【課題】 ウエハの端面を構造的に保護することにより、基盤に対するウエハ剥がれ等の処理不良を防止することができるウエハ端縁保護装置及びウエハ処理装置を提供する。
【解決手段】 ウエハＷ及びＯリングを挟んで積層された保護部材５と円板状部材３の外周部を第１挟持片２５と第２挟持片２７で挟持すると、これらの内周部に形成されている下向き案内面３５と上向き案内面３７が、円板状部材３の下向き傾斜面１２と保護部材５の上向き傾斜面２３をウエハＷ側に案内するので、保護部材５と円板状部材３とが積層方向に締め付けられる。したがって、第１係止機構３１と第２係止機構３３で第１挟持片２５と第２挟持片２７を固定することにより、保護部材５と円板状部材３を確実に挟持できる。その上、ウエハ端面保護装置１の解除も容易であり、作業効率を高めることができる。 （もっと読む）

【課題】 生産性の高いバッチ式研磨装置にてナノトポグラフィの悪化を抑制するとともに、ベースプレートからウエハを剥離する際、ウエハに損傷を与えることなく剥離できるウエハ剥離装置及び研磨ライン装置を提供する。
【解決手段】ベースプレート１１と、前記ベースプレート１１上の所定の位置に設けられ、貼付されるウエハＷの裏面と側周部に面接触するテンプレート９と、前記テンプレート９及びベースプレート１１に形成された貫通する複数の貫通穴１１ａと、前記貫通穴１１ａに挿通可能に設けられ、テンプレート９上方に突出可能な複数の押し上げピン６ｃと、前記複数の押し上げピン６ｃを昇降動作させる昇降手段６ｂとを備え、前記昇降手段６ｂによって押し上げピン６ｃを上昇させて、テンプレート９上に貼付されたウエハＷの裏側を押し上げ、前記ウエハＷをベースプレート９から剥離する。 （もっと読む）

【課題】 基板保持ガイドにおける流体の流れを円滑にすることにより、処理の面内均一性を向上させることができるとともに、清浄度高く処理することができる。
【解決手段】 処理液ＬＱが、第２側方ガイド４５のスリット状の開口５６，５７，６１を通過して、第２側方ガイド４５の左側に位置している基板Ｗの周縁部を通過するとともに、基板Ｗの周縁全体を通過する。したがって、処理液ＬＱが基板Ｗの面全体にわたって行き渡るので、処理の面内均一性を向上させることができる。その結果、処理液による処理時には、処理液が基板Ｗの面全体にわたって行き渡るので、処理の面内均一性を向上させることができ、基板Ｗから離脱したパーティクルや不要物が基板保持ガイド３１から処理槽内へ流下するので、処理槽外への排出が円滑に行われ、基板Ｗを清浄度高く処理することができる。 （もっと読む）

【課題】 位置決め過程においてダスト等を発生させることなく、複数の半導体回路部材を高精度で位置決めできる位置決め方法とその装置、並びに当該位置決め方法と装置を用いた半導体装置の製造方法と製造装置を提供する。
【解決手段】 位置決め用基板２に設けられた複数の位置決めストッパー３それぞれに、気流発生装置４と傾斜手段５とセンサー７とが設けられた位置決め装置１を用いることにより、複数の半導体回路部材１０の位置を各々のセンサー７によって検知でき、制御手段８がその検知結果に応じて各気流発生装置４を個々に制御でき、位置決めされた半導体回路部材１０から位置決め用基板２に一時固定する。 （もっと読む）

【課題】 ウエハの回転駆動を工夫することにより、ウエハの全面にわたって均一に処理を行うことができ、しかも処理の短時間化を図ることができるウエハ処理装置を提供する。
【解決手段】 モータの作動により保持機構２９が仮想の水平軸ＶＰを中心として、ここから所定距離だけ離れて仮想の水平軸ＶＰ周りに回転するので、ウエハＷの周辺部だけでなくその中心部も同様に仮想の水平軸ＶＰ周りに円を描く回転運動をすることになる。さらに、ギア４０を中心とする自転運動を行うので、内槽１に生じうる処理液の流れのムラの悪影響を回避することができる。よって、ウエハＷの全面にわたって処理液を均一に接触させることができる。 （もっと読む）

