【課題】微細孔底面下の犠牲層を除去できる低コストの技術を提供する。
【解決手段】反応室６にバッファータンク３５を接続し、固体ＸｅＦ₂が配置されたガス供給装置３１を加熱して発生させたエッチングガスでバッファータンク３５を充填し、反応室６とバッファータンク３５を接続し、エッチングガスを導入し、処理対象物に紫外線を照射しながらエッチングガスと接触させる。プラズマを発生させずにエッチングするので、微細孔底面下の犠牲層をエッチングすることができる。 （もっと読む）

【課題】
【解決手段】定常状態のガス流を用いてシリコン層にフィーチャー（特徴部）をエッチングする方法を提供する。酸素含有ガス及びフッ素含有ガスを含むエッチングガスを用い、エッチングガスからプラズマを発生させた後、エッチングガス流を遮断する。 （もっと読む）

【課題】「空孔−酸素複合欠陥」のような熱処理では対応することができない欠陥についてのアプローチとして適切な処理を特定し、それに基づく半導体装置の製造方法を提供すること。
【解決手段】ゲートを形成するためのドライエッチング工程において、ゲート酸化膜の少なくとも一部分が露出する時点（ゲート酸化膜露出時点）までは一般的なプラズマガスとしてＨＢｒ、Ｃｌ_２及びＯ_２を含むものを用いて従来のエッチング工程を行う。一方、ゲート酸化膜露出時点以降は、引き続き同じチャンバ内でＣｌ以上の原子量を持つハロゲンとＡｒ以上の原子量を持つ希ガスを含むプラズマガスを用いて表面処理工程を行なうこととしたことにより、熱処理では回復できない欠陥の発生を抑制したこと。 （もっと読む）

【課題】キャパシタ特性の良好なスタック型の強誘電体キャパシタを有する半導体装置の製造方法を提供すること。
【解決手段】チャンバー５３内においてマスク２５を使用して上部電極膜２４、強誘電体膜１９、下部電極膜１８までをエッチングしてキャパシタ４０を形成した後に、下部電極膜１９のエッチング時に比べて副生成物量の付着量が少なくなるようにクリーニングされたチャンバー５３内でキャパシタ側壁をオーバーエッチングし、これにより、キャパシタ４０の底面に対するキャパシタ側壁の角度を、オーバーエッチング前に比べてオーバーエッチング後に大きくする工程を含んでいる。 （もっと読む）

【課題】サイドエッチングおよびオーバーエッチングの双方を抑制することができる金属パターンの形成方法を提供する。
【解決手段】基板１上に金属膜２が堆積される。金属膜２上に金属膜２の一部を覆うマスク３が形成される。異方性エッチングにより金属膜２のマスク３から露出された部分を厚み方向に部分的にエッチングすることで、金属膜２に異方性エッチングにともなう再付着膜４に覆われた側壁が形成される。側壁を有する金属膜２ｍのマスク３から露出された部分と再付着膜４とを基板１の材質のエッチング速度よりも金属膜２ｍの材質のエッチング速度が大きくなるようなエッチング条件で等方性エッチングによりエッチングすることで、金属パターン２ｐが形成される。 （もっと読む）

【課題】処理容器内の真空状態を維持したまま、載置台の上面の周辺部に対してカバー部材を載置・除去できるようにする。
【解決手段】処理容器３０内に供給された処理ガスをプラズマ化させることにより、相対的に小型の基板Ｗ２と相対的に大型の基板Ｗ１を処理容器３０内において選択的に処理可能なプラズマ処理装置５であって、処理容器３０内には、基板Ｗ１、Ｗ２を選択的に上面に載置させる載置台３１が設けられ、載置台３１の上面の中央部３１’には、載置台３１の上面の中央部３１’に載置される小型の基板Ｗ２の裏面を支持可能な位置に配置された中央昇降部材７０が設けられ、載置台３１の上面の周辺部３１”には、載置台３１の上面の中央部に載置された小型の基板Ｗ２の外側において昇降自在な周辺昇降部材７５が設けられ、周辺昇降部材７５は、載置台３１の上面に載置される大型の基板Ｗ１の裏面を支持可能な位置に配置されている。 （もっと読む）

