【課題】エッチング加工形状のウエハ面内における均一性が良好で、極微細加工、あるいは多層膜エッチングに好適なプラズマ処理装置を提供する。
【解決手段】内部を減圧可能な減圧処理室８と、該減圧処理室内に処理ガスを供給するガス供給手段９と、前記減圧処理室内にマイクロ波を供給してプラズマを生成するマイクロ波供給手段１と、前記減圧処理室内に被処理材である試料を載置して保持する試料載置電極１１と、前記減圧処理室に接続され該減圧処理室内のガスを排気する真空排気手段１４を備え、前記減圧処理室、ガス供給手段の処理室へのガス供給部、マイクロ波供給手段の処理室へのマイクロ波導入部、試料載置電極、および真空排気手段を前記減圧処理室の中心軸に対して同軸上に配置し、前記マイクロ波導入部は、入力されたマイクロ波の偏波面を回転させて前記処理室に供給するマイクロ波回転発生器２２を備えた。 （もっと読む）

【課題】真空中で行われるドライエッチングの微細加工の製造工程に特別な変更を加えることなく微細加工時に使用されるマスク材を二重に重ねて積層することで、製造工程中必然的に含まれる酸化過程により保護層の最表層に酸化層が形成されたとしても、ＭＲ比の低下を防止し、磁気抵抗効果素子としての性能を高く保持することができる磁気抵抗効果素子の製造方法を提供する。
【解決手段】少なくとも２層の磁性層を含む磁性多層膜からなる磁気抵抗効果素子のドライエッチング方法であって、Ｔａからなる第１のマスクの下層にＲｕ、Ｒｈ、Ｏｓ、Ｎｂ、Ｉｒ、及びＲｅのいずれか１つである第２のマスクを二重に積層する方法である。 （もっと読む）

【課題】 本発明はウエハ処理に関する。
【解決手段】 本発明は、1つ以上の測定処理、1つ以上のポリエッチング(P-E)処理及び1つ以上の金属ゲートエッチング処理を有する多層処理手順並びに多層/多入力/多出力(MLMIMO)モデル及びライブラリを用いてウエハを処理する方法を供する。前記MLMIMO処理制御は、多数の層及び/又は多数の処理工程間での動的に相互作用する挙動のモデル化を用いる。前記多数の層及び/又は多数の処理工程は、等方性及び/又は異方性エッチング処理を用いて作製可能なライン、溝、ビア、スペーサ、コンタクト、及びゲート構造の作製に関連づけられて良い。 （もっと読む）

【課題】本発明は、表面の有機物と金属不純物の両方を除去して清浄化できる方法と、清浄化した酸化物基板に酸化物薄膜を形成する方法の提供を目的とする。
【解決手段】本発明は、真空雰囲気中に置いた酸化物基板５を加熱することなしに、その表面に原子状水素および原子状重水素のうち少なくとも一方を接触させて該酸化物基板５の表面から金属不純物を除去する第１の清浄化工程と、前記酸化物基板５の表面に酸素プラズマを接触させて該酸化物基板５の表面から有機系不純物を除去する第２の清浄化工程を具備することを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】フォトレジストの縁部のバリの形成方法とアレイ基板の製造方法に関する。
【解決手段】当該アレイ基板の製造方法は、基板にゲート・ラインとゲート電極パターンを形成するステップと、データ・ラインと、ソース電極と、ドレイン電極と、ＴＦＴチャネル領域パターンとを形成し、フォトレジストを残し、パッシべーション層を堆積し、剥離工程によってフォトレジスト及びその上のパッシべーション層を除去するステップと、フォトレジストを塗布し、フォトレジストに山状の縁部のバリを形成し、透明導電薄膜を堆積し、剥離工程によってドレイン電極に直接に接続する画素電極パターンを形成する。 （もっと読む）

【課題】微細化を可能にすると共に、安定して良好な腐刻を行うことを可能にする腐刻方法を提供する。
【解決手段】Ｓｉ，Ｓｎのうち１種類以上の原子で構成された物質を腐刻対象物として、腐刻用ガスの放電により腐刻を行う際に、腐刻用ガスとして炭素原子を含まないハロゲン間化合物ガスを使用する。さらに、この腐刻用ガスに、腐刻側壁を表面酸化することにより異方性腐刻の水平方向の腐刻速度を低下させて異方性を強調するために、酸素原子を含む酸化性ガスを添加して、腐刻対象物に対して腐刻を行う。 （もっと読む）

【課題】高誘電率絶縁膜上に仕事関数制御金属導体を堆積した構造の半導体において、素子を劣化させることなく微細加工を施す。
【解決手段】半導体基板１０１上に形成されたＨｆあるいはＺｒを含む絶縁膜１０２、該絶縁膜上に形成されたＴｉあるいはＴａあるいはＲｕを含む導体膜１０３を有し、該導電膜上に形成したレジスト１０７を用いて、プラズマ雰囲気中で前記導電膜を加工する半導体加工方法において、前記レジスト１０７を、水素を含み酸素を含まないガスのプラズマ雰囲気中で除去する。 （もっと読む）