【課題】高い平面度と表裏のウェハ主面の平行度を要求される水晶ウェハの保持機構を提供する。
【解決手段】水晶ウェハ１をエッチャントに浸漬してウェットエッチングする際に用いられる水晶ウェハの保持機構３において、公転軸４を軸心にして回転する公転板６と、公転板６に設けられた自転軸７を軸心にして自転する水晶ウェハ格納部９と、水晶ウェハ格納部内で水晶ウェハ１を保持する水晶ウェハ保持部１０と、先の公転軸６、及び自転軸７を連動させて回転させるギア１１を備え、公転軸６の回転方向と反対方向に自転軸７が自転し、公転軸６の公転と自転軸７の自転の比率を、１：−１．１〜０．９（自転のマイナス符号は、公転と反対方向にまわることを示す）とした。 （もっと読む）

【課題】 浸漬時間の差による基板面内でのエッチング量のばらつきを低減できるようにした薬液処理方法及び、薬液処理装置を提供する。

【解決手段】 エッチング槽１内に貯められたエッチング液中にウエーハＷを入れてその表面を洗浄処理する方法であって、オリフラＯＦを先頭にしてウエーハＷをエッチング液中に入れ、エッチング液中でウエーハＷの上下を逆にし（例えば、ウエーハＷをその表面の中心部を通る垂線を軸に１８０［゜］回転させる）、その後、上下を逆にした状態でウエーハＷをエッチング液中から取り出す。このような構成であれば、ウエーハＷはオリフラＯＦから先にエッチング液中に入り、オリフラＯＦから先にエッチング液中から取り出されるので、ウエーハＷの面内で浸漬時間の差を小さくすることができる。 （もっと読む）

本発明は、処理装置(１)内でウェーハ(Ｗ)を操作するためのシステムに関し、この処理装置は、吸入口を設けた吸引システム(１０)と、この吸引システム(１０)の吸入口に接続する第１の端部および第２の端部を有する吸引管(７)と、この吸引管(７)の第２の端に接続し、ウェーハ(Ｗ)を操作してこれを吸引により保持するのに適した器具(６)と、吸引管内の圧力の調整機器とを具えている。調整機器は、吸引管(７)に接続して吸引管(７)内の圧力が予め設定した値以下に下がった場合に開くことができる弁(８)を具えている。
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【課題】ウェハの洗浄面全域に効果的に超音波を照射して洗浄効果を高めることができる超音波洗浄装置を提供する。
【解決手段】洗浄槽２１には洗浄液が満たされている。外槽２３の外側には伝播水で満たされた伝播用水槽２３がある。水槽２３の底壁外面には、超音波発振板３１が備えられている。複数枚のウェハ１は、上下移動可能なウェハチャック１２により保持された状態で、洗浄槽２１の底部に配設されたリフター式ウェハガイド１１に保持される。ここで、ウェハチャック１２は、ウェハ１の上端が洗浄槽２１の洗浄液の液面から露出しない高さの位置でウェハ１を保持している。この状態で超音波発振板３１から超音波を発振すると、ウェハ１の下部とウェハガイド１１の水平部分との距離が離れているので、ウェハガイド１１の影になる部分４１とウェハ１とが重なる領域を最小限に抑えることができる。 （もっと読む）

【課題】 絶縁材料製の複数の基板それぞれに対して均等なチャック力を与えることができる基板保持装置を提供する。
【解決手段】 本発明に係る基板保持装置１１は、基板Ｗを保持するステージ１２と、基板Ｗの上面周縁部をステージ１２の上面に押圧する保持部材１３とを備え、ステージ１２には、保持部材１３を当該ステージ１２の上面に吸着させる静電チャック機構１６が設けられている。保持部材１３は、静電チャック機構１６によって、ステージ１２の上面のほぼ全域にわたって吸着される。これにより、各基板Ｗを均等なチャック力でステージ１２上に保持することが可能となる。 （もっと読む）

