【課題】粘着テープからの剥離時における半導体チップの欠けや傷を低減することができる半導体装置の製造装置および半導体装置の製造方法を提供する。
【解決手段】ピックアップ装置１０は、粘着テープに貼り付けられた状態の半導体チップを保持する保持ステージ１１を備える。保持ステージ１１の半導体チップを保持する側の面には、第１溝２１ａおよび第２溝２２ａが設けられている。第１溝２１ａおよび第２溝２２ａには、少なくとも１つ以上の通気孔１２が連結されている。第２溝２２ａの開口部の幅ｔ２は、第１溝２１ａの開口部の幅ｔ１よりも狭い。ピックアップ装置１０は、第１，２溝２１ａ，２２ａの頂点部に、粘着テープが貼り付けられた側を下にして半導体チップを保持し、減圧手段によって粘着テープ、第１溝２１ａおよび第２溝２２ａに囲まれた密閉空間を減圧した後、コレットによって保持ステージ１１から半導体チップをピックアップする。 （もっと読む）

【課題】 薄化ウェーハを接着剤を使用せずに簡単に保持して、その保持した状態でＷａｆｅｒ ｔｏ Ｗａｆｅｒ装置で薄化ウェーハの貼り合せを行うことができ、さらに貼り合せ後は貼り合せ薄化ウェーハを溶剤を使用せずに容易に剥離することを可能とするウェーハ保持ジグを提供する。
【解決手段】 熱可塑性樹脂シート、キャリアウェーハ又はガラス基板からなるキャリア２０と、粘着フィルム３０と、を備え、キャリア２０の１方の表面の少なくとも外縁部領域に、粘着フィルム３０の１方の表面を接着剤４０で接着固定し、粘着フィルム３０のもう１方の表面の面内に、粘着フィルム３０の面内に収まる寸法の面を有するウェーハ６０の１方の面を貼り付けて保持するウェーハ保持ジグ１０。 （もっと読む）

【課題】パワー系半導体のメタル電極製造工程に於いて、薄膜化されたウエハの熱処理等の反りによる搬送ミスやウエハクラックを防止する製造方法を提供する。
【解決手段】半導体ウエハ１の裏面研削後に、ウエハを予熱した状態でスパッタリング成膜によりメタル膜を成膜するに際して、ウエハを円環状のサセプタに収容して処理するものであって、その円環の放射状垂直断面は、半導体ウエハの表面の周辺部を重力に対して保持する水平に近い第１の上側表面４１と、第１の上側表面に続いて、その外側にあって、半導体ウエハの側面を横ずれに対して保持する垂直に近い第２の上側表面４２を有するものである。 （もっと読む）

【課題】ブレーク溝で切断した後、ピックアップテーブルの上面に移動され、大判の姿をなしている（大判状態で縦横に並ぶ）セラミック配線基板個片群から、基板個片ごとピックアップしてトレー等、別の位置に移載（移動）する場合に好適な、セラミック配線基板個片の移載方法を得る。
【解決手段】テーブル２１の上面を、伸縮するシート３１で覆っておき、このシート３１の上面に、切断後、大判における配線基板部位の配列状態のままのセラミック配線基板個片群１０を載置し、各基板個片１１を吸着してピックアップする際、隣接する縦横の各基板個片１１相互における切断面間に間隔Ｓができるように、シート３１をテーブル２１の上面に沿って引き伸ばしておく。シート３１の上面に載置したとき、間隔がなかったとしても、この引き伸ばしにより、基板個片相１１互間に間隔Ｓができるから、引っかかりのない円滑なピックアップができる。 （もっと読む）

【課題】膜はがれの原因になる膜を付着しにくくすることができる基板保持装置を提供すること。
【解決手段】実施形態の基板保持装置は、スパッタ膜を生成する際に基板の裏面が載置される基板載置部と、前記基板載置部の底面よりも大きな上面を有するとともに、前記上面で前記基板載置部を前記基板載置部の底面側から支える支持部と、前記基板載置部の側面部と、前記支持部の上面のうち前記基板載置部の底面を支持していない外周部と、を覆うように前記支持部の上面に載置される環状のカバー部と、を備えている。そして、前記基板載置部の側面部は、前記基板載置部の上面側から所定の深さ方向に向かって外径寸法が小さくなる逆テーパ状に形成されている。 （もっと読む）

