【課題】
真空容器内のファラデーシールド有効範囲外（主に、チャンバー内壁）に付着した反応生成物の剥がれを抑制し、量産安定性に優れたプラズマ処理装置の運転方法を提供する。
【解決手段】
放電部と処理部とを有するプラズマ処理装置を用いて難エッチング材料からなる層が形成された試料をプラズマで処理するプラズマ処理方法において、試料をエッチングする前のエージング処理を行なう第１の工程Ｓ１と、試料上に形成された難エッチング材料からなる層をプラズマ処理することによりエッチングする第２の工程Ｓ２と、第２の工程Ｓ２の後に、プラズマ処理を行なうことにより処理部を構成するチャンバーの内壁の堆積膜を安定化させる第３の工程Ｓ３と、第２の工程Ｓ２と第３の工程Ｓ３とを繰り返す工程とを有する。 （もっと読む）

【課題】プラズマエッチングにより基板に貫通孔を形成する方法を提供すること。
【解決手段】基板上にマスクパターンを形成し、バイアス電力５００〜１０００Ｗの条件で、プラズマエッチングによりホール又はトレンチを形成する際に、ホール又はトレンチの底部周囲にマイクロトレンチを形成し、基板に貫通孔を形成する。 （もっと読む）

【課題】下地に対する選択比が大きく、テーパー形状の配線を形成するドライエッチング
方法を提供する。
【解決手段】基板上に導電性材料からなる膜を形成し、ＩＣＰエッチング装置を用いて前
記導電性材料からなる膜をドライエッチングして、テーパー角が６０°以下の配線を形成
する。また、基板上に導電性材料からなる膜を形成し、ＩＣＰエッチング装置を用いて前
記導電性材料からなる膜をドライエッチングして、テーパー角が６０°以下のゲート配線
を形成し、前記ゲート配線上にゲート絶縁膜を形成し、前記ゲート絶縁膜上に活性層を形
成する。 （もっと読む）

【課題】フォトマスクをエッチングする方法および装置を提供する。
【解決手段】フォトマスクをエッチングする方法は、上部に、フォトマスク用基板１２２を受けるように適合された基板支持用ペデスタル１２４を有する処理チャンバ１０２を提供するステップをふくむ。イオン−ラジカル用シールド１７０は、そのペデスタル上に配置される。基板は、イオン−ラジカル用シールドの下のペデスタル上に置かれる。処理ガスは、処理チャンバ内に導入され、プラズマが処理ガスから形成される。基板は、シールドを通過するラジカルを用いて主にエッチングされる。 （もっと読む）

【課題】複数の段差を備えた微細な３次元構造パターンの形成に好適なパターン形成方法及びパターン形成体を提供する。
【解決手段】基板上に第１層目のハードマスク層を形成し、基板上の第１層目のハードマスク層を備えた面に、順に、第２層目から第Ｎ層目までのハードマスク層を形成し、第Ｎ層目のハードマスク層のパターニング処理し、順に、第（Ｎ−１）層目から第１層目までのハードマスク層のパターニング処理し、パターニングされた第１層目から第Ｎ層目までのハードマスク層をエッチングマスクとして基板に第１段目の異方性エッチングしてパターニング処理することを特徴とするパターン形成方法。 （もっと読む）

【課題】ドライエッチングなど塩素系ガスを用いて基板処理を行う基板処理装置に、基板上の残留塩素除去専用のチャンバを追加することなく、効率的かつ確実に塩素除去できる基板処理方法を提供する。
【解決手段】基板処理装置の処理室で塩素系のガスを用いてドライエッチングなどの基板処理を行い、続いて同一の処理室内で炭化水素を含む混合ガスのプラズマ、例えばＣ２Ｈ４とＡｒの混合ガスのプラズマにより基板上の残留塩素を除去（Ｓ４）した後、処理済の基板をロードロック室に搬送して大気開放し、取り出す。 （もっと読む）

【課題】ＥＳＣの外周部に堆積したＣＦベースでＳｉ及びＡｌを含有する肩デポを効率よく除去するチャンバ内クリーニング方法を提供する。
【解決手段】Ｏ_２ガスとＦ含有ガスとの混合ガスをＥＳＣ２４の外周部２４ａに向けて圧力４００〜８００ｍＴｏｒｒで供給し、この混合ガスから生成されたプラズマをＥＳＣ２４の外周部２４ａに選択的に照射すると共に、ＥＳＣ２４の外周部２４ａ以外の上部表面にマスキングガスとしてＯ_２単ガスを供給し、ＥＳＣ２４の外周部２４ａ以外の上部表面のＦラジカルによる被曝を防止しつつ該外周部２４ａに付着した肩デポ５０を分解、除去する。 （もっと読む）

