するＰＥＣＶＤにおいて、下側室５４と上側室５５とを形成したシャワーヘッド本体５０にカソード電極１７を設け、下側室５４には第一ガス供給ライン５１を接続し、上側室５５には第二ガス供給ライン５２を接続する。カソード電極１７には処理室にガスを吹き出す第一ガス供給孔５８と第二ガス供給孔５９を複数本ずつ開設し、第一ガス供給孔５８は下側室５４に連通させ、第二ガス供給孔５９は上側室５５に連通させる。カソード電極１７下面には突起６０を各第一ガス供給孔５８に対向する位置に突設し、凹部６１を各第二ガス供給孔５９に対向する位置に没設する。 （もっと読む）

【課題】ワークを加工精度を向上させることが可能なプラズマ処理装置及びプラズマ処理方法を提供すること。
【解決手段】放電用ガスに励起電圧を印加してプラズマを発生させ、前記プラズマを照射してワークを加工するプラズマ処理装置であって、前記プラズマを前記ワークに向けて噴射する噴射口及び前記噴射口の周囲の空間を吸引する吸引口を有するプラズマ発生機構と、前記プラズマ発生機構と前記ワークとを相対移動させる移動機構と、少なくとも前記ワークの目標形状データと、前記ワークの加工前形状データと、前記プラズマ発生機構の加工量データと、前記プラズマ発生機構を用いた加工後の前記ワークの形状に基づく加工分布データとに基づいて前記ワークの加工計画データを生成し、前記加工計画データに基づいて前記ワークの加工を行わせる制御装置とを備える。 （もっと読む）

【課題】パッド電極の腐食を抑制することによって、パッド電極とワイヤーボンド、若しくは、パッド電極とバンプとの接合強度が高い固体撮像装置を提供する。
【解決手段】アルミニウム材料からなるパッド電極３が設けられた半導体基板２と、半導体基板上に成膜され、パッド電極３の上方領域がフッ素系ガスをエッチングガスとするドライエッチング処理によって開口した絶縁膜４と、絶縁膜４の上層に成膜され、パッド電極３の表面を被覆する保護膜６とを備える固体撮像装置であり、保護膜６はドライエッチング処理時のエッチングガスを堆積させて成膜したフロロカーボンである。 （もっと読む）

【課題】より均一にウエハをエッチングすることができるエッチング方法、及び、エッチング装置を提供する。
【解決手段】ウエハ８０をエッチングするエッチング方法であって、表裏を連通する複数の連通孔が形成されているウエハ８０の一方の表面に向けてエッチングガスを供給するとともに、供給したエッチングガスの少なくとも一部を前記複数の連通孔から他方の表面側に排出する方法。 （もっと読む）

【課題】４００℃程度の耐熱性を有するＮｄ添加量２ａｔ％のＡｌＮｄ層をプラズマエッチングにおいてフェンスと呼ばれる反応生成物の堆積を抑制できるエッチング方法を提供する。
【解決手段】プラズマエッチングを行うエッチングガスとして塩素ガスを用い、エッチング速度を２５０ｎｍ／分以下のエッチング速度でエッチングが行われるよう塩素ガスを供給する。ネオジム塩化物は蒸気圧がアルミニウム塩化物に比べて低いが、２５０ｎｍ／分以下のエッチング速度となるようプラズマエッチングすることで、アルミニウム塩化物と同時に蒸発させることができるため、フェンスの発生を抑えることが可能となる。 （もっと読む）

【課題】プラズマ処理装置の装置内部材の温度を安定化し、ＣＤ（Critical Dimension）精度の変動の少ないプラズマ処理装置を提供する。
【解決手段】プラズマ処理装置の誘電体窓１０３に温風ユニット１２５を接続し、誘電体窓１０３あるいはシャワープレート１０２の温度を温度センサー１２８により計測した温度信号を元に、温風ユニット１２５を制御して誘電体窓１０３あるいはシャワープレート１０２の温度制御を行う。 （もっと読む）

【課題】金属電極及び周辺の構成を適正化する。
【解決手段】マイクロ波プラズマ処理装置１０は、処理容器１００と、マイクロ波を出力するマイクロ波源９００と、処理容器内の天井面に隣接して設けられ、マイクロ波源９００から出力されたマイクロ波を処理容器内に放出する誘電体板３０５と、誘電体板３０５のプラズマ側の面にて誘電体板３０５に隣接して設けられ、周縁から誘電体板３０５の一部を処理容器内に露出させる菱形状の金属電極３１０とを有する。金属電極３１０と誘電体板３０５とは、処理容器１００の天井面を区切る仮想領域であって金属電極３１０の２本の対角線Ｄ１，Ｄ２にそれぞれ平行な２本ずつの直線から画定され、金属電極３１０と誘電体板３０５とを含む最小の矩形領域をセル領域Ｃｅｌとして、セル領域Ｃｅｌの短辺の長さに対する長辺の長さの比は、１．２以下になっている。 （もっと読む）

