【課題】 基板を回転させながら基板に処理液を供給して該基板に対して所定の処理を施す基板処理装置において、基板表面への処理液の再付着を効果的に防止する。
【解決手段】 スピンベース５の周縁部付近には、基板Ｗの下面周縁部に当接しつつ基板Ｗを支持する支持部７が複数個、スピンベース５から上方に向けて突出して設けられている。そして、複数個の支持部７によって基板Ｗの下面と対向するスピンベース５から所定の間隔離間させた状態で基板Ｗが水平に支持されている。そして、基板Ｗの上面と雰囲気遮断板９の対向面９ａとの間に形成される空間に対向面９ａに設けられた複数のガス噴出口９ｂから不活性ガスを噴出させる。これにより、基板Ｗはその上面側に供給される不活性ガスによって、支持部７に押圧されてスピンベース５に保持される。 （もっと読む）

【課題】 保持機構およびそれを用いた保持装置において、簡単な構造で、迅速な受け渡しができるようにする。
【解決手段】 端部に固定配置された保持面１６ａを有するステージ１６をその裏面側中央で支持台１９で支持し、ステージ裏面１６ｅと支持台１９との近傍に、被検体５を搬送するための一部がとぎれた環状のアーム部材が進退できるように退避空間２２を形成する。また、ステージ１６の外形は、アーム部材が囲うようにして上下に移動できる形状としておく。 （もっと読む）

【課題】リソグラフィ投影装置のビーム路を横切る所定の面で、平面を有する品目を保持する支持テーブルの支持表面上にある突起の高さを調節する方法を提供する。
【解決手段】装置は、放射線の投影ビームを提供し、ビームにパターンを形成して、パターン形成したビームを基板の目標部分に投影するように構成されたビーム生成システム、および品目の平面が投影ビームの伝搬方向を横切る所定の面にあるように、品目を支持する支持テーブルを含む。支持テーブルは、支持表面と、品目を支持するように構築され、配置構成された、支持表面上に配置されたアレイ状の突起を有する。位置選択的材料表面溶融デバイスは、支持テーブルが装置内で動作可能である場合に、個々の突起に作用するように構成され、したがって突起の上面の局所的区域が溶融して、その後に冷め、それによって局所的区域が突起の上面に対して隆起する。 （もっと読む）

【課題】半導体素子が配置された絶縁性フィルムに熱損傷を与えない静電吸着装置、および真空処理方法を提供する。
【解決手段】電極層１１の表面の絶縁層１２に溝を形成しておき、処理対象物のフィルムを、溝１２間に位置する突起１４の上端部に乗せ、溝１３内を真空排気した後、電極層１１に電圧を印加し、フィルム上の半導体デバイスを静電吸着する。フィルムと突起の接触面積が大きく、その間の熱伝導率が高いので、フィルムの熱が均一に静電吸着装置１０側に流れ、フィルムの熱損傷が無い。 （もっと読む）

【課題】静電吸着力の解除に必要な時間を短縮して処理の効率を向上できるプラズマ処理装置を提供する。
【解決手段】真空容器の内側に配置された処理室と、この処理室内の下方に配置されその上に略円形の試料が載置される試料台とを有し、この試料台上方の前記処理室内の空間にプラズマを形成して前記試料を処理するプラズマ処理装置であって、前記試料台の前記試料が載置される面上を覆う誘電体膜と、この膜の内側に配置され前記試料をこの試料を処理する際に前記誘電体膜上に吸着して保持するための電力が供給される正負の電極４０１の対とを備え、これらの電極が前記試料台の上方から見てその中心に対し左右について略対象に配置される。 （もっと読む）

【課題】 支持した被処理ウエハーの温度分布を均一にする半導体製造装置及び半導体製造方法を提供する。
【解決手段】 等間隔のアレイ状の突起５０４が形成されたサセプター１０２で被処理ウエハー１０３を支持することにより、被処理ウエハー１０３とサセプター１０２との接触する部分が被処理ウエハー１０３の表面全面に対して均等に点接触し、限りなく面接触に近い状態となるので、被処理ウエハー１０３の温度分布が均一になる。 （もっと読む）

