半導体素子の製造方法および半導体素子
【課題】 半導体素子の微細パターン製造方法を提供する。
【解決手段】フィーチャー層310の第1領域Aには第1マスク構造物を形成し、第2領域Bには第2マスク構造物を形成する。各々デュアルマスク層とエッチングマスク層とを含むように第1マスク構造物及び第2マスク構造物を形成する。第1マスク構造物及び第2マスク構造物のエッチングマスクパターンを等方性エッチングし、第1マスク構造物からエッチングマスクパターンを除去する。第1マスク構造物及び第2マスク構造物の両側壁にスペーサ350A、350Bを形成する。第2マスク構造物上にあるエッチングマスクパターンをマスクとして第1領域Aで間にボイドが形成されるように側壁スペーサ350Aを含む第1マスクパターンと、第2領域Bで間に第2マスク構造物が介在するように側壁スペーサ350B、350Cを含む第2マスクパターンを形成する。
【解決手段】フィーチャー層310の第1領域Aには第1マスク構造物を形成し、第2領域Bには第2マスク構造物を形成する。各々デュアルマスク層とエッチングマスク層とを含むように第1マスク構造物及び第2マスク構造物を形成する。第1マスク構造物及び第2マスク構造物のエッチングマスクパターンを等方性エッチングし、第1マスク構造物からエッチングマスクパターンを除去する。第1マスク構造物及び第2マスク構造物の両側壁にスペーサ350A、350Bを形成する。第2マスク構造物上にあるエッチングマスクパターンをマスクとして第1領域Aで間にボイドが形成されるように側壁スペーサ350Aを含む第1マスクパターンと、第2領域Bで間に第2マスク構造物が介在するように側壁スペーサ350B、350Cを含む第2マスクパターンを形成する。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【0001】
本発明は、半導体素子に関し、特に半導体素子の製造方法に関する。
【背景技術】
【0002】
半導体素子が高集積化されるにつれて、半導体素子とそれらの間のスペースのフィーチャーサイズ(feature size)も縮小してきた。その結果、素子フィーチャーの形成に用いられる多様なパターンがスケールダウン(scale−down)された。しかし、パターン形成に用いられる通常のフォトリソグラフィー工程での解像限界によって、多様な基板材料上に十分に微細なラインアンドスペースパターン(以下、“L/Sパターン”と称する)を形成することがさらに難しくなった。
【0003】
前記のような半導体素子をさらに高集積化する1つの方法として、比較的微細なピッチを有する微細なパターンを形成するために、SARP(self−aligned reverse patterning:自己整列リバースパターニング)とも呼ばれるフォトリソグラフィー工程を利用する方法がある。SARP方法によれば、フィーチャー(または、フィーチャー層)が形成される層上にパターンを形成しうる。前記パターン上にコンフォーマル層(conformal layer)を形成し、次いで、このコンフォーマル層を前記前記フィーチャー層及びパターンから除去するが、前記パターンの側壁には、前記コンフォーマル層の一部を残しうる。その後、前記パターンを除去し、前記側壁にあったコンフォーマル層部分を残せる。前記コンフォーマル層の残りの部分は、マスクパターンを限定でき、前記フィーチャー層を逆相パターンでエッチングするのに用いられる。
半導体素子の製造に使用するためのパターンを形成するために、フォトリソグラフィーを利用することが、例えば、特許文献1から4に記載されている。
【先行技術文献】
【特許文献】
【0004】
【特許文献1】米国特許6475891号明細書
【特許文献2】米国特許6723607号明細書
【特許文献3】米国特許7115525号明細書
【特許文献4】米国特許7253118号明細書
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【0005】
本発明の目的は、単一のフォトリソグラフィー工程を通じて、互いに異なる幅を有するマスクパターン要素を含む複数のマスクパターンを同時に形成する方法を提供することである。
【課題を解決するための手段】
【0006】
本発明の請求項1に対応する解決手段1によれる半導体素子の製造方法では、フィーチャー層の第1領域には第1マスク構造物を形成し、第2領域には第2マスク構造物を形成する。各々デュアルマスク層、および、前記デュアルマスク層上に形成されて前記デュアルマスク層に対してエッチング選択比を有するエッチングマスク層を含むように前記第1マスク構造物及び第2マスク構造物を形成する。前記第1マスク構造物及び第2マスク構造物のエッチングマスクパターンを等方性エッチングして、第2マスク構造物ではエッチングマスクパターンの少なくとも一部を残しつつ、前記第1マスク構造物から前記エッチングマスクパターンを除去する。前記第1マスク構造物及び第2マスク構造物の両側壁にスペーサを形成する。前記第2マスク構造物上にある前記エッチングマスクパターンをマスクとして前記第1領域でスペーサの間から前記第1マスク構造物を選択的に除去し、前記第1領域で間にボイドが形成されるように、相互対向する側壁スペーサを含む第1マスクパターンと、前記第2領域で間に前記第2マスク構造物が介在されるように、相互対向する側壁スペーサを含む第2マスクパターンを形成する。
【0007】
請求項2に対応する解決手段2では、前記第1マスクパターンをマスクとして第1領域に第1フィーチャーを形成して、前記第2マスクパターンをマスクとして第2領域に前記第1フィーチャーより広い幅を有する第2フィーチャーを形成するように、前記フィーチャー層をパターニングしうる。
【0008】
請求項3に対応する解決手段3では、前記等方性エッチングの前に、前記第2マスク構造物のエッチングマスクパターンの厚さは、前記第1マスク構造物のエッチングマスクパターン幅の1/2より大きくありえる。
【0009】
請求項4に対応する解決手段4では、前記スペーサを形成する段階で、前記第1マスク構造物及び第2マスク構造物上に前記エッチングマスクパターン及び/または前記デュアルマスクパターンに対してエッチング選択比を有するスペーサマスク層を形成しうる。前記スペーサマスク層をエッチングして前記相互対向する側壁スペーサの間で前記第1マスク構造物及び前記第2マスク構造物の各表面を露出させうる。前記第1マスク構造物を選択的に除去するために、前記第2マスク構造物上のエッチングマスク層をマスクとして前記第1マスク構造物及び第2マスク構造物の露出された表面をエッチングして、前記第2マスク構造物のデュアルマスクパターンは実質的に除去せず、前記第1マスクパターンのデュアルマスクパターンを除去しうる。
【0010】
請求項5に対応する解決手段5では、前記第1マスク構造物及び第2マスク構造物を形成する段階は、前記基板の第1領域及び第2領域上にデュアルマスク層を形成する段階と、前記第1領域では第1部分を含み、前記第2領域では前記第1部分より広い第2部分を含むエッチングマスクパターンを前記デュアルマスク層上に形成する段階と、前記エッチングマスクパターンをマスクとして前記デュアルマスク層をパターニングし、前記第1領域には前記第1マスク構造物を形成し、前記第2領域には前記第1マスクパターン幅より広幅の前記第2マスク構造物を形成する段階と、を含む。
【0011】
解決手段6では、前記エッチングマスクパターンを形成する段階は、前記基板の前記第1領域及び第2領域で前記デュアルマスク層上にエッチングマスク層を形成する段階と、前記エッチングマスク層上に、前記第1領域には第1部分を含み、前記第2領域には第2部分を含むマスクパターンを形成する段階と、前記マスクパターンを利用して前記エッチングマスク層をパターニングし、前記デュアルマスク層上にエッチングマスクパターンを形成する段階と、を含む。
【0012】
解決手段7では、前記デュアルマスク層は、シリコン含有膜及び炭素含有膜のうち、少なくとも1つからなる。
請求項6に対応する解決手段8では、前記第1領域はメモリセル領域を含み、前記第2領域は周辺回路領域を含む。
【0013】
請求項7に対応する解決手段9では、前記フィーチャー層は半導体基板からなる。前記第1マスク構造物及び第2マスク構造物を形成する前に、前記基板の第1領域及び第2領域にパッド酸化膜を形成する段階と、前記基板の第1領域及び第2領域で前記パッド酸化膜上にハードマスク層を形成する段階と、をさらに含む。前記第1マスク構造物及び第2マスク構造物を形成する段階は、前記ハードマスク層上に前記第1マスク構造物及び第2マスク構造物を形成する段階を含む。
【0014】
解決手段10では、前記ハードマスク層を形成する段階は、前記パッド酸化膜上に第1ハードマスク層を形成する段階と、前記第1ハードマスク層上に第2ハードマスク層を形成する段階と、を含む。前記第2ハードマスク層は、前記ハードマスク層に対してエッチング選択比を有する材料からなる。
【0015】
解決手段11では、前記第1マスク構造物及び第2マスク構造物の形成前に、バッファマスク層を形成する段階をさらに含む。前記バッファマスク層は、前記ハードマスク層に対してエッチング選択比を有する材料からなる。
【0016】
解決手段12では、第1領域では前記スペーサをマスクとして前記バッファマスク層をパターニングしてバッファマスクパターンの第1部分を形成し、第2領域では、前記第2マスク構造物とその両側壁にある前記スペーサをマスクとして前記バッファマスク層をパターニングして、前記バッファマスクパターンの第1部分より広い前記バッファマスクパターンの第2部分を形成する段階と、前記バッファマスクパターンをマスクとして前記ハードマスク層をエッチングして、前記パッド酸化膜を露出させるハードマスクパターンを形成する段階と、前記ハードマスクパターンをマスクとして前記パッド酸化膜及び前記基板をパターニングして、前記基板の第1領域には第1素子分離用トレンチを形成し、前記基板の第2領域には第2素子分離用トレンチを形成する段階と、前記第1素子分離用トレンチ及び第2素子分離用トレンチを絶縁層で充填し、前記基板の第1領域には第1活性領域を定義し、前記基板の第2領域には前記第1活性領域より広い第2活性領域を定義する段階と、をさらに含む。
【0017】
解決手段13では、前記パッド酸化膜及び基板をパターニングする前に、前記第2領域に位置する開口が形成されたトレンチマスクパターンを前記ハードマスクパターン上に形成する段階と、前記トレンチマスクパターンの開口を利用して前記第2領域で前記ハードマスクパターン、前記パッド酸化膜、及び前記基板をパターニングして、前記基板の第2領域に予備素子分離用トレンチを形成する段階と、前記トレンチマスクパターンを除去する段階と、をさらに含む。前記パッド酸化膜及び前記基板をパターニングする段階は、パッド酸化膜及び前記基板をパターニングして、前記基板の第1領域に前記第1素子分離用トレンチを形成しつつ、前記基板の第2領域では、前記予備素子分離用トレンチの深さを増加させて、前記第1素子分離用トレンチより前記基板内部にさらに延びる前記第2素子分離用トレンチを形成する段階を含む。
【0018】
請求項8に対応する解決手段14では、前記フィーチャー層は、導電層を含む。前記第1領域では前記スペーサをマスクとして前記導電層をパターニングして第1導電パターンを形成し、前記第2領域では前記第2マスク構造物とその両側壁にある前記スペーサをマスクとして前記第1導電パターンより広幅の第2導電パターンを形成する段階をさらに含む。
【0019】
解決手段15では、前記第1導電パターンは、ゲート電極、ビットライン、及びダミー導電ラインのうち、少なくとも1つを含む。
解決手段16では、前記スペーサ上にその一部を露出させるように分離用マスクパターンを形成する段階と、前記分離用マスクパターンをマスクとして前記スペーサの露出された部分を選択的にエッチングして前記スペーサを分離させる段階と、前記分離用マスクパターンを除去する段階と、をさらに含む。
【0020】
請求項9に対応する解決手段17では、前記第1マスクパターンは、前記第1領域で複数のマスク要素を含む。前記第2マスクパターンは、前記第2領域で前記第1領域にある前記複数のマスク要素よりそれぞれ広幅を有する複数のマスク要素を含む。
解決手段18では、前記第1領域にある複数のマスクパターンは、互いに異なる幅を有する。
【0021】
請求項10に対応する解決手段19では、前記フィーチャー層は、基板を含む。前記第1マスク構造物及び第2マスク構造物を形成する段階前に、前記第1領域及び第2領域にエッチング阻止層を形成する段階と、前記基板の前記第1領域及び第2領域にモールド層を形成する段階と、をさらに含む。前記第1マスク構造物及び第2マスク構造物を形成する段階は、前記モールド層上に前記第1マスク構造物及び第2マスク構造物を形成する段階を含む。前記第1領域で前記スペーサの間から前記第1マスク構造物を選択的に除去した後に、前記基板の第1領域では前記スペーサをマスクとして前記モールド層をパターニングして、前記第1領域に第1開口を限定するモールドパターンの第1部分を形成し、前記基板の第2領域では前記第2マスク構造物とその両側壁にあるスペーサをマスクとして前記モールド層をパターニングして、前記第2領域に前記基板の第1領域に形成された前記第1開口より広い第2開口を限定するモールドパターンの第2部分を形成する段階と、前記基板の第1領域及び第2領域で各々前記モールドパターンの第1開口及び第2開口を充填するように導電層を形成する段階と、前記モールドパターンを除去して前記第1領域には微細導電パターンを形成し、前記第2領域には前記微細導電パターンより広い素子導電パターンを形成する段階と、をさらに含む。
【0022】
本発明の請求項11に対応する解決手段20によれば、半導体素子は、第1領域及び第2領域を含む基板を含む。前記第1領域は、複数の第1フィーチャーを含み、前記第2領域は、前記第1領域にある前記複数の第1フィーチャーより広い幅を各々有する複数の第2フィーチャーを含む。前記基板の第1領域にある複数の第1フィーチャー及び前記第2領域にある複数の第2フィーチャーを形成するために、フィーチャー層の第1領域には第1マスク構造物を形成し、第2領域には第2マスク構造物を形成する。各々デュアルマスク層、および、前記デュアルマスク層上に形成されて前記デュアルマスク層に対してエッチング選択比を有するエッチングマスク層を含むように前記第1マスク構造物及び第2マスク構造物を形成する。
【0023】
前記第1マスク構造物及び第2マスク構造物のエッチングマスクパターンを等方性エッチングして、第2マスク構造物ではエッチングマスクパターンの少なくとも一部を残しつつ、前記第1マスク構造物から前記エッチングマスクパターンを除去する。前記第1マスク構造物及び第2マスク構造物の両側壁にスペーサを形成する。前記第2マスク構造物上にある前記エッチングマスクパターンをマスクとして前記第1領域でスペーサの間から前記第1マスク構造物を選択的に除去する。前記第1領域では前記スペーサをマスクとして前記フィーチャー層をパターニングして前記複数の第1フィーチャーを形成して、前記第2領域では前記第2マスク構造物とその両側壁にある前記スペーサをマスクとして前記複数の第2フィーチャーを形成する。
解決手段21の半導体素子は、等方性エッチング前に、前記第2マスク構造物のエッチングマスクパターンの厚さは、前記第1マスク構造物のエッチングマスクパターン幅の1/2より大きい。
【発明の効果】
【0024】
本発明では、互いに異なる幅を有するマスクパターン要素を含む複数のマスクパターンを、SARP工程を利用して同時に形成する。例えば、本発明による一態様では、互いに異なる幅及び/またはそれらの間に相異なる間隔を有するマスク要素をフィーチャー層上に同時に形成し、次いで前記互いに異なるサイズ/間隔の要素を有するマスクパターンを用いて前記フィーチャー層をエッチングしうる。
【0025】
また、本発明に他の態様では、素子の第1領域では、側壁スペーサが上に形成されている構造物を除去して前記マスクパターンのうち、1つを形成し、素子の第2領域では、側壁スペーサ間に構造物を残せる。特に、前記構造物は、互いに異なるエッチング選択比を有する少なくとも2層を含み、前記第2領域にある前記構造物で少なくとも2層のうち、最上層の厚さは、前記第1領域にある構造物の厚さの1/2より大きい。したがって、第1領域及び第2領域の両方向の構造物を等方性エッチングすれば、第2領域で前記構造物の最上層が完全に除去されない状態で、第1領域では、前記構造物の最上層が除去され、第1領域での前記構造物の除去時に、第2領域にある前記構造物の最上層残留部がマスクとして用いられる。すなわち、前記第1領域では、マスク要素が側壁スペーサのみで構成され、それらは構造物が第1領域から除去された後にも残る。しかし、第2領域にあるマスク要素は、側壁スペーサのみならず、それらの間にある構造物も含みうる。したがって、素子の互いに異なる領域で互いに異なるマスクパターンに含まれた互いに異なる要素は、互いに異なるサイズを有し、それらを後続段階で、1つまたはそれ以上の素子層をパターニングするのに使用することによって、互いに異なるサイズを有するフィーチャーを提供しうる。
【図面の簡単な説明】
【0026】
【図1】本発明による一実施例で不揮発性メモリ素子を含むシステムを示すブロック図である。
【図2】本発明による一実施例で各々フィーチャーが形成されている2つの分離された領域A、Bを含む半導体基板の平面図である。
【図3A】本発明の一実施例によって、自己整列リバースパターニングを利用して複数のマスクパターンを同時に形成する方法を示す断面図である。
【図3B】本発明の一実施例によって、自己整列リバースパターニングを利用して複数のマスクパターンを同時に形成する方法を示す断面図である。
【図3C】本発明の一実施例によって、自己整列リバースパターニングを利用して複数のマスクパターンを同時に形成する方法を示す断面図である。
【図3D】本発明の一実施例によって、自己整列リバースパターニングを利用して複数のマスクパターンを同時に形成する方法を示す断面図である。
【図3E】本発明の一実施例によって、自己整列リバースパターニングを利用して複数のマスクパターンを同時に形成する方法を示す断面図である。
【図3F】本発明の一実施例によって、自己整列リバースパターニングを利用して複数のマスクパターンを同時に形成する方法を示す断面図である。
【図3G】本発明の一実施例によって、自己整列リバースパターニングを利用して複数のマスクパターンを同時に形成する方法を示す断面図である。
【図3H】本発明の一実施例によって、自己整列リバースパターニングを利用して複数のマスクパターンを同時に形成する方法を示す断面図である。
【図3I】本発明による一実施例でフィーチャー層上にデュアルマスク層を形成する方法を説明するフローチャートである。
【図4】本発明の一実施例による半導体素子の平面図である。
