【課題】半導体基板等の部材に付着したＳｉ及びＣを含む膜を容易に除去でき、且つ部材にダメージを与えるおそれが少ない膜の除去方法、及びその除去方法において使用する膜除去用装置を提供する。
【解決手段】Ｓｉ及びＣを含む膜が形成された半導体基板２０をチャンバ１１内に配置する。また、チャンバ１１内に酸素ガスを導入するとともに、真空排気ポンプ１７によりチャンバ１１内の圧力を例えば１０Torr（約１．３３×１０³Ｐａ）に維持する。そして、真空紫外光ランプ１３により発生した真空紫外光を半導体基板２０に照射する。これにより、ＳｉとＣとの結合が切断され、Ｓｉと酸素とが結合して、Ｓｉ及びＣを含む膜がＳｉＯ膜に変質する。その後、フッ酸等によりＳｉＯ膜を除去する。 （もっと読む）

【課題】整合速度低下を招く事なくハンチングを効果的に抑制できるプラズマ処理装置用自動整合装置を提供する。
【解決手段】コントローラ９０は、インピーダンス測定部８４より得られる負荷側インピーダンスの絶対値測定値ＺＭ_mおよび位相測定値Ｚθ_mをそれぞれ所定の絶対値基準値ＺＭ_S及び位相基準値Ｚθ_Sに可及的に近づける様に、第１及び第２ステッピングモータ８６，８８を介して第１及び第２可変コンデンサ８０，８２の静電容量をそれぞれ可変制御する第１及び第２整合調節部１００，１０２と、第１及び第２静電容量モニタ部１０８，１１０と、ゲイン制御部１１２とを有している。ゲイン制御部１１２は、第１及び第２静電容量モニタ部１０８，１１０よりそれぞれ得られる第１及び第２の可変コンデンサ８０，８２の静電容量現在値ＮＣ₁，ＮＣ₂に基づいて、第１及び第２の整合調節部１００，１０２における比例ゲインの少なくとも一方を可変制御する。 （もっと読む）

【課題】表面のポリシリコン層の膜厚を維持して基板の表面を平坦化することができる表面平坦化方法を提供する。
【解決手段】基板処理装置のチャンバ内においてポリシリコン層４０を表面に有するウエハＷの表面を平坦化する際、ウエハＷをチャンバ内のサセプタに載置し、チャンバ内の圧力を１００ｍＴｏｒｒ以上乃至８００ｍＴｏｒｒ以下のいずれかに設定し、酸素ガス及びアルゴンガスの混合ガスにおけるアルゴンガスの流量比を５０％以上乃至９５％以下のいずれかに設定してチャンバ内部へ導入し、周波数が１３ＭＨｚ以上乃至１００ＭＨｚ以下のいずれかに設定されているプラズマ生成用の高周波電力をサセプタに印加して導入された混合ガスを励起し、プラズマを生じさせ、生じたプラズマ中の酸素の陽イオン４３やアルゴンの陽イオン４４によってウエハＷの表面をスパッタする。 （もっと読む）

【課題】処理空間内のプラズマ密度分布を制御することができ、プラズマ処理の面内均一性を向上させることのできるプラズマ処理装置及びシャワーヘッドを提供する。
【解決手段】基板を載置するための載置台２０２と対向するように設けられ、該載置台２０２との対向面１４に複数設けられたガス吐出孔から基板に向けてガスをシャワー状に供給するシャワーヘッド１００を備えた処理チャンバー２０１からなるプラズマ処理装置２００であって、前記対向面１４と、これと反対側の面１５とを貫通する複数の排気孔と、前記対向面１４と前記反対側の面１５とを貫通し、前記対向面１４側から前記反対側の面１５側にプラズマの漏洩を許容する開閉可能な複数のトリガー孔と、前記反対側の面１５側の排気空間内に設けられ、該排気空間を、少なくとも１つのトリガー孔が連通する複数の領域１７ａ，１７ｂ，１７ｃに仕切る仕切り壁１６ａ，１６ｂ，１６ｃと、を具備する。 （もっと読む）