【課題】 拡散熱処理時の高熱によるストレスのために半導体ウエハ保持ボードが変形しても、半導体ウエハにダメージを与えることのない半導体ウエハ保持ボードを提供する。
【解決手段】 成膜装置内において半導体ウエハを保持する対の溝を複数備える半導体ウエハの半導体保持ボードの外側近傍の対の溝を内側の対の溝よりも深くすることで、ストレスを受け易い外側近傍の対の溝に余裕（遊び）を与える。 （もっと読む）

【課題】 排液による大気への連通を抑制することにより、減圧乾燥の効率を向上させることができる基板処理装置を提供する。
【解決手段】 処理液供給部１６から処理槽１に処理液を供給し、昇降ユニット７を処理槽１内に移動して基板Ｗを処理液に浸漬させる。その後、昇降ユニット７を処理槽１内から空間ＳＰへ移動して減圧部３１による減圧を行っても、外槽５の排出配管６７には密閉容器６９が設けてあるので、排出配管６７の下流から乾燥位置に気体が流入することが抑制される。したがって、十分に空間ＳＰ内を減圧することができ、減圧乾燥の効率を向上することができる。 （もっと読む）

【課題】ウェハを所定の位置に固定できるサセプタを提供する。
【解決手段】ウェハが載置されるベースプレート１と、上記ベースプレート１に着脱自在に取り付けられ、上記ベースプレート１に取り付けた際にウェハを収容する凹状のウェハポケット２１ａ〜２１ｆを形成し、上記ウェハポケット２１ａ〜２１ｆの開口径が上記ウェハポケット２１ａ〜２１ｆの底部から開口部に向けて縮小するように上記ウェハポケット２１ａ〜２１ｆの側面にテーパ部２２ａが設けられたリングプレート２と、を有する。 （もっと読む）

【課題】ウェハを真空吸着して保持部に吸引保持した場合でも，接触によるウェハの抗折強度の低下を軽減させることのできるウェハ搬送装置を提供する。
【解決手段】ウェハＷを真空吸着により吸引保持する保持部と，保持部により保持されたウェハＷを所定の位置に搬送する搬送部とを備えるウェハ搬送装置１００において，保持部における真空圧力を，ゲージ圧で−７０ｋＰａ以上−３０ｋＰａ以下とする。この真空圧力を調整するために，真空ポンプ１６０と，真空ポンプ１６０と保持部とを連通する第２の配管１５３とを備え，第２の配管１５３に，保持部における真空圧力を調整する圧力調整手段１５５を備える。これにより，ウェハＷを真空吸着によって保持部に吸引保持した場合でも，接触によるウェハＷの抗折強度の低下を軽減することができる。 （もっと読む）

【課題】液浸法を適用した場合に、基板の端部を露光する際にも、液体が投影光学手段の下面と基板表面との間に留まり、液体を介して露光を行うことが可能であり、基板の端部を含み基板全面を露光することが出来る液浸型の露光手段を提供すること。
【解決手段】原版１０１を照明する照明手段２１１と、基板１１１を直接的にはＺステージ１１３に保持する基板保持手段１１２と、原版１０１のパターンを基板１１１の上に転写する投影光学手段１２１と、を備えるとともに、その投影光学手段１２１の基板１１１側の光学素子の先端部１２３と、基板１１１の表面と、の間が、液体３０１で満たされる液浸型露光装置１００の提供による。この液浸型露光装置１００は、基板保持手段１１２が、基板１１１の外周を囲う基板治具４０を有するところに特徴がある。 （もっと読む）