【図5A】本発明による一実施例で自己整列リバースパターニングを利用して複数のマスクパターンを同時に形成することによって、基板にSTI領域を形成する方法を説明する断面図である。
【図5B】本発明による一実施例で自己整列リバースパターニングを利用して複数のマスクパターンを同時に形成することによって、基板にSTI領域を形成する方法を説明する断面図である。
【図5C】本発明による一実施例で自己整列リバースパターニングを利用して複数のマスクパターンを同時に形成することによって、基板にSTI領域を形成する方法を説明する断面図である。
【図5D】本発明による一実施例で自己整列リバースパターニングを利用して複数のマスクパターンを同時に形成することによって、基板にSTI領域を形成する方法を説明する断面図である。
【図5E】本発明による一実施例で自己整列リバースパターニングを利用して複数のマスクパターンを同時に形成することによって、基板にSTI領域を形成する方法を説明する断面図である。
【図5F】本発明による一実施例で自己整列リバースパターニングを利用して複数のマスクパターンを同時に形成することによって、基板にSTI領域を形成する方法を説明する断面図である。
【図6A】本発明の他の実施例によってSTI領域を形成する方法を説明する断面図である。
【図6B】本発明の他の実施例によってSTI領域を形成する方法を説明する断面図である。
【図6C】本発明の他の実施例によってSTI領域を形成する方法を説明する断面図である。
【図6D】本発明の他の実施例によってSTI領域を形成する方法を説明する断面図である。
【図6E】本発明の他の実施例によってSTI領域を形成する方法を説明する断面図である。
【図6F】本発明の他の実施例によってSTI領域を形成する方法を説明する断面図である。
【図6G】本発明の他の実施例によってSTI領域を形成する方法を説明する断面図である。
【図6H】本発明の他の実施例によってSTI領域を形成する方法を説明する断面図である。
【図7】本発明の一実施例によって形成されたNANDフラッシュ素子を説明する平面図である。
【図8A】図7の半導体素子の強調された部分の平面図であって、本発明の一実施例によって、自己整列リバースパターニングを利用して複数のマスクパターンを同時に形成する方法を説明する平面図である。
【図8B】図7の半導体素子の強調された部分の断面図であって、本発明の一実施例によって、自己整列リバースパターニングを利用して複数のマスクパターンを同時に形成する方法を説明する平面図である。
【図9A】図7の半導体素子の強調された部分の平面図であって、本発明の一実施例によって、自己整列リバースパターニングを利用して複数のマスクパターンを同時に形成する方法を説明する平面図である。
【図9B】図7の半導体素子の強調された部分の断面図であって、本発明の一実施例によって、自己整列リバースパターニングを利用して複数のマスクパターンを同時に形成する方法を説明する平面図である。
【図10A】図7の半導体素子の強調された部分の平面図であって、本発明の一実施例によって、自己整列リバースパターニングを利用して複数のマスクパターンを同時に形成する方法を説明する平面図である。
【図10B】図7の半導体素子の強調された部分の断面図であって、本発明の一実施例によって、自己整列リバースパターニングを利用して複数のマスクパターンを同時に形成する方法を説明する平面図である。
【図11A】図7の半導体素子の強調された部分の平面図であって、本発明の一実施例によって、自己整列リバースパターニングを利用して複数のマスクパターンを同時に形成する方法を説明する平面図である。
【図11B】図7の半導体素子の強調された部分の断面図であって、本発明の一実施例によって、自己整列リバースパターニングを利用して複数のマスクパターンを同時に形成する方法を説明する平面図である。
【図12A】図7の半導体素子の強調された部分の平面図であって、本発明の一実施例によって、自己整列リバースパターニングを利用して複数のマスクパターンを同時に形成する方法を説明する平面図である。
【図12B】図7の半導体素子の強調された部分の断面図であって、本発明の一実施例によって、自己整列リバースパターニングを利用して複数のマスクパターンを同時に形成する方法を説明する平面図である。
【図13A】図7の半導体素子の強調された部分の平面図であって、本発明の一実施例によって、自己整列リバースパターニングを利用して複数のマスクパターンを同時に形成する方法を説明する平面図である。
【図13B】図7の半導体素子の強調された部分の断面図であって、本発明の一実施例によって、自己整列リバースパターニングを利用して複数のマスクパターンを同時に形成する方法を説明する平面図である。
【図14A】図7の半導体素子の強調された部分の平面図であって、本発明の一実施例によって、自己整列リバースパターニングを利用して複数のマスクパターンを同時に形成する方法を説明する平面図である。
【図14B】図7の半導体素子の強調された部分の断面図であって、本発明の一実施例によって、自己整列リバースパターニングを利用して複数のマスクパターンを同時に形成する方法を説明する平面図である。
【図15A】本発明による他の実施例でダマシン工程に用いられる複数のマスクパターンを形成する方法を説明する断面図である。
【図15B】本発明による他の実施例でダマシン工程に用いられる複数のマスクパターンを形成する方法を説明する断面図である。
【図15C】本発明による他の実施例でダマシン工程に用いられる複数のマスクパターンを形成する方法を説明する断面図である。
【図15D】本発明による他の実施例でダマシン工程に用いられる複数のマスクパターンを形成する方法を説明する断面図である。
【図15E】本発明による他の実施例でダマシン工程に用いられる複数のマスクパターンを形成する方法を説明する断面図である。
【発明を実施するための形態】
【0027】
以下、本発明の実施例を添付図面に基づいて参照して詳細に説明する。しかし、本発明の実施例は、多様な形態に変形でき、本発明の範囲が後述する実施例に限定されると解釈されてはならない。本発明の実施例は、本発明をさらに完全に説明するために提供されるものである。図面で、層及び領域の厚さは、明細書の明確性のために、誇張されたものである。図面上で、同じ符号は同じ要素を示す。本明細書で使われた用語「及び/または」は、これと関連して記載された項目のうち、1つまたはそれ以上の任意の組合わせまたはあらゆる組合わせを含み、“/”として縮約して記載されることもある。
【0028】
本明細書で使われる用語は、特定の実施例を記述するための目的として用いられるものであり、本発明の範囲を制限するためのものではない。本明細書で、単数として使われた用語は、それについての単数であることを示す明白な背景に関する言及がない限り、複数も含むものである。また、本明細書で使われる「包含する」という用語は、言及された特徴、領域、段階、動作、要素、及び/または成分の存在を特定するものではあるが、1つまたはそれ以上の他の特徴、領域、段階、動作、要素、成分、及び/またはグループの存在または付加を除外するものではない。
【0029】
ある層、領域または基板のような要素が異なる要素(またはその変形物)の「上部」にあると記載された場合、前記ある要素は、前記他の要素の上部に直接存在しても、それらの間に第3の要素が介在しても良い。一方、ある要素が異なる要素(またはその変形物)の「真上」にあると記載された場合、または他の要素の“真上に”延びると記載された場合、それらの要素間に介在される要素はない。また、ある要素が異なる要素(またはその変形物)に「連結」または「結合」されていると記載された場合、前記ある要素は、前記他の要素に直接連結または結合されるか、それらの間に第3の要素が介在されうる。一方、ある要素が異なる要素に「直接連結」または「直接結合」されていると記載された場合、それら要素間に介在される要素はない。
【0030】
多様な要素、成分、領域、層及び/または断面を記述するために、用語第1、第2などを使用できるが、それらの要素、成分、領域、層及び/または断面は、それらの用語に限定されると解釈されてはならない。それらの用語は、1つの要素、成分、領域、層または断面を他の要素、成分、領域、層または断面と区別するために用いられるだけである。したがって、下記説明で使用する第1要素、成分、領域、層または断面は、本発明の開示を外れず、第2要素、成分、領域、層または断面とも称されうる。
【0031】
また、相対的な用語、例えば、「下部」、「後」、及び「上部」は、図面に示されたような一要素の他の要素に対する関係を説明するために用いられる。相対的な用語は、図面に示された方向だけではなく、素子の多様な方向を含むように意図されたものである。例えば、図1にある構造が回転されれば、基板の「背面(backside)」上にあると記載された要素は、基板の“上部”表面上にあるものとなりうる。したがって、例示的な用語「上部」は、図面の特定の方向によって、「下部」及び「上部」の方向をいずれも含みうる。同様に、添付図面のうち、いずれか一図面にある構造が回転すれば、他の要素の「下部」または「下」にあると記載された要素が、前記他の要素の「上部」に位置されうる。したがって、例示的な用語「下部」または「下」は、「上部」及び「下部」をいずれも含みうる。
【0032】
次いで、本発明の理想的な実施例を概略的に図示した断面図を参照して本発明の実施例を説明する。各実施例は、例えば、製造技術及び/または許容誤差の結果として図示された形状から偏差がありえる。したがって、本発明の実施例は、図示された特定の形状にのみ制限されると解釈されてはならず、例えば、製造結果から得られる形状における偏差を含むと解釈されねばならない。例えば、平坦なものと示されたり、説明された領域は、典型的に荒いか、及び/または非線形の特徴を有することができる。特に、とがっていた角を有すると図示されたのは、典型的にラウンド状を有することができる。したがって、図面に示された領域は、事実上概略的なものであり、それらの形状は、素子の領域の正確な形状を説明しようとするものではなく、本発明の範囲を制限するものではない。
【0033】
他の限定がない限り、本明細書で使われたあらゆる用語(技術的用語及び科学的用語)は、当業者に、通常よく知られたということを意味する。また、通常使われる辞書に定義されたような用語は、関連した技術分野を背景とする意味と同じ意味を有すると解釈されねばならず、別途の記載がない限り、理想的であるか、または過度に解釈されてはならない。
【0034】
(一実施例)
通常の場合には、(比較的広い幅を有する)低密度パターンを形成するためのマスクが(比較的狭い幅を有する)高密度パターンを形成するためのマスクを形成した後に形成され、これは低密度パターンと高密度パターンとの間にミスアラインをもたらすということを認知したことから、本発明の実施例は出発した。したがって、以下でさらに詳細に説明するように、本発明による実施例では、SARPを利用して複数のマスクパターンを同時に形成することを提供する。前記マスクパターンは、互いに異なる幅を有するマスクパターン要素を含むことができる。例えば、本発明による一実施例で、互いに異なる幅及び/または互いに異なる間隔で離隔されている要素を1つのフィーチャー層上に同時に形成し、次いで、互いに異なるサイズ/間隔を有する要素を有するパターンを利用するエッチング工程を行える。したがって、本発明による実施例によれば、単一のフォトリソグラフィー工程を通じて互いに異なるサイズを有する要素を有するマスクパターンを同時に形成することによって、半導体素子の製造時に整列による問題を減らすことができる。
【0035】
また、本発明による一実施例では、素子の第1領域では、側壁スペーサがその上に形成されている構造物を除去して、前記マスクパターンのうち、1つを形成し、素子の第2領域では、側壁スペーサ間に構造物を残しうる。したがって、第1領域では、構造物を除去し、第2領域では構造物を維持させることによって、互いに異なるサイズを有する要素を提供しうる。特に、前記第1領域では、該当マスクにある要素が側壁スペーサ自体として限定され、それらは、構造物が除去された後にも残る。また、チップの第2領域にある要素は、側壁スペーサのみならず、それらの間にある構造物も含みうる。したがって、チップの互いに異なる領域で互いに異なるパターンに含まれる互いに異なる要素は互いに異なるサイズを有することができる。
【0036】
図1は、セルアレイ32に連結されたワードラインWL0−WLnを駆動するデコーダ回路34を含むフラッシュメモリ素子30を含むシステム100を示すハイレベルブロック図である。フラッシュメモリ素子30のセルアレイ32は、複数のメモリセルを含む。セルアレイ32は、ビットラインBL0−BLmを通じてページバッファ36に連結されている。デコーダ34は、セルアレイ32内で選択的なメモリセルのアドレスに用いられ、この際、データは、ビットラインBL0−BLmを通じてページバッファ36に提供される。
【0037】
また、デコーダ34は、ビットライン選択回路38を除去し、ビットライン選択回路38は、制御ラインYiを通じてページバッファ36により提供されるデータを選択しうる。選択されたデータは、ビットライン選択回路38からデータバッファ42を通じて提供され、データバッファ42は、デコーダ34により命令される制御ユニット44の制御下で作動する。
【0038】
フラッシュメモリ30は、書込及び読出サイクルを行うために、フラッシュメモリ30を動作させるように構成された補助制御回路を含むメモリコントローラ回路20により制御される。特に、メモリコントローラ20からのアドレスがデコーダ34に入力されるとき、デコーダ34は、選択信号Yiを発生させて、ワードラインWL0−WLnのうち1つまたはビットラインBL0−BLmのうち1つを選択しうる。メモリコントローラ回路20はまたバッファメモリ22を含み、このバッファメモリ22は、フラッシュメモリ30に書き込まれるデータの臨時保存に用いられるだけではなく、フラッシュメモリ30から読出されたデータの臨時保存にも使われる。
【0039】
メモリコントローラ20には、ホストシステム10が連結されており、ホストシステム10は、メモリコントローラ回路20のハイレベル制御によりフラッシュメモリ30に対する読出/書込動作を行う。特に、ホストシステム10からのデータ及び書込命令がメモリコントローラ20に入力されうる。メモリコントローラ20は、入力命令によってセルアレイ32にデータを書込むために、フラッシュメモリ30を制御し、かつ/またはホストシステム10からの読出命令によってセルアレイ32からデータを読出するために、フラッシュメモリ30を制御しうる。
【0040】
ホスト10とフラッシュメモリ30との間で伝送されたデータは、バッファメモリ22に臨時保存されうる。本実施例は、図1に示された回路の一部を構成するか、図示されていない回路をも構成しうる。
【0041】
図2は、本発明の一実施例によるそれぞれのフィーチャーを有する分離された2つの領域(A及びB)を含む半導体素子の平面図である。特に、半導体素子200の領域Aは、2つのフィーチャー、すなわち、2つのフィーチャー210を含む。各フィーチャー210は、幅W1を有し、各フィーチャー210は、距離D1ほど離隔されている。また、半導体基板200の領域Bは、フィーチャー、すなわち、フィーチャー220を含む。フィーチャー220は、領域Aにあるフィーチャー210の幅W1とは異なる幅W2を有する。
【0042】
一実施例で、領域Aは、例えば、比較的小さなフィーチャー、すなわち、パターンを含む素子のセルアレイ領域である。領域Bは、例えば、領域Aに比べて比較的大きいフィーチャー、またはパターンを有する周辺コアまたはセルアレイ領域の異なる部分である。特に、領域Aで幅W1を有するフィーチャー210は、領域Bで幅W2を有するフィーチャー220に比べて比較的小さい。また、本発明の一実施例で、領域Aでの各フィーチャー210の間隔D1は、それらパターンの幅と同一であり、各フィーチャー210間の間隔D1が幅W1より小さいか、さらに大きい場合もある。領域Aにあるフィーチャー210は、活性領域パターン、または導電ラインと同じ導電パターンでありうる。領域Bにあるフィーチャー220は、活性領域パターンまたは導電パターンであり、一実施例ではアラインキー(alignment key)でもありえる。互いに異なる領域にあるフィーチャー210及びフィーチャー220は、互いに電気的に連結されているか、それとも連結されていない。
【0043】
図3Aないし図3Hは、本発明の実施例による、SARPを利用して複数のマスクパターンを同時に形成する方法を説明するための断面図である。特に、予備構造物340A、340B(以下、“340”と通称する)は、下地膜上に形成される。前記下地膜は、素子200の領域A及び領域Bで、基板300により順次に支持されているフィーチャー層310、デュアルマスク層320、及びエッチングマスク層330を含むことができる。
【0044】
図3Aに示した層は、形成しようとする半導体素子の特定タイプによって互いに異なる材料で形成することができる。例えば、図3Aに示した予備構造物340が最終的に導電性構造物、例えば、ゲート電極を形成するために用いられるものであれば、フィーチャー層310は、TaN、TiN、W、WN、HfN、WSix、及びそれらの組合わせのような材料からなりうる。または、フィーチャー層310に形成するフィーチャーがビットラインであれば、フィーチャー層310は、ポリシリコン、タングステンまたはアルミニウムのような金属または合金からなりうる。また、本発明による一実施例で、基板300に活性領域を定義するか、微細パターンを形成する場合には、フィーチャー層310は省略でき、予備構造物340は、基板300にトレンチを定義するために、少なくとも初期に用いられる。図3Aに示されたように、領域A及び領域Bに形成された予備構造物340は、互いに異なる幅WD1及びW3で形成され、ここで、WD1はW3より小さく、領域Bに形成されるフィーチャー220の幅W2より小さい。
【0045】
図3Aを参照すれば、エッチングマスク層330は、デュアルマスク層320に対してエッチング選択比を有する材料で形成される。例えば、本発明による一実施例で、エッチングマスク層330は、SiON、SiO2、Si3N4、SiCN、ポリシリコン、金属、または有機物からなる。また、本発明による一実施例で、予備構造物340A、340Bは、単一のフォトリソグラフィー工程により同一段階で形成される。
【0046】
前記で簡略に説明したように、デュアルマスク層320は、エッチングマスク層330に対してエッチング選択比を有する。また、デュアルマスク層320は、SiO2、Si3N4、SiCN及び/またはポリシリコンのようなシリコン含有物質で形成される。
