【課題】ウエハが載置される部分に切削痕ができないサセプタ基材の加工方法及びサセプタ基材を提供する。
【解決手段】回転刃物を用いて切削加工を行うサセプタ基材１１の加工方法であって、回転刃物１５の軸先端がＲ形状であり、回転刃物１５がサセプタ基材１１の上面の法線２３に対して所定角度傾斜させて前記サセプタ基材の切削加工を行い、サセプタ基材１１の切削加工が行われた凹部に切削痕のない加工面２７を形成する。 （もっと読む）

【課題】移動体の位置を高精度に制御しつつ、物体上の複数のマークの検出時間を短縮する。
【解決手段】 露光装置は、ウエハＷを保持してＸＹ平面内で移動するとともに、上面にＹ軸方向を周期方向とする格子を有する一対のＹスケール３９Ｙ_１、３９Ｙ_２が設けられたウエハステージＷＳＴと、Ｘ軸方向に関して検出領域の位置が異なる複数のアライメント系ＡＬ１、ＡＬ２_１〜ＡＬ２_４と、Ｘ軸方向に関して前記複数の検出領域の両外側に１つずつ配置される一対のＹヘッド６４ｙ_１、６４ｙ_２を含む複数のＹヘッド６４を有し、一対のＹスケールの少なくとも一方と対向するＹヘッドによって、ウエハステージＷＳＴのＹ軸方向の位置情報を計測するＹエンコーダと、を備えている。このため、ウエハステージＷＳＴのＹ軸方向の移動の際に、ウエハ上の複数のマークを複数のアライメント系で同時に計測可能になる。 （もっと読む）

【課題】半導体基板との間に異物が挟まることを抑制し、かつ半導体基板の平坦性を維持または向上した状態で、該半導体基板を吸着することができる吸着装置および吸着方法を提供すること。
【解決手段】本発明の吸着装置は、半導体基板の中央部を支持する複数の突起部１２が設けられた基礎部１１と、半導体基板の外周部を支持する円筒状の周縁部１３と、半導体基板を吸着する複数の吸着孔と、複数の吸着孔を異なるタイミングで真空引きする真空発生源１４と、を具備する。少なくとも一部の突起部１２には、互いに独立して真空引き可能な複数の吸着孔２１が設けられている。周縁部１３には、吸着孔２１と独立して真空引き可能な吸着孔３１が設けられている。この突起部１２および周縁部１３上に半導体基板を載置した後、真空発生源１４によって複数の吸着孔を真空引きし、半導体基板の複数個所を異なるタイミングで吸着する。 （もっと読む）

【課題】高加速度下で機能することができるパターニングデバイスのスリップ防止解決法を提供する。
【解決手段】リソグラフィ装置のパターニングデバイスステージの移動中のパターニングデバイス２７０の滑りを実質的に除去するための構成が提供される。このような構成の一つは、保持システムとサポート輸送装置２３０とを含む。保持システムは、支持デバイス２５０と、保持デバイス２８０と、磁歪アクチュエータ２６０とを含む。保持デバイス２８０はパターニングデバイス２７０を支持デバイス２５０に解放可能に結合する。磁歪アクチュエータ２６０は、パターニングデバイス２７０に解放可能に結合され、パターニングデバイス２７０に加速力を付与する。サポート輸送装置２３０は支持デバイス２５０に結合され、磁歪アクチュエータ２６０による力の付与と同時に支持デバイス２５０移動し、パターニングデバイス２７０滑りを防止する。 （もっと読む）

【課題】 数枚の基板を載置できる基板搬送トレイであって、ＣＶＤ成膜装置内で用いた場合に異常放電が発生しにくい基板搬送トレイを提供する。
【解決手段】基板搬送トレイ１は、複数の凹部１１がその一方面１２に形成され、凹部に基板Ｓが載置されて搬送される基板搬送トレイであって、基板搬送トレイの一方面に絶縁膜２１が形成されている。 （もっと読む）

