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Fターム[5F031HA03]の内容

ウエハ等の容器、移送、固着、位置決め等 (111,051) | 処理時の固着、保持 (16,861) | ステージ、チャック、サセプタ (15,090) | ステージ等の製造方法、加工方法 (844)

Fターム[5F031HA03]に分類される特許

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【課題】多孔質セラミックスによるポーラスチャックであって、高強度で変形せず、真空吸着又は真空解除の際、被加工物の吸着面に、前記多孔質セラミックスの連通する気孔の尖った角や突起に起因する塵埃や脱粒等による傷を生じさせることを防止することができるチャックプレートを備えたポーラスチャック及びその製造方法を提供する。
【解決手段】セラミックス製チャックプレートを備えたポーラスチャックにおいて、前記チャックプレートに、撹拌起泡によって形成された多孔質成形体を、2200℃以上2300℃以下、2時間以上5時間以下で焼成して得られた多孔質セラミックス焼結体を用いる。 (もっと読む)


【課題】
ワークを固定し、搬送する真空吸着装置などの吸着面に使用し、安価でワークに皺や吸着跡が残らず、また吸着汚れを発生させることのない不織布製吸着プレートを提供する。
【解決手段】
低融点繊維90〜100重量%と、低融点繊維よりも融点が70℃以上高い繊維が10〜0重量%からなる目付50〜200g/m2、嵩密度0.60〜1.20g/cm3の熱接着タイプの不織布Aを吸着面とし、低融点繊維20〜90重量%、低融点繊維よりも融点が70℃以上高い繊維80〜10重量%からなる熱接着された目付300〜800g/m2で嵩密度0.10〜0.50g/cm3の熱接着タイプの不織布Bを真空吸引側として、上記両不織布A,Bを積層し、外周を熱プレスにて融着して吸着プレート1を形成すると共に、非融着部の通気量を50〜150cc/cm2/sec、融着部の通気量をが5cc/cm2/sec以下とした。 (もっと読む)


【課題】本発明の態様は、パーティクルの発生を抑制することができる静電チャック及び静電チャックの製造方法を提供する。
【解決手段】被吸着物を載置する側の主面に形成された突起部と、前記突起部の周辺に形成された平面部と、を有する誘電体基板を備えた静電チャックであって、前記誘電体基板は、多結晶セラミックス焼結体から形成され、レーザ顕微鏡を用いて求められた前記主面における干渉縞占有面積率が1%未満とされたこと、を特徴とする静電チャックが提供される。 (もっと読む)


【課題】 ダイシングフィルム上に接着フィルムが積層されたダイシングシート付き接着フィルムが所定の間隔をおいてカバーフィルムに積層された半導体装置用フィルムをロール状に巻き取った際に、転写痕が接着フィルムに発生することを抑制することが可能な半導体装置用フィルムを提供すること。
【解決手段】 ダイシングフィルム上に接着フィルムが積層されたダイシングシート付き接着フィルムが所定の間隔をおいてカバーフィルムに積層された半導体装置用フィルムであって、カバーフィルムの厚みをTaとし、ダイシングフィルムの厚みをTbとしたとき、Ta/Tbが0.07〜2.5の範囲内である半導体装置用フィルム。 (もっと読む)


【課題】表面温度の熱均一性の低下を低減できるシャフトを提供する。
【解決手段】シャフト100は、ヒータープレートと接合する面において、導体を挿通するための複数の第1貫通孔110と、ヒータープレートとシャフト100とを機械的に固定する固定部材を挿通するための複数の第2貫通孔120とを有する。第1貫通孔110は、ヒータープレートと接合する面の中央を中心とする第1円環上に間隔を存して配置され、第2貫通孔120は、第1円環と同心の第2円環上に間隔を存して配置される。第1貫通孔110のそれぞれと、第2貫通孔120のそれぞれとは、第1円環及び第2円環の中心から前記シャフトの外側を臨んだ場合に、第1貫通孔110の中心と第2貫通孔120の中心とが直線上に並ばないように配置される。 (もっと読む)


【課題】熱サイクル下においてもウエハ設置面の形状が変化することがないセラミックス部材及びその製造方法を提供する。
【解決手段】セラミックス部材10は、セラミックス焼結体からなる基体11と、基体11の内部に埋設され、タングステン、モリブデン又はこれらを主成分とする合金からなる電極12と、電極12と電気的に接続され、基体11の内部に埋設され、タングステン、モリブデン又はこれらを主成分とする合金からなる金属塊13と、金属塊13とビーム溶接によって接合され、ニッケル、チタン、銅又はこれらを主成分とする合金からなる給電端子14とを備える。 (もっと読む)


