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Fターム[5F031GA01]の内容

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本発明の一形態において、本発明の半導体製造システムは、不活性ガスが吸気及び排気できる真空ハウジングと、システム内に配置された多数の蒸着チャンバとを含む。本発明の装置は基板222、支え電極224、基板電源236、ガス吸入口232、質量流量計233、ガス供給源28、真空ポンプシステム234、ポンピングポート236、磁石102、104、106、108、ターゲット110、120、電子制限区域130及び電源140を含む。

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