【解決手段】少なくともチャックと上側電極とを備えるプラズマ処理システム内で位置およびオフセットを決定するための方法が提供されている。その方法は、光線を供給する光源を少なくとも備えるトラバース装置を第１の複数の経路に沿って移動させて、第１の複数のデータセットを生成する工程を備え、トラバース装置を第１の複数の経路の内の各経路に沿って移動させることにより、光線がチャックを横断し、第１の複数のデータセットの内の１または複数のデータセットが得られる。方法は、さらに、第１の複数のデータセットを受信する工程と、第１の複数のデータセットを分析して、光線がチャックのエッジに至った時に生成された３以上の反射光信号に関連する第１のセットの少なくとも３つの不連続を特定する工程とを備える。方法は、さらに、第１のセットの少なくとも３つの不連続に関連する座標データを用いて、チャックの中心を決定する工程を備える。 （もっと読む）

【課題】環境や洗浄部品に影響されずに、装置立上げ及びメンテナンス後の金属汚染量を低減することを可能とする基板処理方法を提供する。
【解決手段】装置立ち上げ時又はメンテナンス後の再稼働時の基板の生産処理に移行する前に、前記基板処理室に少なくとも窒素ガスを含むガスを供給しつつ排気して、生産処理移行後のプラズマ放電時の高周波電力よりも高くしてプラズマ放電し、その後、前記基板載置台に基板を載置して、該基板を処理する。 （もっと読む）

【課題】プラズマ処理装置において、静電吸着用電圧を印加することによりプラズマの着火性を向上させる。
【解決手段】真空処理室１１５と、該真空処理室内に配置され試料台１０１と、前記真空処理室内に高周波電力を供給してプラズマを生成するアンテナ電極１０５を備え、前記生成されたプラズマにより前記試料台上に配置した試料にプラズマ処理を施すプラズマ処理装置において、前記試料台１０１は、試料載置面に絶縁された静電吸着用の電極を備え、前記アンテナ電極に高周波電力を供給してプラズマを生成させる前の所定期間に、前記静電吸着用の電極に所定の直流電圧を供給して充電してプラズマの着火性を向上させた。 （もっと読む）

【課題】層間絶縁膜に対するストップ層の選択比を大きくすることができるプラズマエッチング方法を提供する。
【解決手段】Ｃ_ｗＦ_ｘ（ｘ、ｗは所定の自然数）からなる低誘電率層間絶縁膜４１とストップ層４２とを備え、該ストップ層４２は低誘電率層間絶縁膜４１に形成されたビアホール４６の底部において露出するウエハＷに施される半導体デバイス製造処理において、ＣＦ_４ガス及びＣＨ_２Ｆ_２ガスから生じたプラズマに低誘電率層間絶縁膜４１及びストップ層４２を晒して該ストップ層４２をエッチングする。 （もっと読む）

【課題】
処理対象の試料の異物による汚染の発生を抑制して処理の効率を向上させた真空処理装置または真空処理方法を提供する。
【解決手段】
減圧された内部で基板状の被処理物が処理される処理室と、被処理物を処理装置内に搬入または搬出する導入室と、内部が減圧されて前記処理室と導入室との間で前記被処理物を受渡しする搬送室とを備えた真空処理装置であって、前記搬送室と前記処理室との間に配置された中間室と、前記搬送室，中間室，処理室の各々の間に配置され内部に前記被処理物が搬送される開口を有した接続部と、これら接続部の各々の前記開口を気密に開閉する弁と、前記中間室の圧力を前記搬送室及び処理室とは独立に調節可能な圧力調節手段とを備えた。 （もっと読む）

