【課題】
【解決手段】定常状態のガス流を用いてシリコン層にフィーチャー（特徴部）をエッチングする方法を提供する。酸素含有ガス及びフッ素含有ガスを含むエッチングガスを用い、エッチングガスからプラズマを発生させた後、エッチングガス流を遮断する。 （もっと読む）

【課題】チャネルが上下方向に形成されるトランジスタアレイ内における各トランジスタの駆動電圧の伝達効率を増大させるための半導体素子及びその製造方法を提供すること。
【解決手段】本発明の半導体素子は、複数の柱パターンと、各々の前記柱パターンを囲むゲート絶縁膜と、各々の前記ゲート絶縁膜を囲み、かつ、隣接する前記ゲート絶縁膜間を連接する導電膜とを備え、該導電膜は、ゲート電極及び配線として機能することを含む。 （もっと読む）

【課題】幅広のパターンと露光技術の解像度の限界以上の超微細パターンとを同時に形成する。
【解決手段】基板Ｗ上に第１のシリコン含有膜３と有機材料膜４と第２のシリコン含有膜５と、細幅と太幅のパターンを有する第１のマスク６ａ、６ｂとを順次形成し、第１のマスク６ａ、６ｂを用いて第２のシリコン含有膜５を細幅と太幅にパターニングし、第１のマスク６ａ、６ｂを除去するとともに有機材料膜４を細幅と太幅にパターニングし、第２のシリコン含有膜５と有機材料膜４と被覆して第３のシリコン含有膜７を形成し、第３のシリコン含有膜７を加工して第２のシリコン含有膜５及び有機材料膜４の側面に側壁を形成し、第２のシリコン含有膜５と該側壁を選択的に被覆する有機材料の第２のマスク８を形成し、第２のマスク８を用いて細幅にパターニングされた第２のシリコン含有膜５を除去し、細幅にパターニングされた有機材料膜４と第２のマスク８を除去する。 （もっと読む）

【課題】ネガティブトーンSPT方法を適用するとき、スペーサ蒸着物質の間に形成されたギャップフィルポリ(gap fill poly)の最終プロファイルがラインで形成される基本原理を利用して、相互接続(interconnection)領域の具現が困難なパッドレイアウトを具現することができ、さらに、オーバレイマージンを増大させることができる半導体素子の形成方法を提供することに目的がある。
【解決手段】半導体素子の形成方法は、下部構造物が形成された半導体基板の上部に被食刻層を形成するステップと、被食刻層の上部に第1マスクパターンを形成するステップと、第1マスクパターンを含む被食刻層の上部にスペーサ物質層を均一の厚さに形成するステップと、スペーサ物質層の屈曲した領域上に第2マスクパターンを形成するステップと、第1マスクパターン及び第2マスクパターンを食刻マスクに利用して前記被食刻層を食刻し、微細パターンを形成するステップとを含む。 （もっと読む）

【課題】製造歩留まりや信頼性を損なうことなく微細なコンタクトホールを形成し得る半導体装置の製造方法を提供する。
【解決手段】半導体基板１０上に第１の窒化膜２４、第１の酸化膜２６、第２の窒化膜２８を順次形成する工程と、第２の窒化膜上にフォトレジスト膜３４を形成する工程と、フォトレジスト膜に開口部３６を形成する工程と、フォトレジスト膜をマスクとして、第２の窒化膜２８をエッチングし、開口部を第１の酸化膜まで到達させる第１のエッチング工程と、第２の窒化膜をマスクとして、第１の酸化膜をエッチングし、開口部を第１の窒化膜まで到達させる第２のエッチング工程と、開口部の底部の径ｄ_２を広げるとともに、第１の窒化膜を途中までエッチングする第３のエッチング工程と、第１の窒化膜を更にエッチングし、半導体基板に達するコンタクトホール３８を形成する第４のエッチング工程とを有している。 （もっと読む）

