【課題】 トランジスタの動作性能劣化を引き起こす可能性を軽減しつつ、低温プロセス、かつ、高スループットで有機化合物ガスを用いた基板処理を可能とする基板処理方法を提供すること。
【解決手段】 銅又は銅合金を含む薄膜を有した被処理基板の基板処理方法であって、複数の被処理基板Ｗと、複数のダミー基板ＤＷとを、複数段の被処理基板保持部６ａを有する被処理基板ボート５に、交互に保持させていく工程と、被処理基板Ｗ及びダミー基板ＤＷを、交互に保持した被処理基板ボート５を、有機化合物ガスを用いたドライ処理を行う処理容器に搬入する工程と、処理容器内において、被処理基板ボート５に保持された被処理基板Ｗに対し、有機化合物ガスを用い、銅又は銅合金を含む薄膜に対してドライ処理を行う工程と、を具備する。 （もっと読む）

【解決手段】透明基板上に１又は２以上の層で構成された膜が形成され、該膜の最表層がクロム系材料からなり、更に、該最表層上にドライエッチング用のエッチングマスク膜が設けられたフォトマスクブランクであって、上記エッチングマスク膜が、加水分解性シラン化合物の加水分解・縮合物、架橋促進剤化合物、及び有機溶剤を含む酸化ケイ素系材料膜形成用組成物を用いて成膜した膜厚１〜１０ｎｍの酸化ケイ素系材料膜であるフォトマスクブランク。
【効果】本発明のフォトマスクブランクのエッチングマスク膜は、塩素系ドライエッチングに対して高いエッチング耐性をもち、このエッチングマスク膜を用いてフォトマスクブランクを加工することにより、塩素系ドライエッチングであっても、薄いエッチングマスク膜で高精度の加工が可能である。 （もっと読む）

【課題】難エッチング材料を不活性ガスによりエッチングする際に残渣なく加工する方法を提供する。
【解決手段】難エッチング性の金属薄膜２上に、断面形状がハンマーヘッド型となるようにレジスト４を形成した後に前記金属薄膜をドライエッチングし、その後前記レジストを除去する。前記ハンマーヘッド型の断面形状を有するレジストパターンは、現像液に対する溶解速度が異なる２種類のレジストを積層塗布して露光・現像することによって得る。 （もっと読む）

【課題】エッチング処理中に、チャンバの構成部品の表面上にもポリマー堆積物が形成され、時間が経つと、剥離、剥がれ落ちて、パーティクル汚染源となる。そのパーティクルを低減できるプラズマ反応室の構成部品を提供する。
【解決手段】プラズマ処理チャンバに用いられる構成部品を、洗浄し、ポリマーの付着を促進する表面粗さに粗面化し、セラミック又は高温ポリマー等の被覆材料３２を構成部品の面上にプラズマ溶射する。構成部品としては、チャンバ壁、チャンバライナ３０、バッフルリング、ガス供給板２２、プラズマ閉じ込めリング１４及びライナ支持体が含まれる。ポリマーの付着を向上させることによって、プラズマ溶射構成部品の面は、処理チャンバ内のパーティクル汚染レベルを低下し、それによって歩留まりを改善し、チャンバ構成部品を洗浄及び／又は取り替えるのに必要な停止時間を減らすことができる。 （もっと読む）

【課題】Ａｕ系微細金属配線を線幅制御性良く形成することを可能とする半導体装置の製造方法を提供すること。
【解決手段】基板１上の絶縁膜２の上にＡｕを主材料とする金属配線層３を形成し、金属配線層３上にマスク用Ｗ層４を形成し、マスク用Ｗ層４上にレジスト層を形成してこのレジスト層をパターニングし、パターニングされたレジスト層５をマスクとしてマスク用Ｗ層４を反応性イオンエッチング法によりパターニングし、パターニングされたマスク用Ｗ層４をマスクとして金属配線層３を、アルゴンと酸素の混合ガスを用いる反応性イオンエッチング法により選択的に除去した後、マスク用Ｗ層４を反応性イオンエッチング法により除去することによってＡｕ系金属配線を形成する金属配線形成工程を備えることを特徴とする半導体装置の製造方法を構成する。 （もっと読む）

