【課題】気相成長の際に、エピタキシャル層へのオートドープによる抵抗のバラツキが少ないエピタキシャルウェーハを製造し得るエピタキシャル成長用サセプタを提供する。
【解決手段】サセプタの複数のザグリのそれぞれは、半導体ウェーハ２１を底面部に載置して収容可能な直径を有する第１ザグリ１３と、第１ザグリ１３より大径の直径を有し第１ザグリ１３と同心円をなし第１ザグリ１３の底面部１３ａより高い位置に底面部１４ａが形成された第２ザグリ１４を有する２段状ザグリであって、隣合うザグリ同士の近接部が第１ザグリの側面部１３ｂと第２ザグリの底面部１４ａのみで形成される。 （もっと読む）

【課題】基板保持具（ボート）の形状にかかわらず、ウエハを検知できる基板処理装置及び基板処理方法を提供する。
【解決手段】基板１２を保持可能に構成される基板支持部と、前記基板支持部に保持された基板１２の周縁の少なくとも一部に設けられるリングプレート７０を有し、前記基板支持部に保持された基板１２と前記リングプレート７０との間に所定の間隔が設けられるように形成される基板保持具２６の前記基板支持部に基板１２を搬送する基板移載装置と、基板１２の位置及び前記リングプレート７０の位置を検出可能に構成される検出装置と、前記基板移載装置を制御する制御装置とを有し、基板１２の位置及びリングプレート７０の位置の少なくとも一方が、正常位置範囲データ外にあると判断した場合には異常と判断する。 （もっと読む）

【課題】ＭＯＣＶＤ法を用いた化合物半導体の製造において、化合物半導体の結晶をエピタキシャル成長させる基板表面の温度を均一にする。
【解決手段】有機金属気相成長法を用いて化合物半導体の層を形成する化合物半導体製造装置であって、反応容器と、反応容器内に配置され、被形成体の被形成面が上方を向くように被形成体が載置される保持体と、反応容器内に外部から化合物半導体の原料ガスを供給する原料供給口と、を備え、保持体は、被形成体が載置される保持体の上面と被形成体の下面とが所定の間隔を保つように被形成体を支持する支持部材を有することを特徴とする化合物半導体の製造装置。 （もっと読む）

【課題】高スループット化と省フットプリント化の相反する条件の両立を実現する。
【解決手段】搬送室１２と、基板を処理する処理室１６とを有し、前記搬送室１２は、基板を当該搬送室１２から前記処理室１６へ搬送する第１の基板搬送部材を有し、前記処理室１６は、前記搬送室１２と隣接され、第１の基板載置台３７を有する第１の処理部３６と、前記第１の処理部３６の内、前記搬送室１２とは異なる側に隣接され、第２の基板載置台４１を有する第２の処理部３８と、前記第１の処理部３６と前記第２の処理部３８の間で基板を搬送する第２の基板搬送部材４０と、少なくとも前記第２の基板搬送部材４０を制御する制御部とを有する。 （もっと読む）

【課題】熱ＣＶＤ成膜装置用チャンバ内に多数枚の外径サイズが相違する基板を縦置き姿勢で支持して両面成膜できるようにする。
【解決手段】本基板ホルダー１は、耐熱性素材から板状体に作られ、かつ、その基板保持面３に、基板７の端部７ａを縦方向から差込みすることが可能でかつその縦方向から差し込んだ姿勢で基板７を保持できる基板縦置き用溝９を備える。 （もっと読む）

【課題】真空処理装置の真空処理室内部のメンテナンス性を改善する。
【解決手段】真空処理装置１は、被処理物１０７を収容して真空処理を施す第１の処理室１０１と、真空処理される前の被処理物と、真空処理された後の被処理物と、を収容する真空排気可能な第２の処理室１０２と、第１の処理室と第２の処理室との間に、第１の処理室と着脱可能に介装されるゲート部１０３と、ゲート部１０３を通じて、真空処理される前の被処理物を搬入部１０８から真空処理部１０４へと搬入し、真空処理された後の被処理物を真空処理部１０４から搬出部１１９へと搬送する搬出する搬送装置２０２と、第１の処理室と第２の処理室とを離間させる移動機構２００とを備える。 （もっと読む）