【課題】 絶縁抵抗値以外の特性の変化を抑えて絶縁抵抗値の調整が可能なプローバ用チャック、プローバ用チャックの製造方法およびプローバ検査装置を提供する。
【解決手段】 プローバ用チャック1は、アルミナまたはセラミックスを主成分とする絶縁基板2と、第1導電層3と、第2導電層4と、で構成され、端面の算術平均粗さRaが0.7μm以下、あるいは、絶縁基板2の主面よりも小さい値に設定されている。 (もっと読む)


【課題】絶縁性の基板に対するグラディエント力と真空吸着力の両方を大きくできる吸着装置、その製造方法、真空処理装置を提供する。
【解決手段】基体21上に絶縁性の下地膜22を形成し、下地膜22上に第一、第二の電極23a、23bを形成する。第一、第二の電極23a、23b間の下地膜22を表面側から途中まで除去し、吸着溝26を形成する。第一、第二の電極23a、23bや、その表面の保護膜24の膜厚が薄くても、吸着溝26の深さを深くすることができる。 (もっと読む)


【課題】
給電端子付近での電極および誘電層におけるクラック発生がない静電チャックの給電端子形成方法を提供する。
【解決手段】
金属層からなる電極が板状の絶縁材料の中に埋設され、その一表面は吸着面であり、その裏面には前記電極に達する端子を挿入するための端子孔が形成されており、前記端子孔には前記電極に接する給電端子Aと、給電端子Aと空間部を設けて位置する給電端子Bが配置されており、給電端子AおよびBの外周面を一体の導電性ペーストで囲繞し端子孔との間を満たしており、給電端子Bの給電端子Aと対向しない側の面の面積が、給電端子Aの給電端子Bに対向した側の面積よりも大きい静電チャック。 (もっと読む)


【課題】従来よりも加工時間を短縮でき、且つ流路のリークや汚染を抑制することができる流路付きプレート等を提供する。
【解決手段】流路付きプレートは、流体を流通させる流路がプレートの内部に形成された流路付きプレートであって、金属又は合金によって形成され、流路となる溝が設けられた本体プレートと、上記溝を覆う蓋プレートと、金属又は合金の粉体をガスと共に加速し、本体プレート及び蓋プレートに向けて固相状態のままで吹き付けることにより形成され、蓋プレートを覆う堆積層とを備える。 (もっと読む)


【課題】比較的軽量で、加速度を受けても変形が少ない搬送部材を提供する。
【解決手段】対象物を搬送するための搬送用部材であって、前記対象物が載置される一方主面12Aを備える、セラミックスを主成分とする板状部12と、該板状部12の他方主面に接合された、前記板状部12と略同一のヤング率を有する肋材部14と、前記板状部12の前記他方主面12Bと前記肋材部14とを接合する接合層とを有しており、該接合層の厚さをT、前記接合層のヤング率をY1、前記板状部12および前記肋材部14のヤング率をY2としたとき、Y1≦Y2であり、下記式(1)で表すαが、0<α≦1.16を満たすことを特徴とする搬送用部材を提供する。
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【課題】回転塗布装置の洗浄に用いる洗浄用治具であって、容器を上方部から洗浄することが可能な洗浄用治具、及びこの洗浄用治具を用いた洗浄方法を提供する。
【解決手段】容器内に設けられた基板保持具により回転可能に保持された基板の上に処理液を滴下し、該基板の回転により該基板上に前記処理液の膜を塗布する回転塗布装置において前記容器の洗浄に使用することができる洗浄用治具が提供される。この洗浄用治具は、前記基板保持具より大きい寸法に形成され、当該基板保持具に保持される中心部材と、前記中心部材に着脱可能に接続され、前記基板と略同一の直径を有する環状部材と、を備える。前記環状部材の外周部は、前記基板保持具により回転されながら前記洗浄液が裏面に対して供給された際に、当該洗浄液が前記裏面より上向きに回り込むように形成された外周面を備える。 (もっと読む)


【課題】可動テーブルの重量を増加させることなく、ステージ停止時における十分な制動力を発生するブレーキ機構を有するステージ装置を構成する。
【解決手段】ステージ機構1は、Xベース120の上に固定されるX方向の案内機構としてのXガイド121と、これに拘束されてX方向に移動可能なXテーブル122と、これに可動部を固定されたXアクチュエータ123と、Xベース120の上に固定されたXテーブル122の制動機構であるXブレーキ124などから構成される。制御装置2は、ステージ停止時にXブレーキ124をXテーブル122の下面に押し付けて制動力を発生させ、ステージ停止後にはXアクチュエータをサーボ制御をオフにする位置決め制御を行う。 (もっと読む)


【課題】ウェハホルダにおいて、ピンのウェハ支持面にパーティクルが付着していた場合であっても、露光エラーの原因になるウェハの吸着歪みを低減する。
【解決手段】このウェハホルダ1は、ウェハ支持面6aに溝6bが設けられている。これにより、溝6bの投影面積の分だけ、ウェハ支持部材6とウェハとの接触面積が減少する。その結果、ウェハホルダ1でウェハを吸着保持する際に、両者間にパーティクルを挟み込む事態の発生頻度を減らすことができる。 (もっと読む)