【課題】チャンバ壁の影響を好適に考慮できる半導体製造装置を提供する。
【解決手段】エッチング装置１は、ウェハが配置されるチャンバ２と、チャンバ２内の状態を示す指標値としての発光強度Ｉを検出するＯＥＳ１３とを有する。また、エッチング装置１は、検出された発光強度Ｉの値に基づいて、チャンバ２のチャンバ壁に対する粒子の付着確率Ｓの値を算出する付着確率算出部１９と、チャンバ２において付着確率Ｓを変動させることが可能なヒータ１１とを有している。さらに、エッチング装置１は、付着確率算出部１９の算出する付着確率Ｓが初期値Ｓ_０となるようにヒータ１１を制御する制御部１７を有している。 （もっと読む）

【課題】プラズマ処理装置における優先度の高い制御機器に対する制御をＣＰＵの能力を集中させて行うことができるようにする。
【解決手段】プラズマ処理装置を構成するプロセスモジュールは、全体の処理動作を制御するモジュールコントローラ113と、試料を処理するための複数の制御機器305〜319と、モジュールコントローラからの指示に従って複数の制御機器に制御信号を送信する入出力基板201とを備える。モジュールコントローラ113は、ＣＰＵの負荷率を監視し、その負荷率を取得し、ＣＰＵ負荷率に基づいて前記複数の制御機器のそれぞれに対する制御周期を計算、変更し、制御周期に従って、複数の制御機器のそれぞれに制御信号を送信して制御を行わせる。 （もっと読む）

【課題】プラズマエッチング処理装置において、直流アース不足により発生するプラズマ電位の上昇を防ぎ、異常放電の発生を阻止する。
【解決手段】内部にプラズマが生成される真空容器１と、真空容器１の下部を構成し、接地されたベースフランジと、真空容器１内に設けられ、被加工試料３を載置する下部電極２と、下部電極２を上下駆動する上下駆動機構と、下部電極２が有す接地電位部に固定され、上下駆動機構をプラズマから遮蔽する円筒形状の第１のカバー２７と、ベースフランジに固定され上下駆動機構をプラズマから遮蔽する円筒形状の第２のカバー２８とを有し、プラズマにより被加工試料の表面処理を行うプラズマ処理装置において、円筒形状の第２のカバー２８を導体とする。 （もっと読む）

【課題】直膨式冷却システムにおけるサイクル内の冷媒循環量を最適化させ、低消費電力にて所望のウエハ温度分布を達成可能なプラズマ処理装置を提供する。
【解決手段】試料台１には、内部を冷媒が循環する第一の蒸発器２が設けられている。第一の蒸発器２は、圧縮機８、第一の凝縮器５、膨張弁９、第二の蒸発器３、冷媒温度計１０、冷媒流量計１１と共に冷却サイクルを構成している。第一の凝縮器５には熱交換用媒体が供給される。第二の蒸発器３に供給される冷却水の温度か、供給側水温度計１２及び排出側水温度計１３で計測され、また、冷却水の流量が流量調節器１４でモニタされ調整される。これにより、冷却水の供給側と排出側の温度差と流量が測定可能となる。第二の蒸発器３内において冷媒が完全蒸発する際に冷却水から吸収（熱交換）する熱量、冷媒循環量、冷媒温度より、試料台１から排出される冷媒の乾き度が算出され、圧縮機８の回転数が制御される。 （もっと読む）

【課題】複数の排気路の排気流量を各々調整することにより、真空容器内における処理ガスの気流を制御して基板へのガス流れを一定に保つこと。
【解決手段】第１のバルブ６５ａが介設された第１の排気路６３ａと、第２のバルブ６５ｂが介設された第２の排気路６３ｂと、から真空容器１内の雰囲気を夫々真空排気できるようにして、真空容器１内の圧力が処理圧力Ｐとなるように第１のバルブ６５ａの開度を調整すると共に、第１の排気路６３ａの排気流量と第２の排気路６３ｂの排気流量とをレシピに応じた設定値にするために、バタフライバルブ６７の開度Ｖをテーブル８６に記載された値に設定し、次いで差圧計６８の測定値がテーブル８６に記載された差圧ΔＰとなるように第２のバルブ６５ｂの開度を調整する。 （もっと読む）