【課題】Ｃｕを主体とする配線について、配線抵抗を低く維持するとともに、ストレスマイグレーション耐性及びエレクトロマイグレーション耐性を向上し得る半導体装置及びその製造方法を提供する。
【解決手段】半導体基板１０の上方に形成された層間絶縁膜２８、３０と、層間絶縁膜２８、３０に形成されたビアホール３４及び配線溝３６内に形成され、Ｔａ膜より成るバリアメタル膜３８と、バリアメタル膜３８上に形成されたＴｉ膜４０と、バリアメタル膜３８及びＴｉ膜４０が形成されたビアホール３４及び配線溝３６内にそれぞれ埋め込まれ、Ｃｕより成る導体プラグ４４及び配線４６とを有し、Ｔｉ膜４０の膜厚が、配線溝３６の底部において４ｎｍ以下になっている。 （もっと読む）

【課題】彫刻欠陥、特にキャップの効果的な除去方法であって、彫刻エッジを損傷しない方法を提案する。
【解決手段】本発明は、フレキシブルキャリア上に堆積された金属膜からマスク投影レーザーアブレーション彫刻欠陥を除去する方法に関する。本発明によると、前記方法は、約１５００ＰＳＩから約３０００ＰＳＩの間で加圧された液体を前記欠陥上に噴霧することを含む。 （もっと読む）

本発明の実施形態はフォトマスクプラズマエッチングの後にインサイチュによるチャンバのドライクリーニングを行うための方法を含む。一実施形態において、本方法は支持ペデスタル上にフォトマスクを載置し、プロセスチャンバ内にプロセスガスを導入し、プロセスガスからプラズマを形成し、プラズマが存在する中フォトマスク上に載置されたクロムを含む層に対しエッチングを行い、支持ペデスタルからフォトマスクを取り除き、ペデスタルにダミー基板を載置し、ダミー基板が支持ペデスタル上に置かれている間に、プロセスチャンバに酸素を含むクリーニングガスを流すことによりインサイチュによるドライクリーニングプロセスを実行することを含む。
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【課題】被処理体の周囲に設けられた整流壁のたわみを軽減することの可能な処理装置を提供する。
【解決手段】
処理容器２０の内部に処理ガスを供給して、載置台３上に載置された被処理体Ｓに例えばエッチング等の処理を行うための処理装置２において、整流部材５は被処理体Ｓの各辺に沿って伸びる複数の整流壁５１を連結して、当該被処理体Ｓを囲むように構成され、各整流壁５１は、その両端部を支持部材５２にて支持され、且つ、その上縁が当該整流壁５１の中央部に向かって徐々に高くなる形状に形成される一方、下縁は前記載置台の上面と平行に形成されている。 （もっと読む）

【課題】半導体装置とその製造方法において、エッチング生成物を直接観察することなくその有無を判断すること。
【解決手段】シリコン基板１の上方に、第１の導電膜１９、強誘電体膜２０、及び第２の導電膜２１を形成する工程と、第２の導電膜２１をパターニングして上部電極２１ａにする工程と、強誘電体膜２０をパターニングしてキャパシタ誘電体膜２０ａにする工程と、レジストパターン３０をマスクにして、該レジストパターン３０の側面を後退させながら、第１の導電膜１９をエッチングし、下部電極１９ａを形成する工程と、上部電極２０ａの上面のうち、レジストパターン３０の後退を反映して他の領域よりも高位となった段差面２１ｘの幅を測定する工程と、段差面２１ｘの幅C₁に基づいて、キャパシタ誘電体膜２０ａの側面に付着したエッチング生成物の有無を判断する工程とを有する半導体装置の製造方法による。 （もっと読む）

【課題】 ＴＭＲ値が高く、ＲＡが低いＭＴＪデバイスを得ること。
【解決手段】 磁気抵抗素子の製造方法は、金属層を第１の厚さに形成する金属層形成ステップと、金属層を不活性ガスのプラズマに晒し、前記第１の厚さよりも小さい第２の厚さにエッチングするプラズマトリートメントを実行するプラズマ処理ステップと、前記プラズマトリートメントを施した金属層を酸化し、トンネルバリアを構成する金属酸化物を形成する酸化ステップと、を有するトンネルバリア形成ステップを有する。 （もっと読む）