【課題】 保持可能な基板の種類が限定されず、かつ当該基板の温度を効果的に制御することができる新規な基板保持装置を提供する。
【解決手段】 この発明に係る基板保持機構１８は、例えば真空蒸着装置に適用されるものであり、図示しない液体冷却装置から冷却水が供給される水冷ジャケット３４を有している。そして、この水冷ジャケット３４の下面には、複数の押圧ユニット４０，４０，…が設けられており、それぞれの押圧ユニット４０は、水冷ジャケット３４を介して冷却水が注入される溶接ベローズ５２を有している。この溶接ベローズ５２の移動端（先端）には、中継冷却板５６が結合されており、冷却水の圧力に応じて当該ベローズ５２が伸縮すると、中継冷却板５６によってヒートシンク７０と共にウェハ１６が下方に押し付けられ、固定される。 （もっと読む）

【課題】基板の処理枚数を増大させることができ、且つ処理基板における膜厚の均一性を保つことができる基板処理装置を提供する。
【解決手段】基板保持手段ボート２１７は、例えば４本の支柱２１４、２１４、２１４、２１４と該支柱２１４、２１４、２１４、２１４によって支持されるリング状部材リング２１６とを有する。このリング２１６は、円周の一部が欠如した第１の切欠き部２１２と、内周面の一部が欠如した例えば２つの第２の切欠き部２１３、２１３とを有する。支柱２１４、２１４、２１４、２１４によって多数支持されるそれぞれのリング２１６の第１の切欠き部２１２の位置は、少なくとも直上に位置する他のリング２１６の第１の切欠き部２１２の位置と垂直方向において一致することなく、例えば１８０°ずらした状態で配置されている。 （もっと読む）

【課題】複数の基板を基板テーブル上で同時に移動および／または位置決めできるようにする装置と方法の提供。
【解決手段】一例では、これは、支持テーブル上で移送または位置決めするために１つ以上の基板１１４を支持するか、分離する枠体を使用することによって達成される。別の例では、これは支持テーブル上のスペーサを使用することによって達成され、これは１つ以上の基板を適切に位置決めするために使用される。さらに別の例では、これは、１つ以上の基板を支持テーブル上に配置するロボットを使用することによって達成される。 （もっと読む）

【課題】III族窒化物堆積物の影響を低減できるＭＯＣＶＤ装置用ウエハガイドを提供する。
【解決手段】ウエハ支持具１５は、一又は複数の第１の部分１５ａと、第１の部分１５ａを囲む第２の部分１５ｂとを有している。第１の部分１５ａの各々は、窒化物系半導体を堆積するウエハ１９を支持する面を有する。ウエハガイド１７はＭＯＣＶＤ１１および１３においてウエハ支持具１５の第２の部分１５ｂ上に設けられている。ウエハガイド１７は、第２の部分１５ｂを覆うためのプロテクタ１７ａと、ウエハ１９を第１の部分１５ａに受け入れるための一又は複数の開口１７ｂとを備える。プロテクタ１７ａは、開口１７ｂを規定すると共にウエハ１９をガイドするための側面１７ｃを有する。ウエハガイド１７は開口１７ｂの各々にウエハ１９を受け入れ、ウエハ１９は開口１７ｂの各々に現れたウエハ支持部１５の第１の部分１５ａの支持面上に搭載される。 （もっと読む）

バッチスプレイ方法は、ターンテーブル上に搭載される基板を設置するステップと、ターンテーブルの中心軸まわりに基板を回転させるためにターンテーブルを回転させるステップと、ターンテーブルから独立して基板を回転させるステップであって、基板の回転がターンテーブルの回転と同時に生ずるステップと、少なくとも１つの固定位置から基板上に化学物質を定量供給するステップとを含む。ターンテーブルから独立して基板を回転させることは、基板の全周が化学物質の噴射に晒されることを可能とする。一実施例では、基板は、プロセスカセット内に装着されてもよく、プロセスカセットは、ターンテーブル上に搭載され、プロセスカセットは、ターンテーブルが回転している間、ターンテーブルから独立して回転してもよい。

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