本発明は、少なくとも第１と第２のガスを含むプラズマを基板（202）に導くことを含む技術に関する。基板（202）は、少なくとも第１の層（206）と第２の層（204）によって少なくとも部分的に覆われている。第１のガスのイオンは、基板（202）に向かって静電的に引きつけられる。第２のガスは、第１の層（206）を第２の層（204）に対して選択的にエッチングする。 （もっと読む）

【課題】ガスを使用する複数の基板処理装置が同時に作動していても所望のガスについて重複使用を回避可能な基板処理システムを提供すること。
【解決手段】基板処理工程中にガス使用工程を含む複数の基板処理装置１１と、これら各装置１１を制御する処理制御装置１２と、前記各装置１１と前記処理制御装置１２とを接続するネットワーク１３と、前記各装置１１と離れた場所に設置されたガス共通供給源１６から導出され、分岐を経て前記各装置１１の基板処理室に導入されるガス配管群１４とを有し、処理制御装置１２により、ネットワーク１３を介して各基板処理装置１１間の基板処理工程の実行開始タイミングを調節する基板処理システムとする。 （もっと読む）

【課題】エンドポイント信号を使用してエッチ特性を決定するための方法及び装置
【解決手段】本発明は、処理チャンバと、該処理チャンバに結合され、少なくとも１つのエンドポイント信号を測定するように構成される診断システムと、該診断システムに結合され、エッチ速度及び該エンドポイント信号からの該エッチングのエッチ速度均一性の少なくとも１つをインシチューで決定するように構成されるコントローラとを具備する基板上の層をエッチングするプラズマ処理システムを提供する。 （もっと読む）

【課題】 本発明は、広範囲なガス種や圧力等のプラズマ処理条件において基板近傍プラズマ密度分布を容易に均一に出来るプラズマ処理装置を提供することを目的とする。
【解決手段】 本発明は、プラズマ処理室と前記プラズマ処理室ヘマイク口波を導入するスロットを備えたプラズマ処理装置であって、前記スロットの形と位置のうち少なくとも一つを変更することにより、基板近傍のプラズマの密度と分布を容易に変更するプラズマ処理装置を提供するものである。 （もっと読む）

【課題】
【解決手段】最適化されたプロセシングパフォーマンスを達成するように現在のプラズマプロセスを変更するために、パフォーマンス測定値がモデルの測定値に比較されるような、プラズマプロセスの最適化されたプロセス設定を改善しもしくは見つけるために応答曲面とニューラルネットワークとが用いられるプラズマプロセスの多変数データの解析のための方法とシステム。 （もっと読む）

【課題】 本発明は、プラズマ処理チャンバの一貫性した結果を保持するために、チャンバ・ハードウェア部品の正しいアセンブリを確認しかつチャンバ・プラズマ処理システムを故障診断修理するために高速かつ正確な方法を提供する。
【解決手段】 本発明の方法は、チャンバ、ＲＦ電源、及び整合ネットワークを有しているプラズマ処理システムを試験する。ＲＦ電力信号は、チャンバ内のプラズマを点火することなくＲＦ電源からチャンバに生成される。チャンバで受け取った、ＲＦ電力信号の電圧、ＲＦ電力信号の電流、及びＲＦ電力信号の位相が測定され、同時にチャンバ係数に影響を及ぼすその他のパラメータが保持される。チャンバのインピーダンスを表す値は、電圧、電流、及び位相に基づき計算される。次いで、値は、プラズマ処理システムにおける欠陥を決定するために基準値と比較される。基準値は、欠陥なしチャンバのインピーダンスを表す。
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【課題】不均一性を客観的かつ正確に定量化し、その不均一性をシステム内の何らかの関連する変化（例えば、処理変数、ハードウェアの変化）に相関させる改良されたシステムおよび方法を提供する。
【解決手段】 半導体ウエハ製造処理の多数の均一性測定基準を決定するシステムおよび方法は、半導体ウエハ群のそれぞれでの量を収集する工程を含む。収集された量データはスケーリングされ、収集およびスケーリングされた量データに対して主成分解析（ＰＣＡ）が実行され、第１の半導体ウエハ群に関する第１の測定基準セットが生成される。第１の測定基準セットは、第１の負荷マトリクスと第１のスコアマトリクスとを含む。
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【解決手段】本発明の処理室のクリーニング方法は、処理室の内壁を第一温度まで加熱する。第一温度は、処理室の内壁に堆積する複数種類の物質の一つである第一物質を揮発させるのに充分な温度である。次に、クリーニング用薬剤を処理室に注入する。クリーニング用薬剤は、複数種類の物質の別の一つである第二物質と反応して、第二物質を第一物質に変換する。揮発した第一物質は処理室から排出される。本発明は、処理室のクリーニングシステムとしても構成可能である。 （もっと読む）

