【課題】金属膜がアンダカットされることもなく、また、金属膜と酸化物膜とが階段形状になることもなく、エッチング面が垂直形状となるようにする多層膜のエッチング方法の提供。
【解決手段】基板上に設けられた少なくとも１種の金属膜と少なくとも１種の酸化物膜とからなる多層膜をエッチングする方法であって、エッチングガスとして、プラズマ中でラジカルを発生するガスとプラズマ中でイオンを発生するガスとを用いて行う。 （もっと読む）

改良された耐プラズマ性を有する充填ポリマー組成物が開示される。組成物はポリマーマトリックス中に分散された粒子フィラーを含む。粒子フィラーは、Ｎｂ_２Ｏ_５、ＹＦ_３、ＡｌＮ、ＳｉＣ又はＳｉ_３Ｎ_４、及び希土類酸化物であることが可能である。一実施形態では、組成物は、静電チャック用接着剤、シャワーヘッド用接着剤、ライナー用接着剤、シール材、Ｏリング、又はプラスチック部品として利用される。
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【課題】安定且つ短時間で装置の状態を変更可能なプラズマ処理装置及びプラズマ処理装置の運転方法を提供する。
【解決手段】処理容器内のプラズマに関与する高周波を出力する複数の高周波電源を有し、これらの出力電力を順番に段階的に大きくし、得られたプラズマにより被処理体に対して処理を行うプラズマ処理装置は、各高周波電源毎に設けられた高周波電源ユニットは、高周波電源とその出力を制御する電力制御部と、反射波の電力値を計測する反射波計測手段とを含み、さらに各反射波の計測電力値がしきい値以下になったか否かを判断する手段と、出力電力を１段階大きくする順番が回ってきた一の高周波電源について、他の高周波電源の反射波の計測電力値がしきい値以下になった後、予め設定した時間経過したときに当該一の高周波電源の出力電力を１段階大きくするためのタイミング信号を前記電力制御部に与える手段とを備える。 （もっと読む）

【課題】プラズマ処理装置において、簡易な構造で確実にワークと金属製マスクを固定できるワーク保持治具を提供する。
【解決手段】処理チャンバと、プラズマ生成部と、ステージと、ワーク保持治具とで少なくとも構成され、プラズマ生成ガスを吸引しプラズマを処理基板上にダウンフローさせて基板を処理するプラズマ処理装置において、ワーク保持治具が、処理基板６０を所定の位置に保持すると共に磁気を生じさせるワーク保持台５０と、ワーク保持台に保持された処理基板上に載置固定される磁性体からなるメタルマスク８０とによって構成され、ワーク保持台が、ワーク保持台から延出する少なくとも一対の位置決めロッドを具備すると共に、処理基板及びメタルマスクには、所定の位置に位置決め用孔が形成され、処理基板及びメタルマスクを、位置決めロッドがそれぞれの位置決め用孔に貫通するようにワーク保持台に載置することにある。 （もっと読む）

【解決手段】内部にドライエッチング領域が形成されるチャンバーと、チャンバー内部に配設された電極と、チャンバー外部に配設されたコイルとを備えるドライエッチング装置を用いてドライエッチングした後、コイルに印加する電力に対する電極に印加する電力の比を、ドライエッチング時と同じ又は大きくして、電極とコイルとに電力を印加してプラズマを発生させて、チャンバー内をクリーニングし、更に、コイルに印加する電力に対する電極に印加する電力の比を、ドライエッチング時より小さくして、電極とコイルとに電力を印加してプラズマを発生させて、チャンバー内をクリーニングする。
【効果】本発明のクリーニング方法は、膜のドライエッチングによりドライエッチング装置のチャンバー内壁に付着した金属化合物などを簡易な方法によって、効率的、かつ確実に除去することができる。 （もっと読む）

【課題】 半導体素子の微細パターン製造方法を提供する。
【解決手段】フィーチャー層３１０の第１領域Ａには第１マスク構造物を形成し、第２領域Ｂには第２マスク構造物を形成する。各々デュアルマスク層とエッチングマスク層とを含むように第１マスク構造物及び第２マスク構造物を形成する。第１マスク構造物及び第２マスク構造物のエッチングマスクパターンを等方性エッチングし、第１マスク構造物からエッチングマスクパターンを除去する。第１マスク構造物及び第２マスク構造物の両側壁にスペーサ３５０Ａ、３５０Ｂを形成する。第２マスク構造物上にあるエッチングマスクパターンをマスクとして第１領域Ａで間にボイドが形成されるように側壁スペーサ３５０Ａを含む第１マスクパターンと、第２領域Ｂで間に第２マスク構造物が介在するように側壁スペーサ３５０Ｂ、３５０Ｃを含む第２マスクパターンを形成する。 （もっと読む）

