【課題】ウエハ処理に従い消耗するフォーカスリング厚さを監視する。
【解決手段】真空容器１と、被加工試料設置手段５と高周波電力導入手段４と高周波バイアス電力導入手段７を有し、真空容器１内に導入されたガスを高周波電力導入手段４から導入された高周波電力でプラズマ化したプラズマにより被加工試料６の表面処理を行うプラズマ処理装置であって、被加工試料設置手段５上に載置された被加工試料６の周囲に円環状部材１１を備え、真空容器１側壁に対向してアスペクト比が３以上の一対の筒を設け、それぞれの筒はその先端をガラス材により真空に封じられ、それぞれの筒はガラス材の大気側に真空容器内に向けて配置された光源１５または真空容器内に向けて配置された受光手段１６を有しており、円環状部材１１表面を通過してきた光を受光手段１６にて受光する。 （もっと読む）

【課題】低誘電率膜や下地膜に与えるダメージを低減可能なプラズマ処理方法の提供。
【解決手段】処理室１の中心部側と側壁の近傍側にそれぞれ独立して処理ガスを供給するガス供給手段４１、４２と、被処理体Ｗを載置する試料載置電極１３と、プラズマ生成用高周波電源２１と、アンテナ１１と、処理室内にプラズマを生成するプラズマ生成手段１７を有するプラズマ処理装置を用いたプラズマ処理方法であって、プラズマを用いて被処理体Ｗの絶縁膜エッチング処理を行ない、その後被処理体Ｗを試料載置電極１３に載置したまま処理室中央部から大流量の不活性ガスを処理室１の側壁近傍にのみ堆積物除去ガスを供給し、さらにプラズマ密度分布を制御することにより処理室中心部側のプラズマ密度と処理室側壁近傍のプラズマ密度を異ならせて処理室側壁の堆積膜を除去する堆積膜除去処理を行なう。 （もっと読む）

【課題】処理プロセス名称に応じて、処理結果と相関の高い装置エンジニアリングデータの特徴量を自動的に出力する半導体製造装置を提供する。
【解決手段】半導体製造装置において、処理モジュール１０１と、検査モジュール１０２と、装置制御コントローラ１０３を備え、装置制御コントローラ１０３は加工処理時の装置エンジニアリングデータを、装置情報データベースに蓄え、処理レシピに記載されたプロセス名称に紐付けられた特徴量算出方法を特徴量算出方法データベース１０７より取得して、装置エンジニアリングデータから特徴量を算出して出力する。 （もっと読む）

【課題】モーターの回転子の位置と加速度を考慮してバルブの振動を適切に抑制できる半導体用バルブ駆動モーター制御装置を提供する。
【解決手段】半導体装置用バルブ３を駆動するモーター１２と、このモーター１２の回転子の回転を制御する制御手段１４とを備えている。制御手段１４は、モーター１２の回転子の位置を数値化するサーボ回路部２２と加速度を計測する加速度計測部２４と、サーボ回路部２２及び加速度計測部２４からの情報を処理する中央処理部２６とを有する。中央処理部２６は、サーボ回路部２２からの情報に基づいてモーター１２に流れる電流を制御してモーター１２の回転子の位置を目的位置に調整すると共に、加速度計測部２４により計測されたモーター１２の回転子の回転の加速度の変位からモーター１２の振動状態を診断してモーター１２の振動状態の振幅周期と逆位相の回転状態となるように、モーター１２の回転子の回転の加速度を制御する。 （もっと読む）

【課題】３次元構造をもつ加工対象物の各面にガスクラスターイオンビームを照射することができ、かつ各加工対象面の照射位置におけるビーム電流値やビーム電流分布をプロセス中にも計測可能なコンパクトなステージ構造を有する加工装置を提供する。
【解決手段】ガスクラスターイオンビームに対する加工対象物の位置・角度を並進方向３自由度、回転方向３自由度の計６自由度で制御可能なパラレルリンク２０を具備し、パラレルリンク２０の可動テーブルの、加工対象物が搭載される上面側と反対の下面にビーム検出器を設置し、可動テーブルを上下反転可能とする。 （もっと読む）