【課題】有機金属気相成長法により反応炉内において半導体基板に気相状態で膜を形成する場合に、ガスホイール法を用いることなく半導体基板への高品質な膜の形成が可能であって、気相物質を供給した反応炉を開き人手による基板の出し入れを行う必要がないと共に、反応炉に供給される気相物質の供給効率を向上させることができる半導体基板の保持装置及び半導体基板の保持装置の搬送装置を提供する。
【解決手段】サセプタ１２は回転駆動軸１５に対して上下方向において着脱可能に固定されると共に、半導体基板が載置される複数の基板ホルダ１４が配置される開口部１３は、上記サセプタ１２の厚さ方向において貫通して形成され、上記サセプタ１２の下方には上記基板ホルダ１５が上下方向において解除可能に係合して、上記サセプタ１２の回転により基板ホルダ１４が回転しうる係合部１６が設けられている。 （もっと読む）

【課題】 本発明は、基板収容孔に基板を収容したトレイを基板サセプタ上に配置するプラズマ処理装置において、プラズマ処理終了後のトレイからの伝熱による基板の温度上昇を低減することを課題とする。
【解決手段】 トレイ１５の厚み方向に貫通する基板収容孔１９Ａ〜１９Ｄに基板２が収容される。チャンバ３内の誘電体板２３は、トレイ１５の下面１５ｃを支持するとトレイ支持面２８と、上向きに突出する基板載置部２９Ａ〜２９Ｄを備え、静電吸着用電極４０を内蔵している。基板収容孔１９Ａ〜１９Ｄに収容された基板２を支持する基板支持部２１の環状部７４の上面７４ａは、基板収容孔１９Ａ〜１９Ｄの孔壁１５ｄの傾斜角度αよりも小さい傾斜角度βを有する。環状部７４の上面７４ａにより基板２が線接触的又は点接触的な態様で支持される。 （もっと読む）

【課題】基板の面内温度を均一にすることができる基板載置機構を提供すること。
【解決手段】基板載置機構８４ａ，８４ｂ，８４ｃは、基板Ｇを載置する基板載置台８６と、基板載置台８６を介して基板Ｇを加熱するヒーター８７と、基板Ｇの端部を支持し、基板Ｇを基板載置台８６に載置させる第１の位置と、基板載置台８６から上昇した第２の位置との間で昇降可能な基板昇降部材８８と、基板昇降部材８８を昇降させる昇降機構９３，９４，９５，９６，９７とを具備し、基板昇降部材８８は、第１の位置において基板載置台８６の一部として機能する。 （もっと読む）

【課題】固定されたウエハの温度制御性能を損なうことなく、異なるサイズのウエハを充分に吸着固定できるようにする。
【解決手段】ウエハＷの形状に対応して形成され、そのウエハＷが収容される開口孔２１、及び開口孔２１の下側開口縁下方に延設され、開口孔２１にウエハＷが収容された状態でそのウエハＷの下面に接触して保持する保持爪２２を有するウエハホルダ２と、概略平面状の静電吸着面３０１を有し、静電吸着面にウエハホルダ２及びそれによって保持されたウエハＷが載置された状態で保持爪２２を収容する保持爪収容溝３Ｍが形成された静電チャック３と、を備える。 （もっと読む）

【課題】大型化し、薄型化した平板状の基板の自重による大きな撓みを発生させない基板保持方法を提案すること。また、前記提案する基板保持方法を用いることにより、多段積み上げ式の基板処理装置を効率の良い形態で、処理の均一性も良好にできる装置として提案すること。
【解決手段】平板状の基板の保持方法であって、該基板を上に凸に湾曲させて湾曲方向と垂直に交わる対向する２辺で湾曲状態を固定する。また、基板処理装置は、前記湾曲状態に固定した複数の基板を順送りに処理室内に格納する機構と、前記基板を複数段積み上げて処理する機構と、処理の終了した基板を処理室内から払い出しする機構と、を有する。 （もっと読む）

