【課題】本発明により、誘導結合プラズマ源を使用する基板の周期的エッチングおよび付着の間のノッチングを防ぐ方法が提供される。
【解決手段】本方法により、誘導結合プラズマ源は、基板上の電荷蓄積を防ぐためにパルスを発生させられる。誘導結合プラズマ源のオフ状態は、電荷の流出が発生することができるのに十分な長さとなるが、低デューティ周期によりエッチング率が低くなる程長くならないように選択される。パルス発生は、絶縁層が露出されるように基板がエッチングされている時にのみ発生するように制御されてもよい。バイアス電圧を絶縁層に印加してもよく、バイアス電圧は、誘導結合プラズマ源のパルス発生と同位相であるいは位相を異にしてパルスを発生させられてもよい。 （もっと読む）

【課題】半導体製造に用いるプラズマ処理装置の、被処理基板を用いず処理容器内をプラズマ洗浄する工程において、被処理基板載置用電極の消耗の少ないプラズマ洗浄を実現する。
【解決手段】プラズマ洗浄を行っている間、磁場発生装置１５１により処理容器１００外から発生させた磁場により、処理容器内の載置用電極１１２外周部に電子サイクロトロン共鳴を発生させ、載置用電極１１２上でのプラズマ密度を低下させる。 （もっと読む）

【課題】プラズマの異常放電を抑制することができるプラズマエッチング方法を提供することを目的とする。
【解決手段】平板状の第１電極１１および第２電極１２を平行に対向して内部に有するチャンバー１０内に、後述の第２ガスよりもプラズマを励起させ難い第１ガスを導入するプラズマ放電準備工程と、プラズマ放電準備工程と同時乃至直後に、チャンバー１０内にプラズマ励起用の第２ガスを導入し、第１電極１１と第２電極１２の放電面間で第２ガスを介してプラズマ放電させるプラズマ放電開始工程と、プラズマ放電開始工程後、エッチングガスを導入することにより、第１・第２電極間の基板を処理するか、あるいはチャンバー１０内をクリーニングするエッチング工程とを含むことを特徴とするプラズマエッチング方法。 （もっと読む）

【課題】被処理物が落電等で損傷するのを防止するプラズマ表面処理装置を提供する。
【解決手段】電極３１にて処理ガスをプラズマ化する。この処理ガスを被処理物９に接触させる。処理容器１０が閉状態のときは、押さえ具２７が支持部２１及び被処理物９上に載り、引っ掛け部２７ａが係止部２６から離れる。このとき、押さえ具２７は、支持部２１と被処理物９の他は、いかなる部材とも接触していない。支持部２１は、押さえ具２７と、絶縁保持部と、絶縁性の連結部材２５と、被処理物９の他は、いかなる部材とも接触していない。したがって、支持部２１及び押さえ具２７は、電気的に浮いている。ひいては、被処理物９が電気的に浮いた状態（電気的フロート）になっている。 （もっと読む）

【課題】真空容器パージ作業時の圧力差による部品の破損を防ぐと共に、真空容器内の処理ガスの残留を抑えることができるプラズマ処理装置およびそのパージ方法を提供する。
【解決手段】プラズマ処理装置の減圧された処理室（Ｖ１）２２６内に側壁の不活性ガス導入用開口２３３から不活性ガスを導入して、処理室処理室（Ｖ１）２２６内を不活性ガスにより所定の圧力にしたのち、処理用ガスを導入する複数の貫通孔２２４に連通する処理用ガスの導入経路２１３、２１６（Ｖ２）に不活性ガスを供給して、複数の貫通孔２２４から処理室（Ｖ１）２２６内に不活性ガスを導入する。 （もっと読む）