【課題】ヒロックに対して４００℃程度の耐熱性を有するＮｄ添加量２ａｔ％のＡｌＮｄ層を塩素系ガスでプラズマエッチングする場合、フェンスと呼ばれる反応生成物が堆積した領域が生じる。フェンスの存在により、ＡｌＮｄ層をゲート電極としてＴＦＴを形成した場合、ゲート電極脇に電気的に不安定な領域ができることから、ＴＦＴの電気的特性が不安定になる場合があるという課題がある。
【解決手段】ＡｌＮｄ層２０３を層厚０．４５μｍ以上０．８μｍ以下、Ｎｄの含有量を０．５ａｔ％以上１．０ａｔ％以下に形成した。この条件範囲であれば、塩素ガスを主としたプラズマエッチングを行ってもフェンスの発生が抑えられる。また、基板温度を５００℃まで上げられることから、層間絶縁層２１１として信頼性が高い酸化シリコン層をＡｌＮｄ層２０３にヒロックを発生させることなく形成することができ、信頼性が高いＴＦＴ２２０を提供することが可能となる。 （もっと読む）

【課題】レジスト残渣に起因するリーク電流の増大を生じさせることがなく、微細パターンの形成が可能であり、電極のエッジ部分の絶縁膜が薄くなることに起因するリーク電流の増大を抑制することが可能な電磁気素子の製造方法を提供すること。
【解決手段】基板上に、１２(Ｃａ_xＳｒ_1-x)Ｏ・７Ａｌ₂Ｏ₃（０≦ｘ≦１）を含む絶縁膜を形成する絶縁膜形成工程と、絶縁膜の上にアンモニウム塩アルカリ溶液を含む現像液で現像可能な第１フォトレジストを塗布し、第１フォトマスクパターンに応じて第１フォトレジストを露光する第１フォトレジストパターン形成工程と、第１フォトレジストをアンモニウム塩アルカリ溶液を含む現像液に接触させ、第１フォトレジストの可溶部分の溶解と同時に、絶縁膜をエッチングする現像・エッチング工程とを備えた電磁気素子の製造方法。 （もっと読む）

【課題】 複数の溝によって複数の電極に区画される、絶縁基板上に成膜された導電性薄膜の特性をより細やかに測定することが薄膜特性測定方法を提供する。
【解決手段】 本発明は、溝を挟んだ２つの電極間の電気的特性を測定するものである。溝を挟む一方の電極における溝に面した沿面側部分と、溝と、溝を挟む他方の電極における溝に面した沿面側部分とでなる部分を、コンデンサとみなして、コンデンサに対する特性測定方法を適用して、溝を挟んだ２つの電極間の電気的特性を測定する。 （もっと読む）

【課題】磁性膜又は反磁性膜をエッチングする際に発生するパーティクルの混入を抑制し、高性能なTMR素子を製造する方法を提供する。
【解決手段】炭化水素類、アルコール類、エーテル類、アルデヒド類、カルボン酸類、エステル類及びジオン類からなるガス化化合物群から選択された少なくとも一種のガス化化合物を０．５×１０^１７分子数／分・ｍ^２以上、好ましくは２×１０^１７分子数／分・ｍ^２以上の分子流速の条件下において形成したプラズマ雰囲気下で、磁性膜又は反磁性膜をエッチングする。 （もっと読む）

【課題】プラズマ処理を行うときにマスクとして使用するフィルムを搬送する時に、これに生じる張力を調整することで、フィルムの延びを防止することができるプラズマ処理装置を提供する。
【解決手段】処理ステージよりも上流側にあるダンサーローラ１１２ａと、処理ステージよりも下流側でフィルムテープ１０１に搬送のための駆動力を与えるアクチュエータ１１７とをみ、ダンサーローラ１１２ａは、一定の力に応じてフィルムテープ１０１に張力を与え、張力が増大すると一定の力とは反対の方向に移動してフィルムテープ１０１を送り出す。フィルムテープ１０１は、処理ステージでワークピース１６のプラズマジェット５によって処理される部分上に開口部１００が位置するように配置され、開口部１００を介してプラズマジェット５による処理が行われる。 （もっと読む）

【課題】磁性体層又は反磁性体層をエッチングする際のパーティクルの混入を抑制し、高性能なTMR素子を提供する。
【解決手段】炭化水素類ガス、アルコール類ガス、エーテル類ガス、アルデヒド類ガス、カルボン酸類ガス、エステル類ガス及びジオン類ガスからなる化合物ガス群から選択された少なくとも一種の化合物ガス、及び酸素ガスを有する混合ガス中の全炭素原子数Ｃｎと全酸素原子数ＯｎとがＯｎ／Ｃｎ＞１の関係を満たし、該混合ガスを用いて形成したプラズマ雰囲気下で、磁性体層又は反磁性体層をエッチングする。 （もっと読む）

