【課題】化合物半導体基板への化合物半導体結晶の気相成長を複数回実施した場合にも、得られる各化合物半導体結晶の面内均一性を良好に確保でき、この結果、サセプタの交換回数を低減して量産性を向上できること。
【解決手段】化合物半導体基板１１が加熱状態下でサセプタ装置１７により保持される反応炉内に原料ガスを導入し、この原料ガスの熱分解及び化学反応により、上記化合物半導体基板の成長面１１Ａに化合物半導体結晶を気相成長させる化合物半導体の製造方法において、サセプタ装置１７が、化合物半導体基板を保持する基板保持部２０と、化合物半導体基板を囲むように設けられたサセプタ２１とを有し、化合物半導体基板の成長面１１Ａと、上記気相成長の回数に応じて変位するサセプタの表面２１Ａとを、サセプタ装置の昇降モータ２３により同一位置となるように調整して、上記成長面１１Ａに化合物半導体結晶を気相成長させるものである。 （もっと読む）

【課題】基板温度を適切な分布に制御し、複数枚の基板の成膜時、温度分布の均一性を高めることのできるＣＶＤ装置を提供することである。
【解決手段】化学的気相成長によって基板上に膜を形成するＣＶＤ装置において、基板５を保持するサセプタであって、サセプタは、３分割構造を有し、基板５を保持する基板サセプタ２と、基板サセプタ２の上部に外部から導入されるガス流路を確保するための空隙を有して配置される円柱状の上サセプタ１と、基板サセプタ２の下部にガス流路を確保するための空隙を有して配置される円筒状の下サセプタ３と、サセプタを発熱させるために断熱材４を介して当該サセプタの周囲に配置される高周波コイルと、を備え、基板サセプタ２は、上サセプタ１とともに所定の角度で傾斜して配置される。 （もっと読む）

【課題】サセプタの高純度化作業を短時間且つ容易に実施できる気相成長装置及び気相成長装置用サセプタの高純度化方法を提供すること。
【解決手段】半導体基板１１がヒータによる加熱状態下でサセプタ１７により保持される反応炉内に原料ガスを導入し、この原料ガスの熱分解及び化学反応により、半導体基板１１の表面に半導体結晶を気相成長させる気相成長装置において、上記サセプタ１７に電極２１が設置され、この電極２１を介してサセプタ１７が通電により直接加熱可能に構成され、上記サセプタ１７及び電極２１が炭素にて構成されたものである。 （もっと読む）

【課題】作業者の個人差が生じず、気泡の介在を防止できるテープ貼り機を提供する。
【解決手段】ハウジング２と、ウエーハ１０を保持する保持面に開口する吸引孔３２２を備えたウエーハ保持部３２を具備するチャックテーブル３と、上面に環状のフレーム７を保持するフレーム保持部を備え、フレーム保持部の内側にウエーハ保持部を遊嵌する嵌挿穴５２を備えたウエーハ位置決め枠体５と、ウエーハ位置決め枠体の上面に向けて押圧する押圧部材６１とフレーム保持部とでフレームを挟持する環状のフレーム押さえ部６２１ｄを備えた押圧手段６と、チャックテーブルをウエーハ位置決め枠体に対して進退せしめる進退手段４と、第１の減圧手段７ａ、第２の減圧手段７ｂ、第３の減圧手段７ｃとを具備している。 （もっと読む）

【課題】反応ガスがウエハ裏面へ回り込むのを抑制し、ウエハ裏面おける薄膜形成が抑制される半導体ウエハ支持部材及び及び半導体ウエハ支持部材の評価方法を提供する。
【解決手段】この半導体ウエハ支持部材は、半導体ウエハを搭載する凹形状のウエハ保持部を有する半導体ウエハ支持部材であって、前記ウエハ外周部が当接する部分の相対高さを周方向にわたって測定し、その測定結果を縦軸に高さ、横軸に位置角度をとった図に示し、前記図中で垂直方向に相対高さが高い２点と、垂直方向の相対高さが最も低い点とによって描かれる三角形の面積が、０．１５ｃｍ²以下であることを特徴としている。 （もっと読む）