【解決手段】(A)式(1)の化合物と式(2)の化合物との加水分解縮合で得られる金属酸化物含有化合物、
Ｒ¹_m1Ｒ²_m2Ｒ³_m3Ｓｉ(ＯＲ)_(4-m1-m2-m3) (1)
(Ｒはアルキル基、Ｒ¹〜Ｒ³はＨ又は１価有機基、m1〜m3は０又は１。m1＋m2＋m3は０〜３。)
Ｕ(ＯＲ⁴)_m4(ＯＲ⁵)_m5 (2)
(Ｒ⁴、Ｒ⁵は有機基、m4、m5は０以上の整数、Ｕは周期律表のＩＩＩ〜Ｖ族の元素。)
(B)式(3)又は(4)の化合物、
Ｌ_aＨ_bＸ (3)
(ＬはＬｉ，Ｎａ，Ｋ，Ｒｂ又はＣｓ、Ｘは水酸基又は有機酸基、ａは１以上、ｂは０又は１以上の整数、ａ＋ｂは水酸基又は有機酸基の価数。)
Ｍ_aＨ_bＡ (4)
(Ｍはスルホニウム、ヨードニウム又はアンモニウム、ＡはＸ又は非求核性対向イオン、ａは１以上、ｂは０又は１以上の整数。)
(C)有機酸、
(D)有機溶剤
を含む熱硬化性金属酸化物含有膜形成用組成物。
【効果】本発明組成物で形成された金属酸化物含有中間膜を用いることで、良好なパターン形成ができる。 （もっと読む）

【課題】Ｈｉｇｈ−ｋ／メタル構造を有する半導体素子のプラズマ処理の終点を高精度に検知して高精度加工を実現するプラズマ処理方法を提供する。
【解決手段】Ｗを含む膜２０５の処理終点を波長３６８〜４１６ｎｍ、４２４〜６８４ｎｍ、４１６〜４２４ｎｍのプラズマ発光および波長４００〜９００ｎｍの範囲において３種類以上の波長を１０ｎｍ以下の波長ごとに選択した反射光を使用して判定し、ＴｉＮ膜２０３の処理終点を波長４００〜４１０ｎｍのプラズマ発光を用いて判定し、ＴａＳｉＮ膜２０４の処理終点を波長４３５〜４４５ｎｍのプラズマ発光を用いて判定し、膜２０３膜２０４を含む膜の処理終点を波長２６０〜４６０ｎｍの範囲において３種類以上の波長を５ｎｍ以上の波長ごとに選択した反射光を使用して判定し、各材料層のエッチング進行を検知しながらプラズマ処理を行うｈｉｇｈ−ｋ／メタル構造を有する半導体素子のプラズマ処理方法。 （もっと読む）

【課題】 高電界による劣化メカニズムを最小化でき、信頼性のあるマイクロ波およびミリ波周波数動作に適したＨＥＭＴデバイスを製造することのできる半導体デバイス製造プロセスを提供する。
【解決手段】 半導体デバイスは、チャネル層及びショットキーコンタクトを形成するため、バリア層上においてドレイン領域とソース領域との間に配設されるＴゲートを含む。第１の不活性電界緩和プレートは、Ｔゲートの一部の上に配設され、第２の活性フィールドプレートは、バリア層上においてＴゲートの近傍に配設される。 （もっと読む）

【課題】所望の形状を有するゲート電極を形成することのできる半導体装置の製造方法を提供する。
【解決手段】本発明の実施の形態に係る半導体装置の製造方法は、半導体基板上に形成された半導体膜を加工してゲート電極を形成する工程と、ＨＢｒ、Ｃｌ_２、ＣＦ_４、ＳＦ_６若しくはＮＦ_３のうち少なくとも１つおよびＯ_２を含み、Ｏ_２の流量が全体の流量の合計の８０％よりも大きいガス、または、ＨＢｒ、Ｃｌ_２、ＣＦ_４、ＳＦ_６若しくはＮＦ_３のうち少なくとも１つ、Ｏ_２およびＮ_２を含み、Ｏ_２およびＮ_２の流量の合計が全体の合計の８０％よりも大きいガスのプラズマ放電により、前記ゲート電極の側面に保護膜を形成する工程と、前記保護膜を形成した後、前記半導体基板上の前記半導体膜の残渣を除去する工程と、を含む。 （もっと読む）