【課題】基板を好適に管理しつつレジスト膜形成からエッチングまでの一連の処理を基板に行うことができる基板処理装置を提供する。
【解決手段】基板処理装置１は、基板Ｗにレジスト膜を形成し、基板Ｗを現像する塗布現像ブロック１４と、基板を露光する露光機１６と、基板をエッチングするエッチング部１７とは一体に構成されている。よって、塗布現像ブロック１４と露光機１６とエッチング部１７とに順次を搬送することで基板Ｗにパターン形成処理を行うことができる。このように基板Ｗを好適に管理しつつ基板Ｗにパターンを形成できる。よって、同じ基板Ｗに対して２回以上パターン形成処理を繰り返して、基板Ｗの同じ膜に複数回にわたってパターンを精度よく形成することができる。 （もっと読む）

【解決手段】複合波形周波数マッチング装置を開示する。さまざまな態様において、マッチング装置は、互いに並列に接続される複数の無線周波数発生器を備える。複数の無線周波数発生器の各々は、任意の１つの低周波数生成無線周波数発生器により発生された周波数の整数倍となる高調波周波数を発生し、その結果、複合波形を生成するように構成される。複数の周波数スプリッタ回路は、複数の無線周波数発生器の出力側に接続される。複数のマッチングネットワークの各々は、入力側が複数の周波数スプリッタ回路の一つの出力側に接続され、出力側がプラズマチャンバに接続されるように構成される。 （もっと読む）

【課題】一つの排気路（主排気路）のみ有する減圧装置にも適用でき、排気速度が速くパーティクルの舞い上がりを抑制できる減圧排気弁及びこの減圧排気弁を含む減圧排気機構を用いた減圧装置を提供する。
【解決手段】本発明にかかる減圧排気弁１０は、一端が前記真空チャンバに連通し、他端が真空ポンプに連通する排気路中に取付けられる減圧排気弁１０において、前記減圧排気弁１０が、前記排気路に接続される管部１１と、前記管部内に収容された、前記排気路５を開閉する開閉弁１２と、前記開閉弁１２に設けられた、通気孔を有する多孔質体部１３とを備える。 （もっと読む）

【課題】万が一シャワープレートが割れても、毒性ガスが装置外部に放出するのを防止することができるプラズマ処理装置およびプラズマ処理方法を提供する。
【解決手段】チャンバー１とスペーサ１ｂとアッパープレート１ａとから構成される処理容器の上部開口を閉鎖するようにシャワープレート７を配置し、シャワープレート７の開口部９からチャンバー１内にプラズマ励起用ガスを放射する。シャワープレート７の外側に配置されたスロットアンテナ１２にマイクロ波を供給してプラズマを発生し、スペーサ１ｂの内壁と、シャワープレート７の外周面との間の第１の隙間１６、スロットアンテナ１２の放射面と誘電体カバープレート６との間の第２の隙間１９の大気をガス排気口１８，２２からガス吸引装置２８により吸引し、ガス除害装置２９により毒性ガスを除害することにより、シャワープレート７が割れても有毒な毒性ガスがプラズマ処理装置５０の周辺に放出されることがない。 （もっと読む）

【課題】
磁場を使用したプラズマ処理装置において、プラズマの停止時に被処理基板に影響する問題を最小限に抑制する手段を提供する。
【解決手段】
プラズマ生成用高周波電源と、バイアス電源と、真空処理室外に設置されるコイルに接続され真空処理室内に磁場を生成するコイル電源とを有するプラズマ処理装置において、真空処理室内の磁場強度を測定する磁場計測手段と、コイル電源の出力オン／オフ信号がオフされ後に測定される磁場強度が所定値まで減衰した時、プラズマ生成用高周波電源またはバイアス電源の出力オン／オフ信号をオフする制御手段を備えた。 （もっと読む）

