【課題】プラズマ処理時間を短縮させて生産効率を上げ、しかも、マイクロ波発振器を休止させることなく有効に利用することができる複数のプラズマ処理装置のプラズマ生成方法及びプラズマ処理装置システムを提供する。
【解決手段】第１及び第２プラズマアッシング装置１，２は、それぞれマイクロ波発振器２５から発振するマイクロ波を、それぞれ自身のアッシング装置が休止中で、他のアッシング装置が処理中のときには、分配器２６を切換制御して、他のアッシング装置に供給するようにした。 （もっと読む）

【課題】ウエハエッジ部でのエッチング特性を長期間に渡り良好に維持し、エッジ部での歩留りを長期間良好に維持し、ウエット周期を延ばし、装置稼働率を向上させる。
【解決手段】基板ステージ５５の外周部に配置したフォーカスリング５１の下部に、静電吸着層５４、電極層５２、絶縁層６２を設け、電極層５２に高周波電力を印加することでフォーカスリング５１に高周波バイアスを印加するとともに、フォーカスリング５１を静電吸着層５４に静電吸着し、フォーカスリングと静電吸着層の間に伝熱ガスを介在させることでフォーカスリング５１を冷却可能とし、フォーカスリング５１の温度を所定値に制御する。 （もっと読む）

【課題】高速・高収率のプラズマエッチング方法、およびプラズマエッチング装置を提供する。
【解決手段】反応容器２内に被エッチング材１を設置し、エッチングガスを導入し、被エッチング材１とプラズマ発生用電極４との間でプラズマ６を発生させ、被エッチング材１をエッチングする。被エッチング材１を、内部に空隙を有した通気性物質にて構成する。 （もっと読む）

【解決手段】基板処理をする際の処理チャンバの正常性を検証するために、エッチング速度の均一性を予測する方法を提供する。この方法は、レシピを実行し、第１のセンサー群から処理データを受信する。この方法は、また、サブシステム正常性チェック予測モデルを用いて、処理データを解析してエッチング速度データ及び均一性データの少なくとも一方を含む計算データを求める。フィルム基板群からの測定データを、非フィルム基板群の同様の処理の際に集めた処理データで補正することにより、サブシステム正常性チェック予測モデルが構築される。この方法は、さらに、求めた計算データを、サブシステム正常性チェック予測モデルにより規定されるような制御限界群と比較する。この方法は、また、計算データが制御限界群の範囲外の場合には、警告を生成する。 （もっと読む）

【解決手段】基板処理中に処理チャンバ内におけるその場での（in-situ）高速過渡事象を検出するための方法が提供される。方法は、第１のデータセットが潜在的なその場での高速過渡事象を含むかどうかを決定するためにデータセットを基準のセット（その場での高速過渡事象）と比較することを含む。もし、第１のデータセットが潜在的なその場での高速過渡事象を含む場合は、方法は、その潜在的なその場での高速過渡事象が発生する期間中に発生する電気的徴候を保存することも含む。方法は、更に、電気的徴候を、保存されたアーク徴候のセットと比較することを含む。もし、一致が決定された場合は、方法は、尚も更に、電気的徴候を第１のその場での高速過渡事象として分類することと、既定の閾値範囲のセットに基づいて第１のその場での高速過渡事象の深刻度レベルを決定することとを含む。 （もっと読む）

【課題】被加工試料とプラズマ発生部の相対位置を可変とする下部電極上下駆動機構を有するドライエッチング装置において、高周波のリターン電流が流入して下部電極カバー内側にプラズマが発生する事を防止する。
【解決手段】内部にプラズマが生成される真空容器と、真空容器の下部を構成し、接地されたベースフランジ１５と、真空容器内に設けられ被加工試料１を載置する下部電極２と、下部電極を上下駆動する上下駆動機構１０と、下部電極が有す接地電位部１３に固定され上下駆動機構をプラズマから遮蔽する円筒形状の第１のカバー１４と、ベースフランジに固定され上下駆動機構をプラズマから遮蔽する円筒形状の第２のカバー１６とを有し、プラズマにより被加工試料の表面処理を行うプラズマ処理装置において、接地電位部とベースフランジとを接続する導体１７を有し、導体は下部電極の径方向の中心と第１のカバーとの中間よりも第１のカバー側に配置した。 （もっと読む）

