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Fターム[5F031HA03]の内容

ウエハ等の容器、移送、固着、位置決め等 (111,051) | 処理時の固着、保持 (16,861) | ステージ、チャック、サセプタ (15,090) | ステージ等の製造方法、加工方法 (844)

Fターム[5F031HA03]に分類される特許

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【課題】重量を軽く、保持テーブルの外周部上面と被加工物を保持する保持部の上面とに段差が生じない保持テーブルを備えた切削装置のチャックテーブルを提供する。
【解決手段】被加工物を保持するチャックテーブル4であって、吸引手段に連通する嵌合凹部411aを備えた基台41と保持テーブル42とからなり、保持テーブル42は、保持領域421aと保持領域421aを囲繞し、保持領域421aより低い環状の段差部421bを備え、下面中央部に嵌合凹部411aの直径より小さい吸引凹部421cを備えた多孔性セラミックス板421と、多孔性セラミックス板421の段差部421bと側面421dと下面に被覆された金属被覆部422と、吸引凹部421cより大きい直径を有し中央部に連通穴423aを備え多孔性セラミックス板421の下面に被覆された金属被覆部422に電気的に接続された連結部材423とを具備している。 (もっと読む)


【課題】純物濃度が均一な半導体膜を化学気相成長により基板上に形成する化学気相成長半導体膜形成装置を提供する
【解決手段】サセプタ1は、ウェハ載置部11及び固定突起13により構成されている。ウェハ載置部11の上面は、平面状に構成されている。ウェハ載置部11の上面は、SiCウェハを載置するための載置面P1として機能する。固定突起13は、各SiCウェハの外周面SP1〜3に沿うように3カ所に配置されている。これにより、サセプタ1では、従来のサセプタのようなザグリを設けなくとも、固定突起13によって各SiCウェハを所定の位置に固定できる。従って、ザグリとSiCウェハとの間に隙間が形成され、当該隙間によって原料ガスの流れが乱されるということがなくなる。よって、不純物濃度が均一な炭化珪素膜をSiCウェハ上に形成できる。 (もっと読む)


【課題】アルミニウムベースの上にセラミックスチャック部がねじ止めされて構成される静電チャックにおいて、高温になってもセラミックスチャック部にクラックが発生することが防止されて高い信頼性が得られる静電チャックを提供する。
【解決手段】アルミニウムベース10と、アルミニウムベース10の上に配置され、基板5が載置されるセラミックスチャック部20と、アルミニウムベース10に設けられた開口部10aと、開口部10aに挿入され、ろう材32によってセラミックスチャック部20の下面に接合されて、銅から形成された止めねじ30と、止めねじ30に締め込まれて、アルミニウムベース10の下面を押し込むナット50とを含み、ヒータによって加熱されて使用される。 (もっと読む)


【課題】対象物の形状や大きさ等により一部の吸引孔の開口に対象物が配置されない場合にも、対象物を安定して吸着保持できると共に、より簡単な製造作業で低コストで製造することが可能であり、又、故障の頻度を減らし、耐久性を高めることができる。
【解決手段】対象物を減圧吸引により保持可能な吸引孔を有する吸着部を所定間隔で複数配置し、吸引孔の途中に収容部52を設けて、収容部52の真空源側の開口521を上側、対象物側の開口522を下側に配置し、収容部52に球体6を収容し、吸引孔の対象物側の開口に対象物が配置されている場合には吸引孔で対象物を減圧吸引し、吸引孔の対象物側の開口に対象物が配置されていない場合には、外気の流入する圧力で球体6が浮上して収容部の真空源側の開口521を閉塞することにより、吸引孔を遮断する真空吸着装置。 (もっと読む)


【課題】載置ずれや変形を生じさせることなく基板をの受け渡すことができる基板保持装置、ステージ装置、露光装置、及びデバイス製造方法を提供するしを行うこと。
【解決手段】基板を保持する基板保持装置9は、基板が載置される複数の基板載置部31と、複数の基板載置部31を区画する凹部30と、凹部30と載置部31の背部空間とを連通させる複数の連通孔40と、を備える。 (もっと読む)


【課題】処理対象物を支持部材上の正確な位置に載置して処理対象物を支持部材上に正しい姿勢で支持することができるようにしたプラズマ処理装置及びプラズマ処理装置におけるトレイの載置方法を提供することを目的とする。
【解決手段】トレイ6の下面側から下方に突出して設けられた突起52と、トレイ載置面5に下方に窪んで設けられた突起嵌入穴53を有する。昇降ピン7によってトレイ6がトレイ載置面5に載置される過程で、トレイ6の下面側に設けられた突起52が突起嵌入穴53に上方から嵌入する。 (もっと読む)


