【課題】加熱基板からシャフト側への熱伝導を抑制することが可能なステージヒータ及びシャフトの製造方法を提供すること。
【解決手段】アルミニウム又はアルミニウムを含む合金からなる加熱基板２と、加熱基板の一方の面に接合され、加熱基板を支持するシャフト５とを備えたステージヒータ及びシャフトの製造方法。シャフト５は、加熱基板の素材よりも熱伝導率の低い金属からなるパイプ６と、アルミニウムの粉体又はアルミニウムを含む合金の粉体をガスと共に加速し、固相状態のままでパイプに吹き付けて堆積させることにより、パイプの加熱基板と接合される側に形成された接合層７とを有する。 （もっと読む）

【課題】半導体ウエハなどのワークと補強用の支持基板との貼り合せ精度の向上を図ることのできる基板貼り合わせ方法を提供する。
【解決手段】複数個の係止爪３８で周縁部分を係止保持された支持基板Ｗ２をウエハＷ１の両面接着シート貼付け面に近接するように対向配備し、この支持基板Ｗ２の非貼合せ面の略中央から略半球形状の弾性体で構成された押圧部材３９を押圧し、この押圧部材３９を弾性変形させて支持基板面に扁平接触させながら支持基板Ｗ２をウエハＷ１に貼り合せる。 （もっと読む）

【課題】流動性接着剤の硬化物を使用しつつ吸脱着性の高いウエハー載置装置及びその製造方法を提供する。
【解決手段】ウエハーＷを吸着可能なプレート１２の裏面と冷却板２０の表面とを接着する接着層３０が、流動性接着剤の硬化物からなる主接着部３１と外周接着部３２と、ガス供給孔接着部３３と、リフトピン孔接着部３４と、端子孔接着部３５，３６とを有している。この場合において、外周接着部３２がプレート１２の裏面の外周縁と冷却板２０の表面の外周縁とを接着し、ガス供給孔接着部３３と、リフトピン孔接着部３４と、端子孔接着部３５，３６がプレート１２の裏面と冷却板２０の表面におけるガス供給孔２３，リフトピン孔２４，端子孔２５，２６の外周縁とを接着しているため、これらを備えないウエハー載置装置と比べてウエハーＷの吸脱着性が高くなる。 （もっと読む）

【課題】基板表面への傷付きを防止すること。
【解決手段】基板８の斜め下側を向いた基板８裏面の周縁部を支持する複数の基板支持板５２，５３を備えた基板受け渡し機構により基板テーブル１２と基板８との隙間が制御され、基板テーブル１２には、基板受け面に配置される基板８の下側の端面を支持する基板支持突起３３と、基板支持板５２，５３を受け入れる複数の凹所３８，３９とが設けられ、基板８の受け渡し時に、搬送部４２に対して基板テーブル１２が駆動機構により進退可能に構成されているとともに、搬送部４２に対して基板支持板５２，５３が基板受け渡し機構により進退可能に構成され、基板受け渡し機構は、基板テーブル１２と基板支持板５２，５３との隙間を制御することで基板テーブル１２と基板８との隙間を制御するように構成した。 （もっと読む）

【課題】処理中に基体を支持するための基体支持組立体を提供する。
【解決手段】一実施の形態においては、支持組立体(136)は、第１の側(216)及び第２の側(232A)を有する上側セラミック板(208)と、第１の側(212)、第２の側(214)及び埋込まれた電極(234)を有する下側セラミック板(210)を含み、前記下側セラミック板の第１の側(212)は前記上側セラミック板の第２の側に接合されてそれらの間にチャンネル(290)を限定している。別の実施の形態においては、支持組立体は、第１の側及び第２の側を有する第１の板を含む。前記第１の側上にはシールリング(258)が設けられている。前記第１の側の、前記リングの半径方向内側には段付き表面(220)が形成されている。第２の板が、前記第１の板の第２の側に接続されている。 （もっと読む）