【課題】省エネルギー性や搬送安定性に優れるとともに、基板の温度測定が容易に行えるような連続式熱処理炉を提供する。
【解決手段】基材上に機能膜材料が形成された基板１を搬送しながら前記機能膜材料を熱処理する連続式熱処理炉であって、基板１を搬送するための搬送機構として、垂直方向に立設され、駆動装置により回転する回転軸３と、回転軸３から水平方向に放射状に延びる、少なくとも２本を一組として複数組設けられたビーム５又は線材を有する搬送治具６とを備え、回転軸３を回転させることにより、搬送治具６を連続的又は間欠的に水平回転動作させて、搬送治具６に載置された基板１を搬送する搬送機構が備えられた連続式熱処理炉。 （もっと読む）

【課題】 基板を効率的に搬送可能とし、基板の処理効率を向上させる。
【解決手段】 処理チェンバーと、処理チェンバーに基板を搬出入する基板の搬送機構とを備えた基板の処理装置において、前記基板の搬送機構が、基板１０をセットする少なくとも４個のセット部が周方向に均等間隔に設けられ、一方向に間欠回転されて、前記各々のセット部に対応する配置に設けられたステージＳ１〜Ｓ９間で順次基板３０を搬送する回転テーブル５０、および基板３０に処理を施す処理チェンバー５２ａ〜５２ｆを備えた処理部Ｅと、該回転テーブル５０との間で基板３０を移載する移載機構部Ｄとを備え、前記ステージが、前記移載機構部Ｄとの間で基板３０を移載する移載用のステージＳ１〜Ｓ３と、前記基板３０に処理を施す処理ステージＳ４〜Ｓ９とからなり、前記処理チェンバー５２ａ〜５２ｆが、前記処理ステージＳ４〜Ｓ９において前記回転テーブル５０の上方に配置されていることを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】 プラズマ処理装置において、基板サセプタに対して基板を高い密着度で保持することによる基板の冷却効率の向上と、外周縁付近を含む基板表面の全領域での処理の均一化を図る。
【解決手段】 トレイ１５は、厚み方向に貫通する基板収容孔１９Ａ〜１９Ｄが設けられたトレイ本体１５ａと、基板収容孔１９Ａ〜１９Ｄの孔壁１５ｄから突出する基板支持部２１を備える。トレイ本体１５ａの下面側から見ると基板収容孔１９Ａ〜１９Ｄにより基板２の下面２ａが露出している。 （もっと読む）

【課題】 小形コンパクトであり、ＸＹθテーブルを小ストロークで正確に移動させることのできるＸＹθテーブル駆動機構。
【解決手段】 テーブル１をＸＹ平面のＸ方向とＹ方向に移動可能およびＸＹ平面で回転可能に保持するスラスト軸受構造のテーブルガイド１０と、テーブル側面をＸ方向に押圧するＸ軸押圧体３０ａおよびＸ軸押圧体３０ａをＸ方向に往復駆動させるＸ軸駆動ユニット４０ａと、テーブル側面をＹ方向に押圧するＹ軸押圧体３０ｂおよびＹ軸押圧体３０ｂをＹ方向に往復駆動させるＹ軸駆動ユニット４０ｂと、テーブル側面をＹ方向に押圧してＸ軸駆動ユニット４０ａとＹ軸駆動ユニット４０ｂとの協働でテーブル１をＸＹ平面で回転させるθ軸押圧体３０ｃおよびθ軸押圧体３０ｃをＹ方向に往復駆動させるθ軸駆動ユニット４０ｃとで構成する。 （もっと読む）

【課題】 プラズマ処理装置において、基板サセプタに対して基板を高い密着度で保持することによる基板の冷却効率の向上と、外周縁付近を含む基板表面の全領域での処理の均一化を図る。
【解決手段】 ドライエッチング装置１のトレイ１５は、厚み方向に貫通する基板収容孔１９Ａ〜１９Ｄと、基板２の下面２ａの外周縁部分を支持する基板支持部２１を備える。誘電体板２３は、トレイ１５の下面を支持するトレイ支持面２８、トレイ１５の下面側から基板収容孔１９Ａ〜１９Ｄに挿入され、かつその上端面である基板載置面３１に基板２が載置される基板載置部２９Ａ〜２９Ｄを備える。直流電圧印加機構４３は静電吸着用電極４０に直流電圧を印加する。伝熱ガス供給機構４５は基板２と基板載置面３１との間に伝熱ガスを供給する。 （もっと読む）