【課題】 基板の表裏両面を均一に処理することが可能な基板処理装置および基板処理方法を提供することを目的とする。
【解決手段】 処理槽１１にエッチング液を貯留するエッチング液供給工程と、ガラス基板１００を搬送ローラ２１により搬送してエッチング液が貯留された処理槽１１内に進入させる基板搬入工程と、ガラス基板１００の下面からエッチング液を吐出することによりガラス基板１００を搬送ローラ２１より上方で、かつ、処理槽１１に貯留されたエッチング液の液面より下方の位置まで浮上させるエッチング液吐出工程と、エッチング液の吐出を停止してガラス基板１００を搬送ローラ２１と当接する位置まで下降させる基板下降工程と、処理槽２１に貯留されたエッチング液を排出するエッチング液排出工程と、ガラス基板１００を搬送ローラ２１により搬送して処理槽１１より退出させる基板搬出工程とを備える。 （もっと読む）

【課題】 セラミックス基体中に埋設された導電体に給電するための電極リードの腐蝕をなくし、長期に使用しても信頼性の高いウェハ保持体を提供する。
【解決手段】 本発明のウェハ保持体は、被処理物保持面を有するセラミックス基体中に導電体が埋設されたウェハ保持体であって、被処理物保持面以外の面に露出し前記導電体に接続された導電端子と、該導電端子に接続された電極リードとを有し、該電極リードは、両端が気密に封止された絶縁パイプに覆われており、前記電極リードは前記絶縁パイプ内で分割され、分割された電極リードを電気的に接続する接続部品を有しており、該接続部品は、少なくとも一方端部に筒状部を有する柱状部品であり、該筒状部に前記分割された電極リードの一方が挿入されていることを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】サセプタの撓みによるエピタキシャル膜面内の抵抗のばらつきを抑制しつつ、パイロメーターによるサセプタ裏面の温度検出の精度も確保して、高品質のエピタキシャル膜を形成できるエピタキシャル成長装置用サセプタサポートシャフトを提供する。
【解決手段】本発明のサセプタサポートシャフト１０３は、エピタキシャル成長装置内でサセプタ１０２を下方から支持するサセプタサポートシャフト１０３であって、前記サセプタ１０２の中心とほぼ同軸上に位置する支柱１０７と、該支柱１０７から前記サセプタ１０２の周縁部下方へ放射状に延びる複数本のアーム１０８と、隣接する該アーム１０８の先端同士を接続するアーム接続部材１０９と、該アーム接続部材１０９から延び、前記サセプタ１０２を支持するｎ本（ｎは４以上の自然数）の支持ピン１１０と、を有し、前記アーム１０８が（ｎ-１）本以下であることを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】低温で基材を支持体上に仮固定でき、かつ薬液に対する耐性を有する仮固定材、前記仮固定材を用いた基材の処理方法、および前記処理方法によって得られる電子部品を提供する。
【解決手段】（１）低軟化点を有する非晶質体を含有する仮固定材を介して、支持体上に基材を仮固定する工程、（２）前記基材を加工および／または移動する工程、ならびに（３）前記仮固定材を加熱することにより、支持体から基材を剥離する工程をこの順で有する基材の処理方法。 （もっと読む）

【課題】接合時の残留応力を下げ、セラミックス基体にクラックが発生せず、使用温度が２００℃であっても十分な接合強度が得られる。
【解決手段】静電チャックは、電極１４が埋設されたセラミックス基体１２と、セラミックス基体１２の裏面に設けた凹部１６の底面に露出する電極端子１４ａと、電極１４に給電するための給電部材２０と、この給電部材２０とセラミックス基体１２とを接続する接合層２２とを備えている。接合層２２は、ＡｕＧｅ系合金、ＡｕＳｎ系合金、又はＡｕＳｉ系合金を用いて形成されている。セラミックス基体１２と給電部材２０とは、給電部材２０の熱膨張係数からセラミックス基体１２の熱膨張係数を引いた熱膨張係数差Ｄが−２．２≦Ｄ≦６（単位：ｐｐｍ／Ｋ）となるように選択されたものである。 （もっと読む）