【課題】磁気ヘッドで使用されている厚いＡｌ_２Ｏ_３膜の上にルテニウム膜を形成したウエハの加工において、高い選択比が得られるドライエッチング方法提供する。
【解決手段】ＮｉＣｒ膜１５の上に、Ａｌ_２Ｏ_３膜１４、ルテニウム膜１３、ＳｉＯ_２膜、１２、レジストマスク１１を積層したウエハのエッチングにおいて、塩素と酸素を含む処理ガスを用いてルテニウム膜１３をプラズマエッチング処理し（図１（ｃ））、引き続きルテニウム膜１３をマスクとしＢＣｌ_３ガス主体の塩素ガスおよびアルゴンガスを含む混合ガスを用いてＡｌ_２Ｏ_３膜１４をプラズマエッチング処理する（図１（ｄ）。 （もっと読む）

【課題】生産性を低下させることなく、誘電体窓への反応生成物の付着を防止して、エッチングの信頼性や再現性を向上させる。
【解決手段】真空容器内にプロセスガスを供給するとともに、アンテナに高周波電力を供給することにより、誘電体窓を介して前記真空容器内に電磁波を放射し、前記真空容器内にプラズマを発生させ、前記真空容器内の電極に載置されている被エッチング材をエッチングするプラズマエッチング方法であって、前記真空容器内のプラズマモードを誘導結合プラズマが生成されるＨモードと静電結合プラズマが生成されるＥモードに繰り返し切り替えることを特徴とするプラズマエッチング方法を提供することにより、前記課題を解決する。 （もっと読む）

【課題】製造コストを低減することが可能な半導体素子の製造方法を提供する。
【解決手段】この発明に従った半導体素子の製造方法は、以下の工程：ＧａＮ系半導体層形成工程（Ｓ１０）、ＧａＮ系半導体層上にＡｌ膜を形成する工程（Ｓ２０）、エッチング速度が、Ａｌ膜を構成する材料より小さい材料からなるマスク層を形成する工程（Ｓ３０、Ｓ４０）、マスク層をマスクとして用いて、Ａｌ膜およびＧａＮ系半導体層を部分的に除去することにより、リッジ部を形成する工程（Ｓ５０）、Ａｌ膜の端面の側壁の位置をマスク層の側壁の位置より後退させる工程（Ｓ６０）、エッチング速度が、Ａｌ膜を構成する材料より小さい材料からなる保護膜を、リッジ部の側面およびマスク層の上部表面上に形成する工程（Ｓ７０）、Ａｌ膜を除去することにより、マスク層および当該マスク層の上部表面上に形成された保護膜の部分を除去する工程（Ｓ８０）、を備える。 （もっと読む）

【課題】アモルファスカーボン膜をハードマスク形状に加工する際、ボーイングやパターンの細りの起こらないアモルファスカーボンハードマスクの形成方法を提供する。
【解決手段】アモルファスカーボン膜１３を加工する際、途中まで加工した後（１６）、露出したアモルファスカーボン膜の側壁に酸化膜からなる保護膜１２ｂを形成する。特に、この保護膜を、アモルファスカーボン膜を加工する際の中間マスク層１２ａをスパッタリングすることで形成する。 （もっと読む）

【課題】真空中で行われるドライエッチングの微細加工の製造工程に特別な変更を加えることなく微細加工時に使用されるマスク材を二重に重ねて積層することで、製造工程中必然的に含まれる酸化過程により保護層の最表層に酸化層が形成されたとしても、ＭＲ比の低下を防止し、磁気抵抗効果素子としての性能を高く保持することができる磁気抵抗効果素子の製造方法を提供する。
【解決手段】少なくとも２層の磁性層を含む磁性多層膜からなる磁気抵抗効果素子のドライエッチング方法であって、Ｔａからなる第１のマスクの下層にＲｕ、Ｒｈ、Ｏｓ、Ｎｂ、Ｉｒ、及びＲｅのいずれか１つである第２のマスクを二重に積層する方法である。 （もっと読む）