【課題】本発明は、パターンの形状にかかわらず寸法変換差予測の精度を向上させることができる寸法変換差予測方法、フォトマスクの製造方法、電子部品の製造方法、および寸法変換差予測プログラムを提供する。
【解決手段】変換差予測点における開口角を設計パターンデータに基づいて求め、前記開口角と寸法変換差の実測値との相関関係に基づいて寸法変換差を予測すること、を特徴とする寸法変換差予測方法、または、変換差予測点における入射物の入射量を設計データに基づいて求め、前記入射量と寸法変換差の実測値との相関関係に基づいて寸法変換差を予測すること、を特徴とする寸法変換差予測方法が提供される。 （もっと読む）

【課題】複数の高周波電源を用いてプラズマ処理を行うプラズマ処理装置において少なくとも一つの高周波電源に過大な反射波が生じたときに当該高周波電源の出力を停止すると共に他の高周波電源の出力を瞬時に停止させること。
【解決手段】複数の高周波電源は各々、発振器と、通信部と、この通信部により停止信号を受信して発振器の出力を停止する出力停止部と、を備え、前記複数の高周波電源のうちの少なくとも一つの高周波電源の出力停止部は、当該高周波電源の発振器から出力される高周波を監視し、高周波の異常時に当該発振器の出力を停止すると共に前記通信部に停止信号を出力する。そして前記少なくとも一つの高周波電源の通信部と他の高周波電源の通信部とを、前記監視部からの停止信号を他の高周波電源に直接送信するために接続する。これによりプラズマの不安定な状態が続くことを抑え、被処理体へのダメージが抑えられる。 （もっと読む）

【課題】成膜レートの安定化、面内均一性の向上およびターゲットの長寿命化を図る。
【解決手段】プラズマ形成空間２１ａを形成する真空槽２１と、この真空槽の上部を閉塞する天板２９と、プラズマ形成空間にプラズマを発生させる高周波コイル２３と、磁気コイル群２４と、プラズマ形成空間に設置された基板支持用のステージ２６と、プラズマ形成空間へプロセスガスを導入するガス導入部３３と、天板に固定されたスパッタリング用のターゲット４０とを備え、エッチング処理とスパッタ処理を交互に行って基板の表面に高アスペクト比の孔又は溝を形成するプラズマ処理装置２０であって、ターゲット４０の外周部をプラズマ形成空間に向かって突出形成することによって、ターゲットの外周部の集中的な摩耗による成膜レートのバラツキ、面内均一性の低下およびターゲットの寿命の低下を抑制する。 （もっと読む）

【課題】被処理基板中の構造体に熱ストレスが加わり難いドライクリーニング方法を提供すること。
【解決手段】 酸化銅、及び有機汚染物質の少なくともいずれか一方が基板表面に形成、もしくは付着した被処理基板をチャンバ内に設置する工程（ステップ１）と、チャンバ内の雰囲気を有機化合物ガス雰囲気として被処理基板の基板表面にガスクラスターイオンビームを照射し、基板表面に形成、もしくは付着した酸化銅、及び有機汚染物質の少なくともいずれか一方を除去する工程（ステップ２）とを具備する。 （もっと読む）

【課題】処理条件の設定が容易で、かつ、難加工性材料あるいは複雑な構造の被処理基板のエッチング処理にも対応できる処理ステップの記述が可能な記録媒体を提供する。
【解決手段】処理ガスを供給するガス供給装置１０９およびガス排気装置を備えた減圧処理室１１０と、前記減圧処理室内に配置され、被処理基板を載置する基板電極１１２と、前記減圧処理室内の処理ガスに高周波エネルギを供給してプラズマを生成するプラズマ生成装置１０１と、前記ガス供給装置、ガス排気装置およびプラズマ生成装置を制御する制御装置を備えたプラズマ処理装置における前記制御装置が使用する制御プログラムを記憶したコンピュータ利用可能な記録媒体であって、前記制御プログラムは、前記プラズマ処理装置が前記被処理基板に対して施す複数の処理ステップのそれぞれを記述した部分、前記それぞれの処理ステップの実行順序を記述した部分および実行回数を記述した部分を備える。 （もっと読む）