また、本発明による実施例で、デュアルマスク層320は、非晶質炭素層、炭素含有層、または炭素含有物質からなる。デュアルマスク層320は、スピンコーティングまたはCVD工程によりフィーチャー層310に印加される。領域Aに形成されたデュアルマスク層320の一部は、多重パターンを有する複数のエッチングマスクパターンを形成するための犠牲層として用いられる。領域Bに形成されたデュアルマスク層320は、最終パターンを形成するためのエッチングマスクの一部になる。
【0047】
本発明による一実施例で、デュアルマスク層320が炭素含有物質で形成された場合、デュアルマスク層320は、芳香族環を含む炭化水素化合物またはその誘導体を含む有機化合物で形成される。例えば、本発明による一実施例で、デュアルマスク層320は、フェニルベンゼンまたはナフタレンのような芳香族環を有する有機化合物を含むことができる。また、本発明による実施例で、デュアルマスク層320は、有機化合物の総重量を基準に比較的高い炭素含量(例えば、約85〜99重量%)を有する層からなりうる。
【0048】
図3Iは、本発明による一実施例で、フィーチャー層310上にデュアルマスク層320を形成する方法を説明するためのフローチャートである。図3Iによれば、フィーチャー層310(後続工程でのエッチング対象)上に有機化合物を約1000〜1500Åの厚さでスピンコーティングする(301段階)。その後、フィーチャー層310上の有機化合物を約150〜350℃で約60秒間ベークしてデュアルマスク層320を形成する(302段階)。約300〜550℃で約30〜300秒間デュアルマスク層320に対して2次ベークを行ってデュアルマスク層320を硬化させる(303段階)。前記2次ベーク工程は、後続する半導体素子の製造工程時、例えば、素子に約400℃以上の温度が加えられる時、後続工程で引き起こされるデュアルマスク層320での逆効果を減少させるのに役に立つ。
【0049】
図3Bを参照すれば、図3Aで、予備構造物340を形成した後、予備構造物340を用いて下部のエッチングマスク層330をエッチングしてデュアルマスク層320の一部を露出させる。図3Bに示されたように、予備構造物340の下にあるエッチングマスク層の残留部分330A、330Bは、予備構造物340のプロファイルにより、各々幅WD1及びW3とほぼ同じ幅を有する。本発明による一実施例で、エッチングマスク層330をエッチングする間に予備構造物340の厚さが減少する。
【0050】
図3Cに示すように、エッチングマスク層の残留部分330A、330Bをマスクとしてデュアルマスク層320をエッチングする。デュアルマスク層320のエッチングにより下部のフィーチャー層310が露出され、デュアルマスク層320から構造物マスクパターン320A、320Bが定義される。デュアルマスク層320をエッチングする間に予備構造物340の全部または一部が除去される。また、デュアルマスク層320のエッチングの後、エッチングマスクパターン330Bの厚さTB1は、エッチングマスクパターン330Aの幅WD1の1/2より大きい。すなわち、TB1>(WD1)/2である。構造物マスクパターン320Aは、領域Aで微細フィーチャーまたはパターンを形成するための犠牲層として用いられ、構造物マスクパターン320Bは、領域Bで比較的広幅を有するフィーチャーまたはパターンを形成するためのエッチングマスクとして用いられる。本発明の一実施例で、構造物マスクパターン320A、320B及びその上にあるエッチングマスクパターン330A、330Bは、領域A及び領域Bで第1マスク構造及び第2マスク構造を形成し、それらは、それらの互いに異なる幅により互いに異なるエッチング率でエッチングされる。
【0051】
特に、図3Dに示すように、領域Aにあるエッチングマスクパターン330Aは、等方性エッチング工程により完全に除去される。エッチングマスクパターン330A、330Bの等方性エッチング工程は、他の露出された層に対して比較的高いエッチング選択比を提供すべく行われる。等方性エッチング工程を行うために、湿式エッチングまたは乾式エッチングを利用しうる。例えば、エッチングマスクパターン330A、330BがSiO2またはSiONからなる場合、エッチングマスクパターン330A、330Bを選択的に等方性エッチングするためにHF溶液を使用できる。
【0052】
しかし、領域Aにある第1マスク構造は、領域Bにある第2マスク構造より狭いために、エッチングマスクパターン330Aは、エッチングマスクパターン330Bより速くエッチングされる。このように、エッチングマスクパターン330Bを完全に除去せずとも、エッチングマスクパターン330Aを除去することができる。特に、等方性エッチング工程によりエッチングマスクパターン330Aの各表面から所定量Rを除去することによって、構造物マスクパターン320Aからエッチングマスクパターン330Aを完全に除去することができる。前記等方性エッチング工程によりエッチングマスクパターン330Bでも同様に各表面から所定量Rが除去され、構造物マスクパターン320B上にエッチングマスクパターン330Cの一部を残せる。したがって、残留するエッチングマスクパターン330Cは、エッチングマスクパターン330Bの厚さTB1より小さな厚さTB2を有する。
【0053】
図3Eに示すように、エッチングマスクパターン330A、330B及び残留するエッチングマスクパターン330C上にスペーサ層350をコンフォーマルすべく蒸着する。したがって、スペーサ層350が構造物パターン320Aの上面に直接接するようになる。本発明による一実施例で、スペーサ層350の厚さは、図2に示されたフィーチャー210の幅W1とほぼ同一にすることができる。本発明による他の実施例で、スペーサ層350の厚さは、フィーチャー210の幅W1より大きいか、さらに小さくすることができる。スペーサ層350は、残留エッチングマスクパターン330C、構造物マスクパターン320A、320B、及び/またはフィーチャー層310に対して、異なるエッチング選択比を有することができる。
【0054】
図3Fによれば、フィーチャー層310及び構造物マスクパターン320A、320Bからスペーサ層350の一部を除去する。特に、一実施例で、スペーサ層350をエッチバックして構造物マスクパターン320Aを含む第1マスク構造及び残留エッチングマスクパターン330Cを含む第2マスク構造(の表面を露出さる。例えば、本発明による一実施例で、スペーサ層350に適用されるエッチバック工程は、メインエッチングガスとしてCxFy(ここで、x及びyは、1〜10の整数)を用いて行われうる。他の実施例で、メインエッチングガスとしてCHxFy(ここで、x及びyは、1〜10の整数)を使用しうる。また、一実施例で、メインエッチングガスにO2及び/またはArを追加しうる。
【0055】
しかし、図3Fに示すように、構造物マスクパターン320A、320Bの上、特に構造物マスクパターン320A、320Bの側壁でスペーサ層350の一部が残り、構造物マスクパターン320A、320Bの両側壁には各々側壁スペーサ350A、350Bが形成される。側壁スペーサ350Aは、領域Aで比較的微細なフィーチャーを形成するためのエッチングマスクとして用いられる。そして、側壁スペーサ350Bは、領域Bで比較的大きい幅(例えば、領域Aでのフィーチャーよりさらに広い幅)を有するフィーチャーを形成するためのエッチングマスクの一部として用いられる。図3Fに示すように、構造物マスクパターン320Bの両側壁にある側壁スペーサ350Bは、構造物マスクパターン320Bの側壁を完全に覆い、構造物マスクパターン320Bの上部まで延びて残留エッチングマスクパターン330Cの両側壁に接するスペーサ350Cを形成する。
【0056】
本発明による一実施例で、スペーサ層350をエッチバックする間、ポリマー副産物が生成されて構造物マスクパターン320A、エッチングマスクパターン330C、及び両側の側壁スペーサ350A、350B上に堆積される。しかし、このようなポリマー副産物層は、エッチバック工程時の条件によって減少するか、あるいは形成されない。例えば、ポリマー副産物層は、メインエッチングガスに含まれたO2の量に影響されるか、またはエッチバック工程時の温度に影響される。特に、O2の量を減少させるか、工程温度を低めることによって、ポリマー副産物層を減少させるか、形成されないようにできる。
【0057】
図3Gを参照すれば、側壁スペーサ350Aから構造物マスクパターン320Aを選択的に除去する。例えば、構造物マスクパターン320Aを含む第1マスク構造の表面と残留エッチングマスクパターン330C及び構造物マスクパターン320Bを含む第2マスク構造の表面とが側壁スペーサ350A、350Bを通じて露出されて選択的エッチング工程によりエッチングされ、その結果、構造物マスクパターン320A部分が両側の側壁スペーサ350Aの間で除去されて下部にあるフィーチャー層310が露出される。しかし、構造物マスクパターン320Aが除去されても、領域Bにある構造物マスクパターン320Bは、その厚さに大きな変化なしに残る。特に、残留エッチングマスクパターン330Cと両側の側壁スペーサ350B、350Cとは、構造物マスクパターン320Aを除去するための工程中に下部の構造物マスクパターン320Bを保護する。一実施例で、スペーサ350Cが形成されない場合にも、構造物マスクパターン320Bは実質的に除去されず、したがって後続工程で下部のフィーチャー層310をエッチングするためのエッチングマスクとして使われるのに十分な厚さを提供することができる。
【0058】
したがって、領域A及び領域Bで複数のセルフアラインリバースマスクパターンが同時に形成される。ここで、各マスクパターン要素の一部は、他のものに比べてさらに狭い幅を有する。特に、図3Gに示されたように、両側の側壁スペーサ350Aは、自己整列リバースマスクパターンのうち、幅の狭いものを定義し、それらは各々両側の側壁スペーサ350B、350C、両側の側壁スペーサ350Bの間に介在される構造物マスクパターン320B、及びその上にある残留エッチングマスクパターン330Cにより限定される自己整列リバースマスクパターン幅より狭い幅を有する。
【0059】
したがって、図3Hに示されたように、領域Aにある自己整列リバースマスクパターン(例えば、スペーサ350A)と、領域Bにある自己整列リバースマスクパターン(例えばスペーサ350B、350C、構造物マスクパターン320B、及び残留エッチングマスクパターン330C)が下部のフィーチャー層310をエッチングするためのマスクとして利用され、領域Aではフィーチャー310Aを形成し、領域Bでは幅が異なるフィーチャー310Bを形成する。前記のように得られたフィーチャーは、半導体素子に必要な任意の成分、例えば、ゲートに必要な導電性成分を構成しうる。例えば、フィーチャー310A、310Bは、各々図2に示されたフィーチャー210、220に対応しうる。
【0060】
図4は、本発明の一実施例による、領域Aに図示された要素410が幅W5を有し、間隔D5ほど離隔されており、領域Bにある要素420は、幅W6を有する半導体素子400の平面図である。一実施例で、領域Aは、例えば、比較的小さなフィーチャーまたはパターンを含む素子のセルアレイ領域でありうる。一方、領域Bは、例えば領域Aに含まれたフィーチャーまたはパターンに比べて比較的大きなフィーチャーまたはパターンを有するセルアレイ領域の他の部分または周辺コアでありうる。特に、領域Aで幅W5を有するフィーチャー410は、領域Bに図示された幅W6を有するフィーチャー420に比べて非常に小さい。また、本発明による一実施例で領域Aにあるフィーチャー410間の間隔D5は、フィーチャー410の幅W5と同一とすることができる。または、フィーチャー410間の間隔D5は、幅W5より小さいか、大きくすることができる。領域Aにあるフィーチャー410は、活性領域パターン、または導電ラインのような導電パターンでありうる。領域Bにあるフィーチャー420は、活性領域パターン、または導電ラインのような導電パターンでありうる。互いに異なる領域にあるフィーチャー410、420は、互いに電気的に連結され、あるいは電気的に連結されないこともある。
【0061】
図5Aないし図5Fは、本発明による一実施例で自己整列リバースパターニングに使われる複数のマスクパターンを同時に形成することによって、基板にSTI領域を形成する方法を説明する断面図である。図5Aによれば、基板500上にパッド酸化膜502、第1ハードマスク層504、第2ハードマスク層506、バッファマスク層510、デュアルマスク層320’及びエッチングマスク層330’が順次に形成された結果物で、エッチングマスク層330’上に要素340A’、340B’を含む予備パターン340’を形成する。マスクパターン要素340A’は、WD2を有し、マスクパターン要素340B’は、幅WD2より大きく、図4のフィーチャー420の幅W6より小さな幅W7を有することができる。相互隣接したマスクパターン要素340A’のピッチは2Pになる。
【0062】
第1ハードマスク層504及び/または第2ハードマスク層506は、単一材料からなる単一層でありうる。または、それらは2つまたはそれ以上の材料層を含む多重構造を有することができる。また、第1ハードマスク層504及び第2ハードマスク層506は、互いに異なるエッチング選択比を有することができる。本発明による一実施例で、バッファマスク層510は、第2ハードマスク層506に対してエッチング選択比を有すること。しかし、他の実施例でバッファマスク層510は省略してもよい。
【0063】
図5Bに示すように、領域Aにあるマスク要素350A’と、領域Bにあるマスク要素320B’、330C’、350B’、350C’とを含むマスクパターンが、バッファマスク層510上に形成される。特に、領域A及び領域Bのマスクパターン要素は、図3A〜図3Hと同じ方法で形成することができる。スペーサ350B’、350C’及び構造物320B’とその上に形成されたエッチングマスク層330C’を含むマスクパターンは、領域Bでその幅の和W6が領域Aに形成された側壁スペーサ350A’の幅W5より大きい。
【0064】
図5Cによれば、領域A及び領域Bにあるマスクパターンの要素は、領域A及び領域Bで各々要素510A、510Bを形成するためのエッチングマスクとして用いられる。特に、バッファマスク層510は、領域Aではスペーサ350A’をマスクとし、領域Bではスペーサ350B’、350C’、構造物320B’及び残留エッチングマスク層330C’をマスクとしてパターニングされてバッファマスクパターン510A、510Bが形成される。領域Aにあるバッファマスクパターン510Aの幅はW5で、領域Bにあるバッファマスクパターン510Bの幅はW5より大きいW6である。
【0065】
図5Dに示すように、要素510A、510Bを用いて第2及び第1ハードマスク層506、504をエッチングして、領域Aでは層506A、504Aを含むハードマスクパターンを形成し、領域Bでは層506B、504Bを含むハードマスクパターンを形成して、それらの下にあるパッド酸化膜502を露出させる。
【0066】
図5Eによれば、ハードマスクパターン506A/504A及び506B/504Bをエッチングマスクとして露出されたパッド酸化膜502を貫通して基板500の内部までエッチングして領域Aの素子分離用トレンチ570Aと領域Bの素子分離用トレンチ570Bとを形成する。
【0067】
図5Fに示すように、トレンチ570A、570B内に絶縁物質を蒸着して領域A及び領域BにSTI領域572A、572Bを形成する。また、最も隣接したSTI領域572A、572B間に活性領域574A、574Bが定義され、それらは各々W5及びW6の幅を有する。活性領域574A、574Bは、各々図4のフィーチャー410、420に対応しうる。また、図5Fで、隣接した活性領域のピッチがPである。
【0068】
図6A〜図6Hは、本発明の実施例によってSTI領域を形成する方法を説明する断面図である。図6Aによれば、基板500’上にパッド酸化膜502’、第1ハードマスク層504’、第2ハードマスク層506’、バッファマスク層510’、デュアルマスク層320”及びエッチングマスク層330”が順次に形成された結果物で、エッチングマスク層330”上に要素340A”、340B”を含む予備パターン340”を形成する。マスクパターン要素340A”は、WD2の幅を有することができる。相互隣接したマスクパターン要素340A”のピッチは2Pになる。
【0069】
第1ハードマスク層504’及び/または第2ハードマスク層506’は、単一材料からなる単一層でありうる。または、それらは2層またはそれ以上の材料層を含む多重構造を有することができる。また、第1ハードマスク層504’及び第2ハードマスク層506’は、互いに異なるエッチング選択比を有することができる。本発明による一実施例で、バッファマスク層510’は第2ハードマスク層506’に対してエッチング選択比を有することができる。しかし、他の実施例でバッファマスク層510’は省略することができる。
【0070】
図6Bに示すように、領域Aにあるマスク要素350A”と、領域Bにあるマスク要素320B”、330C”、350B”、350C”とを含むマスクパターンが、バッファマスク層510’上に形成される。特に、領域A及び領域Bのマスクパターン要素は、図3Aないし図3Hの説明と同じ方法で形成しうる。領域Bでスペーサ350B”、350C”及び構造物320B”とその上に形成されたエッチングマスク層330C”を含むマスクパターンは、その幅の和が領域Aに形成された側壁スペーサ350A”の幅W5より大きい。
【0071】
図6Cによれば、領域A及び領域Bにあるマスクパターンの要素は、領域A及び領域Bで各々要素510A’、510B’を形成するためのエッチングマスクとして用いられる。特に、バッファマスク層510’は、領域Aではスペーサ350A”をマスクとし、領域Bではスペーサ350B”、350C”、構造物320B”及び残留エッチングマスク層330C”をマスクとしてパターニングされてバッファマスクパターン510A’、510B’が形成される。
【0072】
図6Dに示すように、要素510A’、510B’を用いて第2及び第1ハードマスク層506’、504’をエッチングし、領域Aでは層506A’、504A’を含むハードマスクパターンを形成し、領域Bでは層506B’、504B’を含むハードマスクパターンを形成して、それらの下にあるパッド酸化膜502’を露出させる。
【0073】
図6Eによれば、領域Aにあるハードマスクパターン510A’/506A’/504A’と領域Bにあるハードマスクパターン510B’/506B’/504B’上に広幅トレンチマスクパターン620を形成する。広幅トレンチマスクパターン620には、バッファマスクパターン510B’の表面を露出させる開口が形成されている。
【0074】
