【課題】オフ電流が小さく、好ましくはオン電流及び移動度も高く、工程が簡略化された半導体装置の作製方法を提供する。
【解決手段】チャネルエッチ型の薄膜トランジスタの作製に際して、ゲート絶縁層上に少なくとも半導体層を形成し、半導体層上に導電膜を形成し、導電膜上にエッチングマスクを形成し、基板を反応室内に搬入し、導電膜を加工してソース電極及びドレイン電極層を形成し、反応室内に半導体エッチング用のガスを導入し、反応室内で半導体エッチング用のガスでエッチングを行い、基板を反応室から搬出し、その後エッチングマスクを除去する。すなわち、導電膜の加工から半導体エッチング用のガスで行うエッチングまでを同一チャンバー内で連続して行い、半導体エッチング用のガスで行うエッチングはエッチングマスクを除去する前に行う。 （もっと読む）

【課題】処理基板の中心部と周辺部のエッチング速度が異なるローディング効果を抑制することの出来るエッチング装置を提供する。
【解決手段】処理基板１１が載置されるステージ７が配置された陰極側電極３と、該電極に対向する陽極側電極との間に、前記陽極側電極側から前記陰極側電極側に貫通して、開口状態が調整可能な複数の開口部１００を有する障害物９を、処理基板１１の近傍に該基板の全面を覆うように配設することによって、前記基板の面内中心部のプラズマ密度を低減させて前記基板の中心部と外周部のプラズマ密度の偏りを抑制する。 （もっと読む）

【課題】従来のクラスタビーム法ではエッチングできなかった金属膜を酸化ガスと錯化ガスと希ガスとを用いたクラスタビームによりエッチング加工することが可能な金属膜の加工方法を提供する。
【解決手段】被処理体Ｗの表面に形成された金属膜７２をガスクラスタビームにより加工する金属膜の加工方法において、金属膜の元素を酸化して酸化物を形成する酸化ガスと酸化物と反応して有機金属錯体を形成する錯化ガスと希ガスとの混合ガスを断熱膨張させてガスクラスタビームを形成し、ガスクラスタビームを被処理体の金属膜に衝突させることにより金属膜をエッチング加工する。 （もっと読む）

【課題】試料の面方向について処理の均一性を向上させたプラズマ処理装置またはプラズマ処理方法を提供する。
【解決手段】真空容器内部の処理室と、この処理室内部に配置される試料がその上に配置される試料台と、前記真空容器の上部に配置され電界が透過する誘電体製の円板部材と、この円板部材の上方に配置され前記電界が上方から導入される円筒形の空洞と、この空洞の中央上方に配置され内部を前記電界が伝播する導波管と、前記空洞を構成し前記導波管との連結部を含む中央部とこの中央部の外周部とで前記円板部材の上面から異なる高さを有する第一及び第二の空洞部と、これら第一，第二の空洞部の上方に配置されこれらの高さを調節する調節器と、前記処理の進行に伴って前記調節器に前記第一，第二の空洞部の高さを変更する指令を発信する制御器とを備えたプラズマ処理装置。 （もっと読む）

【課題】露光装置の解像限界よりも狭い線幅を有するラインパターンを形成可能な微細パターン形成方法を提供する。
【解決手段】エッチングの対象となる薄膜の上に、ネガ型のフォトレジスト膜を形成する工程と、前記フォトレジスト膜を減圧雰囲気下で乾燥する工程と、使用する露光装置における解像限界よりも幅が小さい露光光透過部を有するフォトマスクを用いて、乾燥された前記フォトレジスト膜に対し前記露光光を照射して当該フォトレジスト膜を露光する工程と、露光された前記フォトレジスト膜を現像して当該フォトレジスト膜からエッチングマスクを形成する工程と、前記エッチングマスクを用いて前記薄膜をエッチングする工程とを含む、微細パターン形成方法が開示される。 （もっと読む）

【課題】レジストパターンサイズを必要以上に変動させることなく、レジストパターンのＬＷＲを改善できるレジストパターン改善化材料、レジストパターンの形成方法、及び半導体装置の製造方法の提供。
【解決手段】下記一般式（１）で表される化合物、及び下記一般式（２）で表される化合物の少なくともいずれかと、水とを少なくとも含有するレジストパターン改善化材料である。
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【課題】ＩＢＥにおいてイオンビームの斜め入射を行って基板上に凹凸構造を形成する際に、入射方向ごとに入射量が異なることによる影響を低減し、基板面内において、作製された素子間の特性のバラつきを低減させる。
【解決手段】基板がイオン引き出し用グリッド電極の斜向かいにある場合に、イオンビームエッチングによって形成される被処理面に平行であり且つ基板面に平行である第１の方向側に前記グリッド電極が位置する状態を第１の状態とし、該第１の方向と垂直であり且つ基板面に平行である第２の方向側に前記グリッド電極が位置する状態を第２の状態としたとき、前記第１の状態における基板の回転速度を前記第２の状態における基板の回転速度よりも速くする。 （もっと読む）