【課題】基板裏面側に形成されるエピタキシャル層を低減するエピタキシャル成長装置を提供する。
【解決手段】チャンバー2と、該チャンバー内に配置され、エピタキシャル成長させる基板Wを載置する、複数の貫通孔を有するサセプタ3と、該サセプタを支持するサポートシャフト7と、前記チャンバー2内の前記サセプタ3上に載置された基板Wに反応ガス供給源からの反応ガスを供給する反応ガス供給手段4と、反応後のガスを前記チャンバー2外に排出する反応ガス排出手段5と、を具備するエピタキシャル成長装置1において、前記サセプタ3の裏面側を覆うカバー91を配設する。 (もっと読む)


【課題】ウエハの温度の変化を高速化し温度の調節の精度を向上して処理の効率を向上できるプラズマ処理装置を提供する。
【解決手段】真空容器内部の処理室内に配置された試料台上にウエハを載置して前記処理室内に形成したプラズマを用いて前記ウエハを処理するプラズマ処理装置であって、前記試料台の内部に配置された金属製の基材と、この基材上面に配置され溶射により形成された誘電体製の膜と、前記誘電体製の膜内部に配置され溶射で形成された膜状のヒータと、前記誘電体膜上に配置された接着層と、前記接着層によって前記誘電体膜に貼り付けられた厚さ0.2〜0.4mmのセラミック製の焼結板と、前記基材内部に配置され温度を検知するセンサと、このセンサからの出力を受けて前記ヒータの発熱を調節する制御部とを備えた。 (もっと読む)


【課題】高い面精度が高い載置面を有するとともに、圧損が小さく十分な吸着力を得ることができる真空吸着装置に用いる多孔質セラミックスからなる吸着部材及びその製造方法を実現する
【解決手段】多孔質セラミックスの骨格を形成する骨材を平均粒径が異なる複数種のセラミックス粉を混合してなるものとし、注型工程で注型されたスラリーを加振し、下面から上面に向かって平均粒径が大きくなる粒度分布を有する構造体を作製する加振工程を備えているため、載置面11aから吸引面11bに向かって平均気孔径及び気孔率が増大する気孔構造を有する吸着部材11を製造することができる。これにより、載置面11aの面精度を向上させることができるとともに、吸引面11bからの真空吸引における圧損を小さくして十分な吸着力を維持することができる。 (もっと読む)


【課題】導電層内での空洞発生、高抵抗化、及び電気的不導通の発生を防止することができ、かつ接合強度を向上させることができ、かつ装置全体の長期信頼性を向上させることのできる静電チャックを提供する。
【解決手段】イットリアを主成分とするセラミックからなる板状の基体2Aと、この基体の一主面に開口する凹部3Aと、前記凹部の底面9Aに露出した、白金とイットリアを主成分とするセラミックとで形成された導電層4Aと、前記凹部内に立設して配置され、前記導電層と電気的に接続された電極端子5Aとを有する静電チャック1A装置であって、前記導電層の表面10Aと前記電極端子との間に形成された、93体積%以上の白金を含む接続中間層6Aを有することを特徴とする静電チャック。 (もっと読む)


【課題】反応性イオンエッチング及び同様な加工中半導体ウェーハの温度を制御する方法及び装置を提供する。
【解決手段】プラズマ加工装置用のチャックは、温度制御式ベースと、断熱材と、フラット支持体と、加熱器とを含む。温度制御式ベースは、操作中、加工物の望ましい温度以下の温度に制御される。断熱材は、温度制御式ベースの少なくとも一部分に上に配置される。フラット支持体は、加工物を保持し且つ断熱材の上に配置される。加熱器は、フラット支持体内に埋め込まれ及び又はフラット支持体の下側に取り付けられる。加熱器は、複数の対応する加熱ゾーンを加熱する複数の加熱素子を含む。各加熱素子に供給される電力及び又は各々の加熱素子の温度は、独立に制御される。加熱器及びフラット支持体は、毎秒少なくとも1℃の組合せ温度割合変化を有する。 (もっと読む)


【課題】本設置場所での位置合わせが容易なステージ装置を提供する。
【解決手段】台車22上に副ベース板21が配置された架台25を乗せて副載置台20a〜20dを構成し、台車22で副ベース板21を移動させ、架台25を主ベース板11を有する主載置台10に固定する。副載置台20a〜20dに設けた調整機構30によって、主ベース板11副ベース板と21を位置合わせする。主載置台10と副載置台20a〜20dには主位置決め部材16と副位置決め部材241、242が設けられており、位置合わせ状態が復元できるようにして分離することができる。前記主載置台と前記副載置台の間を移動する移動部材が前記主載置台上にあるときに処理対象物が処理される。 (もっと読む)


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