【課題】 被処理基板の周縁部の温度上昇を抑制することによってプラズマ処理の面内均一性を向上させることができ、均一なプラズマ処理を行うことのできるプラズマ処理装置を提供する。
【解決手段】 内部を気密に閉塞可能とされた処理チャンバーと、処理チャンバー内に処理ガスを供給する処理ガス供給機構と、処理チャンバー内から排気するための排気機構と、処理ガスのプラズマを生成するためのプラズマ生成機構と、処理チャンバー内に設けられ、被処理基板と、当該被処理基板の周囲を囲むように配設されるフォーカスリングとが同一の平面に載置されるよう構成された載置台と、載置台の温度を調節する温調機構と、載置台の上面に配設され、フォーカスリングの下部にまで延在する吸着用電極を有する静電チャックとを具備したプラズマ処理装置。 （もっと読む）

【課題】チャンバ内の雰囲気を安定化することができる加熱装置および気相成長装置を提供する。
【解決手段】処理対象物の保持面ＲＰを有し、サセプタガイド２１に回転可能に保持されるサセプタ３が、該サセプタ３を取り囲む、チャンバ５の穴部ＨＬに設けられる。内周面を有する第１のリング部３１が、穴部ＨＬを取り囲むようにチャンバ５に取り付けられ、外周面を有する第２のリング部３２が、サセプタガイド２１に取り付けられる。第１のリング部３１の前記内周面と第２のリング部３２の前記外周面とが互いに対向することによって、幅を有する隙間が形成され、該隙間は、幅よりも大きい長さに渡って、サセプタ３の保持面ＲＰと交差する方向に延びている。 （もっと読む）

【課題】棒状電極端子の位置精度が高く、かつ焼成時やろう付け時の応力の集中に起因するセラミック基体のクラックの発生も抑制することができる半導体製造装置用接続部、及びそのような半導体製造装置用接続部の形成方法を提供する。
【解決手段】板状のセラミックからなる基体１１と、この基体１１の一主面に開口する凹部１７と、基体１１内に配置され、凹部１７の底面に露出する導電層１４と、凹部１７内に配置され、導電層１４にろう材１８を介して接合された棒状電極端子１６とを備える半導体製造装置用接続部であって、凹部１７は開口側の大径部１７ａとそれに続く小径部１７ｂからなり、導電層１４は小径部１７ｂの底面に露出し、小径部１７ｂ底面に露出する導電層１４の外周は、小径部１７ｂ側面より内側に位置している。 （もっと読む）

【課題】基板が収容されるチャンバに対して基板位置検出装置を高い位置決め精度で取り付けなくても、基板の位置を高い精度で検出できる基板位置検出装置を提供する。
【解決手段】サセプタを動かして基板載置部を撮像装置の撮像領域に位置させる工程と、処理容器内において撮像装置の撮像領域内に位置するように設けられる２つの第１位置検出マークであって、２つの第１位置検出マークの第１垂直二等分線がサセプタの回転中心を通る２つの第１位置検出マークを検出する工程と、サセプタにおいて基板載置部に対して設けられる２つの第２位置検出マークであって、２つの第２位置検出マークの第２垂直二等分線がサセプタの回転中心と基板載置部の中心とを通る２つの第２位置検出マークを検出する工程と、検出した２つの第１位置検出マーク及び２つの第２位置検出マークに基づいて基板載置部が所定の範囲に位置するかを判定する工程とを含む。 （もっと読む）

【課題】単結晶シリコンで構成された半導体ウェハを熱処理中に支持するための支持リング、該半導体ウェハの熱処理のための方法、および単結晶シリコンで構成された熱処理された半導体ウェハを提供する。
【解決手段】単結晶シリコンで構成された半導体ウェハを、半導体ウェハの熱処理中に支持するための支持リングであって、外部側面および内部側面と、外部側面から内部側面に延在し、半導体ウェハの配置に役立つ湾曲面とを含み、湾曲面は、直径３００ｍｍの半導体ウェハの配置用に設計されている場合には６０００ｍｍ以上９０００ｍｍ以下の曲率半径を有し、直径４５０ｍｍの半導体ウェハの配置用に設計されている場合には９０００ｍｍ以上１４０００ｍｍ以下の曲率半径を有する、支持リング、該半導体ウェハの熱処理のための方法、および単結晶シリコンで構成された熱処理された半導体ウェハである。 （もっと読む）