本発明の或る実施形態によれば、静電チャックが提供されている。静電チャックは、基板を静電チャックに静電的にクランプする目的で電荷を形成するために電極内の電圧によって活性化される表面層を備えている。表面層は、複数のポリマー突起と、複数のポリマー突起が接着する電荷制御層と、を含んでいる。複数のポリマー突起は、基板の静電クランプの間、基板を複数のポリマー突起上で支持するために複数のポリマー突起を取り囲む電荷制御層の一部より上方の高さまで伸張している。 (もっと読む)


【課題】 ワークよりはみ出すワーク吸着部にウェットプロセス用の液体が吸い込まれないようにする。
【解決手段】 ステージ本体12の表面に、吸着対象ワークのうちの最大のワーク5aの外形よりも多少小さくなる吸着部形成領域を設定する。吸着部形成領域の内側にて、吸着対象ワークのうちの小さいサイズのワーク5bの外形に沿う個所に仕切部15を、その他の部分に多孔質プレート16をそれぞれ設ける。仕切部15で仕切られた各多孔質プレート16に、1つの引き口18より分岐させた流路17を接続する。小さいサイズのワーク5bを保持する場合は、その外周縁部と、仕切部15よりも外側の多孔質プレート16を覆うマスク19の端部とを突合せて仕切部15上に載置し、この状態で引き口18より真空引きすることで、仕切部15の内側と外側の多孔質プレート16に、ワーク5bとマスク19をそれぞれ吸着させる。 (もっと読む)


【課題】従来の温調方法に比べて、半導体ウエハの均一な温調及び高応答性を実現することができる半導体製造装置及び温調方法を提供する。
【解決手段】内部に空洞21を有するウエハ載置台2と、ウエハ載置台2の温度をプロセス温度に調整すべく、プロセス温度以下の水を空洞21の内壁に噴射するノズル64aとを備える半導体製造装置であって、空洞21内の圧力を検出する圧力センサ(71)と、圧力センサ(71)にて検出された圧力が、ノズル64aから噴射される水の温度に係る飽和蒸気圧以上、プロセス温度に係る飽和蒸気圧以下になるように空洞21内の気体を排出する真空ポンプとを備える。 (もっと読む)


【課題】 基材の熱伝導率よりも低い熱伝導率の膜で表面全体あるいは一部を覆うことで、被覆された部分の熱伝導を減少させ、周囲部材曲部や細部に熱応力が発生することを防止することが目的である。
【解決手段】 プラズマ環境に曝される耐食部材であって、耐熱基材1の表面の少なくとも一部を耐食性の高い膜で覆われており、前記耐熱基材1の熱伝導率よりも低い熱伝導率の膜で覆われている耐食部材である。 (もっと読む)


【課題】基板ホルダーが配置される真空容器内の減圧雰囲気により膨らむことがなく、被処理基板を安定に載置或いは保持することを可能とする基板ホルダーを提供する。
【解決手段】本発明の基板ホルダー101は、均熱用の金属性板状部材121或いは静電吸着用電極と、被処理基板を載置或いは保持する被処理基板載置面161を有し被金属材料からなる第1の母材112と、金属性板状部材或いは静電吸着用電極を埋め込む被金属材料からなる第2の母材111と、から成る基板ホルダーであって、金属性板状部材121或いは静電吸着用電極に複数の貫通穴181を厚さ方向に設け、前記貫通穴181を介して前記第1の母材112と第2の母材111とを接合し、金属性板状部材121或いは静電吸着用電極を内部に埋め込んだことを特徴とする。 (もっと読む)


【課題】本発明の態様は、かかる課題の認識に基づいてなされたものであり、被処理物を載置する側に形成された樹脂層の剥離抑制効果を向上させることができる静電チャックおよび静電チャックの製造方法を提供する。
【解決手段】誘電体基板と、前記誘電体基板の第1の主面に開口する貫通孔の開口部分に形成された第1の面取り加工部と、前記第1の主面に形成され、前記貫通孔が開口する位置に開口部を有する樹脂層と、を備え、前記樹脂層の開口部の周端は、前記第1の面取り加工部に形成されていること、を特徴とする静電チャックが提供される。 (もっと読む)