図6Fに示されたように、広幅トレンチマスクパターン620をエッチングマスクとしてバッファマスクパターン510B’、ハードマスクパターンの層506B’、504B’、パッド酸化膜502’、及び基板500’の内部までエッチングして領域Bに予備素子分離用トレンチ670Bを形成する。予備素子分離用トレンチ670Bは、基板500’の内部に深さD1まで延びる。
【0075】
図6Gによれば、領域Bに予備素子分離用トレンチ670Bが形成された後、領域A及び領域Bで、広幅トレンチマスクパターン620を除去する。図6Hに示すように、ハードマスクパターン506A’/504A’及び506B’/504B’をエッチングマスクとして露出されたパッド酸化膜502’を貫通して基板500’内部までエッチングして、領域Aの素子分離用トレンチ670Aと領域Bの素子分離用トレンチ670Bとを形成し、領域Bで、トレンチ670Bの深さを増加させる。最も隣接したトレンチ670A、672Bの間に各々活性領域674A、674Bが定義される。領域Bでのトレンチ670Bの深さD3は、領域Aでのトレンチ670Aの深さより大きい。しかし、領域Bで、多様なパターンが各々多様な距離を置いて形成され、多様な深さのトレンチが形成されうる。したがって、図6Hに示すように、領域Bでのトレンチ670Cの深さは領域Bでのトレンチ670Bの深さD3より小さい。図5Fの説明と同様に、トレンチ670A、670B、及び/または670C内に絶縁物質を蒸着して図示しないSTI領域を形成することができる。
【0076】
図7は、本発明の一実施例によって形成されたNANDフラッシュメモリを示す平面図である。また、強調部分7500は、本発明による一実施例に係る後続の図面での多様な断面図を示す。図7を参照すれば、NANDフラッシュ素子700は、NANDフラッシュタイプセルを含むセルアレイ領域700Aを含む。領域700Bは、NANDフラッシュ素子のコンタクト領域に該当する。領域700Cは、NANDフラッシュ素子の周辺回路領域に該当する。また、領域740は、セルブロック領域に該当し、ここで、要素701〜732は、ワードラインのような複数の導電ラインに該当する。しかし、一実施例では、複数の導電ライン701〜732がビットラインであり得、ストリング選択ラインSSL及び/または接地選択ラインGSLは省略されうる。本発明による一実施例で、領域750は、ワードライン、ビットライン、または金属ラインのようなダミー導電ラインに該当する。本発明による一実施例で、要素772は、周辺回路用導電パターンに該当する。本発明による一実施例で、領域700Bは、導電ライン701〜732をデコーダのような外部回路との連結に利用されうる。
【0077】
図8Aないし図14Bは、本発明の一実施例によって自己整列リバースパターニングを利用して、複数のマスクパターンを同時に形成する方法を示す図面であり、図7の半導体素子700の強調部分7500に対応する平面図及び断面図である。図8A及び図8Bに示すように、要素800は、フラッシュメモリ素子が形成される基板に該当し、要素830は、TaN、TiN、W、N、HfN、WSix及び/またはそれらの組合わせからなる導電ラインを形成する膜に該当する。一実施例で、要素830は、ビットラインの形成に利用され、ポリシリコン、金属、及び/または金属合金からなりうる。要素832は、ハードマスク層に該当し、これは単一種の金属からなる単一層であるか、別途の互いに異なる材料層を含む多重層でありうる。要素834は、ハードマスク層832に対して互いに異なるエッチング選択比を有するバッファマスク層に該当する。本発明による一実施例で要素320はデュアルマスク層に該当し、要素330はエッチングマスク層に該当し、340A及び340Bを含む要素340は予備マスクパターンに該当する。
【0078】
図8Bによれば、相異なる間隔及び幅を有する複数の予備パターン340A、340Bをエッチングマスク層330に形成する。例えば、8A−8A’の断面で示される予備パターンで各要素340Aのピッチは2PCであり、幅はWD3でありうる。8C−8C’断面で示される要素340Bの幅はW12であり、8D−8D’断面で示される要素340Bの幅はW13である。
【0079】
図9A及び図9Bに示すように、本発明による一実施例によって自己整列リバースパターニングを利用して、素子の互いに異なる領域に複数のマスクパターンをそれらに含まれた要素が互いに異なる幅を有するように形成する。特に、図3A−図3Hの説明と同様に、基板上の互いに異なる領域にスペーサ350A、350B(これらの一部はループ状部分を含む)を形成する。断面8A−8A’及び8B−8B’で示されるスペーサ350Aは、断面8C−8C’及び8D−8D’で示されるスペーサ350Bとは異なる幅を有する。特に、領域AAでスペーサ350Aにより定義されるマスクパターンは、W8’の幅及びPCのピッチを有する。領域BBでスペーサ350B、350C及び構造物320B、330Cにより定義されるマスクパターンは、W10’の幅(8C−8C’の断面参照)及びW11’の幅(8D−8D’の断面参照)を有する。
【0080】
図10A及び図10Bを参照すれば、各領域700A、700B、700C上に分離マスクパターン870を形成し、これをパターニングして、例えば、スペーサ350Aのループ状部分を部分的に露出させる。本発明による一実施例で分離マスクパターン870は、フォトレジスト材料からなりうる。
【0081】
図11A及び図11Bによれば、図10Aに示したスペーサ350Aの露出されたループ状部分を除去(トリミングとも称する)し、例えば、図11Aに示されたように、各スペーサ350A部分を互いに分離させ、2つの分離されたスペーサを形成する。分離マスクパターン870も除去する。図12A及び図12Bに示すように、マスクパターンのうち、領域Aにある各要素350Aと領域Bにある各要素350B、350C、320B、330Cを用いて下部のバッファマスク層834をエッチングして領域AA及び領域BBに各々フィーチャー、すなわち、パターン834A、834Bを形成する。
【0082】
図13A及び図13Bを参照すれば、各フィーチャー834A、834Bをマスクとして導電層830上に要素832A、832Bを含むリバースパターンを形成する。図14A及び図14Bによれば、リバースパターン832A、832Bを用いて導電層830をエッチングして基板800上に導電ラインパターン830A、830Bを形成する。一実施例で、導電ラインパターン830Aは、図7の導電ライン701ないし732及び/またはダミー導電ライン750に該当しうる。一実施例で、導電ラインパターン830Bは、図7のSSL、GSL、及び/または導電パターン772に該当しうる。
【0083】
(他の実施形態)
図15Aないし図15Eは、本発明の他の実施例でダマシン工程に利用される複数のマスクパターンを形成する方法を示す断面図である。図15Aに示すように、領域A及び領域Bに各々エッチング停止層902、モールド層910、デュアルマスク層320、エッチングマスク層330、及び要素340A、340Bを含む予備マスクパターン340を形成する。領域Aにある各要素340Aは、同じ幅BW1及びピッチ2Pを有する一方、領域Bにある各要素340Bは、互いに異なる幅BW2、BW3を有する。図3A〜図3Hの説明と同様に、各要素340A、340Bを予備マスクとしてエッチングマスク層330及びデュアルマスク層320をパターニングして、領域Aには要素320A、330Aを含む第1マスクパターンを形成し、領域Bには要素320B、330Bを含む第2マスクパターンを形成する。領域Bではエッチングマスクパターン330Bを完全に除去せず、領域Aではエッチングマスクパターン330Aを除去するために、等方性エッチングが利用され、各マスクパターン上にスペーサ層を形成した後、エッチバックして、領域Aには側壁スペーサ350Aを形成し、領域Bには側壁スペーサ350B/350Cを形成する。
【0084】
図15Bに示すように、デュアルマスク層320Aを除去し、領域Aでモールド層910上にピッチPで反復形成される自己整列リバースマスクパターンを構成するスペーサ350Aを残し、領域Bではモールド層910上でスペーサ350B、350C及びそれらの間の構造物320B、330Cが自己整列リバースマスクパターンを構成させる。
【0085】
図15Cによれば、領域Aにあるスペーサ350Aからなるマスクパターンと領域Bにあるスペーサ350B、350C及び構造物320B、330Cからなるマスクパターンとをマスクとしてモールド層910をエッチングし、領域A及び領域Bに要素910A、910Bを含むモールドパターンを各々形成する。領域Aにある複数のモールドパターン910Aは、ピッチP1を以って形成され、それらの間に比較的小さな開口S1が限定される。開口S1は、領域Bで複数のモールドパターン910B間に限定される開口S2のうち、少なくとも一部の開口S2より小さい。モールドパターン910A/910Bで開口S1、S2により露出されるエッチング停止層902も除去しうる。
【0086】
図15Dに示すように、バリア層932及び金属層934を含むダマシン導電層930をモールドパターン910A/910B上に形成して、それらの間の開口S1、S2を充填する。バリア層932は、約5〜150Åの厚さを有し、Ta、TaN、TiN、TaSiN、TiSiN、及び/またはそれらの組合わせのような材料からCVDまたはスパッタリング工程により形成されうる。しかし、一実施例で、バリア層932は省略してもよい。金属層934は、一実施例でCu、W、及び/またはAlなどの金属で形成し、PVDまたは電気メッキで形成しうる。例えば、約100〜500Åの厚さ第1Cu層をPVD工程により形成し、第1Cu層をシード層として約1000〜10000Åの厚さ第2Cu層を電気メッキ工程により形成しうる。
【0087】
図15Eを参照すれば、導電層930のうち、モールドパターン910A/910Bに形成された開口S1、S2の外側にある部分を平坦化工程により除去して、領域A及び領域Bに各々複数の導電ラインパターン930A、930Bを形成する。例えば、一実施例でエッチバック工程及び/またはCMP工程を利用できる。モールドパターン910A/910Bを除去して、領域Aには比較的微細な導電ラインパターン930Aを形成し、領域Bには比較的大きい導電ラインパターン930Bを形成する。一実施例で、導電ライン930Aは、図7の導電ライン701〜732に該当し、導電ライン930Bは図7のSSL、GSL、及び/または導電パターン772に該当しうる。
【符号の説明】
【0088】
300:基板、310:フィーチャー層、320A、320B:構造物マスクパターン、330C:残留エッチングマスクパターン、350A、350B、350C:側壁スペーサ
【技術分野】
【0001】
本発明は、半導体素子に関し、特に半導体素子の製造方法に関する。
【背景技術】
【0002】
半導体素子が高集積化されるにつれて、半導体素子とそれらの間のスペースのフィーチャーサイズ(feature size)も縮小してきた。その結果、素子フィーチャーの形成に用いられる多様なパターンがスケールダウン(scale−down)された。しかし、パターン形成に用いられる通常のフォトリソグラフィー工程での解像限界によって、多様な基板材料上に十分に微細なラインアンドスペースパターン(以下、“L/Sパターン”と称する)を形成することがさらに難しくなった。
【0003】
前記のような半導体素子をさらに高集積化する1つの方法として、比較的微細なピッチを有する微細なパターンを形成するために、SARP(self−aligned reverse patterning:自己整列リバースパターニング)とも呼ばれるフォトリソグラフィー工程を利用する方法がある。SARP方法によれば、フィーチャー(または、フィーチャー層)が形成される層上にパターンを形成しうる。前記パターン上にコンフォーマル層(conformal layer)を形成し、次いで、このコンフォーマル層を前記前記フィーチャー層及びパターンから除去するが、前記パターンの側壁には、前記コンフォーマル層の一部を残しうる。その後、前記パターンを除去し、前記側壁にあったコンフォーマル層部分を残せる。前記コンフォーマル層の残りの部分は、マスクパターンを限定でき、前記フィーチャー層を逆相パターンでエッチングするのに用いられる。
半導体素子の製造に使用するためのパターンを形成するために、フォトリソグラフィーを利用することが、例えば、特許文献1から4に記載されている。
【先行技術文献】
【特許文献】
【0004】
【特許文献1】米国特許6475891号明細書
【特許文献2】米国特許6723607号明細書
【特許文献3】米国特許7115525号明細書
【特許文献4】米国特許7253118号明細書
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【0005】
本発明の目的は、単一のフォトリソグラフィー工程を通じて、互いに異なる幅を有するマスクパターン要素を含む複数のマスクパターンを同時に形成する方法を提供することである。
【課題を解決するための手段】
【0006】
本発明の請求項1に対応する解決手段1によれる半導体素子の製造方法では、フィーチャー層の第1領域には第1マスク構造物を形成し、第2領域には第2マスク構造物を形成する。各々デュアルマスク層、および、前記デュアルマスク層上に形成されて前記デュアルマスク層に対してエッチング選択比を有するエッチングマスク層を含むように前記第1マスク構造物及び第2マスク構造物を形成する。前記第1マスク構造物及び第2マスク構造物のエッチングマスクパターンを等方性エッチングして、第2マスク構造物ではエッチングマスクパターンの少なくとも一部を残しつつ、前記第1マスク構造物から前記エッチングマスクパターンを除去する。前記第1マスク構造物及び第2マスク構造物の両側壁にスペーサを形成する。前記第2マスク構造物上にある前記エッチングマスクパターンをマスクとして前記第1領域でスペーサの間から前記第1マスク構造物を選択的に除去し、前記第1領域で間にボイドが形成されるように、相互対向する側壁スペーサを含む第1マスクパターンと、前記第2領域で間に前記第2マスク構造物が介在されるように、相互対向する側壁スペーサを含む第2マスクパターンを形成する。
【0007】
請求項2に対応する解決手段2では、前記第1マスクパターンをマスクとして第1領域に第1フィーチャーを形成して、前記第2マスクパターンをマスクとして第2領域に前記第1フィーチャーより広い幅を有する第2フィーチャーを形成するように、前記フィーチャー層をパターニングしうる。
【0008】
請求項3に対応する解決手段3では、前記等方性エッチングの前に、前記第2マスク構造物のエッチングマスクパターンの厚さは、前記第1マスク構造物のエッチングマスクパターン幅の1/2より大きくありえる。
【0009】
請求項4に対応する解決手段4では、前記スペーサを形成する段階で、前記第1マスク構造物及び第2マスク構造物上に前記エッチングマスクパターン及び/または前記デュアルマスクパターンに対してエッチング選択比を有するスペーサマスク層を形成しうる。前記スペーサマスク層をエッチングして前記相互対向する側壁スペーサの間で前記第1マスク構造物及び前記第2マスク構造物の各表面を露出させうる。前記第1マスク構造物を選択的に除去するために、前記第2マスク構造物上のエッチングマスク層をマスクとして前記第1マスク構造物及び第2マスク構造物の露出された表面をエッチングして、前記第2マスク構造物のデュアルマスクパターンは実質的に除去せず、前記第1マスクパターンのデュアルマスクパターンを除去しうる。
【0010】
請求項5に対応する解決手段5では、前記第1マスク構造物及び第2マスク構造物を形成する段階は、前記基板の第1領域及び第2領域上にデュアルマスク層を形成する段階と、前記第1領域では第1部分を含み、前記第2領域では前記第1部分より広い第2部分を含むエッチングマスクパターンを前記デュアルマスク層上に形成する段階と、前記エッチングマスクパターンをマスクとして前記デュアルマスク層をパターニングし、前記第1領域には前記第1マスク構造物を形成し、前記第2領域には前記第1マスクパターン幅より広幅の前記第2マスク構造物を形成する段階と、を含む。
【0011】
解決手段6では、前記エッチングマスクパターンを形成する段階は、前記基板の前記第1領域及び第2領域で前記デュアルマスク層上にエッチングマスク層を形成する段階と、前記エッチングマスク層上に、前記第1領域には第1部分を含み、前記第2領域には第2部分を含むマスクパターンを形成する段階と、前記マスクパターンを利用して前記エッチングマスク層をパターニングし、前記デュアルマスク層上にエッチングマスクパターンを形成する段階と、を含む。
【0012】
解決手段7では、前記デュアルマスク層は、シリコン含有膜及び炭素含有膜のうち、少なくとも1つからなる。
請求項6に対応する解決手段8では、前記第1領域はメモリセル領域を含み、前記第2領域は周辺回路領域を含む。
【0013】
請求項7に対応する解決手段9では、前記フィーチャー層は半導体基板からなる。前記第1マスク構造物及び第2マスク構造物を形成する前に、前記基板の第1領域及び第2領域にパッド酸化膜を形成する段階と、前記基板の第1領域及び第2領域で前記パッド酸化膜上にハードマスク層を形成する段階と、をさらに含む。前記第1マスク構造物及び第2マスク構造物を形成する段階は、前記ハードマスク層上に前記第1マスク構造物及び第2マスク構造物を形成する段階を含む。
【0014】
解決手段10では、前記ハードマスク層を形成する段階は、前記パッド酸化膜上に第1ハードマスク層を形成する段階と、前記第1ハードマスク層上に第2ハードマスク層を形成する段階と、を含む。前記第2ハードマスク層は、前記ハードマスク層に対してエッチング選択比を有する材料からなる。
【0015】
解決手段11では、前記第1マスク構造物及び第2マスク構造物の形成前に、バッファマスク層を形成する段階をさらに含む。前記バッファマスク層は、前記ハードマスク層に対してエッチング選択比を有する材料からなる。
【0016】
解決手段12では、第1領域では前記スペーサをマスクとして前記バッファマスク層をパターニングしてバッファマスクパターンの第1部分を形成し、第2領域では、前記第2マスク構造物とその両側壁にある前記スペーサをマスクとして前記バッファマスク層をパターニングして、前記バッファマスクパターンの第1部分より広い前記バッファマスクパターンの第2部分を形成する段階と、前記バッファマスクパターンをマスクとして前記ハードマスク層をエッチングして、前記パッド酸化膜を露出させるハードマスクパターンを形成する段階と、前記ハードマスクパターンをマスクとして前記パッド酸化膜及び前記基板をパターニングして、前記基板の第1領域には第1素子分離用トレンチを形成し、前記基板の第2領域には第2素子分離用トレンチを形成する段階と、前記第1素子分離用トレンチ及び第2素子分離用トレンチを絶縁層で充填し、前記基板の第1領域には第1活性領域を定義し、前記基板の第2領域には前記第1活性領域より広い第2活性領域を定義する段階と、をさらに含む。