【課題】種々の被エッチング材料、プロセス条件に対応可能なエッチング特性分布調整手段を提供する。
【解決手段】内部を減圧可能な減圧処理室８と、該減圧処理室内に処理ガスを供給するガス供給手段と、前記減圧処理室内にマイクロ波を供給してプラズマを生成するマイクロ波供給手段１と、前記減圧処理室内に静磁場を生成する磁場生成用コイル１８，１９と、前記減圧処理室内に被処理材である試料を載置して保持する試料載置電極１１と、前記減圧処理室に接続され該減圧処理室内のガスを排気する真空排気手段１４を備え、前記減圧処理室、ガス供給手段の処理室へのガス供給部、マイクロ波供給手段の処理室へのマイクロ波導入部、試料載置電極、および真空排気手段を前記減圧処理室の中心軸に対して同軸上に配置し、前記マイクロ波導入部は、直線偏波のマイクロ波を円偏波のマイクロ波に変換するマイクロ波回転発生器２２を備え、前記磁場生成用コイルに励磁電流を供給する励磁回路には励磁電流を反転して供給する手段３３を備えた。 （もっと読む）

【課題】基板上に堆積されるべき物質は、半導体処理チャンバの種々の表面上の望ましくない物質を堆積する。高製造品質を維持するために、これを定期的、かつ最小の休止時間で、洗浄する必要があり、その方法と装置を提供する。
【解決手段】洗浄ガス混合物１０６の予備反応器１０２、と、そのバッファータンク１０７を有する装置を用い、ある時間に亘ってバッファータンク１０７に貯蔵した後、半導体処理チャンバ１００へ導入して、プラズマの発生なしで、かつ３００℃未満の温度で、前記チャンバの種々の表面から望ましくない物質を取除く。処理ガスとしては、ＮＦ３：ＮＯを１：１〜５：１で予備反応させたガスを用いる。又、表面上の望ましくない物質としては、ＰＳＧ、ＢＰＳＧ、ＳｉＯ２，ＳｉＮ、ＳｉＯＮ，ポリＳｉ、αＳｉ、微結晶Ｓｉ、やＭ（Ｍ；Ｔａ、Ｔｉ、Ｚｒ、Ｈｆ、Ｗ）の、Ｍ、ＭＮ、ＭＯｘ、ＭＯＮ、ＭＳｉＯｘＮｙ等が有る。 （もっと読む）

【課題】表面処理装置において、被処理物の表面上での処理ガスの流れを調節する。
【解決手段】被処理物９を支持部２１にて処理領域に配置して支持する。第１処理ガス供給系６０Ａにて、処理ガスを被処理物９の相対的に内側の部分に供給する。第２処理ガス供給系６０Ｂにて、処理ガスを被処理物９の相対的に外周側の部分に供給する。第１処理ガス供給系６０Ａの処理ガスの供給流量と第２処理ガス供給系６０Ｂの処理ガスの供給流量を互いに連関させて調節する。好ましくは、第１処理ガス供給系６０Ａの供給流量を第２処理ガス供給系６０Ｂの供給流量より大きくする。 （もっと読む）

【課題】絶縁膜上とホール内に形成したカーボンナノチューブを絶縁膜に損傷を与えることなく絶縁膜上から除去すること。
【解決手段】配線１５ａ上方に絶縁膜１７、１８を形成し、絶縁膜１７、１８をパターニングして配線１５ａに達するホール１７ａを形成し、ホール１７ａ内と絶縁膜１７、１８上面にカーボンナノチューブ２２を形成し、カーボンナノチューブ２２の層の上に第２絶縁膜２３を形成し、第２絶縁膜２３をエッチングすることによりカーボンナノチューブ２２を露出するとともに、カーボンナノチューブ２２の層の凹部に第２絶縁膜２３を残し、カーボンナノチューブ２２をエッチングしてカーボンナノチューブ２２の上端の位置を揃え、さらにカーボンナノチューブ２２上の第２絶縁膜２３をエッチングし、カーボンナノチューブ２２をエッチングして絶縁膜１７上面から除去するとともにホール１７ａ内に残す工程を含む。 （もっと読む）