【課題】ステージに載置される加工用基板の予備加熱効率を上げ生産効率の向上を図ることができるプラズマ処理装置及びプラズマ処理装置用トレイを提供する。
【解決手段】ステージ５の載置面５ａに、複数枚の半導体基板Ｗを位置決め保持する保持用トレイ６のみを没入させるトレイ収容溝１０を形成する。そして、保持用トレイ６がトレイ収容溝１０内に没入されて行く過程において、ステージ５の載置面５ａが、格子空間を貫通し支持桿８に支持されている各半導体基板Ｗと当接し、各半導体基板Ｗと保持用トレイ６とを離間させる。各半導体基板Ｗは、ステージ５の載置面５ａに載置される。 （もっと読む）

【課題】炭化ケイ素（ＳｉＣ）を材料とする原料ウェハのイオン注入後のアニール工程において、原料ウェハの品質にばらつきが生じることを抑制する。
【解決手段】アニール工程において、原料ウェハのイオン注入面と、単結晶炭化ケイ素を材料とするダミーウェハとを離間して対向させ、原料ウェハのイオンが注入されていない面側に設置された加熱手段によって、原料ウェハを加熱し、ダミーウェハの原料ウェハと対向しない面側に設置された加熱手段によって、ダミーウェハを加熱する。原料ウェハの汚染や表面の組成比異常を防ぎ、原料ウェハをより均一に加熱できるため、原料ウェハの表面荒れをより効果的に抑制し、原料ウェハの品質にばらつきが生じることを抑制することができる。 （もっと読む）

【課題】自動搬送を行う場合、温度変化による凹凸形状の相対位置バラツキと機構停止精度等による相対位置バラツキの和が、嵌合部における隙間量を超えると搬送不能となるが、これに対し複雑な位置検出機構を用いなくても搬送不良を起こさない高温炉などの処理装置を提供する。
【解決手段】まず十分な隙間量を有する位置で浅い嵌合深さで挿入用穴部と前記挿入用突起部のみを嵌合し、次にそれらを平面方向に相対移動させて、前記挿入用穴部と前記挿入用突起部に加えて前記位置決め用穴部と前記位置決め用突起部も嵌合可能な位置で前記挿入用突起部と前記挿入用穴部との側面同士を接触させ、さらに深く挿入して前記位置決め用穴部と前記位置決め用突起部も嵌合させることで、搬送時の装置温度によらず位置決め後の突起部と穴部の相対位置を安定させることが可能で、より高精度な位置決めが可能になる。 （もっと読む）

【課題】キャリアとベアリングとの耐摩耗性を向上させることによって、生産性の更なる向上を可能としたインライン式成膜装置を提供する。
【解決手段】キャリア４に保持された基板Ｗを複数のチャンバの間で順次搬送させながら成膜処理を行うインライン式成膜装置であって、キャリア４を非接触状態で駆動する駆動機構２０と、駆動機構２０により駆動されるキャリア４をガイドするガイド機構２１とを備え、ガイド機構２１は、キャリア４に設けられたガイドレール２９に係合された状態で、駆動機構２０により駆動されるキャリア４を鉛直方向にガイドする主ベアリング２８と、キャリア４を挟み込んだ状態で、駆動機構２０により駆動されるキャリア４を水平方向にガイドする副ベアリング３０とを有して、これらベアリング２８，３０とキャリア４との何れかの接触面に、コルモノイ系合金による耐摩耗処理が施されている。 （もっと読む）