【0017】
解決手段13では、前記パッド酸化膜及び基板をパターニングする前に、前記第2領域に位置する開口が形成されたトレンチマスクパターンを前記ハードマスクパターン上に形成する段階と、前記トレンチマスクパターンの開口を利用して前記第2領域で前記ハードマスクパターン、前記パッド酸化膜、及び前記基板をパターニングして、前記基板の第2領域に予備素子分離用トレンチを形成する段階と、前記トレンチマスクパターンを除去する段階と、をさらに含む。前記パッド酸化膜及び前記基板をパターニングする段階は、パッド酸化膜及び前記基板をパターニングして、前記基板の第1領域に前記第1素子分離用トレンチを形成しつつ、前記基板の第2領域では、前記予備素子分離用トレンチの深さを増加させて、前記第1素子分離用トレンチより前記基板内部にさらに延びる前記第2素子分離用トレンチを形成する段階を含む。
【0018】
請求項8に対応する解決手段14では、前記フィーチャー層は、導電層を含む。前記第1領域では前記スペーサをマスクとして前記導電層をパターニングして第1導電パターンを形成し、前記第2領域では前記第2マスク構造物とその両側壁にある前記スペーサをマスクとして前記第1導電パターンより広幅の第2導電パターンを形成する段階をさらに含む。
【0019】
解決手段15では、前記第1導電パターンは、ゲート電極、ビットライン、及びダミー導電ラインのうち、少なくとも1つを含む。
解決手段16では、前記スペーサ上にその一部を露出させるように分離用マスクパターンを形成する段階と、前記分離用マスクパターンをマスクとして前記スペーサの露出された部分を選択的にエッチングして前記スペーサを分離させる段階と、前記分離用マスクパターンを除去する段階と、をさらに含む。
【0020】
請求項9に対応する解決手段17では、前記第1マスクパターンは、前記第1領域で複数のマスク要素を含む。前記第2マスクパターンは、前記第2領域で前記第1領域にある前記複数のマスク要素よりそれぞれ広幅を有する複数のマスク要素を含む。
解決手段18では、前記第1領域にある複数のマスクパターンは、互いに異なる幅を有する。
【0021】
請求項10に対応する解決手段19では、前記フィーチャー層は、基板を含む。前記第1マスク構造物及び第2マスク構造物を形成する段階前に、前記第1領域及び第2領域にエッチング阻止層を形成する段階と、前記基板の前記第1領域及び第2領域にモールド層を形成する段階と、をさらに含む。前記第1マスク構造物及び第2マスク構造物を形成する段階は、前記モールド層上に前記第1マスク構造物及び第2マスク構造物を形成する段階を含む。前記第1領域で前記スペーサの間から前記第1マスク構造物を選択的に除去した後に、前記基板の第1領域では前記スペーサをマスクとして前記モールド層をパターニングして、前記第1領域に第1開口を限定するモールドパターンの第1部分を形成し、前記基板の第2領域では前記第2マスク構造物とその両側壁にあるスペーサをマスクとして前記モールド層をパターニングして、前記第2領域に前記基板の第1領域に形成された前記第1開口より広い第2開口を限定するモールドパターンの第2部分を形成する段階と、前記基板の第1領域及び第2領域で各々前記モールドパターンの第1開口及び第2開口を充填するように導電層を形成する段階と、前記モールドパターンを除去して前記第1領域には微細導電パターンを形成し、前記第2領域には前記微細導電パターンより広い素子導電パターンを形成する段階と、をさらに含む。
【0022】
本発明の請求項11に対応する解決手段20によれば、半導体素子は、第1領域及び第2領域を含む基板を含む。前記第1領域は、複数の第1フィーチャーを含み、前記第2領域は、前記第1領域にある前記複数の第1フィーチャーより広い幅を各々有する複数の第2フィーチャーを含む。前記基板の第1領域にある複数の第1フィーチャー及び前記第2領域にある複数の第2フィーチャーを形成するために、フィーチャー層の第1領域には第1マスク構造物を形成し、第2領域には第2マスク構造物を形成する。各々デュアルマスク層、および、前記デュアルマスク層上に形成されて前記デュアルマスク層に対してエッチング選択比を有するエッチングマスク層を含むように前記第1マスク構造物及び第2マスク構造物を形成する。
【0023】
前記第1マスク構造物及び第2マスク構造物のエッチングマスクパターンを等方性エッチングして、第2マスク構造物ではエッチングマスクパターンの少なくとも一部を残しつつ、前記第1マスク構造物から前記エッチングマスクパターンを除去する。前記第1マスク構造物及び第2マスク構造物の両側壁にスペーサを形成する。前記第2マスク構造物上にある前記エッチングマスクパターンをマスクとして前記第1領域でスペーサの間から前記第1マスク構造物を選択的に除去する。前記第1領域では前記スペーサをマスクとして前記フィーチャー層をパターニングして前記複数の第1フィーチャーを形成して、前記第2領域では前記第2マスク構造物とその両側壁にある前記スペーサをマスクとして前記複数の第2フィーチャーを形成する。
解決手段21の半導体素子は、等方性エッチング前に、前記第2マスク構造物のエッチングマスクパターンの厚さは、前記第1マスク構造物のエッチングマスクパターン幅の1/2より大きい。
【発明の効果】
【0024】
本発明では、互いに異なる幅を有するマスクパターン要素を含む複数のマスクパターンを、SARP工程を利用して同時に形成する。例えば、本発明による一態様では、互いに異なる幅及び/またはそれらの間に相異なる間隔を有するマスク要素をフィーチャー層上に同時に形成し、次いで前記互いに異なるサイズ/間隔の要素を有するマスクパターンを用いて前記フィーチャー層をエッチングしうる。
【0025】
また、本発明に他の態様では、素子の第1領域では、側壁スペーサが上に形成されている構造物を除去して前記マスクパターンのうち、1つを形成し、素子の第2領域では、側壁スペーサ間に構造物を残せる。特に、前記構造物は、互いに異なるエッチング選択比を有する少なくとも2層を含み、前記第2領域にある前記構造物で少なくとも2層のうち、最上層の厚さは、前記第1領域にある構造物の厚さの1/2より大きい。したがって、第1領域及び第2領域の両方向の構造物を等方性エッチングすれば、第2領域で前記構造物の最上層が完全に除去されない状態で、第1領域では、前記構造物の最上層が除去され、第1領域での前記構造物の除去時に、第2領域にある前記構造物の最上層残留部がマスクとして用いられる。すなわち、前記第1領域では、マスク要素が側壁スペーサのみで構成され、それらは構造物が第1領域から除去された後にも残る。しかし、第2領域にあるマスク要素は、側壁スペーサのみならず、それらの間にある構造物も含みうる。したがって、素子の互いに異なる領域で互いに異なるマスクパターンに含まれた互いに異なる要素は、互いに異なるサイズを有し、それらを後続段階で、1つまたはそれ以上の素子層をパターニングするのに使用することによって、互いに異なるサイズを有するフィーチャーを提供しうる。
【図面の簡単な説明】
【0026】
【図1】本発明による一実施例で不揮発性メモリ素子を含むシステムを示すブロック図である。
【図2】本発明による一実施例で各々フィーチャーが形成されている2つの分離された領域A、Bを含む半導体基板の平面図である。
【図3A】本発明の一実施例によって、自己整列リバースパターニングを利用して複数のマスクパターンを同時に形成する方法を示す断面図である。
【図3B】本発明の一実施例によって、自己整列リバースパターニングを利用して複数のマスクパターンを同時に形成する方法を示す断面図である。
【図3C】本発明の一実施例によって、自己整列リバースパターニングを利用して複数のマスクパターンを同時に形成する方法を示す断面図である。
【図3D】本発明の一実施例によって、自己整列リバースパターニングを利用して複数のマスクパターンを同時に形成する方法を示す断面図である。
【図3E】本発明の一実施例によって、自己整列リバースパターニングを利用して複数のマスクパターンを同時に形成する方法を示す断面図である。
【図3F】本発明の一実施例によって、自己整列リバースパターニングを利用して複数のマスクパターンを同時に形成する方法を示す断面図である。
【図3G】本発明の一実施例によって、自己整列リバースパターニングを利用して複数のマスクパターンを同時に形成する方法を示す断面図である。
【図3H】本発明の一実施例によって、自己整列リバースパターニングを利用して複数のマスクパターンを同時に形成する方法を示す断面図である。
【図3I】本発明による一実施例でフィーチャー層上にデュアルマスク層を形成する方法を説明するフローチャートである。
【図4】本発明の一実施例による半導体素子の平面図である。
【図5A】本発明による一実施例で自己整列リバースパターニングを利用して複数のマスクパターンを同時に形成することによって、基板にSTI領域を形成する方法を説明する断面図である。
【図5B】本発明による一実施例で自己整列リバースパターニングを利用して複数のマスクパターンを同時に形成することによって、基板にSTI領域を形成する方法を説明する断面図である。
【図5C】本発明による一実施例で自己整列リバースパターニングを利用して複数のマスクパターンを同時に形成することによって、基板にSTI領域を形成する方法を説明する断面図である。
【図5D】本発明による一実施例で自己整列リバースパターニングを利用して複数のマスクパターンを同時に形成することによって、基板にSTI領域を形成する方法を説明する断面図である。
【図5E】本発明による一実施例で自己整列リバースパターニングを利用して複数のマスクパターンを同時に形成することによって、基板にSTI領域を形成する方法を説明する断面図である。
【図5F】本発明による一実施例で自己整列リバースパターニングを利用して複数のマスクパターンを同時に形成することによって、基板にSTI領域を形成する方法を説明する断面図である。
【図6A】本発明の他の実施例によってSTI領域を形成する方法を説明する断面図である。
【図6B】本発明の他の実施例によってSTI領域を形成する方法を説明する断面図である。
【図6C】本発明の他の実施例によってSTI領域を形成する方法を説明する断面図である。
【図6D】本発明の他の実施例によってSTI領域を形成する方法を説明する断面図である。
【図6E】本発明の他の実施例によってSTI領域を形成する方法を説明する断面図である。
【図6F】本発明の他の実施例によってSTI領域を形成する方法を説明する断面図である。
【図6G】本発明の他の実施例によってSTI領域を形成する方法を説明する断面図である。
【図6H】本発明の他の実施例によってSTI領域を形成する方法を説明する断面図である。
【図7】本発明の一実施例によって形成されたNANDフラッシュ素子を説明する平面図である。
【図8A】図7の半導体素子の強調された部分の平面図であって、本発明の一実施例によって、自己整列リバースパターニングを利用して複数のマスクパターンを同時に形成する方法を説明する平面図である。
【図8B】図7の半導体素子の強調された部分の断面図であって、本発明の一実施例によって、自己整列リバースパターニングを利用して複数のマスクパターンを同時に形成する方法を説明する平面図である。
【図9A】図7の半導体素子の強調された部分の平面図であって、本発明の一実施例によって、自己整列リバースパターニングを利用して複数のマスクパターンを同時に形成する方法を説明する平面図である。
【図9B】図7の半導体素子の強調された部分の断面図であって、本発明の一実施例によって、自己整列リバースパターニングを利用して複数のマスクパターンを同時に形成する方法を説明する平面図である。
【図10A】図7の半導体素子の強調された部分の平面図であって、本発明の一実施例によって、自己整列リバースパターニングを利用して複数のマスクパターンを同時に形成する方法を説明する平面図である。
【図10B】図7の半導体素子の強調された部分の断面図であって、本発明の一実施例によって、自己整列リバースパターニングを利用して複数のマスクパターンを同時に形成する方法を説明する平面図である。
【図11A】図7の半導体素子の強調された部分の平面図であって、本発明の一実施例によって、自己整列リバースパターニングを利用して複数のマスクパターンを同時に形成する方法を説明する平面図である。
【図11B】図7の半導体素子の強調された部分の断面図であって、本発明の一実施例によって、自己整列リバースパターニングを利用して複数のマスクパターンを同時に形成する方法を説明する平面図である。
【図12A】図7の半導体素子の強調された部分の平面図であって、本発明の一実施例によって、自己整列リバースパターニングを利用して複数のマスクパターンを同時に形成する方法を説明する平面図である。
【図12B】図7の半導体素子の強調された部分の断面図であって、本発明の一実施例によって、自己整列リバースパターニングを利用して複数のマスクパターンを同時に形成する方法を説明する平面図である。
【図13A】図7の半導体素子の強調された部分の平面図であって、本発明の一実施例によって、自己整列リバースパターニングを利用して複数のマスクパターンを同時に形成する方法を説明する平面図である。
【図13B】図7の半導体素子の強調された部分の断面図であって、本発明の一実施例によって、自己整列リバースパターニングを利用して複数のマスクパターンを同時に形成する方法を説明する平面図である。
【図14A】図7の半導体素子の強調された部分の平面図であって、本発明の一実施例によって、自己整列リバースパターニングを利用して複数のマスクパターンを同時に形成する方法を説明する平面図である。
【図14B】図7の半導体素子の強調された部分の断面図であって、本発明の一実施例によって、自己整列リバースパターニングを利用して複数のマスクパターンを同時に形成する方法を説明する平面図である。
【図15A】本発明による他の実施例でダマシン工程に用いられる複数のマスクパターンを形成する方法を説明する断面図である。
【図15B】本発明による他の実施例でダマシン工程に用いられる複数のマスクパターンを形成する方法を説明する断面図である。
【図15C】本発明による他の実施例でダマシン工程に用いられる複数のマスクパターンを形成する方法を説明する断面図である。
【図15D】本発明による他の実施例でダマシン工程に用いられる複数のマスクパターンを形成する方法を説明する断面図である。
【図15E】本発明による他の実施例でダマシン工程に用いられる複数のマスクパターンを形成する方法を説明する断面図である。
【発明を実施するための形態】
【0027】
以下、本発明の実施例を添付図面に基づいて参照して詳細に説明する。しかし、本発明の実施例は、多様な形態に変形でき、本発明の範囲が後述する実施例に限定されると解釈されてはならない。本発明の実施例は、本発明をさらに完全に説明するために提供されるものである。図面で、層及び領域の厚さは、明細書の明確性のために、誇張されたものである。図面上で、同じ符号は同じ要素を示す。本明細書で使われた用語「及び/または」は、これと関連して記載された項目のうち、1つまたはそれ以上の任意の組合わせまたはあらゆる組合わせを含み、“/”として縮約して記載されることもある。
【0028】
本明細書で使われる用語は、特定の実施例を記述するための目的として用いられるものであり、本発明の範囲を制限するためのものではない。本明細書で、単数として使われた用語は、それについての単数であることを示す明白な背景に関する言及がない限り、複数も含むものである。また、本明細書で使われる「包含する」という用語は、言及された特徴、領域、段階、動作、要素、及び/または成分の存在を特定するものではあるが、1つまたはそれ以上の他の特徴、領域、段階、動作、要素、成分、及び/またはグループの存在または付加を除外するものではない。
【0029】
ある層、領域または基板のような要素が異なる要素(またはその変形物)の「上部」にあると記載された場合、前記ある要素は、前記他の要素の上部に直接存在しても、それらの間に第3の要素が介在しても良い。一方、ある要素が異なる要素(またはその変形物)の「真上」にあると記載された場合、または他の要素の“真上に”延びると記載された場合、それらの要素間に介在される要素はない。また、ある要素が異なる要素(またはその変形物)に「連結」または「結合」されていると記載された場合、前記ある要素は、前記他の要素に直接連結または結合されるか、それらの間に第3の要素が介在されうる。一方、ある要素が異なる要素に「直接連結」または「直接結合」されていると記載された場合、それら要素間に介在される要素はない。
【0030】
多様な要素、成分、領域、層及び/または断面を記述するために、用語第1、第2などを使用できるが、それらの要素、成分、領域、層及び/または断面は、それらの用語に限定されると解釈されてはならない。それらの用語は、1つの要素、成分、領域、層または断面を他の要素、成分、領域、層または断面と区別するために用いられるだけである。したがって、下記説明で使用する第1要素、成分、領域、層または断面は、本発明の開示を外れず、第2要素、成分、領域、層または断面とも称されうる。
【0031】
また、相対的な用語、例えば、「下部」、「後」、及び「上部」は、図面に示されたような一要素の他の要素に対する関係を説明するために用いられる。相対的な用語は、図面に示された方向だけではなく、素子の多様な方向を含むように意図されたものである。例えば、図1にある構造が回転されれば、基板の「背面(backside)」上にあると記載された要素は、基板の“上部”表面上にあるものとなりうる。したがって、例示的な用語「上部」は、図面の特定の方向によって、「下部」及び「上部」の方向をいずれも含みうる。同様に、添付図面のうち、いずれか一図面にある構造が回転すれば、他の要素の「下部」または「下」にあると記載された要素が、前記他の要素の「上部」に位置されうる。したがって、例示的な用語「下部」または「下」は、「上部」及び「下部」をいずれも含みうる。
【0032】
次いで、本発明の理想的な実施例を概略的に図示した断面図を参照して本発明の実施例を説明する。各実施例は、例えば、製造技術及び/または許容誤差の結果として図示された形状から偏差がありえる。したがって、本発明の実施例は、図示された特定の形状にのみ制限されると解釈されてはならず、例えば、製造結果から得られる形状における偏差を含むと解釈されねばならない。例えば、平坦なものと示されたり、説明された領域は、典型的に荒いか、及び/または非線形の特徴を有することができる。特に、とがっていた角を有すると図示されたのは、典型的にラウンド状を有することができる。したがって、図面に示された領域は、事実上概略的なものであり、それらの形状は、素子の領域の正確な形状を説明しようとするものではなく、本発明の範囲を制限するものではない。