【課題】本処理時間に対する準備時間を短縮し生産効率を向上させる。
【解決手段】ＭＭＴ装置２００はウエハＷに処理を施す処理室２０１と、処理室２０１内に設置されウエハＷに処理を施す処理ステージＳ２ステージとウエハＷを授受する授受ステージＳ１とを移動するサセプタ２１７と、授受ステージＳ１に対向した処理室２０１の開口を開閉するゲートバルブ２４４と、サセプタ２１７の移動とゲートバルブ２４４の開閉を制御するコントローラ１２１を備えている。コントローラ１２１はサセプタ２１７の移動とゲートバルブ２４４の開閉とを並行処理させる。サセプタの移動とゲートバルブの開閉を並行処理することにより、本処理時間に対する準備時間を短縮することができるので、生産効率を向上させることができる。 （もっと読む）

【課題】サセプタに均一に高周波電力を供給する。
【解決手段】マイクロ波プラズマ処理装置１０は、処理容器１００と、処理容器の内部にて基板Ｇを載置するサセプタ１０５と、高周波電力Ｐｗを出力する高周波電源１３０と、サセプタ１０５に位置する複数の給電ポイントＡにてサセプタ１０５に接続され、高周波電源１３０から出力された高周波電力Ｐｗを複数の給電ポイントＡからサセプタ１０５に供給する複数の供給棒Ｂと、高周波電源１３０と複数の給電棒Ｂとの間に設けられ、複数の給電棒Ｂに一対一に接続された複数の可変コンデンサＣｍを含み、出力側とプラズマ側のインピーダンスをマッチングさせる整合器１２５と、各給電ポイント近傍のコンデンサＣｐの電圧を検出するセンサＳｒと、センサＳｒにより検出された電圧に基づき複数の可変コンデンサＣｍをフィードバック制御する制御装置７００とを備える。 （もっと読む）

【課題】処理チャンバを効率的にメンテナンスすることができるプラズマ処理装置を提供する。
【解決手段】プラズマ処理装置１は、下部チャンバ１２及び上部チャンバ１３を有する処理チャンバ１１と、シリコン基板Ｋが載置される基台２０と、処理ガス供給装置２７と、コイル３２と、コイル用高周波電源３３と、貫通穴４１ａを有し、昇降自在に設けられる昇降板４１と、昇降板４１を支持して昇降させる昇降機構４２と、上部チャンバ１３を固定するための固定機構４６とを備える。固定機構４６は、固定板４７と、固定板４７により天板１６と昇降板４１とを連結，固定するための固定板４７及び第１固定ボルト４８，４９と、保持部材３２の鍔部３２ｂと環状板１４とを固定するための第２固定ボルト５０と、環状板１４と下部チャンバ１２の側壁１２ａとを固定するための第３固定ボルト５１とからなる。 （もっと読む）

【課題】室温近傍の比較的低い温度で基板を維持して加工する、例えば高アスペクト比のドライエッチング等のプラズマ処理装置でも、防護シールドの温度を適切に制御する。
【解決手段】一対の対向する電極２１，２３間の放電によるプラズマを用いて容器の１３中の対象物２９を処理するプラズマ処理装置１１であって、熱伝導性の側壁１９を有する容器１３と、側壁１９の外側に設けられ、側壁１９に熱を与え、又、側壁１９から熱を奪う流水管３７と、伝熱性の材料からなり、温度によって変形することによって側壁１９との接触面積が変化する防護シールド３３ａ，３３ｂと、防護シールド３３ａ，３３ｂを側壁１９の内側に熱伝導可能に取り付ける取付部３１とを備える。 （もっと読む）