【課題】基板が破損する可能性を軽減しつつ、基板が載置台上に吸着しているか否かを検出し解消する吸着検知解消方法を提供すること。
【解決手段】載置台の載置面から被処理体の裏面に対して、所定の吸着判定圧力にて流体を供給する工程と（ステップ２）、吸着判定圧力にて流体を供給開始してから、所定の吸着判定時間が経過したときの流体の流量を検知する工程と、該工程において検知された流体の流量が、所定の吸着判定流量以下か否か、を判定する工程と（ステップ３）、該工程における判定の結果、流体の流量が吸着判定流量以下の場合、被処理体の裏面に対して流体を供給する圧力を吸着判定圧力よりも高圧の吸着解消圧力にする工程と（ステップ７）、を具備する。 （もっと読む）

【課題】電界分布特性を制御することで、プラズマ処理の均一性と歩留まりの向上を実現可能なプラズマ処理装置を提供する。
【解決手段】内部が真空に保持可能な処理室を含む処理容器と、該処理室で被処理基板１５を載置するとともに下部電極を兼ねた載置台２と、該載置台２において前記被処理基板１５の周縁を囲むように配される円環状部品５と、前記下部電極に対向してその上方に配置される上部電極２１と、前記載置台２に高周波電力を供給する給電体とを備え、前記処理室で発生するプラズマにより前記被処理基板１５にプラズマ処理を施すプラズマ処理装置１において、前記円環状部品５には、プラズマが生成されるプラズマ生成空間の電界分布を所望の分布に調整する少なくとも１つの環状の溝が、前記プラズマ生成空間側の反対側の面に形成されている。 （もっと読む）

【課題】ロット処理中のダミーウエハの交換を回避する。
【解決手段】ウエハを処理する基板処理室ＰＭ、製品ウエハを収納する製品用キャリアＬＰ１〜ＬＰ３、ダミー用キャリアＬＰ４を有する基板処理システム１０におけるロット処理開始判定方法は、製品用キャリアに収納された各ロットのプロセス条件とダミー用キャリアに収納されたダミーウエハの使用可能回数とを所与のメモリに記憶し、ダミー用キャリアに収納された複数のダミー用ウエハの使用回数をカウントし、メモリに記憶された各ロットのプロセス条件に基づき、製品用キャリアに収納され、次ロットの全製品ウエハを処理するために必要なダミーウエハの枚数を求め、求められた次ロットのダミーウエハの枚数を前記カウントされたダミーウエハの使用回数に積算し、積算値がダミーウエハの使用可能回数を越えていると判定された場合、次ロットの処理開始を抑制する。 （もっと読む）

【課題】プロセス以外の放電を抑え、パワーロスや異常放電をなくし安定したプロセス及びエッチングレートを向上させることのできるようにしたドライエッチング装置を提供する。
【解決手段】ドライエッチング装置においては、真空処理チャンバ１１内に設けられ、エッチング処理すべき基板１２の装着される基板電極１３に対向した真空処理チャンバ１１の天板側位置に、プロセスガス導入系１７，１８，１９からのプロセスガスを拡散させるシャワープレート１５を設け、真空処理チャンバ１１の天板１１ａとシャワープレート１５との間の空間に有孔放電防止プレート１６を設ける。 （もっと読む）