【課題】チャンバー内部の温度を正確に調節できる電極部材及びこれを含む基板処理装置を提供する。
【解決手段】プラズマを生成するための電極部材において、電極板と、前記電極板と熱接触する複数の熱電モジュール（１０）を備える冷却ユニットとを含んで電極部材を構成する。また、電極板は、プラズマが生成される生成空間と対向する前面及び前面と対向する後面を有し、各熱電モジュール（１０）は電極板の後面に配置される。電極板の後面には後面から陥没された設置ホールが形成され、各熱電モジュール（１０）は設置ホールに実装される （もっと読む）

【課題】真空搬送室から処理室に搬送する際の試料への異物付着を低減すると共に、試料に付着している異物をエッチング処理開始後に低減する真空処理方法を提供する。
【解決手段】試料を真空搬送室から処理室に搬送する際（Ｓ８）、事前に（Ｓ５）真空搬送室と処理室に試料搬送用（不活性）ガスのガス流れを形成し、その状態をエッチング処理を開始するまで維持し、その後エッチング処理ガスを導入した（Ｓ１２）後、エッチング処理ガスの導入と同時またはエッチング処理ガスの導入に重ねて試料搬送用ガスの導入を停止し（Ｓ１０´）、試料のエッチングを行う（Ｓ１３〜Ｓ２４）。 （もっと読む）

【課題】素子特性を向上させることが可能な半導体レーザ素子を提供する。
【解決手段】この半導体レーザ素子１００は、窒化物系半導体からなる活性層５と、活性層５上に形成された上部クラッド層８と、上部クラッド層８の途中の深さまでドライエッチングされることによって形成されたリッジ部１１とを備えている。上部クラッド層８は、ＡｌＧａＮから構成されており、上部クラッド層８中には、屈折率の異なるエッチング終点モニター層８ａが形成されている。このエッチング終点モニター層８ａは、Ａｌ_xＧａ_1-xＮの組成から構成されており、そのＡｌ組成比ｘは、０．１５以上０．３以下に設定されている。また、上記エッチング終点モニター層８ａは、０．０１５μｍ以上０．０３μｍ以下の厚みに形成されている。 （もっと読む）

【課題】複数の計測器に対してプラズマ装置からのノイズ対策を構築し、精度の良いモニタ結果を得る。
【解決手段】プラズマ計測器は、各計測器類が収納された筐体３０と各計測器類を制御するパソコン５０等からなる。チャージアップ用センサ２１の出力電圧の測定を行う場合、入力電圧を降圧する抵抗素子と、プラズマ装置１０から誘導されるＡＣ信号を取り除くフィルタと、その出力電圧を電圧計で測定する。ＵＶ用センサ２２の出力電流の測定を行う場合、シールド線で接続され、センサ２２に印加する電圧源と、センサ２２からの入力電流はインダクタを介して電流計で測定する。電圧計や電流計は、パソコン５０からＧＰＩＢケーブル５１を介して制御され、各測定値はリアルタイムでパソコン５０のモニタに表示される。 （もっと読む）

【課題】被処理物の外側に位置する保護部の交換頻度を少なくするため、保護部の長寿命化を図るプラズマ処理装置及び方法を提供する。
【解決手段】内部を真空とすることが可能な処理室１に、被処理物Ｓを載置する載置部３と、ガスを供給するためのガス供給部２とを備えたプラズマ処理装置において、載置部３は、被処理物Ｓの外周側に配置されたマスクリング３３を有し、ガス供給部２は、被処理物Ｓの上部に位置し、プラズマ処理用のガスを供給する中心側開口部２２ａ、中間開口部２２ｂと、マスクリング３３の上部若しくは外側に位置し、マスクリング３３に堆積物を生じさせるガスを供給する外周側開口部２２ｃとを有する。 （もっと読む）