【課題】
真空容器内のファラデーシールド有効範囲外（主に、チャンバー内壁）に付着した反応生成物の剥がれを抑制し、量産安定性に優れたプラズマ処理装置の運転方法を提供する。
【解決手段】
放電部と処理部とを有するプラズマ処理装置を用いて難エッチング材料からなる層が形成された試料をプラズマで処理するプラズマ処理方法において、試料をエッチングする前のエージング処理を行なう第１の工程Ｓ１と、試料上に形成された難エッチング材料からなる層をプラズマ処理することによりエッチングする第２の工程Ｓ２と、第２の工程Ｓ２の後に、プラズマ処理を行なうことにより処理部を構成するチャンバーの内壁の堆積膜を安定化させる第３の工程Ｓ３と、第２の工程Ｓ２と第３の工程Ｓ３とを繰り返す工程とを有する。 （もっと読む）

【課題】半導体装置の製造工程におけるウェハーの載置ズレを検出、調整し、ウェハーの載置精度を向上させることが可能な半導体装置の製造方法および製造装置を提供する。
【解決手段】ウェハーＷを処理するチャンバと、チャンバ内に設けられ、ウェハーＷの裏面にガスを供給する複数の穴２０を有するウェハーステージ１４と、複数の穴２０におけるガスの漏れ量をそれぞれ独立に検出するガス検出機構と、検出された穴の位置及びガスの漏れ量に基づき、ウェハーＷのウェハーステージ１４の所定の位置からのズレの方向及び量を求めるウェハー位置検出機構３０と、ウェハーステージの所定の位置からのズレの方向及び量に基づき、ウェハーの位置を調整するウェハー位置調整機構３２と、を備える。 （もっと読む）

【課題】メンテナンス時期を予知することができるインピーダンス整合装置を提供する。
【解決手段】可変インピーダンス素子３ａ、３ｂと、モータ７ａ，７ｂを駆動源として可変インピーダンス素子の操作軸を操作する操作機構と、操作軸の目標位置を設定する目標位置設定部９と、検出された操作軸の位置を設定された目標位置に一致させるようにモータを制御するモータ制御部１３と、操作軸の目標位置と現在位置との間に存在する残留偏差が許容値を超えたときに異常判定を行う異常判定部１２と、異常判定部による異常判定回数が設定された判定値未満である間は残留偏差の許容値を初期許容値とし、異常判定回数が判定値に達した後は、残留偏差の許容値を初期許容値よりも大きい異常検出後許容値に切替えることにより、異常判定回数が判定値に達したこと、または残留偏差の許容値が異常検出後許容値に切替わったことからメンテナンス時期を予知し得るようにした。 （もっと読む）

【課題】基板に形成された自然酸化膜の除去効率の低下を抑制可能な基板処理方法、及び基板処理装置を提供する。
【解決手段】
三フッ化窒素ガスと、アンモニアガス及び水素ガスの少なくとも一方とを用いてアンモニアフッ化物を生成し、このアンモニアフッ化物をシリコン基板の表面に供給して該シリコン基板の表面に形成された酸化膜を除去する。この酸化膜の除去方法は、シリコン基板を収容する真空チャンバ２０に接続されたマイクロ波アプリケータ１０の放電管１０ａに窒素ガスを導入し、この窒素ガスにマイクロ波を照射して該窒素ガスを励起させる工程と、真空チャンバ２０内にて励起された窒素ガスに三フッ化窒素ガスと、アンモニアガス及び水素ガスの少なくとも一方とを混合して前記アンモニアフッ化物を生成する工程とを有する。 （もっと読む）

【課題】可撓性基板に対する処理の品質に面内分布が生じることを抑制でき、かつ基板のたわみを十分に抑制できる基板処理装置を提供する。
【解決手段】カソード電極１３０及びアノード電極１２０は、処理容器１１０内に互いに対抗して配置される。アノード電極１２０は、帯状の可撓性基板５０を加熱する。またアノード電極１２０の側面のうち、平面視において可撓性基板５０が搬送時に通る部分には、湾曲部１２２，１２４が設けられている。湾曲部１２２，１２４は、可撓性基板５０の搬送方向と同方向に傾斜を有し、平面視において縁が外側に凸となる方向に湾曲している。 （もっと読む）