【0033】
他の限定がない限り、本明細書で使われたあらゆる用語(技術的用語及び科学的用語)は、当業者に、通常よく知られたということを意味する。また、通常使われる辞書に定義されたような用語は、関連した技術分野を背景とする意味と同じ意味を有すると解釈されねばならず、別途の記載がない限り、理想的であるか、または過度に解釈されてはならない。
【0034】
(一実施例)
通常の場合には、(比較的広い幅を有する)低密度パターンを形成するためのマスクが(比較的狭い幅を有する)高密度パターンを形成するためのマスクを形成した後に形成され、これは低密度パターンと高密度パターンとの間にミスアラインをもたらすということを認知したことから、本発明の実施例は出発した。したがって、以下でさらに詳細に説明するように、本発明による実施例では、SARPを利用して複数のマスクパターンを同時に形成することを提供する。前記マスクパターンは、互いに異なる幅を有するマスクパターン要素を含むことができる。例えば、本発明による一実施例で、互いに異なる幅及び/または互いに異なる間隔で離隔されている要素を1つのフィーチャー層上に同時に形成し、次いで、互いに異なるサイズ/間隔を有する要素を有するパターンを利用するエッチング工程を行える。したがって、本発明による実施例によれば、単一のフォトリソグラフィー工程を通じて互いに異なるサイズを有する要素を有するマスクパターンを同時に形成することによって、半導体素子の製造時に整列による問題を減らすことができる。
【0035】
また、本発明による一実施例では、素子の第1領域では、側壁スペーサがその上に形成されている構造物を除去して、前記マスクパターンのうち、1つを形成し、素子の第2領域では、側壁スペーサ間に構造物を残しうる。したがって、第1領域では、構造物を除去し、第2領域では構造物を維持させることによって、互いに異なるサイズを有する要素を提供しうる。特に、前記第1領域では、該当マスクにある要素が側壁スペーサ自体として限定され、それらは、構造物が除去された後にも残る。また、チップの第2領域にある要素は、側壁スペーサのみならず、それらの間にある構造物も含みうる。したがって、チップの互いに異なる領域で互いに異なるパターンに含まれる互いに異なる要素は互いに異なるサイズを有することができる。
【0036】
図1は、セルアレイ32に連結されたワードラインWL0−WLnを駆動するデコーダ回路34を含むフラッシュメモリ素子30を含むシステム100を示すハイレベルブロック図である。フラッシュメモリ素子30のセルアレイ32は、複数のメモリセルを含む。セルアレイ32は、ビットラインBL0−BLmを通じてページバッファ36に連結されている。デコーダ34は、セルアレイ32内で選択的なメモリセルのアドレスに用いられ、この際、データは、ビットラインBL0−BLmを通じてページバッファ36に提供される。
【0037】
また、デコーダ34は、ビットライン選択回路38を除去し、ビットライン選択回路38は、制御ラインYiを通じてページバッファ36により提供されるデータを選択しうる。選択されたデータは、ビットライン選択回路38からデータバッファ42を通じて提供され、データバッファ42は、デコーダ34により命令される制御ユニット44の制御下で作動する。
【0038】
フラッシュメモリ30は、書込及び読出サイクルを行うために、フラッシュメモリ30を動作させるように構成された補助制御回路を含むメモリコントローラ回路20により制御される。特に、メモリコントローラ20からのアドレスがデコーダ34に入力されるとき、デコーダ34は、選択信号Yiを発生させて、ワードラインWL0−WLnのうち1つまたはビットラインBL0−BLmのうち1つを選択しうる。メモリコントローラ回路20はまたバッファメモリ22を含み、このバッファメモリ22は、フラッシュメモリ30に書き込まれるデータの臨時保存に用いられるだけではなく、フラッシュメモリ30から読出されたデータの臨時保存にも使われる。
【0039】
メモリコントローラ20には、ホストシステム10が連結されており、ホストシステム10は、メモリコントローラ回路20のハイレベル制御によりフラッシュメモリ30に対する読出/書込動作を行う。特に、ホストシステム10からのデータ及び書込命令がメモリコントローラ20に入力されうる。メモリコントローラ20は、入力命令によってセルアレイ32にデータを書込むために、フラッシュメモリ30を制御し、かつ/またはホストシステム10からの読出命令によってセルアレイ32からデータを読出するために、フラッシュメモリ30を制御しうる。
【0040】
ホスト10とフラッシュメモリ30との間で伝送されたデータは、バッファメモリ22に臨時保存されうる。本実施例は、図1に示された回路の一部を構成するか、図示されていない回路をも構成しうる。
【0041】
図2は、本発明の一実施例によるそれぞれのフィーチャーを有する分離された2つの領域(A及びB)を含む半導体素子の平面図である。特に、半導体素子200の領域Aは、2つのフィーチャー、すなわち、2つのフィーチャー210を含む。各フィーチャー210は、幅W1を有し、各フィーチャー210は、距離D1ほど離隔されている。また、半導体基板200の領域Bは、フィーチャー、すなわち、フィーチャー220を含む。フィーチャー220は、領域Aにあるフィーチャー210の幅W1とは異なる幅W2を有する。
【0042】
一実施例で、領域Aは、例えば、比較的小さなフィーチャー、すなわち、パターンを含む素子のセルアレイ領域である。領域Bは、例えば、領域Aに比べて比較的大きいフィーチャー、またはパターンを有する周辺コアまたはセルアレイ領域の異なる部分である。特に、領域Aで幅W1を有するフィーチャー210は、領域Bで幅W2を有するフィーチャー220に比べて比較的小さい。また、本発明の一実施例で、領域Aでの各フィーチャー210の間隔D1は、それらパターンの幅と同一であり、各フィーチャー210間の間隔D1が幅W1より小さいか、さらに大きい場合もある。領域Aにあるフィーチャー210は、活性領域パターン、または導電ラインと同じ導電パターンでありうる。領域Bにあるフィーチャー220は、活性領域パターンまたは導電パターンであり、一実施例ではアラインキー(alignment key)でもありえる。互いに異なる領域にあるフィーチャー210及びフィーチャー220は、互いに電気的に連結されているか、それとも連結されていない。
【0043】
図3Aないし図3Hは、本発明の実施例による、SARPを利用して複数のマスクパターンを同時に形成する方法を説明するための断面図である。特に、予備構造物340A、340B(以下、“340”と通称する)は、下地膜上に形成される。前記下地膜は、素子200の領域A及び領域Bで、基板300により順次に支持されているフィーチャー層310、デュアルマスク層320、及びエッチングマスク層330を含むことができる。
【0044】
図3Aに示した層は、形成しようとする半導体素子の特定タイプによって互いに異なる材料で形成することができる。例えば、図3Aに示した予備構造物340が最終的に導電性構造物、例えば、ゲート電極を形成するために用いられるものであれば、フィーチャー層310は、TaN、TiN、W、WN、HfN、WSix、及びそれらの組合わせのような材料からなりうる。または、フィーチャー層310に形成するフィーチャーがビットラインであれば、フィーチャー層310は、ポリシリコン、タングステンまたはアルミニウムのような金属または合金からなりうる。また、本発明による一実施例で、基板300に活性領域を定義するか、微細パターンを形成する場合には、フィーチャー層310は省略でき、予備構造物340は、基板300にトレンチを定義するために、少なくとも初期に用いられる。図3Aに示されたように、領域A及び領域Bに形成された予備構造物340は、互いに異なる幅WD1及びW3で形成され、ここで、WD1はW3より小さく、領域Bに形成されるフィーチャー220の幅W2より小さい。
【0045】
図3Aを参照すれば、エッチングマスク層330は、デュアルマスク層320に対してエッチング選択比を有する材料で形成される。例えば、本発明による一実施例で、エッチングマスク層330は、SiON、SiO2、Si3N4、SiCN、ポリシリコン、金属、または有機物からなる。また、本発明による一実施例で、予備構造物340A、340Bは、単一のフォトリソグラフィー工程により同一段階で形成される。
【0046】
前記で簡略に説明したように、デュアルマスク層320は、エッチングマスク層330に対してエッチング選択比を有する。また、デュアルマスク層320は、SiO2、Si3N4、SiCN及び/またはポリシリコンのようなシリコン含有物質で形成される。
また、本発明による実施例で、デュアルマスク層320は、非晶質炭素層、炭素含有層、または炭素含有物質からなる。デュアルマスク層320は、スピンコーティングまたはCVD工程によりフィーチャー層310に印加される。領域Aに形成されたデュアルマスク層320の一部は、多重パターンを有する複数のエッチングマスクパターンを形成するための犠牲層として用いられる。領域Bに形成されたデュアルマスク層320は、最終パターンを形成するためのエッチングマスクの一部になる。
【0047】
本発明による一実施例で、デュアルマスク層320が炭素含有物質で形成された場合、デュアルマスク層320は、芳香族環を含む炭化水素化合物またはその誘導体を含む有機化合物で形成される。例えば、本発明による一実施例で、デュアルマスク層320は、フェニルベンゼンまたはナフタレンのような芳香族環を有する有機化合物を含むことができる。また、本発明による実施例で、デュアルマスク層320は、有機化合物の総重量を基準に比較的高い炭素含量(例えば、約85〜99重量%)を有する層からなりうる。
【0048】
図3Iは、本発明による一実施例で、フィーチャー層310上にデュアルマスク層320を形成する方法を説明するためのフローチャートである。図3Iによれば、フィーチャー層310(後続工程でのエッチング対象)上に有機化合物を約1000〜1500Åの厚さでスピンコーティングする(301段階)。その後、フィーチャー層310上の有機化合物を約150〜350℃で約60秒間ベークしてデュアルマスク層320を形成する(302段階)。約300〜550℃で約30〜300秒間デュアルマスク層320に対して2次ベークを行ってデュアルマスク層320を硬化させる(303段階)。前記2次ベーク工程は、後続する半導体素子の製造工程時、例えば、素子に約400℃以上の温度が加えられる時、後続工程で引き起こされるデュアルマスク層320での逆効果を減少させるのに役に立つ。
【0049】
図3Bを参照すれば、図3Aで、予備構造物340を形成した後、予備構造物340を用いて下部のエッチングマスク層330をエッチングしてデュアルマスク層320の一部を露出させる。図3Bに示されたように、予備構造物340の下にあるエッチングマスク層の残留部分330A、330Bは、予備構造物340のプロファイルにより、各々幅WD1及びW3とほぼ同じ幅を有する。本発明による一実施例で、エッチングマスク層330をエッチングする間に予備構造物340の厚さが減少する。
【0050】
図3Cに示すように、エッチングマスク層の残留部分330A、330Bをマスクとしてデュアルマスク層320をエッチングする。デュアルマスク層320のエッチングにより下部のフィーチャー層310が露出され、デュアルマスク層320から構造物マスクパターン320A、320Bが定義される。デュアルマスク層320をエッチングする間に予備構造物340の全部または一部が除去される。また、デュアルマスク層320のエッチングの後、エッチングマスクパターン330Bの厚さTB1は、エッチングマスクパターン330Aの幅WD1の1/2より大きい。すなわち、TB1>(WD1)/2である。構造物マスクパターン320Aは、領域Aで微細フィーチャーまたはパターンを形成するための犠牲層として用いられ、構造物マスクパターン320Bは、領域Bで比較的広幅を有するフィーチャーまたはパターンを形成するためのエッチングマスクとして用いられる。本発明の一実施例で、構造物マスクパターン320A、320B及びその上にあるエッチングマスクパターン330A、330Bは、領域A及び領域Bで第1マスク構造及び第2マスク構造を形成し、それらは、それらの互いに異なる幅により互いに異なるエッチング率でエッチングされる。
【0051】
特に、図3Dに示すように、領域Aにあるエッチングマスクパターン330Aは、等方性エッチング工程により完全に除去される。エッチングマスクパターン330A、330Bの等方性エッチング工程は、他の露出された層に対して比較的高いエッチング選択比を提供すべく行われる。等方性エッチング工程を行うために、湿式エッチングまたは乾式エッチングを利用しうる。例えば、エッチングマスクパターン330A、330BがSiO2またはSiONからなる場合、エッチングマスクパターン330A、330Bを選択的に等方性エッチングするためにHF溶液を使用できる。
【0052】
しかし、領域Aにある第1マスク構造は、領域Bにある第2マスク構造より狭いために、エッチングマスクパターン330Aは、エッチングマスクパターン330Bより速くエッチングされる。このように、エッチングマスクパターン330Bを完全に除去せずとも、エッチングマスクパターン330Aを除去することができる。特に、等方性エッチング工程によりエッチングマスクパターン330Aの各表面から所定量Rを除去することによって、構造物マスクパターン320Aからエッチングマスクパターン330Aを完全に除去することができる。前記等方性エッチング工程によりエッチングマスクパターン330Bでも同様に各表面から所定量Rが除去され、構造物マスクパターン320B上にエッチングマスクパターン330Cの一部を残せる。したがって、残留するエッチングマスクパターン330Cは、エッチングマスクパターン330Bの厚さTB1より小さな厚さTB2を有する。
【0053】
図3Eに示すように、エッチングマスクパターン330A、330B及び残留するエッチングマスクパターン330C上にスペーサ層350をコンフォーマルすべく蒸着する。したがって、スペーサ層350が構造物パターン320Aの上面に直接接するようになる。本発明による一実施例で、スペーサ層350の厚さは、図2に示されたフィーチャー210の幅W1とほぼ同一にすることができる。本発明による他の実施例で、スペーサ層350の厚さは、フィーチャー210の幅W1より大きいか、さらに小さくすることができる。スペーサ層350は、残留エッチングマスクパターン330C、構造物マスクパターン320A、320B、及び/またはフィーチャー層310に対して、異なるエッチング選択比を有することができる。
【0054】
図3Fによれば、フィーチャー層310及び構造物マスクパターン320A、320Bからスペーサ層350の一部を除去する。特に、一実施例で、スペーサ層350をエッチバックして構造物マスクパターン320Aを含む第1マスク構造及び残留エッチングマスクパターン330Cを含む第2マスク構造(の表面を露出さる。例えば、本発明による一実施例で、スペーサ層350に適用されるエッチバック工程は、メインエッチングガスとしてCxFy(ここで、x及びyは、1〜10の整数)を用いて行われうる。他の実施例で、メインエッチングガスとしてCHxFy(ここで、x及びyは、1〜10の整数)を使用しうる。また、一実施例で、メインエッチングガスにO2及び/またはArを追加しうる。
【0055】
しかし、図3Fに示すように、構造物マスクパターン320A、320Bの上、特に構造物マスクパターン320A、320Bの側壁でスペーサ層350の一部が残り、構造物マスクパターン320A、320Bの両側壁には各々側壁スペーサ350A、350Bが形成される。側壁スペーサ350Aは、領域Aで比較的微細なフィーチャーを形成するためのエッチングマスクとして用いられる。そして、側壁スペーサ350Bは、領域Bで比較的大きい幅(例えば、領域Aでのフィーチャーよりさらに広い幅)を有するフィーチャーを形成するためのエッチングマスクの一部として用いられる。図3Fに示すように、構造物マスクパターン320Bの両側壁にある側壁スペーサ350Bは、構造物マスクパターン320Bの側壁を完全に覆い、構造物マスクパターン320Bの上部まで延びて残留エッチングマスクパターン330Cの両側壁に接するスペーサ350Cを形成する。
【0056】
本発明による一実施例で、スペーサ層350をエッチバックする間、ポリマー副産物が生成されて構造物マスクパターン320A、エッチングマスクパターン330C、及び両側の側壁スペーサ350A、350B上に堆積される。しかし、このようなポリマー副産物層は、エッチバック工程時の条件によって減少するか、あるいは形成されない。例えば、ポリマー副産物層は、メインエッチングガスに含まれたO2の量に影響されるか、またはエッチバック工程時の温度に影響される。特に、O2の量を減少させるか、工程温度を低めることによって、ポリマー副産物層を減少させるか、形成されないようにできる。
【0057】
図3Gを参照すれば、側壁スペーサ350Aから構造物マスクパターン320Aを選択的に除去する。例えば、構造物マスクパターン320Aを含む第1マスク構造の表面と残留エッチングマスクパターン330C及び構造物マスクパターン320Bを含む第2マスク構造の表面とが側壁スペーサ350A、350Bを通じて露出されて選択的エッチング工程によりエッチングされ、その結果、構造物マスクパターン320A部分が両側の側壁スペーサ350Aの間で除去されて下部にあるフィーチャー層310が露出される。しかし、構造物マスクパターン320Aが除去されても、領域Bにある構造物マスクパターン320Bは、その厚さに大きな変化なしに残る。特に、残留エッチングマスクパターン330Cと両側の側壁スペーサ350B、350Cとは、構造物マスクパターン320Aを除去するための工程中に下部の構造物マスクパターン320Bを保護する。一実施例で、スペーサ350Cが形成されない場合にも、構造物マスクパターン320Bは実質的に除去されず、したがって後続工程で下部のフィーチャー層310をエッチングするためのエッチングマスクとして使われるのに十分な厚さを提供することができる。
【0058】
したがって、領域A及び領域Bで複数のセルフアラインリバースマスクパターンが同時に形成される。ここで、各マスクパターン要素の一部は、他のものに比べてさらに狭い幅を有する。特に、図3Gに示されたように、両側の側壁スペーサ350Aは、自己整列リバースマスクパターンのうち、幅の狭いものを定義し、それらは各々両側の側壁スペーサ350B、350C、両側の側壁スペーサ350Bの間に介在される構造物マスクパターン320B、及びその上にある残留エッチングマスクパターン330Cにより限定される自己整列リバースマスクパターン幅より狭い幅を有する。