【課題】レジスト膜をアッシングにより除去する際に、イオン注入による変質層のポッピングを防止できるとともに、半導体基板の酸化や掘れを抑制できる半導体装置の製造方法を提供する。
【解決手段】表面に変質層が形成されたレジスト膜を有する半導体基板を、処理チャンバ内に搬入するステップと、半導体基板を加熱するとともに、処理チャンバ内に不活性ガスを導入して処理チャンバ内の圧力を上げるステップと、次いで、処理チャンバ内に酸素ガスを導入し、酸素ガスのプラズマによってレジスト膜をアッシングするステップとを有する。 （もっと読む）

【課題】プラズマ表面処理において、固体誘電体層がヒートショック等で破損するのを防止する。
【解決手段】処理ヘッド１０に電極１１，１２を設け、これら電極１１，１２の放電生成面を固体誘電体層１３，１４でそれぞれ覆う。電極１１，１２の長手方向の中央部に対応する箇所には温度センサ３０を設け、その検出結果を制御部５に入力する。制御部５は、センサ３０の検出値に基づき電源３からの供給電力を制御する。 （もっと読む）

【課題】腐食性の高い処理ガスの使用を抑制することができるとともに、所望形状のパターンを精度良く形成することのできるプラズマエッチング方法、プラズマエッチング装置及びコンピュータ記憶媒体を提供する。
【解決手段】被処理基板上に形成されたポリシリコン層１０４を、所定形状にパターニングされたフォトレジスト層１０２をマスク層として処理ガスのプラズマによりエッチングする際に、少なくともＣＦ₃Ｉガスを含む処理ガスを用い、プラズマ中のイオンを被処理基板へ加速するセルフバイアス電圧Ｖｄｃが２００Ｖ以下となるように、被処理基板を載置する下部電極に高周波電力を印加する。 （もっと読む）

【課題】処理ガス吐出孔の形成領域を狭めることなく，循環ガス吐出孔の形成領域を確保して，循環ガスのコンダクタンスの調整範囲を従来以上に広くし，ひいては循環ガスの流量を大幅に調整可能とする。
【解決手段】処理室２００内で基板Ｇを載置する載置台３００と，処理ガス供給源２３２からの処理ガスを処理室内に供給する処理ガス供給機構２３０と，その処理ガスを基板Ｇに向けて吐出する処理ガス吐出孔を有するシャワーヘッド２１０と，処理室内のガスを外部に排出するとともに，排出されるガスの一部を循環ガスとして処理室内に戻すガス排気循環機構４００と，戻される循環ガスを基板に向けて吐出する循環ガス吐出孔を有する循環ガス吐出部２４０とを備え，シャワーヘッドは載置台に対向するように配置し，循環ガス吐出部は載置台の周囲を囲むように配置した。 （もっと読む）

【解決手段】少なくともチャックと上側電極とを備えるプラズマ処理システム内で位置およびオフセットを決定するための方法が提供されている。その方法は、光線を供給する光源を少なくとも備えるトラバース装置を第１の複数の経路に沿って移動させて、第１の複数のデータセットを生成する工程を備え、トラバース装置を第１の複数の経路の内の各経路に沿って移動させることにより、光線がチャックを横断し、第１の複数のデータセットの内の１または複数のデータセットが得られる。方法は、さらに、第１の複数のデータセットを受信する工程と、第１の複数のデータセットを分析して、光線がチャックのエッジに至った時に生成された３以上の反射光信号に関連する第１のセットの少なくとも３つの不連続を特定する工程とを備える。方法は、さらに、第１のセットの少なくとも３つの不連続に関連する座標データを用いて、チャックの中心を決定する工程を備える。 （もっと読む）

【課題】環境や洗浄部品に影響されずに、装置立上げ及びメンテナンス後の金属汚染量を低減することを可能とする基板処理方法を提供する。
【解決手段】装置立ち上げ時又はメンテナンス後の再稼働時の基板の生産処理に移行する前に、前記基板処理室に少なくとも窒素ガスを含むガスを供給しつつ排気して、生産処理移行後のプラズマ放電時の高周波電力よりも高くしてプラズマ放電し、その後、前記基板載置台に基板を載置して、該基板を処理する。 （もっと読む）