【課題】載置台に大きな熱応力が発生することを防止して破損を阻止し、更に載置台の裏面に被処理体の面内温度不均一性の原因となる不要な膜が付着することを防止することができる載置台構造を提供する。
【解決手段】被処理体を載置するための載置台構造において、載置台本体の上に被処理体を載置するための熱拡散板を支持させると共に、両者の境界部分にガス拡散室を設けてなる載置台と、加熱手段と、上端部が載置台の下面に接続されると共にガス拡散室に連通されてパージガスを流す１又は複数の支柱管６０と、載置台本体の側面と下面とを覆うようにして設けられた載置台カバー部材６３と、支柱管の周囲を囲むと共に上端部が載置台カバー部材に連結されて、ガス拡散室から載置台本体と載置台カバー部材との間の隙間に流れたパージガスを下方へ案内してガス出口１９６から排出する支柱管カバー部材６５とを備える。 （もっと読む）

【課題】 均熱性、信頼性に優れたウェハ加熱用ヒータユニットおよびそれを搭載した半導体製造装置を提供することを目的とする。
【解決手段】 本発明のウェハ加熱用ヒータユニットは、ウェハ載置面を有する載置台と、該載置台のウェハ載置面とは反対側の面に抵抗発熱ユニットを有し、前記載置台と抵抗発熱ユニットを支持する支持板とから構成され、前記抵抗発熱ユニットが、発熱体と該発熱体を挟み込む複数の絶縁層とからなり、前記絶縁層の少なくとも１層に溝が形成されており、前記発熱体は前記溝に収納されて、他の絶縁層によって挟み込まれており、前記絶縁層同士は互いに接着されていない部分を有することを特徴とする。前記絶縁層同士は、互いに接着されていないことが好ましい。 （もっと読む）

【課題】被処理基板の急速な加熱冷却が可能で、高い絶縁性を維持する静電チャックを提供する。
【解決手段】セラミック基板と、前記セラミック基板の上側に設けられ、被処理基板が載置される第１主面を有するセラミック誘電体と、前記セラミック基板と前記セラミック誘電体との間に設けられた電極と、を備え、前記セラミック誘電体の材質は、セラミック焼結体であり、前記セラミック誘電体の前記第１主面には、複数の突起部と、ガスを供給する溝と、が設けられ、前記溝の底面には、前記第１主面とは反対側の前記セラミック基板の第２主面まで貫通する貫通孔が設けられ、前記電極と前記溝との間の距離は、前記電極と前記第１主面との間の距離と同じか、もしくは大きいことを特徴とする静電チャックが提供される。 （もっと読む）

【課題】広範囲の温度領域で使用可能であり、高温で使用する際のウェハ載置面の反りを低減した静電チャックを提供する。
【解決手段】本発明の静電チャックは、双極型の静電チャック用電極と、ヒータ用電極とを備えた静電チャックであって、誘電層の体積固有抵抗率をρ１、静電チャック用電極の双極間の体積固有抵抗率をρ２、静電チャック用電極とヒータ用電極間の体積固有抵抗率をρ３としたときに、ρ１＜ρ２＜ρ３であることを特徴とする。また、前記誘電層内の体積固有抵抗は、静電チャック用電極側からウェハ載置面に向けて順次低くなっていることが好ましい。 （もっと読む）

【課題】セラミック板のクラック発生を抑制しつつ、被処理基板の急速な加熱冷却が可能な静電チャックを提供する。
【解決手段】主面に凹部が設けられ、内部に電極が設けられたセラミック板と、セラミック板に接合された温調プレートと、セラミック板と温調プレートとの間に設けられた第１の接合剤と、セラミック板の凹部内に設けられたヒータと、を備え、第１の接合剤は、主剤と、無定形フィラーと、球形フィラーと、を有し、球形フィラーの平均直径は、全ての無定形フィラーの短径の最大値よりも大きく、第１の接合剤の厚さは、球形フィラーの平均直径と同じか、もしくは大きく、凹部の幅は、ヒータの幅より広く、凹部の深さは、ヒータの厚さより深く、凹部内にヒータが第２の接合剤により接着され、ヒータの温調プレート側の主面と、温調プレートの主面と、の間の第１の距離が、セラミック板の主面と、温調プレートの主面と、の間の第２の距離よりも長い。 （もっと読む）