【0059】
したがって、図3Hに示されたように、領域Aにある自己整列リバースマスクパターン(例えば、スペーサ350A)と、領域Bにある自己整列リバースマスクパターン(例えばスペーサ350B、350C、構造物マスクパターン320B、及び残留エッチングマスクパターン330C)が下部のフィーチャー層310をエッチングするためのマスクとして利用され、領域Aではフィーチャー310Aを形成し、領域Bでは幅が異なるフィーチャー310Bを形成する。前記のように得られたフィーチャーは、半導体素子に必要な任意の成分、例えば、ゲートに必要な導電性成分を構成しうる。例えば、フィーチャー310A、310Bは、各々図2に示されたフィーチャー210、220に対応しうる。
【0060】
図4は、本発明の一実施例による、領域Aに図示された要素410が幅W5を有し、間隔D5ほど離隔されており、領域Bにある要素420は、幅W6を有する半導体素子400の平面図である。一実施例で、領域Aは、例えば、比較的小さなフィーチャーまたはパターンを含む素子のセルアレイ領域でありうる。一方、領域Bは、例えば領域Aに含まれたフィーチャーまたはパターンに比べて比較的大きなフィーチャーまたはパターンを有するセルアレイ領域の他の部分または周辺コアでありうる。特に、領域Aで幅W5を有するフィーチャー410は、領域Bに図示された幅W6を有するフィーチャー420に比べて非常に小さい。また、本発明による一実施例で領域Aにあるフィーチャー410間の間隔D5は、フィーチャー410の幅W5と同一とすることができる。または、フィーチャー410間の間隔D5は、幅W5より小さいか、大きくすることができる。領域Aにあるフィーチャー410は、活性領域パターン、または導電ラインのような導電パターンでありうる。領域Bにあるフィーチャー420は、活性領域パターン、または導電ラインのような導電パターンでありうる。互いに異なる領域にあるフィーチャー410、420は、互いに電気的に連結され、あるいは電気的に連結されないこともある。
【0061】
図5Aないし図5Fは、本発明による一実施例で自己整列リバースパターニングに使われる複数のマスクパターンを同時に形成することによって、基板にSTI領域を形成する方法を説明する断面図である。図5Aによれば、基板500上にパッド酸化膜502、第1ハードマスク層504、第2ハードマスク層506、バッファマスク層510、デュアルマスク層320’及びエッチングマスク層330’が順次に形成された結果物で、エッチングマスク層330’上に要素340A’、340B’を含む予備パターン340’を形成する。マスクパターン要素340A’は、WD2を有し、マスクパターン要素340B’は、幅WD2より大きく、図4のフィーチャー420の幅W6より小さな幅W7を有することができる。相互隣接したマスクパターン要素340A’のピッチは2Pになる。
【0062】
第1ハードマスク層504及び/または第2ハードマスク層506は、単一材料からなる単一層でありうる。または、それらは2つまたはそれ以上の材料層を含む多重構造を有することができる。また、第1ハードマスク層504及び第2ハードマスク層506は、互いに異なるエッチング選択比を有することができる。本発明による一実施例で、バッファマスク層510は、第2ハードマスク層506に対してエッチング選択比を有すること。しかし、他の実施例でバッファマスク層510は省略してもよい。
【0063】
図5Bに示すように、領域Aにあるマスク要素350A’と、領域Bにあるマスク要素320B’、330C’、350B’、350C’とを含むマスクパターンが、バッファマスク層510上に形成される。特に、領域A及び領域Bのマスクパターン要素は、図3A〜図3Hと同じ方法で形成することができる。スペーサ350B’、350C’及び構造物320B’とその上に形成されたエッチングマスク層330C’を含むマスクパターンは、領域Bでその幅の和W6が領域Aに形成された側壁スペーサ350A’の幅W5より大きい。
【0064】
図5Cによれば、領域A及び領域Bにあるマスクパターンの要素は、領域A及び領域Bで各々要素510A、510Bを形成するためのエッチングマスクとして用いられる。特に、バッファマスク層510は、領域Aではスペーサ350A’をマスクとし、領域Bではスペーサ350B’、350C’、構造物320B’及び残留エッチングマスク層330C’をマスクとしてパターニングされてバッファマスクパターン510A、510Bが形成される。領域Aにあるバッファマスクパターン510Aの幅はW5で、領域Bにあるバッファマスクパターン510Bの幅はW5より大きいW6である。
【0065】
図5Dに示すように、要素510A、510Bを用いて第2及び第1ハードマスク層506、504をエッチングして、領域Aでは層506A、504Aを含むハードマスクパターンを形成し、領域Bでは層506B、504Bを含むハードマスクパターンを形成して、それらの下にあるパッド酸化膜502を露出させる。
【0066】
図5Eによれば、ハードマスクパターン506A/504A及び506B/504Bをエッチングマスクとして露出されたパッド酸化膜502を貫通して基板500の内部までエッチングして領域Aの素子分離用トレンチ570Aと領域Bの素子分離用トレンチ570Bとを形成する。
【0067】
図5Fに示すように、トレンチ570A、570B内に絶縁物質を蒸着して領域A及び領域BにSTI領域572A、572Bを形成する。また、最も隣接したSTI領域572A、572B間に活性領域574A、574Bが定義され、それらは各々W5及びW6の幅を有する。活性領域574A、574Bは、各々図4のフィーチャー410、420に対応しうる。また、図5Fで、隣接した活性領域のピッチがPである。
【0068】
図6A〜図6Hは、本発明の実施例によってSTI領域を形成する方法を説明する断面図である。図6Aによれば、基板500’上にパッド酸化膜502’、第1ハードマスク層504’、第2ハードマスク層506’、バッファマスク層510’、デュアルマスク層320”及びエッチングマスク層330”が順次に形成された結果物で、エッチングマスク層330”上に要素340A”、340B”を含む予備パターン340”を形成する。マスクパターン要素340A”は、WD2の幅を有することができる。相互隣接したマスクパターン要素340A”のピッチは2Pになる。
【0069】
第1ハードマスク層504’及び/または第2ハードマスク層506’は、単一材料からなる単一層でありうる。または、それらは2層またはそれ以上の材料層を含む多重構造を有することができる。また、第1ハードマスク層504’及び第2ハードマスク層506’は、互いに異なるエッチング選択比を有することができる。本発明による一実施例で、バッファマスク層510’は第2ハードマスク層506’に対してエッチング選択比を有することができる。しかし、他の実施例でバッファマスク層510’は省略することができる。
【0070】
図6Bに示すように、領域Aにあるマスク要素350A”と、領域Bにあるマスク要素320B”、330C”、350B”、350C”とを含むマスクパターンが、バッファマスク層510’上に形成される。特に、領域A及び領域Bのマスクパターン要素は、図3Aないし図3Hの説明と同じ方法で形成しうる。領域Bでスペーサ350B”、350C”及び構造物320B”とその上に形成されたエッチングマスク層330C”を含むマスクパターンは、その幅の和が領域Aに形成された側壁スペーサ350A”の幅W5より大きい。
【0071】
図6Cによれば、領域A及び領域Bにあるマスクパターンの要素は、領域A及び領域Bで各々要素510A’、510B’を形成するためのエッチングマスクとして用いられる。特に、バッファマスク層510’は、領域Aではスペーサ350A”をマスクとし、領域Bではスペーサ350B”、350C”、構造物320B”及び残留エッチングマスク層330C”をマスクとしてパターニングされてバッファマスクパターン510A’、510B’が形成される。
【0072】
図6Dに示すように、要素510A’、510B’を用いて第2及び第1ハードマスク層506’、504’をエッチングし、領域Aでは層506A’、504A’を含むハードマスクパターンを形成し、領域Bでは層506B’、504B’を含むハードマスクパターンを形成して、それらの下にあるパッド酸化膜502’を露出させる。
【0073】
図6Eによれば、領域Aにあるハードマスクパターン510A’/506A’/504A’と領域Bにあるハードマスクパターン510B’/506B’/504B’上に広幅トレンチマスクパターン620を形成する。広幅トレンチマスクパターン620には、バッファマスクパターン510B’の表面を露出させる開口が形成されている。
【0074】
図6Fに示されたように、広幅トレンチマスクパターン620をエッチングマスクとしてバッファマスクパターン510B’、ハードマスクパターンの層506B’、504B’、パッド酸化膜502’、及び基板500’の内部までエッチングして領域Bに予備素子分離用トレンチ670Bを形成する。予備素子分離用トレンチ670Bは、基板500’の内部に深さD1まで延びる。
【0075】
図6Gによれば、領域Bに予備素子分離用トレンチ670Bが形成された後、領域A及び領域Bで、広幅トレンチマスクパターン620を除去する。図6Hに示すように、ハードマスクパターン506A’/504A’及び506B’/504B’をエッチングマスクとして露出されたパッド酸化膜502’を貫通して基板500’内部までエッチングして、領域Aの素子分離用トレンチ670Aと領域Bの素子分離用トレンチ670Bとを形成し、領域Bで、トレンチ670Bの深さを増加させる。最も隣接したトレンチ670A、672Bの間に各々活性領域674A、674Bが定義される。領域Bでのトレンチ670Bの深さD3は、領域Aでのトレンチ670Aの深さより大きい。しかし、領域Bで、多様なパターンが各々多様な距離を置いて形成され、多様な深さのトレンチが形成されうる。したがって、図6Hに示すように、領域Bでのトレンチ670Cの深さは領域Bでのトレンチ670Bの深さD3より小さい。図5Fの説明と同様に、トレンチ670A、670B、及び/または670C内に絶縁物質を蒸着して図示しないSTI領域を形成することができる。
【0076】
図7は、本発明の一実施例によって形成されたNANDフラッシュメモリを示す平面図である。また、強調部分7500は、本発明による一実施例に係る後続の図面での多様な断面図を示す。図7を参照すれば、NANDフラッシュ素子700は、NANDフラッシュタイプセルを含むセルアレイ領域700Aを含む。領域700Bは、NANDフラッシュ素子のコンタクト領域に該当する。領域700Cは、NANDフラッシュ素子の周辺回路領域に該当する。また、領域740は、セルブロック領域に該当し、ここで、要素701〜732は、ワードラインのような複数の導電ラインに該当する。しかし、一実施例では、複数の導電ライン701〜732がビットラインであり得、ストリング選択ラインSSL及び/または接地選択ラインGSLは省略されうる。本発明による一実施例で、領域750は、ワードライン、ビットライン、または金属ラインのようなダミー導電ラインに該当する。本発明による一実施例で、要素772は、周辺回路用導電パターンに該当する。本発明による一実施例で、領域700Bは、導電ライン701〜732をデコーダのような外部回路との連結に利用されうる。
【0077】
図8Aないし図14Bは、本発明の一実施例によって自己整列リバースパターニングを利用して、複数のマスクパターンを同時に形成する方法を示す図面であり、図7の半導体素子700の強調部分7500に対応する平面図及び断面図である。図8A及び図8Bに示すように、要素800は、フラッシュメモリ素子が形成される基板に該当し、要素830は、TaN、TiN、W、N、HfN、WSix及び/またはそれらの組合わせからなる導電ラインを形成する膜に該当する。一実施例で、要素830は、ビットラインの形成に利用され、ポリシリコン、金属、及び/または金属合金からなりうる。要素832は、ハードマスク層に該当し、これは単一種の金属からなる単一層であるか、別途の互いに異なる材料層を含む多重層でありうる。要素834は、ハードマスク層832に対して互いに異なるエッチング選択比を有するバッファマスク層に該当する。本発明による一実施例で要素320はデュアルマスク層に該当し、要素330はエッチングマスク層に該当し、340A及び340Bを含む要素340は予備マスクパターンに該当する。
【0078】
図8Bによれば、相異なる間隔及び幅を有する複数の予備パターン340A、340Bをエッチングマスク層330に形成する。例えば、8A−8A’の断面で示される予備パターンで各要素340Aのピッチは2PCであり、幅はWD3でありうる。8C−8C’断面で示される要素340Bの幅はW12であり、8D−8D’断面で示される要素340Bの幅はW13である。
【0079】
図9A及び図9Bに示すように、本発明による一実施例によって自己整列リバースパターニングを利用して、素子の互いに異なる領域に複数のマスクパターンをそれらに含まれた要素が互いに異なる幅を有するように形成する。特に、図3A−図3Hの説明と同様に、基板上の互いに異なる領域にスペーサ350A、350B(これらの一部はループ状部分を含む)を形成する。断面8A−8A’及び8B−8B’で示されるスペーサ350Aは、断面8C−8C’及び8D−8D’で示されるスペーサ350Bとは異なる幅を有する。特に、領域AAでスペーサ350Aにより定義されるマスクパターンは、W8’の幅及びPCのピッチを有する。領域BBでスペーサ350B、350C及び構造物320B、330Cにより定義されるマスクパターンは、W10’の幅(8C−8C’の断面参照)及びW11’の幅(8D−8D’の断面参照)を有する。
【0080】
図10A及び図10Bを参照すれば、各領域700A、700B、700C上に分離マスクパターン870を形成し、これをパターニングして、例えば、スペーサ350Aのループ状部分を部分的に露出させる。本発明による一実施例で分離マスクパターン870は、フォトレジスト材料からなりうる。
【0081】
図11A及び図11Bによれば、図10Aに示したスペーサ350Aの露出されたループ状部分を除去(トリミングとも称する)し、例えば、図11Aに示されたように、各スペーサ350A部分を互いに分離させ、2つの分離されたスペーサを形成する。分離マスクパターン870も除去する。図12A及び図12Bに示すように、マスクパターンのうち、領域Aにある各要素350Aと領域Bにある各要素350B、350C、320B、330Cを用いて下部のバッファマスク層834をエッチングして領域AA及び領域BBに各々フィーチャー、すなわち、パターン834A、834Bを形成する。
【0082】
図13A及び図13Bを参照すれば、各フィーチャー834A、834Bをマスクとして導電層830上に要素832A、832Bを含むリバースパターンを形成する。図14A及び図14Bによれば、リバースパターン832A、832Bを用いて導電層830をエッチングして基板800上に導電ラインパターン830A、830Bを形成する。一実施例で、導電ラインパターン830Aは、図7の導電ライン701ないし732及び/またはダミー導電ライン750に該当しうる。一実施例で、導電ラインパターン830Bは、図7のSSL、GSL、及び/または導電パターン772に該当しうる。
【0083】
(他の実施形態)
図15Aないし図15Eは、本発明の他の実施例でダマシン工程に利用される複数のマスクパターンを形成する方法を示す断面図である。図15Aに示すように、領域A及び領域Bに各々エッチング停止層902、モールド層910、デュアルマスク層320、エッチングマスク層330、及び要素340A、340Bを含む予備マスクパターン340を形成する。領域Aにある各要素340Aは、同じ幅BW1及びピッチ2Pを有する一方、領域Bにある各要素340Bは、互いに異なる幅BW2、BW3を有する。図3A〜図3Hの説明と同様に、各要素340A、340Bを予備マスクとしてエッチングマスク層330及びデュアルマスク層320をパターニングして、領域Aには要素320A、330Aを含む第1マスクパターンを形成し、領域Bには要素320B、330Bを含む第2マスクパターンを形成する。領域Bではエッチングマスクパターン330Bを完全に除去せず、領域Aではエッチングマスクパターン330Aを除去するために、等方性エッチングが利用され、各マスクパターン上にスペーサ層を形成した後、エッチバックして、領域Aには側壁スペーサ350Aを形成し、領域Bには側壁スペーサ350B/350Cを形成する。
【0084】
図15Bに示すように、デュアルマスク層320Aを除去し、領域Aでモールド層910上にピッチPで反復形成される自己整列リバースマスクパターンを構成するスペーサ350Aを残し、領域Bではモールド層910上でスペーサ350B、350C及びそれらの間の構造物320B、330Cが自己整列リバースマスクパターンを構成させる。
【0085】
図15Cによれば、領域Aにあるスペーサ350Aからなるマスクパターンと領域Bにあるスペーサ350B、350C及び構造物320B、330Cからなるマスクパターンとをマスクとしてモールド層910をエッチングし、領域A及び領域Bに要素910A、910Bを含むモールドパターンを各々形成する。領域Aにある複数のモールドパターン910Aは、ピッチP1を以って形成され、それらの間に比較的小さな開口S1が限定される。開口S1は、領域Bで複数のモールドパターン910B間に限定される開口S2のうち、少なくとも一部の開口S2より小さい。モールドパターン910A/910Bで開口S1、S2により露出されるエッチング停止層902も除去しうる。
【0086】
図15Dに示すように、バリア層932及び金属層934を含むダマシン導電層930をモールドパターン910A/910B上に形成して、それらの間の開口S1、S2を充填する。バリア層932は、約5〜150Åの厚さを有し、Ta、TaN、TiN、TaSiN、TiSiN、及び/またはそれらの組合わせのような材料からCVDまたはスパッタリング工程により形成されうる。しかし、一実施例で、バリア層932は省略してもよい。金属層934は、一実施例でCu、W、及び/またはAlなどの金属で形成し、PVDまたは電気メッキで形成しうる。例えば、約100〜500Åの厚さ第1Cu層をPVD工程により形成し、第1Cu層をシード層として約1000〜10000Åの厚さ第2Cu層を電気メッキ工程により形成しうる。
【0087】