【課題】低開口率の被エッチング材料に対しても終点検出ができる終点検出装置、ドライエッチング装置及びドライエッチング方法を提供すること。
【解決手段】被エッチング材料をドライエッチングするドライエッチング装置において、レーザ光を発生させるレーザ光発生装置と、レーザ光発生装置から発射されたレーザ光を被エッチング材料の表面に照射してプラズマ発光スペクトルデータを検出する手段と、被エッチング材料がドライエッチングされる際に発生する反応生成物のプラズマ発光スペクトルデータを検出する手段と、エッチングガスのプラズマ発光スペクトルデータを反応生成物のプラズマ発光スペクトルデータで除算することを含む数式で求めた演算データを用いて被エッチング材料の終点検出を行う制御装置と、を備えることを特徴とするドライエッチング装置。 （もっと読む）

【課題】抵抗変化材料に含まれる金属酸化物の反応生成物がＭＩＭ型素子の側壁に付着した場合でも、抵抗変化素子の性能を劣化させない素子構造を有する半導体記憶装置及びその製造方法を提供する。
【解決手段】半導体基板上に下部電極３が配設され、下部電極３上に抵抗が変化する抵抗変化素子４が配設され、抵抗変化素子４上に上部電極５が配設され、抵抗変化層４と上部電極５の側壁面には、抵抗変化層４のドライエッチング時に発生した反応生成物８が付着している。上部電極５（第１領域）はトレンチ形状７に加工され、反応生成物８はトレンチ形状７となった分断された上部電極９（第２領域の）の側壁面に付着する。上部電極の第１領域５は、上部電極５上に配設されたプラグ１１に対して電気的に接続され、第２領域９は電気的に非接続であり、第１領域５と第２領域９とは、物理的に非接触構造である。 （もっと読む）

【課題】反応器内におけるプラズマ環境の浸食的および腐食的性質ならびにパーティクルおよび／または金属による汚染を最小限し、消耗品やその他部品を含めて、十分に高い耐浸食性および耐腐食性を有する装置部品を提供する。
【解決手段】プラズマ雰囲気における耐浸食、耐腐食および／または耐腐食−浸食を与える溶射イットリア含有被膜を備える半導体処理装置の構成要素。この被膜は下地を物理的および／または化学的攻撃から保護することができる。 （もっと読む）

【課題】本発明は、表面エネルギーの低い薄膜に、ダメージなくパターニングを行う薄膜のパターニング方法、デバイス及びその製造方法を提供することを目的とする。
【解決手段】薄膜２０上に、蒸着膜３０を積層する工程と、
前記蒸着膜上に、フォトレジスト層４０を積層する工程と、
フォトリソグラフィにより、前記フォトレジスト層をパターニングし、パターニングされた前記フォトレジスト層を用いて前記蒸着膜をエッチングしてパターニングする工程と、
パターニングされた前記蒸着膜をパターンマスクとして、前記薄膜をエッチングしてパターニングを行う工程と、を含むことを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】基板上へのパーティクルの付着を効果的に防止することが可能なプラズマエッチング装置を提供する。
【解決手段】高周波電圧が印加され、その上面に沿って処理対象基板が配置されるものであって、傾斜した側面を有する電極１０と、電極１０の側面に沿って設けられた電極カバー２０とを備える。 （もっと読む）

本発明は、エッチングすべき少なくとも１つの材料（４）を含む構造体（１）をエッチングするための方法に関し、この方法は、エッチングすべき前記材料（４）と反応できる少なくとも１つの化学種を選択するステップと、前記化学種を放出できる少なくとも１つの可溶性化合物を選択するステップと、前記化合物および懸濁状態にある粒子または固体の粒（１３）の粉体を含む溶液（１１）を製造するステップと、前記溶液内に前記エッチングすべき材料を入れるステップと、前記化学種を発生し、これら化学種がエッチングすべき前記材料と反応し、それによって可溶性化合物または沈殿物を生成するように活性キャビテーションバブルを発生できる、少なくとも１つの周波数の高周波超音波を前記溶液内に発生するステップとを備える。
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【課題】ポリシリコン膜下層の金属材料を、ポリシリコン膜へダメージを与えずにエッチング処理する方法を提供する。
【解決手段】ポリシリコン膜１０５をエッチングした後に、カーボンを含むプラズマによりポリシリコン膜１０５の側壁にカーボンポリマの保護膜１０７を形成させることで、ウェハの高温化や処理圧力の低圧力化により揮発性をあげたエッチング条件下で、ハロゲン系ガスのプラズマにより下層膜である金属材料１０４のエッチング処理を行っても、ポリシリコン膜１０５のサイドエッチ及び側壁荒れを防止することができる。また、このカーボンポリマによる保護膜１０７により、金属材料１０４をエッチングする際に飛散した金属物質はポリシリコン膜１０５に直接付着することなく、アッシング工程によりカーボンポリマの保護壁１０７とともに簡単に取り除くことができる。 （もっと読む）