【課題】基板の撓みを抑制して、露光精度を向上する露光方法及び基板の製造方法並びに露光装置を提供する。
【解決手段】環状の吸着領域８０ｂと、環状の吸着領域８０ｂよりも面積の小さい長方形状の吸着領域８０ｃ，８０ｄ，８０ｅとを吸着面２２に備えた基板ステージ２０において、基板ステージ２０の吸着面２２に基板Ｗを吸着する際、環状及び長方形状の吸着領域８０ｂ，・・・，８０ｅ内の圧力が略一定となるように、長方形状の吸着領域８０ｃ，８０ｄ，８０ｅ内のエアを吸引する吸引力を環状の吸着領域８０ｂ内のエアを吸引する吸引力よりも小さくする。 （もっと読む）

【課題】種々の半導体チップをダイシングテープから容易に剥がして確実にピックアップすることのできる半導体チップのピックアップ装置を提供する。
【解決手段】半導体チップ１が接着されたダイシングテープ２を搭載面Ｔの上に載せ、吸着溝Ｍ２でダイシングテープ２を下面側から吸着保持する保持台１０と、保持台１０の内部に設けられ、ダイシングテープ２を下面側から貫通して半導体チップ１を突き上げる突き上げピン２０と、ダイシングテープ２の上面側から半導体チップ１を吸着保持する吸着コレット３０とを有してなり、搭載面Ｔにおいて、ピン穴吸着溝Ｍ２ａの最短幅Ｗが、半導体チップ１の辺の長さＬｃより小さく設定されてなり、ピン穴吸着溝Ｍ２ａの半導体チップ１の直下で占める面積Ｓｍａが、半導体チップ１の面積Ｓｃの３０％以上に設定されてなるピックアップ装置１００とする。 （もっと読む）

【課題】基板を載置したサセプタを低速で回転させながら高品質で再現性も良好な堆積膜を得ることができる気相成長方法を提供する。
【解決手段】サセプタの回転に伴って基板保持部材を自公転させるとともに、原料ガス導入部からサセプタ表面側に原料ガスを導入して加熱手段により加熱された基板面に薄膜を気相成長させる自公転型の気相成長装置を用いた気相成長方法において、サセプタの回転数を毎分６０回転以下に設定するとともに、基板の回転方向を、正方向に回転している時間に比べて短い時間だけ負方向に回転させる。 （もっと読む）

【課題】 ウエーハ裏面側に研削屑が付着したり、研削屑による傷の発生を抑制可能な洗浄装置のチャックテーブルを提供することである。
【解決手段】 ウエーハ洗浄装置のチャックテーブルであって、回転可能なチャックテーブル基台と、該チャックテーブル基台の上面に該チャックテーブル基台の回転中心を中心とする同心円状に等間隔離間して配設された弾性部材からなる少なくとも３個の真空吸着パッドとを具備し、該チャックテーブル基台は該真空吸着パッドの各々に連通する吸引路を有していることを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】ダイシング不良と半導体チップの薄厚化による問題を抑制でき、低コストで高品質な半導体装置を製造できる半導体装置の製造方法を提供する。
【解決手段】素子形成が終了した半導体ウェーハ１００の素子形成面側に、ダイシングラインに沿って溝１２０を形成し、この素子形成面に粘着性テープ２４を貼り付ける。半導体ウェーハの裏面側を除去して薄厚化すると同時に個片化し、この個片化した半導体ウェーハの裏面側に接着剤１５０を塗布する。その後、複数の吸着エリアに分離された多孔質材からなるウェーハ吸着部を有する保持テーブル３で吸着固定して粘着性テープ２４を剥がす。この際、剥離が進むにしたがって吸着エリアと吸引経路を切り替える。そして、粘着性テープの剥離終了後に、個々の半導体チップ１を吸着コレットでピックアップする。 （もっと読む）