【課題】処理槽または処理室の内部と外部との間で基板を搬送しつつ基板を処理する基板処理装置において、処理槽または処理室内を良好に密閉できる技術を提供する。
【解決手段】基板処理装置１は、基板保持部３４の上部に枠部３３を有する。そして、基板Ｗをチャンバ２０内に搬入したときには、枠部３３を挟んでチャンバ２０とカバー２２とを閉鎖し、チャンバ２０内を密閉する。また、基板Ｗをチャンバ２０の上方に搬出したときには、チャンバ２０とカバー２２とを直接接触させて閉鎖し、チャンバ２０内を密閉する。このため、基板Ｗをチャンバ２０内に搬入したときにも、基板Ｗをチャンバ２０の上方へ搬出したときにも、チャンバ２０内を良好に密閉できる。 （もっと読む）

【課題】 洗浄時にウエハを損傷することなく確実に水滴を除去することができるウエハキャリアを提供する。
【解決手段】 ウエハＷに付着した水滴を遠心力を利用した装置によって離脱させて乾燥させるために、複数のウエハを収容するウエハキャリアを、複数のウエハＷを所定の間隔で並列に保持するための複数の溝を有する１組の保持部１１ａ，１１ｂと、これらの保持部１１ａ，１１ｂを固定して支持する支持部１２ａ，１２ｂと、遠心力が加わったときに保持部１１ａ，１１ｂからウエハＷが飛び出さないように係止するストッパ１３ａ，１３ｂで構成する。更に、ストッパ１３ａ，１３ｂは、ウエハＷとの接触部Ｃを板状に形成し、この接触部以外の弾性部Ｓには複数の孔が格子状に空けられた弾力性のある金属板で構成する。 （もっと読む）

【課題】 ウエハの端面を構造的に保護することにより、ウエハ剥がれ等の処理不良を防止できる。
【解決手段】 処理部分の円Ｃを除くウエハＷの非処理面Ｓ２が保護部材５により覆われリップパッキン７を介して保護部材５を円板状部材３に積層した状態で、円板状部材３、保護部材５、ウエハＷの処理面Ｓ２、リップパッキン７で形成される空間ｓｐの気体を連通口９から排出する。保護部材５が円板状部材３に吸着されるので、ウエハＷの処理部分の円Ｃ以外は処理液に触れることがない。よって、ウエハＷの端面が処理液で処理されたり、基盤にウエハＷを接着しているワックス等が処理液に浸食されて剥がれたりする等の処理不良を防止することができる。その上、連通口９から排気するだけという簡単な動作でウエハ端面保護装置１をウエハに取り付けられ、空間ｓｐ内の負圧を解消するだけで取り外せる。 （もっと読む）

【課題】本発明は、イオン電流の流出が行なわれるストッパと接触する部分の温度低下を抑えてＳＯＩ層やＢＯＸ層を全体的に均一な厚さに形成できる半導体基板の製造装置を提供すること。
【解決手段】本発明は、支持盤３４に保持手段で保持されて旋回するように回転する半導体基板１０にイオン注入を行なう半導体基板の製造装置において、保持手段は、半導体基板の周縁を保持し、かつ支持盤に接合するストッパ１２５と、このストッパを外周側から支え、かつ支持盤に着脱自在に固定されるストッパホルダ１２６と、支持盤にストッパを抑え付け、かつ支持盤に着脱自在に固定される抑え部材１２８とを有し、ストッパは導電性を有する材料で形成し、かつストッパを加熱する加熱手段１４０，１４１を有することを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】再現性のよい状態でアニールを実施することができ、デバイスの電気特性のバラツキが小さな半導体ウェハのアニール処理用ボートを提供する。
【解決手段】上段ボート１２の上面は、半導体ウェハが載置可能に平板状に形成され、下面の一端側には２本の脚部１２ａ，１２ａが取着され、下面の他端側には１本の脚部１２ｂが取着されている。下段ボート１１の上面には、上段ボート１２の脚部１２ａ，１２ｂを受ける窪み１１ａが形成されるとともに、半導体ウェハ１３を載置可能に平板状に形成され、上段ボートの２本の脚部１２ａ，１２ａは、アニール処理ガスの上流側に配設され、１本の脚部１２ｂは、アニール処理ガスの下流側に配設されている。 （もっと読む）