【課題】ハロゲンガスを用いずに銅部材のエッチングレートを高くすることができる基板処理方法を提供する。
【解決手段】基板処理装置１０において、円滑化された表面５０を有するＣｕ層４０を得た後、水素ガスにメタンガスを添加した処理ガスを処理室１５の内部空間へ導入し、該処理ガスからプラズマを生じさせて、酸化層４２のエッチングの際に生じた酸素ラジカル５２、並びにメタンから生じた炭素ラジカル５３を処理室１５の内部空間に存在させ、酸素ラジカル５２や炭素ラジカル５３から有機酸を生成し、該有機酸をＣｕ層４０の銅原子と反応させて銅原子を含む有機酸の錯体を生成し、さらに、該生成された錯体を蒸発させる。 （もっと読む）

【課題】本発明の実施形態は、生産性を向上させることができる反射型マスクの製造方法、および反射型マスクの製造装置を提供する。
【解決手段】実施形態によれば、基板の主面に反射層を形成する工程と、前記反射層の上に吸収層を形成する工程と、前記吸収層にパターン領域を形成する工程と、前記吸収層と前記反射層とに前記パターン領域を囲む遮光領域を形成する工程と、を備え、前記遮光領域を形成する工程において、前記反射層を塩素と酸素とを含むガスを用いてエッチング処理する反射型マスクの製造方法が提供される。 （もっと読む）

【課題】金属部材の劣化を抑えた集積回路装置の製造方法を提供する。
【解決手段】実施形態に係る集積回路装置の製造方法は、ハロゲンを含むガスを用いて金属部材をエッチングする工程と、エッチングされた前記金属部材を大気に曝すことなく、前記金属部材のエッチング面を覆うようにシリコン酸化膜を形成する工程と、前記シリコン酸化膜を除去する工程と、を備える。 （もっと読む）

【課題】製造に際して配線にヒロックが発生せず、かつエッチング形状の制御が容易な液晶表示装置を提供する。
【解決手段】液晶表示装置は、基板上にマトリクス配置された走査線と、信号線１２と、前記走査線及び信号線に接続される薄膜トランジスタと、前記薄膜トランジスタに接続される画素電極２７とを有する液晶表示装置において、前記走査線が下層からアルミニウム−ネオジム合金層２１１と高融点金属層２１２との積層構造からなり、前記信号線１２が下層から高融点金属層２３１とアルミニウム−ネオジム合金層２３２と高融点金属層２３３との３層構造からなり、高融点金属の種類に応じて、ネオジム含有量を調整する。 （もっと読む）

【課題】配線の引き出し性が向上されているとともに、配線間の短絡などの電気的問題が生じるおそれが抑制されており、かつ、配線が形成される領域の省スペース化が図られた半導体装置を提供する。
【解決手段】半導体装置１が備える基板４上の所定の層内に、第１の配線３が複数本並べられて設けられている。各第１の配線３は、それらの並べられた方向に沿って一方の側から他方の側へ向かうに連れて長く延ばされて形成されているか、あるいは短く縮められて形成されている。それとともに、各第１の配線３は、隣接するそれぞれの一端部３ａが並べられた方向と直交する方向において互いにずれた位置に配置されている。 （もっと読む）

【課題】所定の層が水分などに一切曝されることない半導体装置の作製方法を提供することを課題とする。
【解決手段】第１の膜、第２の膜及び第３の膜をこの順に積層して形成し、第３の膜上にレジストマスクを形成し、レジストマスクを用いて第３の膜をエッチングすることでマスク層を形成し、レジストマスクを薬液により除去し、マスク層を用いて第２の膜と第１の膜をドライエッチングすることで、第２の層と第１の層を形成し、少なくとも第２の層と第１の層を覆って第４の膜を形成し、第４の膜をエッチバックすることで、少なくとも第１の層の側面のすべてを覆ってサイドウォール層を形成することで薄膜素子を作製する。 （もっと読む）