【課題】基板に所望のプラズマ処理を適切に施すことができる基板処理装置を提供する。
【解決手段】基板処理装置１０は、ウエハＷを収容するチャンバ１１内部をプラズマ生成室１２及びウエハ処理室１３に仕切るイオントラップ１４と、プラズマ生成室１２内に配置される高周波アンテナ１５と、プラズマ生成室１２内に処理ガスを導入する処理ガス導入部１６と、ウエハ処理室１３内に配置されてウエハＷを載置し且つバイアス電圧が印加される載置台１７とを備え、イオントラップ１４は、プラズマ生成室１２からウエハ処理室１３へ向けて二重に配置された板状の上側イオントラップ板２０及び下側イオントラップ板２１を有し、上側イオントラップ板２０及び下側イオントラップ板２１のそれぞれは設置された導電体２０ａ，２１ａと該導電体２０ａ，２１ａの表面を覆う絶縁体からなる絶縁膜２０ｂ，２１ｂとを有する。 （もっと読む）

【課題】処理対象の基板に対し、半導体デバイスの小型化要求を満たす寸法の開口部であって、エッチング対象膜に転写するための開口部をマスク層又は中間層に形成する基板処理方法を提供する。
【解決手段】シリコン基材５０上にアモルファスカーボン膜５１、Ｓｉ−ＡＲＣ膜５２、フォトレジスト膜５３が順に積層され、フォトレジスト膜５３は、Ｓｉ−ＡＲＣ膜５２の一部を露出させる開口部５４を有するウエハＷにおいて、ＣＨＦ_３ガスとＣＦ_３Ｉガスとの混合ガスから生成されたプラズマによって、フォトレジスト膜５３の開口部５４の開口幅を縮小させる開口幅縮小ステップと、開口部５４の底部のＳｉ−ＡＲＣ膜５２をエッチングするエッチングステップを１ステップとして行う。 （もっと読む）

【課題】電極板の中心部と外周部に生じる温度差を小さくして、エッチング深さの面内均一性を向上させる。
【解決手段】プラズマ処理装置に用いられる電極板構成体２０であって、高周波電圧が印加される電極板３と、該電極板３の背面に緊密接触状態に固定される冷却板１４とから構成され、電極板３は中心部の厚さｔ１が外周部の厚さｔ２より小さく形成され、冷却板１４は、電極板３に対応して中心部の厚さが外周部より大きく形成されている。 （もっと読む）

【課題】プラズマ生成空間を区画形成する部材同士がそれぞれ膨張・収縮の際に直接に摩擦接触させるのを防止して摩耗による劣化及びパーティクルの発生を防止することができるプラズマ処理装置を提供する。
【解決手段】トッププレート５の円柱体６に形成した貫通穴７の上下両開口部をマイクロ波透過窓８と下蓋１３とで閉塞させることでプラズマ生成室Ｓが区画形成される。この下蓋１３をトッププレート５に締結固定するとき、下蓋１３とトッププレート５の連結部分に、緩衝用シート１８を介在させて締結固定し、フランジ部１５の上面１５ａと嵌合凹部１０の奥面１０ａが直接に接触しないようにする。 （もっと読む）

【課題】高周波電力を伝送する伝送線路上に発生するプラズマからの高調波による定在波を低減し、プロセスの再現性および信頼性を確保する。
【解決手段】処理ガス供給装置を備えた処理容器３７と、該処理容器内に配置され、処理ガスにプラズマ生成用高周波電源からの高周波エネルギを供給してプラズマを生成するアンテナ３８と、前記処理容器内に配置された基板電極１を備え、前記基板電極にイオン引き込み用高周波電圧を供給して前記プラズマ中のイオンを加速して前記基板電極上に載置した試料にプラズマ処理を施す処理装置において、ケーブル９ａ，９ｂ，９ｃの長さを切り換えるケーブル長切換手段１５ａ，１５ｂと、基板電極側からの反射波を検出する反射波検出手段１３と、前記ケーブル長切換手段を制御する切換制御手段１４を備え、プロセス処理に先立って前記ケーブル長をプロセス条件毎に予め設定した長さに切換えて前記反射波の高調波レベルを抑制する。 （もっと読む）