【課題】試料に付着する異物の低減を図るとともに装置全体のスループットを向上させることのできる真空処理装置の運転方法を提供する。
【解決手段】可変バルブを所定の開度に解放して真空処理室内を減圧するとともに減圧が完了した時点で前記圧力センサの出力値をリセットする零点補正を行い、その後、ガス供給機構を介して試料搬送用ガスを供給し、供給した状態でゲート弁を解放して試料の搬入を行い、試料の搬入完了後にゲート弁を閉じた状態で、かつ試料搬送用ガスの供給を継続した状態で試料処理用のガスを供給し、その後、試料搬送用ガスの供給を停止した後、プラズマ処理を施し、プラズマ処理の終了後は、試料処理用ガスの供給停止に先立って試料搬送用ガスを供給する。 （もっと読む）

【課題】装置の異常発生を高精度に検知することができ、また、異常の原因を容易に探索することのできるプラズマ処理技術を提供する。
【解決手段】供給された処理ガスに高周波電力を印加してプラズマを生成するプラズマ生成手段および被処理基板を載置する試料台を備えた処理室と、
予め設定された処理条件に従ってプラズマを生成して前記試料台上に載置された被処理基板に逐次プラズマ処理を施すとともにプラズマ処理の状態を表すパラメータ値を逐次収集する制御用計算機１１２を備え、前記制御用計算機は、収集した装置パラメータ値が予め設定した基準値を逸脱した回数を所定期間毎に記録する記録部２０４と、前記逸脱した回数の発生確率を計算する確率計算部２０５と、前記発生確率と予め設定した設定値とを比較して装置状態を診断する比較部２０６を備えた。 （もっと読む）

【課題】被洗浄物の洗浄処理の効率化して洗浄ガスの供給量を減らし、経済性に優れたドライ洗浄装置用反応炉を提供すること。
【解決手段】窒化物半導体製造装置における汚染部品を洗浄する装置であって、洗浄ガス導入管１６とガス排出管２０を有する反応室８と、反応室８内で汚染部品２２を支持する支持手段４と、汚染部品２２を反応室８内で高温に保持するための遮熱部材７ａ，７ｂと、反応室８内を加熱する加熱手段３とを備え、前記洗浄ガス導入管１６を反応室８内の下部に配置した。これにより、反応室８内の下部から供給された洗浄ガスは、加熱装置３で加熱されて上部へ移動するので、汚染部品２２の汚染物と効率的に反応させることができ、効率的に汚染部品２２を洗浄することが可能になる。 （もっと読む）

【課題】プラズマに投入するＲＦパワーを広範囲に変えても（特に低パワー領域を選択したときでも）、あるいはプラズマのインピーダンスが大きく変動しても、整合器のマッチング動作を安定かつスムースに行い、プラズマプロセスの安定性・再現性を向上させる。
【解決手段】容量結合型プラズマエッチング装置において、チャンバ１０内で半導体ウエハＷを載置するサセプタ１２には、高周波電源２８がマッチングユニット３０および給電棒３２を介して電気的に接続されている。給電棒３２の途中で、あるいはマッチングユニット３０内の整合器の後段で、ＲＦパワー分岐吸収部４４にＲＦパワーの一部を分岐させ吸収させることより、整合器から見える見掛け上の負荷インピーダンスの変動を低減させる。 （もっと読む）

【課題】大がかりな可動部を設けることなくＡＣ比を可変にすることが可能な、プラズマ処理装置を提供する。
【解決手段】エッチング装置１０は、処理容器内部１００にてウエハＷをプラズマ処理する装置であって、処理容器内のプラズマ存在領域に少なくとも一部が接するように配設された調整部材２００と、調整部材に連結され、調整部材と接地面との電気的接続状態を制御することによりプラズマ存在領域の接地容量を調整するインピーダンス調整回路２１０とを有する。 （もっと読む）