【課題】エッチングレートを確保しつつ、マスクに対する良好なエッチング選択性を得ることができる誘電体デバイスの製造方法を提供する。
【解決手段】上記誘電体デバイスの製造方法においては、エッチングガスとして、塩素系ガス及びフッ化炭素系ガスの少なくとも一種を含むエッチングガスが用いられる。このエッチングガスのプラズマを用いたドライエッチングを実施することで、電極層４を構成する金属層４ａと導電性酸化物層４ｂとが順次エッチングされる。また、この種のエッチングガスを用いることで、電極層４のエッチングレートを確保しつつ、レジストマスクに対する良好なエッチング選択性を得ることができる。 （もっと読む）

【課題】高性能、高信頼性のトランジスタを有する半導体装置を作製する技術を提供する。
【解決手段】配線層を導電層から形成する際に酸化物半導体層を保護するための保護導電膜を酸化物半導体層と導電層との間に形成して、２段階のエッチングを行う。第１のエッチング工程には、保護導電膜は導電層よりエッチングされにくく、導電層と保護導電膜とのエッチング選択比が高い条件で行うエッチング方法を採用し、第２のエッチング工程には、保護導電膜は酸化物半導体層よりエッチングされやすく、保護導電膜と酸化物半導体層とのエッチング選択比が高い条件で行うエッチング方法を採用する。 （もっと読む）

【解決手段】透明基板上に形成された１又は２以上の層で構成された膜であり、該膜の最表層がクロム系材料からなる膜を塩素系ドライエッチングによってエッチングする方法であって、加水分解性シラン化合物の加水分解・縮合物、架橋促進剤化合物及び有機溶剤を含む酸化ケイ素系材料膜形成用組成物を用いて成膜した膜厚１〜１０ｎｍの酸化ケイ素系材料膜をエッチングマスクとして上記最表層を塩素系ドライエッチングする方法。
【効果】本発明のエッチングマスク膜は、塩素系ドライエッチングに対して高いエッチング耐性をもち、このエッチングマスク膜を用いてフォトマスクブランクを加工することにより、塩素系ドライエッチングであっても、薄いエッチングマスク膜で高精度の加工が可能である。 （もっと読む）

【課題】薄膜を複数条件で処理する短いエッチングにおいても正確に終点検出を実施できるプラズマ処理装置を提供する。
【解決手段】本発明は、薄膜を複数のプロセス条件で処理する短いエッチングにおいて、プロセス条件変更に伴い発生する発光変動を発光データ補正器により補正する事により、安定して終点検出が出来ることを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】測定対象物上に薄膜が形成されている場合でも、測定対象物の温度を従来に比べて正確に測定できる温度測定方法を提供する。
【解決手段】光源からの光を、基板上に薄膜が形成された測定対象物の測定ポイントまで伝送する工程と、基板の表面での反射光による第１の干渉波と、基板と薄膜との界面及び薄膜の裏面での反射光による第２の干渉波を測定する工程と、第１の干渉波から第２の干渉波までの光路長を算出する工程と、第２の干渉波の強度に基づいて、薄膜の膜厚を算出する工程と、算出した薄膜の膜厚に基づいて、基板の光路長と算出した光路長との光路差を算出する工程と、算出した光路差に基づいて算出した第１の干渉波から第２の干渉波までの光路長を補正する工程と、補正された光路長から測定ポイントにおける測定対象物の温度を算出する工程と、を備える。 （もっと読む）

【課題】複数の段差を備えた微細な３次元構造パターンの形成に好適なパターン形成方法及びパターン形成体を提供する。
【解決手段】パターン形成方法は、基板上に第１層目のハードマスク層１２、エッチストッパ層１３、第２層目のハードマスク層２２を形成し、該ハードマスク層及びエッチストッパ層をパターニングし、該ハードマスク層をエッチングマスクとして基板１１に異方性エッチングを行う。複数の段差を備えた微細な３次元構造パターン形成方法及びパターン形成体。 （もっと読む）

【課題】ＥＵＶ光及び検査光において吸収体層での反射率を低減でき、ＥＵＶ光および検査光の両方において高コントラストな反射型フォトマスクを提供する。
【解決手段】基板１と基板１上に形成された反射体層２と、反射体層２上に形成された吸収体層３を持つＥＵＶマスクブランクにおいて、吸収体層３の表面に所定の大小二つの表面粗さの凹凸４を形成する。 （もっと読む）