【課題】繋ぎ露光において、マスクパターンの一端部を幅広に形成したマスクを使用しなくても、マスクの相対的な位置ずれに伴う配線抵抗の増大や配線信頼性の低下などの電気的な特性劣化を抑制する。
【解決手段】本発明の半導体装置は、半導体基板上で隣り合う第１の露光領域及び第２の露光領域のうち、第１の露光領域に第１の露光マスクを用いて形成された第１配線パターン101と、第１配線パターン101と繋ぎ合わせるための配線パターンとして、第１配線パターン101と同層でかつ第２の露光領域に第２の露光マスクを用いて形成された第２配線パターン102と、第１配線パターン101と第２配線パターン102との繋ぎ合わせ部分に形成されたビア103,104と、ビア103,104の間に形成された繋ぎパターン105とを備える。 （もっと読む）

【課題】層間絶縁膜に開口した凹部の底部及び側壁から層間絶縁膜上面にかけて形成した導電膜を、導電膜形成後の凹部内に保護絶縁膜を形成すること無しに層間絶縁膜上面の導電膜のみを選択的に除去する方法を提供する。
【解決手段】導電膜のドライエッチングに際して、その最中に前記凹部内の開口部近傍にデポジション膜が形成されるようにエッチング条件を選択して行う。 （もっと読む）

【課題】良好に任意の形状に加工することが可能なエッチング装置、エッチング方法及びエッチングプログラム、並びに成膜装置を提供する。
【解決手段】エッチング装置３０は、イオンガン１１とＸＹステージ１２と制御部１３とＰＣ１５とを備える。予め測定されたエッチングが施される基板３１の厚みの分布から、升目状に区分された基板３１の各領域の被エッチング量を算出し、この被エッチング量に達するようにＰＣ１５は各領域におけるエッチング時間を判別する。このエッチング時間に負となる領域がある場合、当該領域にシャッタ４０を覆うことにより、エッチング時間に負となる領域での過剰なエッチングを防ぎ、基板３１を任意の形状に加工することができる。 （もっと読む）

【課題】加工精度を改善し、かつ厚い配線を得るための半導体装置の製造方法を提供することを課題とする。
【解決手段】絶縁性基板上に形成された導電性膜上に配線形成領域を覆う第１のフォトレジストパターンを形成する工程と、前記第１のフォトレジストパターンをマスクとする異方性エッチングにより前記導電性膜の上部を除去することで第１溝を形成する工程と、前記第１のフォトレジストパターンを除去した後、前記第１溝の底部の少なくとも一部が露出した開口を有する第２のフォトレジストパターンを形成する工程と、前記第２のフォトレジストパターンをマスクとする異方性エッチングにより前記第１溝の底部に露出する前記導電性膜の下部を少なくとも除去することで第２溝を形成する工程を備えることで、前記第１溝と第２溝に由来する配線分離溝と、前記配線分離溝により分離された配線とを形成することを特徴とする半導体装置の製造方法により上記課題を解決する。 （もっと読む）

【要 約】
【課題】ラジカルによる高速エッチングを行なえる技術を提供する。
【解決手段】フィルタ３０ａによって真空槽１１の内部をラジカル生成室３とエッチング室４とに区分けし、ラジカル生成室３内に二重ドームを突出させ、二重ドームの隙間２７に還元性ガスと酸化性ガスを含有するエッチングガスを導入し、アンテナ２４からマイクロ波を放射してプラズマを形成し、生成されたラジカルを放出孔２８からラジカル生成室３の内部に放出させる。ラジカルはフィルタ３０ａの小孔３２ａを通してエッチング室４に移動し、エッチング対象物２２の犠牲層をエッチング除去する。エッチング対象物２２の表面上に還元性ガスのプラズマを形成しておき、酸化性ガスのラジカルによって形成された犠牲層上の酸化物を還元除去すると、高速のエッチングを行なうことができる。 （もっと読む）

【課題】ウェットエッチング処理工程を含まず、塩素系ガスの専用処理設備を必要としない、安価な装置構成で処理可能な、クロム膜のパターニング方法を提供する。
【解決手段】基材１０上にクロム膜１１’を形成するクロム膜形成工程と、クロム膜１１’の上に、後のパターニング工程における酸素プラズマ条件で除去されないマスク材料膜１２’を形成するマスク材料膜形成工程と、マスク材料１２’膜をパターニングして所定のマスクパターン１２を形成するマスクパターン形成工程と、マスクパターン１２が設けられていない部分のクロム膜を、載置されるステージを加熱して酸素プラズマ条件の温度範囲とし且つ塩素原子を含まない酸素プラズマに晒して酸化クロムとして昇華除去するパターニング工程と、を有するように構成して、所定のクロムパターン１１を得る。 （もっと読む）