【課題】 チャック表面と試料裏面間に供給した液体のうち、多数の突起と試料裏面間に存在する液体のみを凝固することにより、凝固時に発生する液体の膨張による薄板の変形を無視できるほど小さくすることができる冷凍チャック装置を提供する。
【解決手段】 チャックプレート表面５に設けられた多数の給排液孔２、これに連結されるチャックプレート表面下に設けられた液体給排液溝３、およびチャックプレート表面上に液体を保持する外周壁４からなるチャックプレート８、このチャックプレート８の下部に設けられた不凍液を循環させる冷凍プレート９を有し、チャックプレート表面５の上面に試料を支承する多数の突起１を形成し、この多数の突起１の上面と試料１２の裏面間に存在する液体６（黒色で塗りつぶし）のみを凝固して試料を固着する。 （もっと読む）

【課題】ウェハが飽和温度に達するまでの時間が短く、かつウェハの面内温度差が小さい静電チャックを提供する。
【解決手段】板状体８の一方の主面をウェハを載せる載置面８ａとし、板状体８の他方の主面または内部に吸着用電極６を備えるとともに、板状体８の一方の主面８ａに、貫通孔５、複数の凸部８ｂ、外周に備えた環状の凸部８ｃ、及びこれらの凸部８ｂ、８ｃ間に備えた溝部８ｄを有するとともに、凸部８ｂの平面形状が４つの辺と４つの辺を繋ぐ屈曲線からなり、凸部８ｂが載置面８ａに一様に配設する。 （もっと読む）

【課題】 被処理体が熱伸縮しても面内温度の均一性を高く維持しつつパーティクルの発生を抑制することが可能な熱処理装置を提供する。
【解決手段】 被処理体Ｗに対して所定の熱処理を施す熱処理装置４において、前記被処理体を収容可能になされた処理容器６と、前記被処理体を加熱する加熱手段２６と、前記処理容器内へ所定のガスを供給するガス供給手段１０と、前記処理容器内の雰囲気を排気する排気手段１８と、前記被処理体を支持する支持手段３６とを備え、前記支持手段は、前記被処理体の裏面の周辺部と接触して支持する少なくとも３本の支持ピン部４６を有すと共に、前記支持ピン部の先端の接触面の面積は、０．０７〜０．６４ｍｍ^２ の範囲内に設定されている。 （もっと読む）

本発明は、本体表面を含むチャック本体を備え、該チャック本体が平面内にある接触面を含み且つ本体表面から延びるピンを有する基板システムであって、ピンは平面と相対的に移動するようにチャック本体に可動的に結合されていることを特徴とする基板支持システムを含む。基板支持システムは、微粒子汚染物質の存在によって生じる基板内の非平面性の発生を回避できずとも軽減する。これは、ピンがコンプライアンスを有するように製作することにより達成され、基板内の十分な平面性を維持しながら粒子の存在に対処するようにピンが移動できるようになる。 （もっと読む）

簡単な構造で基板を確実に着脱する。 保持板１の基板側に、基板Ａの裏面Ａ１と対向して粘着保持する粘着部材３と、該基板側面１ａと交差する方向へ出没変形可能な変形膜４とを設け、この変形膜４の出没変形で粘着部材３の粘着表面３ａと基板Ａを当接させて粘着すると共に、これら両者を強制的に引き離すことにより、粘着部材３の粘着表面３ａから基板Ａが無理なく剥離される。 （もっと読む）

【課題】 このステージ装置ＰＳＴは、基板Ｐの裏面ＰＣを保持するホルダＰＨと、ホルダＰＨを支持して移動するステージ５２とを有し、ホルダＰＨが基板Ｐの外周よりも内側で基板Ｐの裏面ＰＣを保持する保持部３３、３４を有する。さらに、このステージ装置ＰＳＴは、ルダＰＨとは別に設けられ、少なくとも基板Ｐの裏面ＰＣと対向する位置に撥液性を有する撥液部材３０を有する。その結果、投影光学系と基板との間を液体で満たして露光処理する場合においても、基板とホルダとの間に液体が浸入することが防止される。 （もっと読む）