【課題】基板から銅含有層の少なくとも一部を除去する方法であって、基板が少なくとも銅含有表面層を含む方法を提供する。
【解決手段】この方法は、第１反応チャンバ中で、銅含有表面層４の少なくとも一部を、ハロゲン化銅表面層５に変える工程と、第２反応チャンバ中で、光子含有雰囲気６に晒して、ハロゲン化銅表面層５の少なくとも一部を除去して、揮発性のハロゲン化銅生成物８の形成を始める工程とを含む。光子含有雰囲気６に晒す間に、この方法は、更に、第２反応チャンバから揮発性のハロゲン化銅生成物８を除去し、第２反応チャンバ中で揮発性のハロゲン化銅生成物８の飽和を避ける工程を含む。具体例にかかる方法は、銅含有層のパターニングに用いられる。例えば、本発明の具体例にかかる方法は、半導体デバイス中に銅含有相互接続構造を形成するのに使用される。 （もっと読む）

【課題】銅含有汚染物などの汚染物を壁から除去するために、反応性イオンエッチングチャンバの壁をその場洗浄する方法を提供する。
【解決手段】銅含有汚染物などの汚染物１３を、ハロゲン化銅化合物などのハロゲン化物化合物１８に変える工程と、ハロゲン化銅化合物などのハロゲン化物化合物１８を光子含有雰囲気に晒して、揮発性のハロゲン化銅生成物などの揮発性のハロゲン化物生成物１７の形成を始める工程とを含む。更に、反応チャンバ１２から、例えば揮発性のハロゲン化銅生成物などの揮発性のハロゲン化物生成物１７を除去し、反応チャンバ１２中で、揮発性のハロゲン化銅生成物などの揮発性のハロゲン化物生成物１７の飽和を防止し、これにより、反応チャンバ１２の壁に、揮発性のハロゲン化銅生成物などの揮発性のハロゲン化物生成物１７が再付着するのを防止する。 （もっと読む）

【課題】キャパシタにおける誘電体層の特性検査を容易にかつ正確に行うことができるようにしたキャパシタの検査方法と、このキャパシタの検査方法を用いた半導体装置の製造方法とを提供する。
【解決手段】基体上に第１電極膜５１ａ、強誘電体材料膜５２ａ、第２電極膜５３ａを形成する工程と、第２電極膜５３ａ上にハードマスク６０を形成する工程と、ハードマスク６０をマスクにして第２電極膜５３ａと強誘電体材料膜５２ａとを順次パターニングし、上部電極５３と強誘電体層５２との積層構造と第１電極膜５１ａとからなるキャパシタ構造５０を形成する工程と、第１電極膜５１ａと上部電極５３との間に電圧を印加し、キャパシタ構造５０における強誘電体層５２の特性検査を行う工程と、を含むキャパシタの検査方法である。 （もっと読む）

【課題】高アスペクト比を有する銅含有アルミニウム膜及びバリアメタル膜のドライエッチングにおいて、良好な加工形状を実現する。
【解決手段】絶縁膜上に、高融点金属を含有する金属導電膜と、銅含有アルミニウム膜と、マスク層を順次形成し、ドライエッチングによってこの金属導電膜及び銅含有アルミニウム膜の配線パターンを形成するドライエッチング方法を前提とする。そして、このようなドライエッチング方法において、炭化水素系ガスを含まない塩素系ガスを用いて上記銅含有アルミニウム膜をエッチングする工程と、炭化水素系ガスを含む塩素系ガスを用いて上記金属導電膜をエッチングする工程とを備える。即ち、銅含有アルミニウム膜の側壁保護に効果のあるメタンガスを、銅含有アルミニウム膜のドライエッチングが終了した後に添加することで、サイドエッチングを防止するのである。 （もっと読む）

【課題】基板上に形成された有機膜をエッチングするにあたり、良好なエッチング形状を得ること。
【解決手段】シリコン含有膜をプラズマによりエッチングして当該膜上のパターンマスクのパターンを転写する工程と、前記パターンマスクを除去して前記シリコン含有膜の表面を露出させる工程と、プラズマ中の酸素の活性種により前記シリコン含有膜のパターンを介して前記有機膜の表面をエッチングし、凹部を形成する工程と、その後、前記シリコン含有膜をスパッタして前記凹部の内壁面にシリコン含有物からなる保護膜を形成する工程と、凹部を、プラズマ中の酸素の活性種により前記シリコン含有膜のパターンを介して更に深さ方向にエッチングする工程と、を行うことで、凹部の側壁を酸素の活性種から保護しながらエッチングを行うことができるため良好なパターン形状が得られる。 （もっと読む）