【課題】大型基板を均一にエッチング処理できるエッチング装置を提供する。
【解決手段】ラジカル生成室３の内部に、プラズマ形成装置１２を突き出させ、プラズマ形成装置１２の内側ドーム２４と外側ドーム２６との間にエッチングガスを導入し、内側ドーム２４の内側に配置したアンテナ２５から９１５ＭＨｚのマイクロ波を照射し、プラズマ化して外側ドーム２６の小孔２７から放出させ、ラジカル形成室３の内部でエッチングガスのラジカルを生成し、エッチング室４に導入し、処理対象物２２のエッチングを行う。 （もっと読む）

【課題】シリコン単結晶基板と信号線路との間に絶縁膜を形成することなく、ミリ波帯域での基板への電磁波の漏れによる減衰が小さいコプレーナ線路及びその製造方法を提供する。
【解決手段】高抵抗シリコン基板２２と、高抵抗シリコン基板上に形成された信号線路４２と、高抵抗シリコン基板上の、信号線路を挟む位置に形成された１対の接地導体４４とを備える。信号線路と接地導体間の、高抵抗シリコン基板の主表面２２ａ側に、凹部２４が形成されている （もっと読む）

【課題】上部電極膜に付着している残渣を確実に除去し、微細化した場合でも所望の特性を得ることができる半導体装置の製造方法及び容量素子の製造方法を提供する。
【解決手段】基板の上方に、下部電極膜２、強誘電体膜３及び上部電極膜４を形成し、その後、上部電極膜４のパターニングを行う。次に、強誘電体膜３のパターニングを行う。そして、強誘電体膜３のパターニング後に上部電極膜４に付着している残渣１３ａ及び１３ｂに対してウェット処理を行う。更に、ウェット処理後に上部電極膜４に付着している残渣１３ａ及び１３ｂに対してドライエッチング処理を行う。 （もっと読む）

【課題】メンテナンス及び清浄の頻度を低減し、長い稼動期間を有する反応炉を提供する。
【解決手段】反応炉２０は、ハウジング２２及びエッチングチャンバ２４を含み、ウェーハ２６は、底部電極２８に結合したチャックに配置される。チャンバ２４はさらに、チャンバ２４において発生したプラズマの結果として、接地されるか又は浮動電位を生成することを許可される側面周縁電極３０を含み、見通し経路に沿って、ウェーハ２６から、電極３２へ、又は電極３２を反応炉２０の反応チャンバ５１に結合させる窓３８へと、例えばスパッタリングによって材料が堆積するのを防止するシールド５０を含む。 （もっと読む）

【課題】ゲート長を決めるドライエッチングにおいてプラズマ発光をモニターすることによる終点検出方法を用いることにより半導体装置のゲート長を安定して製造する。
【解決手段】ソース拡散層、ドレイン拡散層及び柱状半導体層が基板上に垂直方向に階層的に配置され、柱状半導体層の側壁にゲートが配置される半導体装置の製造方法であって、柱状半導体層を埋め込むように第１の絶縁膜又は導電膜を成膜し、第１の絶縁膜又は導電膜を柱状半導体層上部に形成されたストッパーにより終点検出を行い平坦化し、第２の絶縁膜又は導電膜を成膜し、第２の絶縁膜又は導電膜のエッチングすると共にエッチング時のエッチングレートを算出し、第２の絶縁膜又は導電膜をエッチバックする際の第２の絶縁膜又は導電膜のエッチングレートを用いて第１の絶縁膜又は導電膜のエッチングの終点検出を行うことにより、第１の絶縁膜又は導電膜のエッチング量を制御する。 （もっと読む）

【課題】長時間に渡って安定的に使用できると共に、製造コストを低減することが可能な基板処理装置及び薄膜形成装置を提供する。
【解決手段】基板９を保持する導電性の基板ホルダ２０と、基板９にイオンビームを照射するイオンビーム源と、基板ホルダ２０をアースに接続するためのアース接続部１３と、アース接続部１３を基板ホルダ２０に対して接触又は非接触させるための駆動部１８とを具備する。そして、イオンビーム源から基板９にイオンビームを照射してエッチングしている間又はエッチングする直前に基板ホルダ２０にアース接続部１３を接触させることにより、基板ホルダ２０を接地する。 （もっと読む）

本開示は銅処理のためのデバイス、方法およびシステムを含み、具体的には、硫黄プラズマを用いた銅層処理を含む。１つ以上の実施形態は、銅を硫黄を含むプラズマガスと反応させて銅硫黄化合物を形成し、水で銅硫黄化合物の少なくとも一部を除去する方法を含むことができる。 （もっと読む）

【課題】主磁極を従来よりも微細にすることができる磁性材料の加工方法を提供する。
【解決手段】基板１の上方に、磁性材料を有する磁性体層３１を形成し、磁性体層３１の上に、塩化された状態での沸点が磁性材料の塩化物の沸点に比べて高い金属を含むマスク３５を形成し、塩素系ガスとの化学反応を含むドライエッチング法によりマスク３５から露出している領域の磁性体層３１をエッチングする工程により、磁気ヘッドの磁極を形成する工程を含む。 （もっと読む）