【課題】被処理体に付着する異物粒子数を低減させた真空処理装置を提供する。
【解決手段】排気系の調圧バルブとターボ分子ポンプの間の空間に、中心部にガスが通るための通路を設けた部材と、該部材の外周にターボ分子ポンプの回転ブレードと逆向きに傾斜した固定ブレードを複数枚設置して構成された異物粒子飛散防止ユニットを設置した。 （もっと読む）

【課題】性能の変動を抑制したプラズマ処理装置またはプラズマ処理方法を提供する。
【解決手段】真空容器内に配置された処理室と、この処理室内に配置された試料台上に載せられたウエハを該処理室内に形成したプラズマを用いて処理するプラズマ処理装置であって、前記ウエハ上に配置された金属の物質を有する膜およびこの下方に配置された酸化膜又は高誘電率を有する材料から構成された膜層をエッチングする処理の前に、予め前記金属の物質と同種の金属を含む膜を表面に備えた別のウエハを処理してこの金属から構成された粒子を堆積させてから前記ウエハ上の前記膜層を処理する。 （もっと読む）

【課題】対向するカソード／アノードの放電空間を複数有するプラズマ処理装置において、配線とカソードとの間に異常放電を発生させず、基板面内のプラズマ処理の均一化を図る。
【解決手段】プラズマ処理装置１００は、チャンバ３と、カソード１と、複数のアノード２とを備える。複数のアノード２は、カソード放電面に対してアノード放電面が対向するように配置されている。カソード１は、カソード端面に給電部５を有し、カソード放電面およびアノード放電面は、共通する一定の対称軸に関して線対称な形状である。カソード放電面およびアノード放電面の前記対称軸方向の最大幅は、前記対称軸に垂直な方向の最大幅よりも小さい。給電部５は、前記対称軸を含みカソード放電面に対して垂直な面である基準面とカソード端面との交差線上にある。アノード２は、前記基準面に対し面対称な位置に、接地部４３を有している。 （もっと読む）

【課題】プラズマ処理におけるトレーサビリティを確保することができるプラズマ処理装置を提供することを目的とする。
【解決手段】プラズマ処理装置は、データ記録部３５と履歴情報記憶部４１と生産履歴ファイル作成部４２ａを備えた構成とする。データ記録部は、処理対象物に対するプラズマ処理が終了する毎に、日時データ，対象物特定データ，整合器１８等の運転状態を示すマシン出力データ，放電状態検出部３４による良否判定結果を示す判定データを読み取って履歴情報記憶部に時系列的に記憶する。生産履歴ファイル作成部は指定された期間または日時に基づいて日時データ４１ｋ，対象物特定データを含んだ処理済ワーク情報４１ｊ，マシン出力データ４１ｃ，判定データ４１ｆを履歴情報記憶部から読み取り、トレーサビリティに有用な生産履歴ファイルを作成する。 （もっと読む）

【課題】基板の外観特性を改善できるようにした半導体装置の製造方法を提供する。
【解決手段】上部電極２１と、上部電極２１と向かい合って配置される下部電極２３とを有し、上部電極２１と下部電極２３との間の空間３５内に反応性ガス（例えば、ＣＦ_４、ＣＨＦ_３等）を供給するＲＩＥ装置５０の、下部電極２３上にウエーハＷを配置してパシベーション膜をエッチングする際に、排気スペース３３の高さｈを調整する。これにより、空間３５内において、反応性ガスの含有量を調整することができる。 （もっと読む）