【課題】誘電層の厚みのバラツキを小さく抑える。
【解決手段】静電チャックの製法として、（ａ）成形型にセラミック粉体、溶媒、分散剤及びゲル化剤を含むセラミックスラリーを投入し、その成形型内でゲル化剤を化学反応させてスラリーをゲル化させたあと離型することにより、第１及び第２のセラミック成形体１１、１２を得る工程と、（ｂ）第１及び第２のセラミック成形体を乾燥したあと脱脂し、更に仮焼することにより、第１及び第２のセラミック仮焼体を得る工程と、（ｃ）第１及び第２のセラミック仮焼体のいずれか一方の表面に静電電極用ペースト１４を印刷して静電電極とする工程と、（ｄ）静電電極を挟み込むようにして第１及び第２のセラミック仮焼体を重ね合わせた状態でホットプレス焼成する工程と、を含む。 （もっと読む）

【課題】 基板の裏面への異物の付着及び基板の横滑りを抑制する。
【解決手段】 基板を処理する処理室内に設けられ、基板を支持する基板支持部は、基板の縁側を下方から支持する凸領域と、凸領域により支持された基板に接触しないように凸部の内側に設けられた凹領域と、凹領域に設けられ、凸領域よりも低く形成された補助凸領域と、を上面に有し、凹領域内に連通し、基板と、基板支持部との間の気体を凹領域側から逃す流路を有する。 （もっと読む）

【課題】セラミック誘電体基板の内部の電極への導通を確実に確保するとともに、穿孔によるセラミック誘電体基板の強度的強度の低下、電気的絶縁の信頼性低下を最小限にすることができる静電チャックを提供することを目的とする。
【解決手段】被吸着物を載置する第１主面と、前記第１主面とは反対側の第２主面と、を有するセラミック誘電体基板と、前記セラミック誘電体基板の前記第１主面と前記第２主面とのあいだに介設された電極と、前記セラミック誘電体基板の前記第２主面に形成された凹部の中に設けられた導電性部材と、を備え、前記凹部の先端は、曲面を有し、前記電極は、前記曲面において露出する露出部分を有し、前記導電性部材は、前記露出部分において前記電極と接触していることを特徴とする静電チャックが提供される。 （もっと読む）

【課題】静電チャックの給電部を製造するにあたり、セラミックスと金属との接合部に亀裂を生じない緻密な接合層を形成できる接合剤と、当該接合剤を用いた静電チャックの給電部及びその製造方法を提供すること。
【解決手段】タングステンと活性銀ロウと有機バインダとから構成され、かつ、有機バインダを加熱除去した後に、タングステンを２０体積％〜５０体積％含有し、残部が活性銀ロウからなる接合剤である。この接合剤を、ベース材１、内部電極２、誘電体３が順に配置されたセラミックス構造体の穴４に装填し、金属電極５を挿入して加熱接合することで、静電チャックの給電部を形成する。 （もっと読む）

【課題】高強度かつ高耐食性であり、アルカリ金属含有量が５００ｐｐｍ以下のフッ化マグネシウム焼結体を提供する。
【解決手段】本発明のフッ化マグネシウム焼結体は、フッ化マグネシウムを主相とする焼結体であって、平均線熱膨張係数がフッ化マグネシウムよりも低い少なくとも１種の分散粒子を含み、焼結体中の分散粒子の平均粒径とフッ化マグネシウム粒子の平均粒径が５μｍ以下でかつ開気孔率が１％以下であり、アルカリ金属元素含有量が５００ｐｐｍ以下のものである。 （もっと読む）