【課題】被搬送物を搬送先にまで高精度に搬送することができる搬送装置および搬送方法を提供する。
【解決手段】基板トレイ搬送装置は、基板３を載せた基板トレイ１７を搬送アーム２６によって把持し、載置台５まで搬送する。搬送アーム２６の先端部には、反射型光ファイバーセンサー２５を有している。搬送アーム２６は縁に到達する直前に減速する。その際、センサー２５は載置台５の縁を検出する。搬送アーム２６が減速しているので、センサー２５による縁位置の検出は安定化する。制御装置３７は、センサー２５による縁位置の検出結果に基づき、載置台５の縁から載置台５の中心までの距離と、基板トレイ１７からセンサー２５までの距離とを加えた距離だけ、載置台５の縁から搬送アーム２６を移動させるように、第一の移動機構２８を制御する。 （もっと読む）

【課題】静電チャックと基板との間にトレーを介在させることなく、静電チャックに複数枚の基板を設置できる真空処理装置を提供する。
【解決手段】静電チャック１０は、そのチャック台１３の上面に、複数のチャック領域１６（１６Ａ〜１６Ｅ）を備えている。各チャック領域１６は、チャック台１３の上面に複数突出形成された島状部１７の各々の上面に形成されている。各島状部１７の内部には、基板吸着用の双極型の電極層２０ａ，２０ｂと、基板冷却用ガスの流出孔１８がそれぞれ設けられている。この構成により、複数の基板が載置されたトレー上面にカバーを取り付けて基板をトレーに保持する作業が不要となるので、作業性および生産性が向上し、基板の冷却効率も高められる。 （もっと読む）

【課題】静電チャックと基板との間にトレーを介在させることなく、静電チャックに複数枚の基板を設置できる静電チャックを提供する。
【解決手段】本発明に係る静電チャック１０は、そのチャック台１３の上面に、複数のチャック領域１６（１６Ａ〜１６Ｅ）を備えている。各チャック領域１６は、チャック台１３の上面に複数突出形成された島状部１７の各々の上面に形成されている。各島状部１７の内部には、基板吸着用の双極型の電極層２０ａ，２０ｂと、基板冷却用ガスの流出孔１８がそれぞれ設けられている。この構成により、複数の基板が載置されたトレー上面にカバーを取り付けて基板をトレーに保持する作業が不要となるので、作業性および生産性が向上し、基板の冷却効率も高められる。 （もっと読む）

【課題】メンテナンスに必要な寸法を減少し専有床面積を減少する。
【解決手段】基板処理装置は、基板を移載する基板移載装置が配置された移載室と、該移載室の背面に配設され、基板を待機させる待機室と、前記待機室の上方に配設され基板を処理する処理室とを備えており、前記基板移載装置は、前記移載室内の幅方向一方側に配置され、前記移載室内の前記幅方向他方側には、前記移載室の雰囲気を清浄するクリーンユニットが配置され、前記幅方向他方側の前記移載室の正面または背面には、開口部と該開口部を開閉する開閉手段とが、前記基板移載装置よりも前記クリーンユニットに近くなるに従って前記移載室の空間が漸次小さくなるように配置されている。 （もっと読む）

【課題】純物濃度が均一な半導体膜を化学気相成長により基板上に形成する化学気相成長半導体膜形成装置を提供する
【解決手段】サセプタ１は、ウェハ載置部１１及び固定突起１３により構成されている。ウェハ載置部１１の上面は、平面状に構成されている。ウェハ載置部１１の上面は、ＳｉＣウェハを載置するための載置面Ｐ１として機能する。固定突起１３は、各ＳｉＣウェハの外周面ＳＰ１〜３に沿うように３カ所に配置されている。これにより、サセプタ１では、従来のサセプタのようなザグリを設けなくとも、固定突起１３によって各ＳｉＣウェハを所定の位置に固定できる。従って、ザグリとＳｉＣウェハとの間に隙間が形成され、当該隙間によって原料ガスの流れが乱されるということがなくなる。よって、不純物濃度が均一な炭化珪素膜をＳｉＣウェハ上に形成できる。 （もっと読む）