【課題】半導体製造装置のサービスアクティビティ管理システム及び方法を提供することである。
【解決手段】アクティビティ管理システムとこのシステムを利用する方法が、半導体製造のサービスプロセスについて記載される。アクティビティ管理システムは、少なくとも１つのサービス部品及びサービスオペレータに関連するサービスアクティビティデータを受け取り、及びこのサービスアクティビティデータを少なくとも１つのサービス会計に関連付ける。さらに、アクティビティ管理システムは、データ収集システムに接続され、及びサービスアクティビティデータを格納するように構成されるデータ記憶システムを含む。 （もっと読む）

【課題】
【解決手段】基板処理のシステムおよび方法には、プラズマ室に基板を装填しプラズマ室の圧力を所定の圧力設定値に設定することが含まれる。プラズマ領域を構成するいくつかの内面が約２００℃以上の処理温度に加熱される。プラズマを形成するために処理ガスがプラズマ領域に注入され、基板が処理される。 （もっと読む）

プラズマ処理システムで利用される基板温度測定方法が開示されている。この方法では基板をチャックを有した基板支持構造体上に配置させる。この方法ではさらに、基板の温度キャリブレーション曲線が創出される。温度キャリブレーション曲線は、電磁式測定装置で少なくとも第１基板温度を測定し、第１等温状態にて物理式測定装置で第１チャック温度を測定することで創出される。この方法では、電磁式測定装置での測定と温度キャリブレーション曲線を利用してプラズマ処理中に基板温度が決定される。
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【解決手段】プラズマ処理装置の炭化シリコン部品、その部品の製造方法、半導体基板を処理してその基板のパーティクル汚染を減少させるようにする処理におけるその部品の使用方法が提供される。その炭化シリコン部品は、内部に遊離炭素を生成させるようなプロセスにより製造される。その炭化シリコン部品は、少なくとも表面からその遊離炭素が除去されるように処理される。
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【課題】半導体製造プロセスにおいて第１の原理シミュレーションを用いたシステム及び方法を提供することである。
【解決手段】半導体処理ツールによって実行されるプロセスを容易にする方法、システム及びコンピュータ可読媒体。前記方法は、前記半導体処理ツールによって実行されるプロセスに関連するデータを入力することと、前記半導体処理ツールに関連する第１の原理物理的モデルを入力することとを含む。第一原理シミュレーションは、入力データを使用して実行され、プロセスに関する仮想センサ測定を提供する物理モデルは、半導体処理ツールによって実行され、および仮想センサ測定は、半導体処理ツールによって実行されるプロセスを容易にするように使用される。 （もっと読む）

【課題】半導体製造プロセスを制御する第１の原理シミュレーションを用いたシステム及び方法を提供することである。
【解決手段】半導体処理ツールによって実行されるプロセスを制御する方法、システム及びコンピュータ可能媒体は、前記半導体処理ツールによって実行されるプロセスに関連するデータを入力することと、前記半導体処理ツールに関連する第１の原理物理的モデルを入力することとを含む。そして、第１の原理シミュレーションが、前記入力データ及び前記物理的モデルを用いて実行されて、第１の原理シミュレーション結果が生成され、前記第１の原理シミュレーション結果は、前記半導体処理ツールによって実行されるプロセスを制御するのに用いられる。 （もっと読む）

【課題】半導体処理ツールによって実行されるプロセスを分析する第１の原理シミュレーションを使用するシステム及び方法を提供するものである。
【解決手段】半導体処理ツールによって実行されるプロセスの不良を決定する方法、システム及びコンピュータ可読媒体。前記方法は、前記半導体処理ツールによって実行されるプロセスに関連するデータを入力することと、前記半導体処理ツールに関連する第１の原理物理的モデルを入力することとを含む。第１の原理シミュレーションが、前記入力データ及び前記物理的モデルを用いて実行されて、第１の原理シミュレーション結果が生成され、前記第１の原理シミュレーション結果は、前記半導体処理ツールによって実行されるプロセスの不良を決定するのに用いられる。 （もっと読む）

【課題】 エッチングプロセスのためにフィードフォワード、フィードバックウェーハｔｏウェーハ制御法の提供。
【解決手段】 半導体処理システムのウェーハｔｏウェーハ（Ｗ２Ｗ）制御を提供するように、ランｔｏラン（Ｒ２Ｒ）コントローラを使用する方法は、提供される。Ｒ２Ｒコントローラは、フィードフォワード（ＦＦ）コントローラと、プロセスモデルコントローラと、フィードバック（ＦＢ）コントローラと、プロセスコントローラとを含む。Ｒ２Ｒコントローラは、ウェーハｔｏウェーハ時間フレームにおけるプロセスレシピをアップデートするように、フィードフォワードデータと、モデリングデータと、フィードバックデータと、プロセスデータとを使用する。 （もっと読む）

【課題】 多結晶シリコン薄膜の表面に形成された突起を容易且つ確実に除去することができる多結晶シリコン薄膜の平坦化方法を提供することを目的とする。
【解決手段】 多結晶シリコン薄膜を炭素（Ｃ）とフッ素（Ｆ）と水素（Ｈ）とを少なくとも含有するガスのプラズマに曝すことにより突起を除去して多結晶シリコン薄膜の表面を容易且つ確実に平坦化することができる。 （もっと読む）