【課題】ウェハエッジ部でのレートの低下を解消し、ウェハ面内の中心部からエッジ部にわたって均一なエッチング加工を可能にするプラズマエッチング装置及び、プラズマ処理方法を提供する。
【解決手段】真空容器１内にフロロカーボン系のガスを供給して試料台に載置された被処理基板Ｗをプラズマ処理するプラズマ処理装置において、前記被処理基板Ｗの周辺に配置されたフォーカスリング７と、前記被処理基板Ｗの中心部と外周部にそれぞれ別々のガスを供給する第１供給手段２Ｂと第２供給手段２Ａを備え、前記被処理基板Ｗの中心部と外周部に前記第１供給手段２Ｂと第２供給手段２Ａから異なる種類のフロロカーボン系のガスを供給し、前記被処理基板Ｗの中心部よりも炭素とフッ素の比率（C/F比）の低いフロロカーボン系のガスを前記被処理基板Ｗの外周部に供給する。 （もっと読む）

【課題】多孔構造の透過窓と透過窓に付着するプラズマエッチング処理にともなう窓への付着物間に生じる熱応力を低減し被処理基板上に発生する微細粒径異物の発生を低減する。
【解決手段】被処理基板１０２に対するプラズマ処理方法を最適化し被処理基板１０２の表面近傍部に付着する微小粒径異物の発生を大幅に低減するために、マイクロ波によるプラズマ処理に際し、多孔構造の石英製透過窓１０５、熱媒体流路を付設したマイクロ波導入窓１０８、および熱媒体循環装置により構成する。また、多孔構造の透過窓１０８にイットリアを主成分とする部材を用いることにより、装置構成部材の温度上昇を招いたとしても、前記多孔構造の透過窓と前記透過窓に付着したエッチング反応生成物の線膨張係数をほぼ一致させる。 （もっと読む）

【課題】プラズマエッチング処理において、ＣＤを容易に制御できるようにすること。
【解決手段】複数の原料ガスが混合された処理ガスが処理容器２に導入され、処理容器２内で処理ガスがプラズマ化されて基板Ｗがエッチング処理されるプラズマエッチング処理方法であって、種類の異なる原料ガスの混合比を変えることにより、ＣＤが制御される。本発明によれば、処理ガス中に含まれるＣＦ_４ガスやＣＦ_４ガスなどの原料ガスの供給量の比を変えることにより、エッチングのＣＤを制御することが可能となる。 （もっと読む）

【課題】基板表面に形成する凹部の加工精度を向上させたドライエッチング装置及びドライエッチング方法を提供する。
【解決手段】真空容器内にエッチングガスを用いたプラズマを発生させて基板電極にバイアス電力を供給することにより基板の表面に凹部を形成するエッチング工程Ｓ１と、ターゲット電極に高周波電力を供給してフッ素樹脂ターゲットをスパッタすることにより基板に形成された凹部の側壁に保護膜を形成する保護膜形成工程Ｓ２とを繰り返すドライエッチング装置及びドライエッチング方法であって、保護膜形成工程Ｓ２では、フッ素樹脂ターゲットをスパッタしつつ、真空容器内に塩素、臭素、ヨウ素からなる群から選択された一つのハロゲン元素を含む反応ガスを供給することにより、フッ素樹脂ターゲットの構成材料と選択されたハロゲン元素とが含まれるかたちで保護膜を形成する。 （もっと読む）

【課題】プラズマ処理時間を短縮させて生産効率を上げ、しかも、マイクロ波発振器を休止させることなく有効に利用することができる複数のプラズマ処理装置のプラズマ生成方法及びプラズマ処理装置システムを提供する。
【解決手段】第１及び第２プラズマアッシング装置１，２は、それぞれマイクロ波発振器２５から発振するマイクロ波を、それぞれ自身のアッシング装置が休止中で、他のアッシング装置が処理中のときには、分配器２６を切換制御して、他のアッシング装置に供給するようにした。 （もっと読む）

【課題】複数のプラズマの高周波電源の電力を投入することでエネルギー密度を高めるとともに、高周波電力が同時に供給されることによって処理が不均一となる現象を抑制する。
【解決手段】プラズマを発生させる電極１２０に複数の高周波電源１１８，１１９が接続されたプラズマ処理装置であって、いずれかの高周波電源の高周波信号を生成する発振器１１２，１１６にはその発振が連続する時間に比べて１０％以下の時間の停止と前記停止後に再発振とを繰り返し行わせるリセット回路１１７を接続したプラズマ処理装置とする。 （もっと読む）