【課題】 様々な種類の基板を支持する。
【解決手段】 熱処理室11内にワーク支持装置12が配置されている。ワーク支持装置装置12は、間隔をおいて平行に並べられている複数の水平状支持ロッド31を備えている。これらの支持ロッド31のうち、少なくとも１つの支持ロッド31は、その軸線の回りに回転自在である可動ロッド33となされている。可動ロッド33外面をその周方向に間隔をおいてのびた複数の基線上に、複数ずつの支持ピン34が可動ロッド軸線方向に間隔をおきかつ可動ロッド半径方向外方に突出させられるように設けられている。１つの基線上の支持ピン34の間隔と、他の基線上の支持ピン34の間隔とが相違させられている。 （もっと読む）

【課題】半導体ワークピースを処理ステーションに正確に位置決めさせ、イジェクターピンの昇降による半導体ワークピースの位置ずれが生じる問題を回避でき、半導体ワークピースの高速ローディング・アンローディングを実現できる半導体ワークピースのローディング・アンローディング装置、及びその装置を用いた半導体ワークピースローディング・アンローディング方法を提供する。
【解決手段】処理ステーション３１を上昇させて半導体ワークピースを押し上げる手段を用いて、半導体ワークピースをローディング・アンローディングする過程において、半導体ワークピースをイジェクターピン２１に伴って上下昇降させることがなく、元の場所に停留するように確保する。 （もっと読む）

【課題】基板処理量の基板面内均一性を向上させると共に、サイズアップすることなく、支柱とリング状プレートとの固着部の強度アップを図ることができる基板処理装置及び基板保持具を提供する。
【解決手段】ボート２１７は、略垂直に設けられた少なくとも３本の支柱１５と、支柱１５に多段に設けられて複数のウェハ２００を所定の間隔で略水平に載置する複数のウェハ支持部１６と、ウェハ支持部１６に支持されるウェハ２００に対して所定の間隔で略水平に設けられる複数のリング状プレート１３と、支柱１５のウェハ支持部１６に支持されるウェハ２００に対して略反対側に設けられ、複数のリング状プレート１３の内周面を載置する複数のプレート用切欠き２５とを有する。このプレート用切欠き２５に、リング状プレート１３が載置されて固着される。 （もっと読む）

【課題】複数の半導体ワークピースを処理する場合、半導体ワークピースの処理の均一性を確保するように、隔離された半導体ワークピースの処理環境を備え、しかも柔軟に半導体ワークピースを処理することができる半導体ワークピースの処理装置を提供する。
【解決手段】複数の処理ステーション１、１が設置されている半導体ワークピースの処理チャンバーを少なくとも一つ含み、各半導体ワークピースの処理ステーション１毎に一つの半導体ワークピースに対して処理を行う半導体ワークピースの処理装置である。各半導体ワークピースの処理ステーション１はそれぞれ回転することができる。半導体ワークピースの処理装置は、半導体ワークピースの処理ステーション１が動作する場合、半導体ワークピースの処理チャンバー内部をシールするためのシール部材と、シール部材の正常動作を確保するための冷却装置とを有する。 （もっと読む）

【課題】 基板を加熱した際の支持部材との相対的な変形を許容しつつ、支持部材とのガタを低減する。
【解決手段】 基板２００の表面に原料ガスを供給して成膜を行なう気相成長装置１００であって、基板２００を保持するサセプタ１１０と、サセプタ１１０と接触してサセプタ１１０を下側から支持する回転自在な支持部材１２０と、支持部材１２０を回転させる駆動部１４０と、を備え、サセプタ１１０及び支持部材１２０の接触部は、支持部材１２０の回転中心について周方向へ延び径方向に傾斜するテーパ状に形成される。 （もっと読む）