図15Eを参照すれば、導電層930のうち、モールドパターン910A/910Bに形成された開口S1、S2の外側にある部分を平坦化工程により除去して、領域A及び領域Bに各々複数の導電ラインパターン930A、930Bを形成する。例えば、一実施例でエッチバック工程及び/またはCMP工程を利用できる。モールドパターン910A/910Bを除去して、領域Aには比較的微細な導電ラインパターン930Aを形成し、領域Bには比較的大きい導電ラインパターン930Bを形成する。一実施例で、導電ライン930Aは、図7の導電ライン701〜732に該当し、導電ライン930Bは図7のSSL、GSL、及び/または導電パターン772に該当しうる。
【符号の説明】
【0088】
300:基板、310:フィーチャー層、320A、320B:構造物マスクパターン、330C:残留エッチングマスクパターン、350A、350B、350C:側壁スペーサ
【特許請求の範囲】
【請求項1】
フィーチャー層の第1領域に第1マスク構造物を形成し、第2領域に第2マスク構造物を形成し、前記第1マスク構造物及び前記第2マスク構造物を各々デュアルマスク層、および、前記デュアルマスク層上に形成され、前記デュアルマスク層に対してエッチング選択比を有するエッチングマスク層を含むように前記第1マスク構造物及び前記第2マスク構造物を形成する段階と、
前記第1マスク構造物及び前記第2マスク構造物のエッチングマスクパターンを等方性エッチングして、前記第2マスク構造物の前記エッチングマスクパターンの少なくとも一部を残しつつ、前記第1マスク構造物から前記エッチングマスクパターンを除去する段階と、
前記第1マスク構造物及び前記第2マスク構造物の両側壁にスペーサを形成する段階と、
前記第2マスク構造物上にある前記エッチングマスクパターンをマスクとして前記第1領域で前記スペーサの間から前記第1マスク構造物を選択的に除去し、前記第1領域で間にボイドが形成されるように、相互対向する側壁スペーサを含む第1マスクパターン、および、前記第2領域で間に前記第2マスク構造物が介在されるように、相互対向する側壁スペーサを含む第2マスクパターンを形成する段階と、
を含むことを特徴とする半導体素子の製造方法。
【請求項2】
前記第1マスクパターンをマスクとして前記第1領域に第1フィーチャーを形成し、前記第2マスクパターンをマスクとして前記第2領域に前記第1フィーチャーより広い幅を有する第2フィーチャーを形成するように、前記フィーチャー層をパターニングする段階をさらに含むことを特徴とする請求項1に記載の半導体素子の製造方法。
【請求項3】
前記等方性エッチング前に、前記第2マスク構造物のエッチングマスクパターンの厚さは、前記第1マスク構造物のエッチングマスクパターン幅の1/2より大きいことを特徴とする請求項1に記載の半導体素子の製造方法。
【請求項4】
前記スペーサを形成する段階は、
前記第1マスク構造物及び第2マスク構造物上に前記エッチングマスクパターン及び前記デュアルマスクパターンの少なくとも一方に対してエッチング選択比を有するスペーサマスク層を形成する段階と、
前記スペーサマスク層をエッチングして前記相互対向する側壁スペーサの間で前記第1マスク構造物及び前記第2マスク構造物の各表面を露出させる段階と、
を含み、
前記第1マスク構造物を選択的に除去する段階は、
前記第2マスク構造物上のエッチングマスク層をマスクとして前記第1マスク構造物及び第2マスク構造物の露出面をエッチングして、前記第2マスク構造物のデュアルマスクパターンは除去せず、前記第1マスクパターンのデュアルマスクパターンを除去する段階を含むことを特徴とする請求項1に記載の半導体素子の製造方法。
【請求項5】
前記第1マスク構造物及び前記第2マスク構造物を形成する段階は、
前記基板の前記第1領域及び前記第2領域上にデュアルマスク層を形成する段階と、
前記第1領域は第1部分を含み、前記第2領域は前記第1部分より広い第2部分を含むエッチングマスクパターンを前記デュアルマスク層上に形成する段階と、
前記エッチングマスクパターンをマスクとして前記デュアルマスク層をパターニングし、前記第1領域には前記第1マスク構造物を形成し、前記第2領域には前記第1マスクパターン幅より広い幅の前記第2マスク構造物を形成する段階と、を含むことを特徴とする請求項1に記載の半導体素子の製造方法。
【請求項6】
前記第1領域はメモリセル領域を含み、前記第2領域は周辺回路領域を含むことを特徴とする請求項1に記載の半導体素子の製造方法。
【請求項7】
前記フィーチャー層は、半導体基板からなり、
前記第1マスク構造物及び前記第2マスク構造物を形成する前に、
前記基板の前記第1領域及び前記第2領域にパッド酸化膜を形成する段階と、
前記基板の前記第1領域及び前記第2領域で前記パッド酸化膜上にハードマスク層を形成する段階と、
をさらに含み、
前記第1マスク構造物及び前記第2マスク構造物を形成する段階は、前記ハードマスク層上に前記第1マスク構造物及び前記第2マスク構造物を形成する段階を含むことを特徴とする請求項1に記載の半導体素子の製造方法。
【請求項8】
前記フィーチャー層は、導電層を含み、
前記第1領域では前記スペーサをマスクとして前記導電層をパターニングして第1導電パターンを形成し、前記第2領域では前記第2マスク構造物とその両側壁にある前記スペーサをマスクとして前記第1導電パターンより広い幅の第2導電パターンを形成する段階をさらに含むことを特徴とする請求項1に記載の半導体素子の製造方法。
【請求項9】
前記第1マスクパターンは、前記第1領域で複数のマスク要素を含み、
前記第2マスクパターンは、前記第2領域で前記第1領域にある前記複数のマスク要素よりそれぞれ広い幅を有する複数のマスク要素を含むことを特徴とする請求項1に記載の半導体素子の製造方法。
【請求項10】
前記フィーチャー層は、基板を含み、
前記第1マスク構造物及び前記第2マスク構造物を形成する段階前に、
前記第1領域及び前記第2領域にエッチング阻止層を形成する段階と、
前記基板の前記第1領域及び前記第2領域にモールド層を形成する段階と、
をさらに含み、
前記第1マスク構造物及び前記第2マスク構造物を形成する段階は、前記モールド層上に前記第1マスク構造物及び前記第2マスク構造物を形成する段階を含み、
前記第1領域で前記スペーサの間から前記第1マスク構造物を選択的に除去した後に、前記基板の前記第1領域では前記スペーサをマスクとして前記モールド層をパターニングして、前記第1領域に第1開口を限定するモールドパターンの第1部分を形成し、前記基板の前記第2領域では前記第2マスク構造物とその両側壁にあるスペーサをマスクとして前記モールド層をパターニングして、前記第2領域に前記基板の前記第1領域に形成された前記第1開口より広い第2開口を限定するモールドパターンの第2部分を形成する段階と、
前記基板の前記第1領域及び前記第2領域で各々前記モールドパターンの前記第1開口及び前記第2開口を充填するように導電層を形成する段階と、
前記モールドパターンを除去して前記第1領域には微細導電パターンを形成し、前記第2領域には前記微細導電パターンより広い素子導電パターンを形成する段階と、
をさらに含むことを特徴とする請求項1に記載の半導体素子の微細パターン形成方法。
【請求項11】
第1領域及び第2領域を含む基板と、
前記基板の前記第1領域にある複数の第1フィーチャーと、
前記第1領域にある前記複数の第1フィーチャーより広い幅を各々有し、前記基板の前記第2領域にある複数の第2フィーチャーを含み、
前記基板の第1領域にある複数の第1フィーチャー及び前記第2領域にある複数の第2フィーチャーは、
フィーチャー層の前記第1領域には第1マスク構造物を形成し、前記第2領域には第2マスク構造物を形成し、各々デュアルマスク層、および、前記デュアルマスク層上に形成され、前記デュアルマスク層に対してエッチング選択比を有するエッチングマスク層を含むように前記第1マスク構造物及び前記第2マスク構造物を形成する段階と、
前記第1マスク構造物及び前記第2マスク構造物のエッチングマスクパターンを等方性エッチングして、前記第2マスク構造物ではエッチングマスクパターンの少なくとも一部を残し、前記第1マスク構造物から前記エッチングマスクパターンを除去する段階と、
前記第1マスク構造物及び前記第2マスク構造物の両側壁にスペーサを形成する段階と、
前記第2マスク構造物上にある前記エッチングマスクパターンをマスクとして前記第1領域で前記スペーサの間から前記第1マスク構造物を選択的に除去する段階と、
前記第1領域では前記スペーサをマスクとして前記フィーチャー層をパターニングして前記複数の第1フィーチャーを形成し、前記第2領域では前記第2マスク構造物とその両側壁にある前記スペーサをマスクとして前記複数の第2フィーチャーを形成する段階と、で形成されることを特徴とする半導体素子。
【請求項1】
フィーチャー層の第1領域に第1マスク構造物を形成し、第2領域に第2マスク構造物を形成し、前記第1マスク構造物及び前記第2マスク構造物を各々デュアルマスク層、および、前記デュアルマスク層上に形成され、前記デュアルマスク層に対してエッチング選択比を有するエッチングマスク層を含むように前記第1マスク構造物及び前記第2マスク構造物を形成する段階と、
前記第1マスク構造物及び前記第2マスク構造物のエッチングマスクパターンを等方性エッチングして、前記第2マスク構造物の前記エッチングマスクパターンの少なくとも一部を残しつつ、前記第1マスク構造物から前記エッチングマスクパターンを除去する段階と、
前記第1マスク構造物及び前記第2マスク構造物の両側壁にスペーサを形成する段階と、
前記第2マスク構造物上にある前記エッチングマスクパターンをマスクとして前記第1領域で前記スペーサの間から前記第1マスク構造物を選択的に除去し、前記第1領域で間にボイドが形成されるように、相互対向する側壁スペーサを含む第1マスクパターン、および、前記第2領域で間に前記第2マスク構造物が介在されるように、相互対向する側壁スペーサを含む第2マスクパターンを形成する段階と、
を含むことを特徴とする半導体素子の製造方法。
【請求項2】
前記第1マスクパターンをマスクとして前記第1領域に第1フィーチャーを形成し、前記第2マスクパターンをマスクとして前記第2領域に前記第1フィーチャーより広い幅を有する第2フィーチャーを形成するように、前記フィーチャー層をパターニングする段階をさらに含むことを特徴とする請求項1に記載の半導体素子の製造方法。
【請求項3】
前記等方性エッチング前に、前記第2マスク構造物のエッチングマスクパターンの厚さは、前記第1マスク構造物のエッチングマスクパターン幅の1/2より大きいことを特徴とする請求項1に記載の半導体素子の製造方法。
【請求項4】
前記スペーサを形成する段階は、
前記第1マスク構造物及び第2マスク構造物上に前記エッチングマスクパターン及び前記デュアルマスクパターンの少なくとも一方に対してエッチング選択比を有するスペーサマスク層を形成する段階と、
前記スペーサマスク層をエッチングして前記相互対向する側壁スペーサの間で前記第1マスク構造物及び前記第2マスク構造物の各表面を露出させる段階と、
を含み、
前記第1マスク構造物を選択的に除去する段階は、
前記第2マスク構造物上のエッチングマスク層をマスクとして前記第1マスク構造物及び第2マスク構造物の露出面をエッチングして、前記第2マスク構造物のデュアルマスクパターンは除去せず、前記第1マスクパターンのデュアルマスクパターンを除去する段階を含むことを特徴とする請求項1に記載の半導体素子の製造方法。
【請求項5】
前記第1マスク構造物及び前記第2マスク構造物を形成する段階は、
前記基板の前記第1領域及び前記第2領域上にデュアルマスク層を形成する段階と、
前記第1領域は第1部分を含み、前記第2領域は前記第1部分より広い第2部分を含むエッチングマスクパターンを前記デュアルマスク層上に形成する段階と、
前記エッチングマスクパターンをマスクとして前記デュアルマスク層をパターニングし、前記第1領域には前記第1マスク構造物を形成し、前記第2領域には前記第1マスクパターン幅より広い幅の前記第2マスク構造物を形成する段階と、を含むことを特徴とする請求項1に記載の半導体素子の製造方法。
【請求項6】
前記第1領域はメモリセル領域を含み、前記第2領域は周辺回路領域を含むことを特徴とする請求項1に記載の半導体素子の製造方法。
【請求項7】
前記フィーチャー層は、半導体基板からなり、
前記第1マスク構造物及び前記第2マスク構造物を形成する前に、
前記基板の前記第1領域及び前記第2領域にパッド酸化膜を形成する段階と、
前記基板の前記第1領域及び前記第2領域で前記パッド酸化膜上にハードマスク層を形成する段階と、
をさらに含み、
前記第1マスク構造物及び前記第2マスク構造物を形成する段階は、前記ハードマスク層上に前記第1マスク構造物及び前記第2マスク構造物を形成する段階を含むことを特徴とする請求項1に記載の半導体素子の製造方法。
【請求項8】
前記フィーチャー層は、導電層を含み、
前記第1領域では前記スペーサをマスクとして前記導電層をパターニングして第1導電パターンを形成し、前記第2領域では前記第2マスク構造物とその両側壁にある前記スペーサをマスクとして前記第1導電パターンより広い幅の第2導電パターンを形成する段階をさらに含むことを特徴とする請求項1に記載の半導体素子の製造方法。
【請求項9】
前記第1マスクパターンは、前記第1領域で複数のマスク要素を含み、
前記第2マスクパターンは、前記第2領域で前記第1領域にある前記複数のマスク要素よりそれぞれ広い幅を有する複数のマスク要素を含むことを特徴とする請求項1に記載の半導体素子の製造方法。
【請求項10】
前記フィーチャー層は、基板を含み、
前記第1マスク構造物及び前記第2マスク構造物を形成する段階前に、
前記第1領域及び前記第2領域にエッチング阻止層を形成する段階と、
前記基板の前記第1領域及び前記第2領域にモールド層を形成する段階と、
をさらに含み、
前記第1マスク構造物及び前記第2マスク構造物を形成する段階は、前記モールド層上に前記第1マスク構造物及び前記第2マスク構造物を形成する段階を含み、
前記第1領域で前記スペーサの間から前記第1マスク構造物を選択的に除去した後に、前記基板の前記第1領域では前記スペーサをマスクとして前記モールド層をパターニングして、前記第1領域に第1開口を限定するモールドパターンの第1部分を形成し、前記基板の前記第2領域では前記第2マスク構造物とその両側壁にあるスペーサをマスクとして前記モールド層をパターニングして、前記第2領域に前記基板の前記第1領域に形成された前記第1開口より広い第2開口を限定するモールドパターンの第2部分を形成する段階と、
前記基板の前記第1領域及び前記第2領域で各々前記モールドパターンの前記第1開口及び前記第2開口を充填するように導電層を形成する段階と、
前記モールドパターンを除去して前記第1領域には微細導電パターンを形成し、前記第2領域には前記微細導電パターンより広い素子導電パターンを形成する段階と、
をさらに含むことを特徴とする請求項1に記載の半導体素子の微細パターン形成方法。
【請求項11】
第1領域及び第2領域を含む基板と、
前記基板の前記第1領域にある複数の第1フィーチャーと、
前記第1領域にある前記複数の第1フィーチャーより広い幅を各々有し、前記基板の前記第2領域にある複数の第2フィーチャーを含み、
前記基板の第1領域にある複数の第1フィーチャー及び前記第2領域にある複数の第2フィーチャーは、
フィーチャー層の前記第1領域には第1マスク構造物を形成し、前記第2領域には第2マスク構造物を形成し、各々デュアルマスク層、および、前記デュアルマスク層上に形成され、前記デュアルマスク層に対してエッチング選択比を有するエッチングマスク層を含むように前記第1マスク構造物及び前記第2マスク構造物を形成する段階と、
前記第1マスク構造物及び前記第2マスク構造物のエッチングマスクパターンを等方性エッチングして、前記第2マスク構造物ではエッチングマスクパターンの少なくとも一部を残し、前記第1マスク構造物から前記エッチングマスクパターンを除去する段階と、
前記第1マスク構造物及び前記第2マスク構造物の両側壁にスペーサを形成する段階と、
前記第2マスク構造物上にある前記エッチングマスクパターンをマスクとして前記第1領域で前記スペーサの間から前記第1マスク構造物を選択的に除去する段階と、
前記第1領域では前記スペーサをマスクとして前記フィーチャー層をパターニングして前記複数の第1フィーチャーを形成し、前記第2領域では前記第2マスク構造物とその両側壁にある前記スペーサをマスクとして前記複数の第2フィーチャーを形成する段階と、で形成されることを特徴とする半導体素子。
【図1】
【図2】
【図3A】
【図3B】
【図3C】
【図3D】
【図3E】
【図3F】
【図3G】
【図3H】
【図3I】
【図4】
【図5A】
【図5B】
【図5C】
【図5D】
【図5E】
【図5F】
【図6A】
【図6B】
【図6C】
【図6D】
【図6E】
【図6F】
【図6G】
【図6H】
【図7】
【図8A】
【図8B】
【図9A】
【図9B】
【図10A】
【図10B】
【図11A】
【図11B】
【図12A】
【図12B】
【図13A】
【図13B】
【図14A】
【図14B】
【図15A】
【図15B】
【図15C】
【図15D】
【図15E】
【図2】
【図3A】
【図3B】
【図3C】
【図3D】
【図3E】
【図3F】
【図3G】
【図3H】
【図3I】
【図4】
【図5A】
【図5B】
【図5C】
【図5D】
【図5E】
【図5F】
【図6A】
【図6B】
【図6C】
【図6D】
【図6E】
【図6F】
【図6G】
【図6H】
【図7】
【図8A】
【図8B】
【図9A】
【図9B】
【図10A】
【図10B】
【図11A】
【図11B】
【図12A】
【図12B】
【図13A】
【図13B】
【図14A】
【図14B】
【図15A】
【図15B】
【図15C】
【図15D】
【図15E】
【公開番号】特開2010−103538(P2010−103538A)
【公開日】平成22年5月6日(2010.5.6)
【国際特許分類】
【出願番号】特願2009−243440(P2009−243440)
【出願日】平成21年10月22日(2009.10.22)
【出願人】(390019839)三星電子株式会社 (8,520)
【氏名又は名称原語表記】SAMSUNG ELECTRONICS CO.,LTD.
【住所又は居所原語表記】416,Maetan−dong,Yeongtong−gu,Suwon−si,Gyeonggi−do 442−742(KR)
【Fターム(参考)】
【公開日】平成22年5月6日(2010.5.6)
【国際特許分類】
【出願日】平成21年10月22日(2009.10.22)
【出願人】(390019839)三星電子株式会社 (8,520)
【氏名又は名称原語表記】SAMSUNG ELECTRONICS CO.,LTD.
【住所又は居所原語表記】416,Maetan−dong,Yeongtong−gu,Suwon−si,Gyeonggi−do 442−742(KR)
【Fターム(参考)】
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