【課題】
被処理基板を冷却ガスを用い冷却する真空処理装置において、処理終了時に冷却ガスを真空処理室内に排気した場合、真空処理室の圧力が急激に上昇し、プラズマ分布及びガス組成の変化，チャージングダメージなどの問題が発生する。
【解決手段】
真空処理室を真空排気する高真空排気ポンプと、高真空排気ポンプの下流に接続された低真空排気ポンプと、被処理基板を載置する下部電極と、被処理基板と下部電極との間に冷却ガスを供給する手段とを有する真空処理装置において、冷却ガス供給手段は、冷却ガス供給系及び冷却ガス供給ガスラインを有し、冷却ガス供給ガスラインは、冷却ガスを排気する捨てガスラインに第一の捨てガスバルブを介し接続され、捨てガスラインは、第二の捨てガスバルブを介し高真空排気ポンプの直上に接続されると共に、第三の捨てガスバルブを介し高真空排気ポンプと低真空排気ポンプの間の排気ガスラインに接続した。 （もっと読む）

本発明は、電子デバイス処理ツール内に配置された電子デバイス内の膜を検出するためのシステム、装置及び方法を提供する。本発明は、装置を電子デバイス処理ツールのビューポートに連結するように構成された取付部材と、取付部材内に配置され且つ電子デバイス処理ツール内で電子デバイスを照らすように構成された光エネルギー源と、膜の存在を示す波長を通すように構成された光学システムと、膜の存在又は不在を検知するように構成された、基板で反射して光学システムを通過する光エネルギーを受け取るように位置決めされた光学検出装置とを含む。多数のその他の構成が開示される。
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【課題】安価で、環境負荷の少ない半導体装置の製造方法を提供する。
【解決手段】アルマイトからなる部材を備えたチャンバー内でSF₆含有ガスを用いたプラズマ処理を行う半導体装置の製造方法において、前記SF₆含有ガスを用いたプラズマ処理後に、前記アルマイトからなる部材に還元剤を接触させることを特徴とする半導体装置の製造方法など。 （もっと読む）

【課題】プラズマが生成する空間において、圧力分布が生じることを抑制できるプラズマ処理装置を提供する。
【解決手段】本発明に係るプラズマ処理装置は、チャンバー１０と、ステージ１２と、ステージ１２の上方に配置されたガス導入部１４と、ガス導入部１４の周囲から下方に突出することにより、半導体ウェハ１の上方に位置していてプラズマが生成される第１の空間１０ａと、チャンバー１０内の他の空間である第２の空間１０ｂとを、互いに部分的に繋がった状態を維持しつつ区切る仕切部材１６と、第２の空間１０ｂを排気する排気機構１８，２０，２０ａと、第１の空間１０ａの圧力を測定する第１の圧力計２２と、第２の空間１０ｂの圧力を測定する第２の圧力計２４と、第１の圧力計２２の測定値に基づいて止切部材１６の突出量を制御し、かつ第２の圧力計２４の測定値に基づいて排気機構２０ａを制御する制御部２６とを具備する。 （もっと読む）

【課題】試料への汚染を抑制して処理の効率を向上させたプラズマ処理装置またはプラズマ処理方法を提供する。
【解決手段】真空容器内に配置された処理室内部に備えられその上方に処理対象の基板状の試料が載せられる試料台を有し、前記処理室内に生成したプラズマを用いて複数枚の前記試料を連続して処理するプラズマ処理装置であって、前記試料の処理の間の時間に前記試料台の温度を前記試料の処理中の温度より高い所定の値に調節するプラズマ処理装置。 （もっと読む）