【課題】 トレンチの深さを安定化する半導体装置の製造方法を提供する。
【解決手段】 半導体基板上に前記半導体基板に比べエッチング選択比の高い第一膜を作成する工程と、前記第一膜上に前記第一膜に比べエッチング選択比の高い第二膜を作成する工程と、一部の領域の前記第二膜および第一膜をエッチングし前記領域の半導体基板表面を露出させる工程と、前記露出した半導体基板表面をエッチングしトレンチを作成する工程を有する安定したトレンチ深さを提供する半導体装置の製造方法とした。 （もっと読む）

【課題】少なくとも三つの高分子ブロックを備えるブロック共重合体を利用した微細パターン形成方法を提供する。
【解決手段】基板１１５上に相異なる反復単位を有する第１高分子ブロック、第２高分子ブロック及び第３高分子ブロックを有するブロック共重合体層を形成し、ブロック共重合体層１４０´を相分離させて、第１高分子ブロックを含有する複数個の第１ドメイン１４０Ａ、第２高分子ブロックを含有する複数個の第２ドメイン１４０Ｂ、及び第３高分子ブロックを含有する複数個の第３ドメイン１４０Ｃを形成し、第１ドメイン１４０Ａから第３ドメイン１４０Ｃのうち少なくとも一つのドメインを選択的に除去して微細マスクパターンを形成する。 （もっと読む）

【課題】基板上に配置された金属材料層をエッチングすることにより、基板全体に亘って、望ましいプロファイルと均一な限界寸法（ＣＤ）でもってフィーチャーを形成するための方法を提供する。
【解決手段】一実施形態において、基板上に配置された材料層をエッチングするための方法は、その上に金属層を有する基板をエッチリアクタ内に設置し、少なくとも塩素含有ガスと不動態化ガスを含有するガス混合物をリアクタに流すことを含み、不動態化ガスは窒素ガスと不飽和炭化水素ガスを含み、窒素ガスと不飽和炭化水素ガスは、ガス流量比約１：３〜約２０：１を有しており、本方法は、ガス混合物から形成したプラズマを用いて金属層をエッチングすることを更に含む。 （もっと読む）

【課題】本発明は、比較的簡単なプロセスにより例えばＩＩＩ−Ｖ族窒化物半導体のようなエッチングが困難な半導体層でも容易にエッチングが可能な半導体エッチング方法を提供することを目的とする。
【解決手段】基体（１，２）の表面に、エッチングマスクの少なくとも一部として、金属フッ化物層３等の固体層を形成する工程と、前記固体層をポリマー溶液処理する工程と、前記固体層をマスクとして、前記基体をエッチングする工程とを有することを特徴とするエッチング方法。 （もっと読む）

【課題】本発明は、比較的簡単なプロセスにより例えばＩＩＩ−Ｖ族窒化物半導体のようなエッチングが困難な半導体層でも容易にエッチングが可能な半導体エッチング方法を提供することを目的とする。
【解決手段】基体（１，２）の表面に、エッチングマスクの少なくとも一部として、金属フッ化物層３等の固体層を形成する工程と、前記固体層をレジスト組成物等で処理する工程と、前記固体層をマスクとして、前記基体をエッチングする工程とを有することを特徴とするエッチング方法。 （もっと読む）

【課題】平面上で垂直方向と水平方向にライン状のパターニング工程のみを行って露光装備の解像度以下に稠密に配列されたハードマスクパターンを形成すること。
【解決手段】半導体基板上に第２のハードマスクパターン１０７ａを形成する段階と、第２のハードマスクパターン１０７ａと交差する第１のパターン１１５ａと第２のハードマスクパターン１０７ａ間に位置する第２のパターン１１５ｂを含む第３のハードマスクパターンを形成する段階と、第１のパターン１１５ａ間に第４のハードマスクパターン１２３ａを形成する段階と、を含む半導体素子のハードマスクパターン形成方法。 （もっと読む）