【課題】本発明は、表面波共振と表面波共振以外の共振との判別を容易に行うことができるプラズマ密度測定子、プラズマ密度測定装置、プラズマ処理装置、およびプラズマ密度測定方法を提供する。
【解決手段】一端が閉塞された筒状を呈する管部と、前記管部の内部であって、前記閉塞された端部の側に設けられた高周波信号の送受信を行う送受信部と、前記管部の内部に設けられ、前記送受信部と電気的に接続された伝送部と、前記伝送部と前記管部の内壁との間に設けられ、前記管部の軸方向長さ寸法よりも短い長さ寸法を有し、高周波エネルギーを吸収する第１の吸収体と、前記管部の外周面に設けられ、前記管部の軸方向長さ寸法よりも短い長さ寸法を有し、高周波エネルギーを吸収する第２の吸収体と、を備えたことを特徴とするプラズマ密度測定子が提供される。 （もっと読む）

【課題】真空雰囲気において処理容器内の基板に対して処理ガスをプラズマ化したプラズマを供給してプラズマ処理を行うにあたって、面内均一性高く処理を行うこと。
【解決手段】基板を載置する載置台に対向するように、下面に多数のガス吐出孔が形成されたガスシャワーヘッドを処理容器の天壁に設けると共に、このガスシャワーヘッドの周囲における処理容器の天壁を誘電体により構成し、この誘電体上にコイルを設置して、基板の上方の処理領域とこの処理領域を囲む周縁領域とにおける電界が同位相あるいは逆位相となるようにガスシャワーヘッド及びコイルに供給する高周波の位相を調整する。 （もっと読む）

【課題】真空引き時にチャンバ内に発生するパーティクル及び／又はアウトガスを吸着、除去することができる基板処理装置の真空排気方法を提供する。
【解決手段】ウエハＷを載置するステージ１２を備えたチャンバ１１を大気開放後に減圧する基板処理装置の真空排気方法において、ステージ１２表面を保護部材２５で覆う保護部材被覆ステップと、チャンバ１１を密閉する密閉ステップと、密封したチャンバ内を減圧する真空排気ステップとを有する。保護部材２５は、パーティクルＰ及びアウトガスを捕集するガス吸着能を備えたトラップ部３８と、基部２６とを有する。 （もっと読む）

【課題】反応生成物の付着を抑制し得る真空ポンプの運転方法及び半導体装置の製造方法を提供する。
【解決手段】吸気口３０と排気口３４とを有するケーシング２２と、吸気口と排気口との間のケーシングの内部空間３６内に設けられたロータ３８と、ロータを回転させるモータ４４とを有する真空ポンプ２２の運転方法であって、加熱されたパージガスを、内部空間に達する孔４６を介して内部空間内に導入しながら運転を行う。 （もっと読む）

【課題】各基板の堆積処理を行う際に各基板ごとに堆積量のばらつきを従来以上の高精度で抑える。
【解決手段】処理室内を減圧し，所定のガスを導入してプラズマを生起してウエハ上に薄膜を堆積させる堆積処理を実行しながら，モニタ用の窓部を介して処理室内に光を照射し，窓部からの反射光を受光してその反射光強度を監視するステップ（Ｓ１１０）と，堆積処理中の反射光強度の時間変化率を測定し（Ｓ１２０），その測定値に応じて堆積処理の終了時間を算出するステップ（Ｓ１３０）と，終了時間を終点として堆積処理を終了させるステップ（Ｓ１４０）とを有する。 （もっと読む）

【課題】長時間に渡って安定的に使用できると共に、製造コストを低減することが可能な基板処理装置及び薄膜形成装置を提供する。
【解決手段】基板９を保持する導電性の基板ホルダ２０と、基板９にイオンビームを照射するイオンビーム源と、基板ホルダ２０をアースに接続するためのアース接続部１３と、アース接続部１３を基板ホルダ２０に対して接触又は非接触させるための駆動部１８とを具備する。そして、イオンビーム源から基板９にイオンビームを照射してエッチングしている間又はエッチングする直前に基板ホルダ２０にアース接続部１３を接触させることにより、基板ホルダ２０を接地する。 （もっと読む）

反応性プラズマミーリングを使用してエッチングされた構造の側壁を平滑化する方法。この平滑化法は、構造の壁表面上の表面粗さの原因となる側壁のノッチング深さを減少させる。この方法は、前記シリコン含有構造の内面及び外面から残留高分子材料を除去するステップと、シリコン含有構造にパルス化されたＲＦ電力でバイアスを掛けながら、原料ガスから生成される反応性プラズマでシリコン含有構造の内面を処理するステップを含む。原料ガスは、シリコン及び不活性ガスと反応する試薬を含む。この方法は、内面上に約５００ｎｍ以下のノッチ深さを提供する。
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