【課題】被加工物に凹部又は貫通孔を形成する工程において、第１の被加工物の加工を開始してから次の被加工物の加工を開始するまでの時間を短くする事ができるドライエッチング装置及び被加工物の加工方法を提供する。
【解決手段】内部に配置された被加工物に対してドライエッチング処理及び保護膜形成処理が交互に行われ、かつ内壁に膜を形成することを目的として、内部に前記被加工物がないときに成膜処理が行われるチャンバ１１０と、チャンバ１１０を冷却する冷却手段１２４，１２４ａ，１２４ｂと、冷却手段１２４を制御する制御部１２６とを具備する。制御部１２６は、成膜処理が行われる場合に冷却手段１２４を動作させる。制御部１２６により制御され、チャンバ１１０を加熱する加熱手段１２２を具備してもよい。制御部１２６は、被加工物に対してドライエッチング処理及び保護膜形成処理を行う場合に、加熱手段１２２を動作させる。 （もっと読む）

【課題】ウエハ処理装置のロボットアームの位置の調整には、アームの基準となる位置をウエハの標準的な中心位置と処理室の試料台中心とが一致するように設定するティーチングが必要であるが、このティーチングは作業者の熟練を要し作業効率が悪く装置稼動率を低下させていた。
【解決手段】ウエハ処理装置の真空ロボットのロボットアームに設けられた特定の位置を示す第一の印を、処理室の試料台上に配置され、前記ロボットアームの第一の印に対応する位置に配置された第二の印まで、ロボットアーム先端部を移動させて、検出した前記第一の印と第二の印との位置のずれ量を制御装置に入力して、ロボットアームの動作を制御させるティーチングを行う。 （もっと読む）

【課題】低コストな構成で効率的且つ応答性良く処理チャンバの内面を温度制御することができるプラズマ処理装置を提供する。
【解決手段】プラズマ処理装置１は、処理チャンバ１１、処理ガス供給装置２０、排気装置４０、コイル２３、高周波電源２４、ヒータ２６、冷却装置３０、制御装置５０を備える。冷却装置３０は、処理チャンバ１１と間隔を隔てて対向する冷却部材３２と、冷却部材３２の冷却流路３２ａ内に冷却流体を供給，循環させる冷却流体供給部３１と、冷却部材３２と処理チャンバ１１との間に設けられた環状のシール部材３５，３６とから構成され、排気装置４０は、シール部材３５，３６、冷却部材３２、処理チャンバ１１に囲まれた空間Ｓ内を減圧する。制御装置５０は、排気装置４０を制御して、コイル２３に高周波電力を印加していないときには空間Ｓ内を減圧し、コイル２３に高周波電力を印加しているときには空間Ｓ内を大気圧とする。 （もっと読む）

【課題】電極インピーダンス制御機能の効き目を改善して、プラズマ密度分布の制御を効果的に行うこと。
【解決手段】チャンバ１０の天井面において対向電極５８の周囲に延在する対向接地電位部７０の表面を石英板７２が覆うことにより、対向接地電位部７０表面のインピーダンスが高くなっている。インピーダンス制御部６８が対向電極５８とグランドとの間の電極インピーダンスを可変制御して対向電極５８直下のプラズマ密度を上げ下げする際に、それによって対向接地電位部７０直下のプラズマ密度の受ける影響(変動)を石英板７２のインピーダンス増大効果により抑制することができる。結果として、インピーダンス制御部６８によるプラズマ密度分布制御の感度を高くすることができる。 （もっと読む）

【課題】プラズマ処理に用いられる高周波電力を低く制御することができるプラズマ処理装置を提供する。
【解決手段】プラズマ処理装置においては、第一の電極２と第二の電極１７とが対向して配置される。第一の電極２に高周波電源を接続して高周波を印加すると、第一の電極２と第二の電極１７との間にプラズマが発生し、被処理基板にプラズマ処理を施すことができる。第一電極２の近傍に誘電体である静電チャック１９を設け、静電チャック１９の内部に一体型の導電体２１を設ける。高周波漏れライン２６は、導電体２１から高周波電流をアースに流出させる。インピーダンス調整回路２７は、高周波漏れライン２６に流れる高周波電流を制御する。高周波電力を意図的にアースに流出させることで、プラズマ処理に用いられる高周波電力を低く制御できる。 （もっと読む）