【課題】ワークピースの層にエッチングすべき構造物の幅の臨界寸法増大を抑制する方法を提供すること。
【解決手段】構造物を規定するために、エッチングする層の少なくとも１部を覆って堆積され、保護するハードマスクであって、反応性金属を含有するハードマスクを選択する工程と；
エッチング工程の最中に、前記ハードマスクの腐食速度を遅くするために、前記ハードマスクを酸化性ガス流に露出させる工程、ここで、酸化性ガス流は窒素ガス、フッ素ガス、ホウ素ガスおよび炭素ガスの少なくとも１つを含む、
を具備する、ワークピースの層にエッチングすべき構造物の幅の臨界寸法増大を抑制する方法。 （もっと読む）

【課題】腐食性ガスを使用する処理工程を有する基板処理装置において、大型基板を処理することが可能な基板処理装置および基板処理方法を提供する。
【解決手段】腐食性ガスを用いて基板５０に処理を施す基板処理装置１０において、処理室１１と、処理室１１内に配置され、基板５０を収容可能な基板収容室１３と、基板収容室１３に腐食性ガスを流通させる腐食性ガス流通機構１５と、を備えている。 （もっと読む）

【解決手段】半導体プラズマ処理装置内で基板アーキングを検出する方法が提供されている。プラズマ処理装置の反応チャンバ内の基板支持体上に、基板が載置される。処理ガスが、反応チャンバ内に導入される。処理ガスからプラズマが生成され、基板は、プラズマで処理される。プラズマ処理中に反応チャンバ内で生成された選択ガス種のリアルタイム質量分析信号の強度が、監視される。選択ガス種は、基板アーキング現象によって生成されたものである。強度が閾値を越えた時に、アーキング現象が検出される。 （もっと読む）

【課題】１つの装置にて、２つ以上の工程を連続して行うことにより、デバイスを従来より短時間で、しかも効率的かつ低コストにて製造することが可能な強誘電体メモリ等のデバイスの製造方法及び製造装置を提供する。
【解決手段】製造方法は、基板上１１に下部電極層となる第１の電極層１５を形成する第１の工程と、第１の電極層１５上に強誘電体層１６を形成する第２の工程と、強誘電体層１６上に上部電極層となる第２の電極層１７を形成する第３の工程と、第２の電極層１７上に所定のレジストパターン２１を有するマスク２０を形成する第４の工程と、マスク２０を用いて第１の電極層１５、強誘電体層１６及び第２の電極層１７を選択除去し記憶素子を形成する第５の工程と、マスク２０を除去する第６の工程と、を含み、少なくとも、第４の工程及び第５の工程、または第５の工程及び第６の工程を、減圧下にて連続して行う。 （もっと読む）

【課題】生産性が向上し、かつ寸法精度が良い金属配線の製造方法、ＴＦＴの製造方法、及びそれを用いて製造されたＴＦＴを提供すること。
【解決手段】本発明にかかる金属配線の製造方法では、まず、主成分金属に、主成分金属より酸化物の生成エネルギーが低い添加金属が添加された第２の金属膜３０を成膜する。そして、第２の金属膜３０を酸化させて金属酸化物を形成し、第２の金属膜３０の表面に酸化層３２を形成する。次に、酸化層３２上にフォトレジスト３１を形成して、第１のドライエッチング条件により、酸化層３２をエッチングする。そして、第１のドライエッチング条件の場合と比較して、主成分金属の金属酸化物に対する選択比が高い第２のドライエッチング条件により、下層の第２の金属膜３０をエッチングする。 （もっと読む）

【課題】端部の勾配が急峻であり、所望の膜厚を確保することができ、マスクパターンとの形状の差が抑えられる導電膜を、エッチングを用いて作製する。
【解決手段】膜厚１μｍ以上１０μｍ以下のアルミニウムまたはアルミニウム合金を含む導電膜を、ウェットエッチングを用いて所定の膜厚となるまでエッチングした後、残りをドライエッチングでエッチングすることで、サイドエッチングを抑え、なおかつマスクの膜厚が減少するのを抑える。サイドエッチングを抑え、なおかつマスクの膜厚が減少するのを抑えることで、膜厚１μｍ以上１０μｍ以下といった厚膜のアルミニウムまたはアルミニウム合金を含む導電膜であっても、端部の勾配が急峻であり、所望の膜厚を確保することができ、マスクパターンとの形状の差が抑えられるようにエッチングすることが可能となる。 （もっと読む）

【課題】モノマーイオンの影響を最小にして表面粗さを低減し、かつ照射エリア内を均一に平坦化する。
【解決手段】ガスクラスターイオンビームを用い、固体表面を平坦に加工する方法において、ガスクラスターイオンビームの照射過程の少なくとも一部の期間において固体表面の法線とガスクラスターイオンビームとがなす照射角度を７０度より大きくし、かつモノマーイオンを分離せずにガスクラスターイオンビームをレンズ機構によってフォーカスさせて照射する。 （もっと読む）