【課題】エッチ処理に高アスペクト比を適用するための異方性特徴部を形成する方法を提供する。本願に記載の本方法は高アスペクト比の特徴部のプロファイルと寸法の制御を円滑に行い、有利である。
【解決手段】一実施形態において、基板上で誘電体層を異方性エッチングする方法は、誘電体層上にパターンマスク層が配置された基板をエッチチャンバ内に配置し、少なくともフッ素・炭素含有ガスとケイ素・フッ素ガスを含むガス混合物をエッチチャンバに供給し、ガス混合物から形成したプラズマの存在下で誘電体層に特徴部をエッチングすることを含む。 （もっと読む）

【課題】本発明は、比較的簡単なプロセスにより例えばＩＩＩ−Ｖ族窒化物半導体のようなエッチングが困難な半導体層でも容易にエッチングが可能な半導体エッチング方法を提供することを目的とする。
【解決手段】基体（１，２）の表面に、エッチングマスクの少なくとも一部として、金属フッ化物層３等の固体層を形成する工程と、前記固体層を化学薬品処理する工程と、前記固体層をマスクとして、前記基体をエッチングする工程とを有することを特徴とするエッチング方法。 （もっと読む）

【課題】マトリックス状に配列された露光装備の解像度限界以下の活性領域を定義するためのハードマスクパターンの形成方法を提供する。
【解決手段】半導体基板１０１上に、ハードマスク膜１０３と第１のマスクパターン１０５を形成する。第１のマスクパターンと交差する第１のパターンと、第１のマスクパターン間に位置する第２のパターンを含む第２のマスクパターン１０７を形成する。第１のパターン間に第３のマスクパターンを形成する。第１のパターンと第１のマスクパターンが交差する領域に第１のマスクパターンが残留し、第１のパターンと第２のパターンが交差する領域に第２のパターンが残留するようにエッチングを行う。残留する第１のマスクパターン及び第２のマスクパターンをエッチングマスクとして用い、ハードマスクパターンを形成する。 （もっと読む）

【解決手段】(A)式(1)の化合物と式(2)の化合物との加水分解縮合で得られる金属酸化物含有化合物、
Ｒ¹_m1Ｒ²_m2Ｒ³_m3Ｓｉ(ＯＲ)_(4-m1-m2-m3) (1)
(Ｒはアルキル基、Ｒ¹〜Ｒ³はＨ又は１価有機基、m1〜m3は０又は１。m1＋m2＋m3は０〜３。)
Ｕ(ＯＲ⁴)_m4(ＯＲ⁵)_m5 (2)
(Ｒ⁴、Ｒ⁵は有機基、m4、m5は０以上の整数、Ｕは周期律表のＩＩＩ〜Ｖ族の元素。)
(B)式(3)又は(4)の化合物、
Ｌ_aＨ_bＸ (3)
(ＬはＬｉ，Ｎａ，Ｋ，Ｒｂ又はＣｓ、Ｘは水酸基又は有機酸基、ａは１以上、ｂは０又は１以上の整数、ａ＋ｂは水酸基又は有機酸基の価数。)
Ｍ_aＨ_bＡ (4)
(Ｍはスルホニウム、ヨードニウム又はアンモニウム、ＡはＸ又は非求核性対向イオン、ａは１以上、ｂは０又は１以上の整数。)
(C)有機酸、
(D)有機溶剤
を含む熱硬化性金属酸化物含有膜形成用組成物。
【効果】本発明組成物で形成された金属酸化物含有中間膜を用いることで、良好なパターン形成ができる。 （もっと読む）

【課題】高精度のドライエッチング加工とＬＥＲの低減をともに実現することのできる被エッチング膜の加工方法を提供する。
【解決手段】被エッチング膜の上部に、下層より順に有機マスク層４０、シリコン含有層５０およびレジスト層７０を形成する工程と、フォトリソグラフィー法により前記レジスト層７０に所定のパターンを形成する工程と、前記レジスト層７０をマスクとして、第一エッチングガスを用いて前記シリコン含有層５０をエッチングする工程と、前記エッチングされたシリコン含有層５０をマスクとして、第二エッチングガスを用いて前記有機マスク層４０をエッチングする工程と、前記エッチングされた有機マスク層４０をマスクとして、第三エッチングガスを用いて前記被エッチング膜をエッチングする工程と、を含み、前記第一エッチングガスがＣＦ_３Ｉを含むことを特徴とする被エッチング膜の加工方法。 （もっと読む）