【課題】中性粒子ビームにより、プラズマ処理に比べて被処理物に損傷を与えることなく有機半導体化合物をエッチングすることが可能なエッチング方法を提供する。
【解決手段】有機半導体からなる薄膜２８が形成されている基板２６に中性粒子ビームを照射することによってエッチングを行なうエッチング方法であり、中性粒子ビームは酸素からなることが好ましく、有機半導体はアセン類、ビススチリルベンゼン誘導体、オリゴチオフェン誘導体、フタロシアニン類、ペリレン誘導体、フラーレンまたはフラーレン誘導体のいずれかであることが好ましい。 （もっと読む）

【課題】冷却層と加熱層を併用しても装置構造が複雑にならず、加熱応答性及び冷却応答性に優れた温度調節装置を提供する。
【解決手段】ウエハを載置するサセプタ１２と、サセプタ１２と対向するように配置されたシャワーヘッド２２とを有し、サセプタ１２及びシャワーヘッド２２の間に供給される処理ガスを励起してプラズマを生成し、プラズマによってウエハにプラズマ処理を施す基板処理装置内のプラズマに晒される部材の温度を調整し、シャワーヘッド２２が有する上部電極板２４を加熱する加熱層３１と、加熱層３１の上部電極板２４に対向する面とは反対側の面に当接するように配置された断熱層３２と、断熱層３２の加熱層３１に対向する面とは反対側の面に当接するように配置された冷却層３３とからなり、冷却層３３の冷媒として流水を使用する。 （もっと読む）

【課題】物質や化学反応の情報を設定すること無しに、多くの波長における波形から、代表的な少数の波長を選定することができ、大きな工数のかかるエッチングデータの解析を削減して、効率的にエッチングのモニタ・監視の設定を行うことができるエッチング装置を提供する。
【解決手段】エッチング装置において、複数のエッチング処理時間軸に沿った発光強度波形を取得するロット・ウェハ・ステップ別ＯＥＳデータ検索・取得機能５１１と、複数の発光強度波形において変化の有無を判定する波形変化有無判定機能５２１と、発光強度波形間の相関行列を算出する波形相関行列算出機能５２２と、発光強度波形をグループに分類する波形分類機能５２３と、グループより代表的な発光強度波形を選定する代表波形選定機能５２４とを備えた。 （もっと読む）

【課題】電磁輻射の起こらない、かつ、チャンバー内壁への強靭蒸着膜形成が起こらないプラズマ発生装置を提供することを目的としている
【解決手段】電位０状態で接地されたチャンバー２と、このチャンバー２内に設けられプラズマを発生させるプラズマ発生電極３と、自励式の高周波発振部６と、前記チャンバー２、該チャンバー２に導電形態で一体化されて前記高周波発振部６を覆うように設けられた高周波発振部シールドカバー７とからなるシールド体９と、前記トランス５の中位点と前記チャンバー２を電位０状態で接地してなる中位点接続部８と、前記発振器４に電力を供給する発振器用電源１０と、前記チャンバー２内に該チャンバー２と絶縁状態で設けられたワーク電極形成部１１と、このワーク電極形成部１１にバイアス電圧を印加する前記シールド体９と電位０状態で接地されたバイアス形成用電源１２とからなっている。 （もっと読む）

【課題】本発明は、ＲＦ生成器の同調周波数を追尾し、それにより対象周波数から不要な周波数成分を効率よく除去するマルチレート信号処理技術を提供する。
【解決手段】
ＲＦプラズマシステムで使用されるＲＦ生成器が提供される。ＲＦ生成器は、同調周波数におけるＲＦ電力信号を生成するように動作可能な電力源と、ＲＦ電力信号を検出するように適合され、ＲＦ電力信号を代表するアナログ信号を生成するように動作可能なセンサユニットであって、アナログ信号が対象周波数と複数の干渉周波数成分とを含むセンサユニットと、センサユニットからアナログ信号を受信し、対象周波数を通過させ、干渉周波数成分を拒絶する所定帯域幅内にアナログ信号の帯域制限を行うように適合されたセンサ信号処理ユニットとを含む。 （もっと読む）