【課題】電流の立ち上り特性、リーク電流特性に優れた結晶性シリコン薄膜半導体装置を提供する。
【解決手段】基板１００上に、アモルファスシリコン層１０１、パタンニングされたソース及びドレイン電極層１０２、基板１００側でアモルファスシリコン層１０１に接触しかつソースおよびドレイン電極層１０２にオーミック接触した結晶性シリコン層１０４、ならびにアモルファスシリコン層１０１に接触した結晶性シリコン層１０４の基板１００とは反対側にゲート絶縁層１０５を挟んで配置されたゲート電極層１０６、を有することを特徴とする薄膜半導体装置。 （もっと読む）

【課題】剥離するのが困難な窒化チタン膜を二酸化ケイ素および窒化ケイ素被覆された表面から除去するのに用いることができる新規なエッチング剤を提供する。
【解決手段】半導体堆積チャンバーおよび半導体用具、微小電気機械システム（ＭＥＭＳ）における装置、およびイオン注入システムのための洗浄もしくはエッチングにおいて、例えばケイ素、モリブデン、タングステン、チタン、ジルコウム、ハフニウム、バナジウム、タンタル、ニオブ、ホウ素、リン、ゲルマニウム、ヒ素およびそれらの混合物を、二酸化ケイ素、窒化ケイ素、ニッケル、アルミニウム、ＴｉＮｉ合金、フォトレジスト、リンケイ酸ガラス等およびそれらの混合物から、選択的に除去する場合に、Ｘｅをフッ素含有化学物質と反応させてＸｅＦ_２を形成しエッチング剤として用いる。 （もっと読む）

【課題】 放電方向に均一な放電を発生させ、放電効率を高める構造を提供すること。
【解決手段】 放電用電極体９，１０は電極２，３と電極２，３を覆う固体誘電体とを備えたものであって、固体誘電体の放電側表面がアルミナと、希土類元素（ＲＥ）を含む酸化物とからなり、かつＡｌをＡｌ_２Ｏ_３換算で６８質量％以上、９４質量％以下、希土類元素（ＲＥ）をＲＥ_２Ｏ_３換算で６質量％以上、３２質量％以下含有するものからなる。また、放電用電極アセンブリ１００は、放電用電極体を２つ備えてなり、これら放電用電極体を対向させてなる。放電処理装置は、放電用電極アセンブリを用いてプラズマを発生させるようになしたものである。これらにより、放電効率が向上するとともに、放電用電極体の放電側表面のプラズマに対する耐食性が向上する。 （もっと読む）

【課題】低コストの装置構成で処理精度の向上を図ることのできる基板処理装置を提供する。
【解決手段】基板Ｋの面における任意箇所に所定の処理を施す処理ヘッド７３と、基板Ｋと処理ヘッド７３とを相対的に移動させる駆動手段７４Ｘ,７４Ｙとを備え、基板Ｋと処理ヘッド７３とを相対的に移動させることで基板Ｋに１次元または２次元的な所定の処理を施す基板処理装置であって、前記駆動手段７４Ｘ,７４Ｙに見かけ上の真直進性を持たせるための制御データＤ６Ｘ，Ｄ６Ｙを記憶した記憶手段９２を備え、基板Ｋと処理ヘッド７３との相対的な移動に伴い前記制御データＤ６Ｘ，Ｄ６Ｙに基づき駆動手段７４Ｘ,７４Ｙを補正駆動するように構成する。 （もっと読む）

【課題】 フェンスの発生を回避するとともに、高エッチングレートでＴｉをエッチング可能であり、さらには、エッチングの過程でチャンバー内堆積物の発生を抑制し、パーティクル汚染を未然に防止できるプラズマエッチング方法を提供する。
【解決手段】 マスク層の下に形成された被エッチング層としてのＴｉ層が形成された被処理体に対し、チャンバー内圧力４Ｐａ以下でフッ素化合物を含むエッチングガスのプラズマを作用させ、Ｔｉ層をエッチングする第１のプラズマ処理工程と、第１のプラズマ処理工程の終了後、クリーニングガスのプラズマにより処理チャンバー内をドライクリーニングする第２のプラズマ処理工程と、を含み、クリーニングガスが、フッ素化合物、フッ素化合物と希ガスの混合ガス、及び酸素から成る群から選択された１つのガスのみから成るガスであり、第１のプラズマ処理工程によって生成したＴｉ化合物を含む堆積物を除去する。 （もっと読む）