【課題】コールドウォール型加熱装置であっても、被加熱物における端部温度低下を抑制し、面内温度分布の均等化を図ることのできるサセプタを提供する。
【解決手段】課題を解決するためのサセプタは、垂直方向に複数、積層配置された上で誘導加熱されるサセプタ１４（１４ａ〜１４ｆ）であって、熱伝導により加熱を行なう被加熱物載置面１５ａと、被加熱物載置面１５ａの裏面側に位置し、被加熱物載置面１５ａに載置されるウエハ３０よりも大きな開口と、ウエハ３０の外縁部３０ａに向けて傾けられた側壁１５ｃとを有する凹部からなる輻射加熱面１５ｂとを備えることを特徴とする。また、このような特徴を有するサセプタ１４における前記凹部は、サセプタ１４の中心に近づくにつれて深さが深くなるように形成すると良い。 （もっと読む）

【課題】 ウエハ全面に亘って均一にプラズマ処理を施すことが可能な信頼性の高いウエハ保持体を提供する。
【解決手段】 ウエハ搭載面１ａを有するセラミックス基体１と、セラミックス基体１内においてウエハ搭載面１ａからの深さが互いに異なるように埋設されている円形状ＲＦ電極２及び円環状ＲＦ電極３と、円形状ＲＦ電極２及び円環状ＲＦ電極３にそれぞれ電気的に接続される第１及び第２外部端子５、６と、円環状ＲＦ電極３と第２外部端子６との間に介在してこれらを電気的に接続する複数の接続回路１１とを備えたウエハ保持体１００であって、複数の接続回路１１は、円環状ＲＦ電極３と同じ深さにおいて放射状で且つ円環状ＲＦ電極３の中心軸に関して実質的に回転対称に形成されている。 （もっと読む）

【課題】ガラス基板の成膜面への傷の発生およびそれによる発塵、ならびに、裏面中心部への傷の発生および異物の付着を解消することができ、多層反射膜および吸収層の形成時において、保持手段自体からの発塵を抑制することができるガラス基板保持手段の提供。
【解決手段】平坦なベースの表面にファンデルワールス力によって吸着保持する吸着部が設けられており、該吸着部がガラス基板の外縁部のみと接触するガラス基板保持手段。 （もっと読む）

【課題】簡易な構造で、ウェーハの芯出しを精度良く行うことができる低コストの芯出し装置、及びそれを用いた面取り装置を提供する。
【解決手段】位置決めカップ１３がウェーハＷを支持した支持具１４に対して相対的に上方に移動することで、ウェーハＷを位置決めカップ１３のテーパー面１１で支持し、ウェーハＷを支持した時に、振動子１２により印加された振動で、ウェーハＷが前記テーパー面１１を滑って位置決めされ、位置決めカップ１３が支持具１４に対して相対的に下方に移動することで、位置決めされたウェーハＷを支持具１４で支持することによりウェーハＷの芯出しを行うものであるウェーハＷの芯出し装置１０。 （もっと読む）

【課題】物体を結合する際、接着剤の収縮に起因する変形を減少させ、用いた接着剤の収縮後におけるパネル形物体の所望の変形状態を実現させるものである。
【解決手段】第２の物体３は、少なくとも１方向Ｘに第１の物体２の縁部２'を越えて突出する。少なくとも１つの結合面２ａ上に、複数のスペーサ４ａ〜４ｅ，４ａ’〜４ｅ’を備え、スペーサの間の中間領域6a〜6d、および外側のスペーサから、第１の物体の縁部に形成される接着剤の外面５ａまで接着剤５を塗布する。さらに、物体を、結合面をスペーサに接触させることにより結合し、接着剤の外面と最外側のスペーサとの間の所定の距離ｄは、塗布した接着剤の収縮後、パネル形物体が所望の変形状態、とりわけパネル形物体の撓みを最小化させる。 （もっと読む）