【課題】セラミックス基体中に埋設された導電体に給電するための電極部材の腐蝕をなくし、長期に使用しても信頼性の高いウェハ保持体を提供する。
【解決手段】 本発明のウェハ保持体は、セラミックス基体中に埋設された導電体に接続された導電端子と、導電端子に接続された変形能を有する電極接続導電体が、ウェハ保持体に接続された筒状セラミックス部材に包囲され、該筒状セラミックス部材の内部が非酸化性雰囲気に封止された構造である。 （もっと読む）

【課題】材料起因によるパーティクル汚染をほぼ完全に防止することができるワーク保持装置及びそのエンボス形成方法を提供する。
【解決手段】真空チャック１は、ベース２上に吸着部３を設けた構成である。ベース２は、アルミニュウム製の本体部２１と軸部２２とを備える。吸着部３は、エンボス２３と外周壁部２４とを樹脂フィルム４で覆った構造である。具体的には、樹脂フィルム４によって、本体部２１の表面２１ａに突出したエンボス２３と外周壁部２４とを覆い、樹脂フィルム４を、エンボス２３と外周壁部２４との形状に沿って密着させ、接着樹脂シート５を介してこれらに接着した。 （もっと読む）

【課題】エピタキシャルウェーハの外周部の厚さを容易且つ適切に制御することのできる技術を提供する。
【解決手段】エピタキシャル層を生成する際における、ウェーハＷを載置するためのサセプタ２６の外周部の高さ位置から、サセプタ２６のウェーハＷを載置する位置までのザグリ深さを特定するザグリ深さ情報を決定し（ステップＳ１）、サセプタ２６におけるザグリ深さが、ザグリ深さ情報により特定されるザグリ深さとなるように、サセプタ２６の外周部の高さ方向にシリコン膜を生成させ（ステップＳ４）、サセプタ２６にウェーハＷを載置させ、ウェーハＷにエピタキシャル層を生成する（ステップＳ７）ようにする。 （もっと読む）

【課題】一般的なアルミナ粉末で作製された成形体を低温で焼結する。
【解決手段】本発明のアルミナ焼結体の製法は、（ａ）少なくともＡｌ₂Ｏ₃とＭｇＦ₂との混合粉末又はＡｌ₂Ｏ₃とＭｇＦ₂とＭｇＯとの混合粉末を所定形状の成形体に成形する工程と、（ｂ）該成形体を真空雰囲気下又は非酸化性雰囲気下でホットプレス焼成してアルミナ焼結体とする工程であって、Ａｌ₂Ｏ₃１００重量部に対するＭｇＦ₂の使用量をＸ（重量部）、ホットプレス焼成温度をＹ（℃）としたときに下記式（１）〜（４）を満たすようにホットプレス焼成温度を設定する工程と、を含む。
１１２０≦Ｙ≦１３００ …（１），０．１５≦Ｘ≦１．８９ …（２）
Ｙ≦−７８．７Ｘ＋１３４９ …（３），Ｙ≧−２００Ｘ＋１２１２ …（４） （もっと読む）

【課題】プラズマエッチング装置等の処理装置に適用した場合に、シリコンウエハ等の板状試料の面内に局所的な温度分布を生じさせることにより、プラズマ印加に伴う経時的な温度変化の調整や広い温度範囲での温度の調整が可能であり、板状試料の局所的な温度制御を行うことが可能な静電チャック装置を提供する。
【解決手段】本発明の静電チャック装置１は、一主面を板状試料Ｗを載置する載置面とするとともに静電吸着用内部電極１３を内蔵した静電チャック部２と、この静電チャック部２を所望の温度に調整する温度調整用ベース部３と、これら静電チャック部２と温度調整用ベース部３との間に設けられた絶縁性有機フィルム４とを備え、この絶縁性有機フィルム４の設ける位置及び厚みを面内で調整することにより載置面における温度分布を調整した。 （もっと読む）