【課題】生産性が向上し、かつ、半導体膜の導電膜からのはみ出し量が低減できる積層構造体及びその製造方法を提供すること。
【解決手段】本発明にかかる積層構造体は、半導体膜１５、ゲート絶縁膜１２、ソース電極１７、及びドレイン電極１８を有するものである。ゲート絶縁膜１２は、半導体膜１５下において、半導体膜１５の端から徐々に膜厚が薄くなるテーパー部を有する。ソース電極１７及びドレイン電極１８は、半導体膜１５上において、半導体膜１５のパターンからはみ出さないように形成され、半導体膜１５端からの距離が０以上０．３ｕｍ以下である。 （もっと読む）

【課題】吸引型のプラズマガン搭載型プラズマエッチング装置及びプラズマエッチング方法を提供する。
【解決手段】キャピラリー３とプラズマ発生用電極４を具備したプラズマガン２のキャピラリー先端部６が密閉容器１内に配設されてなり、前記プラズマガン２の密閉容器１外にある端部には排気装置７が連結されており、また、前記密閉容器１にはガス導入部８が設けられており、該ガス導入部８には反応性原料ガス供給ユニット９が連結されている。 （もっと読む）

【課題】金属薄膜をリモートプラズマによって処理するときのガスの種類によってドットの密度を制御可能な金属ドットの製造方法を提供する。
【解決手段】ＳｉＯ_２膜５０２がＳｉからなる半導体基板５０１上に形成され（工程（ｂ））、金属薄膜５０４がＳｉＯ_２膜５０２上に形成される（工程（ｃ））。その後、水素ガス、ヘリウムガス、アルゴンガス、窒素ガス、アンモニアガス、水素ガスとヘリウムガスとの混合ガス、水素ガスとアルゴンガスとの混合ガスおよび水素ガスと窒素ガスとの混合ガスの中から選択したガスを用いたリモートプラズマによって金属薄膜５０４を処理する（工程（ｄ））。これによって、金属ドット５０３がＳｉＯ_２膜５０２上に形成される（工程（ｅ））。 （もっと読む）

【課題】本発明は、半導体装置の製造方法等に関し、ハードマスクを用いることなくエッチング加工が可能となる半導体装置の製造方法を提供する。
【解決手段】本発明に係る半導体装置の製造方法は、ゲート絶縁膜及び素子分離膜２の上にゲート電極３を形成する工程と、第１の層間絶縁膜４を形成する工程と、第１のＡｌ合金膜からなるＡｌ合金配線５を形成する工程と、第２の層間絶縁膜６を形成する工程と、第２のＡｌ合金膜７ａを形成する。次いで、第２のＡｌ合金膜７ａ上にレジストパターン８ａを形成する工程と、レジストパターン８ａにフロロカーボン系ガスを用いたプラズマ処理を行うことにより、レジストパターンの表面に硬化層８ｂを形成する工程と、硬化層８ｂが表面に形成されたレジストパターンをマスクとして異方性エッチングを行うことにより第２のＡｌ合金膜７ａを加工する工程と、を具備することを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】本発明は、メタルマスクを用いて、簡易な方法により半導体基板に先細状ビア孔を形成するエッチング方法を提供することを目的とする。
【解決手段】半導体基板上に金属導電層を形成する工程と、該金属導電層上に第１の開口を有する第１メッキ層を形成する工程と、該第１メッキ層の側壁に該第1の開口より幅の狭い第２の開口を有する第２メッキ層を形成する工程と、該第２メッキ層をマスクとして第1のドライエッチングを行い該半導体基板をエッチングする工程と、該第1のドライエッチングの後に該第1メッキ層を残す選択的ウェットエッチングを行い該第２メッキ層をエッチングする工程と、該第２メッキ層をエッチングした後に該第1メッキ層をマスクとして第２のドライエッチングを行い該半導体基板をさらにエッチングする工程とを備えることを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】極紫外線フォトマスク、フォトマスクの製造方法、及びプラズマエッチングチャンバシステムを提供する。
【解決手段】極紫外線フォトマスク、フォトマスクの製造方法、及びプラズマエッチングチャンバシステム装置が提供される。極紫外線フォトマスクの製造方法は、フォトマスク基板１０上に上部膜を形成した後、上部膜をパターニングして傾いた側壁を有する上部パターン４５を形成する段階を含む。上部膜をパターニングする段階は、上部膜の上部面に傾いた第１方向に平行に運動する荷電された粒子を使用して、上部膜を異方性エッチングする段階を含む。 （もっと読む）