【課題】ウエハを均一に加熱することができるとともに、低コストで大量生産が可能である支持体、及びこの支持体を用いたウエハ成膜処理方法を提供する。
【解決手段】半導体デバイス製造工程において用いられ、ウエハＷを載置する凹部１０が設けられている上面１ａを有する支持体であって、該支持体は、炭化ケイ素によって形成されており、凹部１０は、平面視において略円形状であるとともに、平面視における前記凹部１０の中心部を中心とした同心円状に設けられた複数の円環状の段によって形成されている底部１０Ｂを有する。 （もっと読む）

【課題】加熱板に基板を載置して熱処理するにあたり、加熱板の温度を速やかに降温すること。
【解決手段】加熱板８４の下方側に加熱板８４と略同じ大きさの２枚の冷却プレート８１、８２を水平に設け、下側の冷却プレート８１は断熱部材を介して加熱板８４に固定し、上側の冷却プレート８２は下側の冷却プレート８１に対して昇降できるように構成する。下側の冷却プレート８１には冷媒流路８８を設け、上側の冷却プレート８２を下側の冷却プレート８１に接触させて予め冷却しておき、加熱板８４の温度を降温させるときには、上側の冷却プレート８２を上昇させて加熱板８４に接触あるいは近接させる。また、２枚の冷却プレート８１、８２を用いずに、冷媒流路８８を備えた１枚の冷却プレートを加熱板８４に接触あるいは近接させるようにしてもよい。 （もっと読む）

【課題】フォトマスクへの塵の付着を抑制しつつ、フォトマスク表面に付着した有機化合物を除去可能なマスクケースを提供する。
【解決手段】内部空間にフォトマスクが収納されるケースである。前記フォトマスクに対向する底面に真空紫外光透過部（５）を有し、前記内部空間と連通したガス流入孔（７）およびガス流出孔（８）が設けられていることを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】ワークチャックの経路出口における熱媒体の温度が所定になるように冷却水の流量を制御し、ワークチャック各部の温度を均一にして、分割逐次露光においても高精度で基板を露光することができる露光装置を提供する。
【解決手段】蓄圧器８０を接続したワークチャック２０に設けられ、並列接続されて熱媒体Ｗを通過させる複数の熱媒体流路２１，２２，２３と、これらの熱媒体流路の出口側にそれぞれ設けられ、熱媒体Ｗの出口温度Ｔｗｏ１，Ｔｗｏ２，Ｔｗｏ３を測定する温度センサ３１，３２，３３と、複数の熱媒体流路２１，２２，２３にそれぞれ設けられ、これらの熱媒体流路を通過する熱媒体Ｗの流量Ｇｗ１，Ｇｗ２，Ｇｗ３を制御する流量調整機構４１，４２，４３と、を備え、これらの温度センサにより測定される熱媒体Ｗの各々の出口温度に基づいて、流量調整機構が熱媒体Ｗの流量を制御し、ワークチャック２０の温度を所定の温度に調整する。 （もっと読む）

【課題】セラミックプレート内の任意の位置の温度を測定するのに適したサセプターを提供する。
【解決手段】サセプター１０は、円盤状のセラミックプレート２０の中に、セラミックプレート２０の焼結温度以上の耐熱性を有し互いに材料組成の異なる第１及び第２素線５１，５２と、各素線５１，５２の先端を接合した測温部５０ａとを備えた熱電対５０が、素線のまま埋設されたものである。このサセプター１０によれば、熱電対５０の各素線５１，５２はいずれもセラミックプレート２０の焼結温度以上の耐熱性を有しているため、セラミックプレート２０を焼結する前の成形体に熱電対５０を埋設したあとその成形体を焼結することができる。 （もっと読む）