【課題】
軽量で高剛性な可動部を備え、高加減速で高精度位置決め可能な露光装置用ステージを提供する。
【解決手段】
原版または基板を搭載して移動する可動部を備える走査型露光装置であって、前記可動部は、走査方向に平行で、かつ、前記可動部の一端から他端に渡ってつなぎ目なく配置される複数の第1棒状部材と、前記複数の第1棒状部材と交差するように配置され、前記第1棒状部材とともに複数の直方体の辺を形成する複数の第2棒状部材と、前記複数の直方体の6面の四角形において対角線上に配置される複数の第3棒状部材と、を含む。 (もっと読む)


【課題】 トレイを用いることなく基板の温度分布の均一化を図りながら当該基板を搬送することができる基板加熱搬送装置を提供する。
【解決手段】 本発明に係る基板加熱搬送装置10は、加熱源20と、この加熱源20上に載置される均熱板40と、を具備する。加熱源20には、複数の貫通孔22,22,…が設けられており、均熱板40にも、同様の貫通孔42,42,…が設けられている。さらに、加熱源20には、均熱板40と同素材の補完ブロック50,50,…が設けられている。この補完ブロック50,50,…と均熱板40の各貫通孔42,42,…とが嵌合しているときに、加熱源20の熱が均熱板40を介してガラス基板100に伝えられる。そして、均熱板40の各貫通孔42,42,…が加熱源20の各貫通孔22,22,…上にあるときに、ローラ30,30,…によってガラス基板100が搬送される。 (もっと読む)


【課題】高い吸着力を持ちながら、脱着時間が短く、製造時に反りが発生しにくく、熱サイクル後の機械的強度の劣化が少ない静電チャックを提供する。
【解決手段】セラミックス製の静電チャックは、誘電体層と、その誘電体層の裏面に接する支持体層とを備え、静電電極が埋設されたものである。誘電体層は、表面にウエハーを載置可能であり、Smを含む窒化アルミニウム焼結体からなり、室温における体積抵抗率が4×109〜4×1010Ωcmである。支持体層は、SmとCeを含む窒化アルミニウム焼結体からなり、室温における体積抵抗率は1×1013Ωcm以上である。 (もっと読む)


【課題】温度センサの経時変化を監視することにより、ウエハ加工精度の再現性を向上したプラズマ処理装置を提供する。
【解決手段】プラズマ処理装置の試料載置台107は、金属製の基材201と、該基材の上面に配置されその上に前記試料が載せられる誘電体製の膜202と、該膜内に配置された膜状のヒータ204と、前記基材内に配置され内部に冷媒が流れる通路203と、前記基材の内部に挿入され前記基材の温度を検知するセンサ205とを備え、前記ヒータに所定の電力を供給した際の前記センサからの出力の時間変化をもとに前記センサの異常を検知する。 (もっと読む)


【課題】処理装置内を真空にしても載置台が傾くことのない処理装置を提供すること。
【解決手段】チャンバー内に処理ガスを導入するとともに高周波電力を印加してプラズマを形成し,被処理体にプラズマ処理などの所定の処理を行うプラズマ処理装置に,被処理体を載置する載置台と,載置台を保持する載置台固定部とを設け,載置台固定部は載置台固定部の上下にそれぞれベローズを配置し,載置台がチャンバーに対して水平に支持されるようにした。 (もっと読む)


【課題】本発明は、帯電防止処理された作業ステージに係り、より詳細には、基板などの扁平な作業物が載置される作業ステージであって、前記作業物を静電気から保護することができる帯電防止処理された作業ステージに関する。
【解決手段】本発明の実施形態による帯電防止処理された作業ステージには、作業ステージの基板が載置される面にカーボンナノチューブコーティング膜がコーティングされている。カーボンナノチューブコーティング膜の面抵抗が、105Ω/sq〜109Ω/sqである。 (もっと読む)


プロセスチャンバ用の基板支持体が、基板を受け取るための受取り表面を有する静電チャックと、静電チャックの下にあるガス分散器ベースプレートとを備える。ガス分散器ベースプレートが、複数のガス出口を有する円周側壁を備え、ガス出口が互いに離隔して設けられて、プロセスガスを基板の外周縁の周りから半径方向外方向へプロセスチャンバ内に導入する。
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【課題】製造時の歩留まりが高く、複雑な形状のポケットを加工することができる半導体装置用ウエハホルダを提供する。
【解決手段】本発明に係るウエハホルダ1は、複数の保持部を有すると共に、炭化ケイ素を含むウエハホルダ本体3と、前記保持部に着脱可能に構成され、前記保持部の上面側においてウエハ7を保持するウエハ保持部材5と、を備えている。ウエハホルダ本体3の内側面11とウエハ保持部材5の外側面17bとは断面テーパ状に形成され、互いに密着している。 (もっと読む)


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