【課題】基板を格段に薄くして温度変更を高速化した場合でも、球体の位置を安定させてウェハを適正位置に支持させておくことができる加熱装置を提供すること。
【解決手段】加熱装置は、ベースプレートと、ベースプレートの上方に位置してウェハが載置されるフェイスプレート３とを備え、フェイスプレート３は、アルミ基板３１と、アルミ基板３１に設けられたウェハＷを加熱するフィルムヒータ３２Ｂと、アルミ基板３１に設けられてウェハＷとの間に介装されるギャップボール６とを備え、アルミ基板３１には、ギャップボール６が圧入される第２取付孔３Ｂが設けられ、ギャップボール６は、圧入により第２取付孔３Ｂ内の内壁面でのみ保持されている。 （もっと読む）

【課題】 導電回路と電極部材との接続部の信頼性を高めた封止講造を有するウェハ保持体を提供する。
【解決手段】本発明のウェハ保持体は、ウェハ保持体の内部に埋設された導電回路と該導電回路に給電するための電極部材との電気的接続部を、環状部材と封止部材とによって封止する構造であって、該環状部材の内径が環状部材の厚み方向に一定ではないことを特徴とする。前記環状部材の最小内径は、該環状部材の厚み方向のウェハ保持体のセラミックス基板側にはないことが好ましい。また、前記環状部材のウェハ保持体側の内径は、前記電極部材の外径より０．２ｍｍ以上０．５ｍｍ以下大きく、前期環状部材の最小内径は、前記電極部材の外径より０．０５ｍｍ以上０．２ｍｍ以下大きいことが好ましい （もっと読む）

【課題】照射光の広域な波長に亘って安定した低反射率を得られ、安定した二重露光防止作用と良好な露光作用を得られるとともに、液晶ディスプレイの軽量化と大型化に対応し、設備費と反射率の低減を図れるとともに、基板ステージの機能低下や故障を未然に防止し、低反射率の液晶基板保持盤を確実かつ安価に製造できる、液晶基板保持盤およびその製造方法を提供する。
【解決手段】母材１１表面に低反射率の材料からなる溶射皮膜１２を形成したこと。前記溶射皮膜１２の表面に透明または半透明の基板Ｗを保持可能な支持部１３を形成した液晶基板保持盤であること。前記溶射皮膜１２をアルミナとチタニアを含有する複合材料（Ａｌ₂Ｏ₃−α％ＴｉＯ₂）で形成したこと。前記溶射皮膜１２表面の全反射率を、光の波長３６０〜７４０ｎｍの範囲に亘って９％以下に形成したこと。 （もっと読む）

【課題】基板の自重での撓みや熱による反りを確実に防止でき、基板を格段に薄くして温度変更を短時間でできる加熱装置を提供すること。
【解決手段】加熱装置は、ベースプレート２の上方に位置してウェハＷが載置されるとともに、ウェハＷを加熱するフィルムヒータが設けられた基板としてのフェイスプレート３と、ベースプレート２およびフェイスプレート３間に立設されてフェイスプレート３を支持する支柱５と、フェイスプレート３をベースプレート側に引っ張る引張部材７とを備え、支柱５および引張部材７は、フェイスプレート３の少なくともウェハＷの載置領域に対応した部位を支持および引っ張る位置に設けられ、引張部材７は、上端がフェイスプレート３に係止されて下端がベースプレート２を貫通するシャフト７１と、ベースプレート２側に位置してシャフト７１の下端側を下方に付勢するコイルばね７３とを有する。 （もっと読む）

【課題】保持部材の長寿命化を実現することができる基板保持装置、基板洗浄装置および基板処理装置を提供する。
【解決手段】基板を保持するスピンチャックにおいて、鉛直方向に平行な回転軸の周りで回転可能にスピンプレート５２０が設けられる。スピンプレート５２０には、基板保持機構７００の支持部７２０が取り付けられる。支持部７２０により軸部７３０が軸部７３０の中心軸の周りで回転可能に支持される。略円柱形状を有する保持ピン７１０が、軸部７３０により周方向に回転可能に保持される。軸部７３０が回転することにより、保持ピン７１０の外周面が基板の外周端部に当接する状態と保持ピン７１０の外周面が基板の外周端部から離間する状態とに移行する。軸部７３０においては、ねじＮ１が締め込まれることにより保持ピン７１０の周方向の回転が阻止され、ねじＮ１が緩められることにより保持ピン７１０の周方向の回転が許容される。 （もっと読む）