【課題】プラズマ密度の分布特性を制御することで、プラズマ処理の均一性と歩留まりの向上を実現可能なプラズマ処理装置を提供することを目的とする。
【解決手段】内部が真空に保持可能な処理室を含む処理容器と、該処理室で基板を載置するとともに下部電極を兼ねた載置台と、前記基板の周縁を囲むように配され、前記載置台により一端が支持され、他端が前記処理容器の構成部材で支持された円環状部材と、前記下部電極に対向してその上方に配置される上部電極と、前記載置台に高周波電力を供給する給電体とを備え、前記処理室で発生するプラズマにより前記基板にプラズマ処理を施すプラズマ処理装置において、前記円環状部材の中間を支持する前記処理容器の構成部材であって、前記処理室外に延在する第１の中間導電体と、前記給電体とを電気的に接続又は非接続可能とする第１の可動導電体を有している。 （もっと読む）

【課題】ドライエッチング加工を行ったウェハにおけるデガスの影響による異物の発生を低減する。
【解決手段】半導体装置の製造方法は、各ウェハ１５０を略水平にして複数のウェハ１５０を上下に並べて収容するとともに、側方に設けられたドア１０４を含む収納容器１００に、ドライエッチング加工が行われた複数のウェハを順次収容する工程と、ドア１０４が開いた状態で、収納容器１００に収容すべきすべてのウェハ１５０が当該収容容器に収容されてから３０秒以上、収納容器１００内のウェハ１５０に対して水平方向からパージガスを吹き付ける工程と、を含む。 （もっと読む）

【課題】高い結晶性をもった物を製造することが可能なドライプロセス装置を提供する。
【解決手段】基板保持部１０ａに保持された基板１４の温度を所望の温度に保つ温度調整器と、前記基板保持部１０ａとターゲット保持部１０ｂとにそれぞれ配置された高周波電極１１ａ、１１ｂと、両電極の陰陽を切り替える陰陽切替器と、前記チャンバー内の気体を外部の排出するあたりその排気速度を調整する排気調整器と、前記チャンバー内へ供給する気体の供給速度を調整する給気調整器と、この給気調整器を介して前記チャンバーに供給する気体の種類を変更する気体切替器とからなり、前記基板保持部１０ａに保持された基板１４に対しスパッタリング法、イオン注入法、ＣＶＤ法等の異なった複数のドライプロセスを選択して連続実行する。 （もっと読む）

【課題】放電電極の面調整を短時間に、かつ、人的要因によるバラツキを抑制できる放電電極の面調整方法及び電極面位置計測装置を提供することを目的とする。
【解決手段】電極面１７に沿ったＺ方向の両端側の位置が電極面１７に交差する厚さ方向に移動可能に取り付けられた放電電極３における電極面１７のレベルを略一定となるように調整する放電電極３の面調整方法であって、複数の変位計６１が直線状に配置された計測部材４２を、変位計６１が電極面１７に対向するとともにＺ方向と直交するＹ方向に沿った位置に配置されるように設置する設置工程と、各変位計６１によって電極面１７のレベルを計測する計測工程と、計測工程で計測された結果に基づいて放電電極３の両端側の位置を調整する位置調整工程と、を備えている。 （もっと読む）

【課題】加工形状を安定して保持できるエッチングの量産処理方法を提供する。
【解決手段】真空処理室と、ガス供給装置と、プラズマを生成するプラズマ生成手段と、プラズマの発光をモニタする発光分光器と、その発光スペクトルを蓄積する装置を備え、前記真空処理容器内に搬入したウエハにプラズマ処理を施し、ウエハの量産処理を一時中断する装置未稼働時間（アイドリングＳＳ）が発生するエッチングの量産処理方法において、アイドリングＳＳ前後のクリーニングＳ２、Ｓ２’において、リアクタ最表面の反応生成堆積状態と温度の情報を含む前記プラズマ中の発光強度ＳｉＦ（１）、ＳｉＦ（２）をモニタし、これらの発光スペクトルを基にデーターベースＳ４を参照して、アイドリングＳＳ後のプラズマヒーティング工程Ｓ３の時間を調整してリアクタを加熱し、プラズマ加熱Ｓ３後に次の試料をエッチングＳ２する。 （もっと読む）