【課題】ＴａＣをＳｉＣのエッチングを行なうためのマスクの素材として採用可能とすることにより、製造工程を簡略化することが可能な半導体装置の製造方法を提供する。
【解決手段】半導体装置であるＭＯＳＦＥＴの製造方法は、ＳｉＣ部材であるｎ型ＳｉＣ層を準備する基板準備工程およびｎ型ＳｉＣ層形成工程と、ｎ型ＳｉＣ層上にＴａＣ膜を形成するＴａＣ膜形成工程と、ＴａＣ膜をマスク形状に成形するＴａＣマスク形成工程と、マスク形状に成形されたＴａＣ膜をマスクとして用いて、ｎ型ＳｉＣ層をエッチングするｎ型ＳｉＣ層エッチング工程とを備えている。そして、ｎ型ＳｉＣｚ層エッチング工程では、Ｆを含有するガスとＯを含有するガスとを含む混合ガスを用いたドライエッチングによりｎ型ＳｉＣ層がエッチングされる。 （もっと読む）

【課題】ダブルパターニングにおけるパターンのＣＤの均一性を向上させることができ、ＣＤが均一で良好なエッチングマスクを形成することのできるエッチングマスクの形成方法、制御プログラム及びプログラム記憶媒体を提供する。
【解決手段】測定したフォトレジスト１０５ｂの線幅と、測定したＳｉＯ₂層１０３からなるマスクパターンの線幅とから、フォトレジスト１０５ｂをマスクとして形成されるＳｉ₃Ｎ₄層１０２からなるマスクの線幅が、ＳｉＯ₂層１０３からなるマスクパターンの線幅と同一になるようにフィードフォワード制御を行う。例えば、フォトレジスト１０５ｂの線幅が、ＳｉＯ₂層１０３からなるマスクパターンの線幅と同一になるようにフォトレジスト１０５ｂの線幅のトリミング量の制御を行う。 （もっと読む）

【課題】所望の形状を有するゲート電極を形成することのできる半導体装置の製造方法を提供する。
【解決手段】本発明の実施の形態に係る半導体装置の製造方法は、半導体基板上に形成された半導体膜を加工してゲート電極を形成する工程と、ＨＢｒ、Ｃｌ_２、ＣＦ_４、ＳＦ_６若しくはＮＦ_３のうち少なくとも１つおよびＯ_２を含み、Ｏ_２の流量が全体の流量の合計の８０％よりも大きいガス、または、ＨＢｒ、Ｃｌ_２、ＣＦ_４、ＳＦ_６若しくはＮＦ_３のうち少なくとも１つ、Ｏ_２およびＮ_２を含み、Ｏ_２およびＮ_２の流量の合計が全体の合計の８０％よりも大きいガスのプラズマ放電により、前記ゲート電極の側面に保護膜を形成する工程と、前記保護膜を形成した後、前記半導体基板上の前記半導体膜の残渣を除去する工程と、を含む。 （もっと読む）

【課題】保持枠付きの処理対象物についてプラズマ処理をする場合にプラズマが保持枠に集中することを防止して処理性能を向上させることができるプラズマ処理装置を提供することを目的とする。
【解決手段】処理対象物であるウェハ２が保持枠６に保持された粘着シート７の上面に貼着された状態でステージ３上に載置され、ステージ３を覆う真空チャンバ５内にプラズマを発生させてステージ３上に載置されたウェハ２にプラズマ処理を施すプラズマ処理装置１において、ウェハ２にプラズマ処理が施されている間、ステージ３の上方の所定位置に位置決めされて保持枠６を覆い、中央部に設けられた開口部４０ａからウェハ２を露出させる誘電体製のカバー部材４０を備える。 （もっと読む）