本発明は、多極静電チャック用のクランププレートを形成する方法を提供する。この方法は、半導体プラットフォーム上に第１電気導電層を形成し、互いに電気的に分離される第１電気導電層の複数の部分を形成する段階を含む。第１電気導電層上に第１電気絶縁層が形成され、この第１電気絶縁層の頂部表面がこの表面から第１距離だけ伸びるＭＥＭＳの複数の突起を有する。複数の電極が更に、第１電気導電層の複数の部分のそれぞれに電気接続され、複数の電極間に印加される電圧がクランププレートに静電力を誘導するように使用できる。
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本発明は、半導体処理装置を用いて、半導体基板をクランプして処理するための方法を提供する。本発明の１つの構成によれば、多極静電チャック及びその方法は、静電チャックと基板との間の熱接触伝導によって基板を加熱または冷却する動作を開示する。この多極静電チャックは、複数の突起を有する半導体プラットフォームを含み、前記突起は、その間にギャップを形成し、突起の表面あらさは、100Å以下である。静電チャックは、更にチャックに印加される電圧を制御する電圧制御システムを含み、チャックの接触熱伝達係数を制御する。静電チャックの熱伝達係数は、基板と複数の突起との間の接触圧の関数である。
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本発明は、単相方形波交流クランプ電圧を用いて、Ｊ−Ｒ型静電チャックにウエハをクランプする方法及びシステムを提供する。この方法は、ウエハ、静電チャック及び漏洩性誘電体層の表面形状に関連した最小残留クランプ力に基づいて単相方形波クランプ電圧を決定する。ウエハは、静電チャック上に配置され、前記決定された単相方形波クランプ電圧を静電チャックに印加してウエハを静電チャックにクランプし、最小残留クランプ力が、前記クランプ電圧の極性切換え中、維持される。前記表面形状の決定は、ウエハと静電チャックとの間に第１ギャップと第２ギャップを定め、第１、第２ギャップのそれぞれに関連したＲＣ時定数の差が、前記クランプ電圧の極性切換え中、前記最小残留クランプ力が維持されるように与えられる。前記方形波クランプ電圧を取り除く際の脱着時間が、方形波クランプ電圧のパルス幅に対応するように減じられる。 （もっと読む）

本発明は、半導体基板をクランプしかつこれに関連した熱伝達を制御するための半導体処理装置及び方法を提供する。本発明の１つの構成によれば、多極静電チャック及びその方法は、チャック表面間に、制御されかつ均一の熱伝達係数を与えるように構成されている。この多極静電チャックは、ギャップを形成する複数の突起を有する半導体プラットフォームを含み、前記ギャップの距離または深さは、均一であって、冷却ガスの平均自由行路に関係する。静電チャックは、複数のギャップ内における冷却ガスの背面圧力を調整して、冷却ガスの熱伝達係数を制御する。複数の突起は、さらに、均一な接触表面を有し、複数の突起と基板との間の接触伝導率は、基板間で制御可能でかつ均一である。 （もっと読む）

【課題】
【解決手段】チャンバ内の流体の流れと流体の圧力とを可変に制御することを可能にするチャンバが提供されている。そのチャンバは、チャンバ内の内部容器内の流体の流れと流体の圧力とを制御するよう構成可能である着脱可能なプレートを用いる。また、着脱可能なプレートは、チャンバ内の内部容器をチャンバ内の外部容器と分離するために用いられてもよい。さらに、そのチャンバで用いるためのウエハ固定装置が提供されている。ウエハ固定装置は、ウエハの上面と下面との間の圧力差を用いて、ウエハ下面に接触するウエハ支持構造に向かってウエハを引っ張ることにより、動かない状態にウエハを固定して維持する。さらに、高圧チャンバの構成が提供されている。 （もっと読む）

【課題】 パーティクルやダストがウエハの裏面に付着し難いようにしたエッチング装置を提供する。
【解決手段】 本エッチング装置は、ウエハを上面で支持して、下部ステージを貫通して昇降するウエハ支持板３０と、ウエハ支持板を昇降させる昇降機構とを備え、ウエハ支持板の上面にウエハを載せ、次いでウエハを載せたウエハ支持板を昇降機構により一旦押し上げ、次いで下降して、下部ステージのウエハ載置面にウエハを載置し、ウエハにドライエッチング処理を施す。ウエハ支持板３０は、ウエハを先端で支持する高さ２ｍｍの５個の突起部３２を、ウエハ支持板３０の上面に等間隔に離隔して有する。 （もっと読む）