【課題】縦型熱処理炉により被処理基板を熱処理する際、個々の支持部の傾きを起因とするスリップの発生を防止でき、安価で改良が容易な縦型熱処理用ボートを提供する。
【解決手段】少なくとも、複数の支柱と、各支柱の両端部に連結した一対の板状部材とを有し、前記各支柱に、被処理基板を水平に支持するための複数の支持部が形成されており、該複数の支持部に、前記被処理基板が各々一枚ずつ載置される支持補助部材が着脱可能に装着されている縦型熱処理用ボートであって、前記支持補助部材は、各々の支持部の形状に合わせて、前記支持部に装着している面に加工を施すか、前記支持部と前記支持補助部材との間にスペーサを介在させることによって、前記被処理基板が載置される面の傾きが各々の支持部ごとに調整されているものである縦型熱処理用ボート。 （もっと読む）

【課題】最小単位の装置のブロック構成化を図ることにより装置の配置構成に自由度を向上させ、装置構成上の問題を伴うことなく装置全体の小型化が向上し装置全体のフットプリントを小さくすること。
【解決手段】被処理基板Ｇに対して所定の処理を施す処理部を一方向に複数配置して構成された処理部配置部２１〜２３と、この処理部配置部内に設けられ前記被処理基板を搬送する第１の搬送機構と、この処理部配置部外かつ前記一方のほぼ延長線上に固定してまたは前記一方向のほぼ延長線上に対して直交する方向に固定してまたは／及び前記一方向の延長線上と平行する線上を移動自在に設けられ前記第１の搬送機構に対して直接或いは間接的に前記被処理基板を受け渡し自在に構成された第２の搬送機構１１〜１５と、を具備する。 （もっと読む）

本発明は、ウエハのバッチをプロセスボートに装填して一方の面にドーピングするためのウエハ、特にソーラウエハのスタックを形成する方法に関するものであり、これは、上方面積み重ね開口を備えた水平面部にクランプされるように所定の偶数個のウエハが連続的に移送キャリアの受け入れスロット内に供給される。パッケージ密度を高めて、拡散工程の処理量を高めるために、移送キャリアに連続的に供給されたウエハの半数分が、第１のウエハスタックの形態として、移送キャリアから移送キャリアの外側に位置するマウントされた待機位置に出され、そして、移送キャリアに連続的に供給されたウエハの残り半数分が、第２のウエハスタックの形態として、移送キャリアから出され、第２のウエハスタックは、該第２のウエハスタックのウエハが待機位置にある第１のウエハスタックのウエハの位置と１８０°回転した位置に到達するように回転された状態とし、第２のウエハスタックが第１のウエハスタックの待機位置に続いて移動され、それと整列し、第１のウエハスタックとフィッティングを形成するように共に結合して、第１及び第２のウエハスタックの相互に組み合わされるウエハのドーピングがされない面が同時且つ形状一致で相互に当接することにより、それぞれパッケージ状の背中合わせのウエハバッチ（ＢＴＢウエハバッチ）を形成し、そして、ＢＴＢウエハバッチが移動グリッパにより、フィッティングの形態としてピックアップされて、プロセスボートに装填される。 （もっと読む）

基板のイオン注入用のメカニカルスキャナであって、該メカニカルスキャナは、該基板を保持するための可動プラットフォームを具備する六脚を備えており、該六脚は、所定の経路に沿ってイオンビームに対して該可動プラットフォームが横断されるようにする６つの自由度を有するように配列されている。 （もっと読む）

【課題】半導体装置の信頼性の向上を図る。
【解決手段】ダイボンディング工程において、平坦な吸着面９ａと吸着力を発生させる内部電極とを有し、かつ吸着面９ａの大きさ≧半導体チップ１の主面１ａの大きさの関係である静電吸着コレット９を用いて半導体チップ１をピックアップすることにより、半導体チップ１の被吸着面全面を押さえて吸着保持することができ、ダイシングテープ１２から剥離する際に半導体チップ１の外周部が撓むことを防止できる。これにより、ピックアップ時の半導体チップ１のワレ、欠け等のダメージの発生を防止することができ、半導体装置の信頼性の向上を図ることができる。 （もっと読む）

【課題】接着剤フィルムが所望の接着力を発現するのに要求される熱を接着剤フィルムに効率的に伝えることのできる接着力発現方法及びこの方法を実施する接着力発現装置を提供する。
【解決手段】接着剤フィルム２４の接着力発現装置が、表面保護フィルム３が表面に貼付けられているウェーハ２０の裏面２２を上方に向けた状態でウェーハを保持するウェーハ保持手段２５と、ウェーハ保持手段により保持されたウェーハの裏面に接着剤フィルムを貼付ける接着剤フィルム貼付手段と、ウェーハ保持手段に保持されたウェーハの裏面に対向するように配置されていてウェーハの裏面に貼付けられた接着剤フィルムを加熱する加熱手段４１とを具備する。加熱手段は、複数の加熱ランプであってよい。また、ウェーハ保持手段が冷却手段２６を含んでいてもよい。 （もっと読む）

【課題】本発明は、種々の処理装置に組み込むことによって作業効率の向上および品質のばらつき抑制を実現するアライメント方法およびその装置を提供することである。
【解決手段】吸着テーブル４上に配設された複数の基板保持プレート１７の夫々にアライメントマーク２０を有する被処理基板１８を保持し、アライメントマーク撮像用カメラ１９で撮像して得られた被処理基板１８のアライメントマーク２０の位置データに基づいて吸着テーブル４の基板保持プレート１７に対応する両側に配設されたアライメント機構を制御し、夫々のアライメント機構に設けられた基板保持プレート用支持ピン１０ａ、１０ｂを介して基板保持プレート１７をＸ、Ｙおよびθ方向に制御して被処理基板１８のアライメントを行なう。 （もっと読む）

【課題】成長治具へのデポから生じるエピタキシャルウェハへの影響をなくす均一化成長治具を提供する。
【解決手段】治具本体２に収容穴３を形成し、その収容穴３に基板４を収容して保持し、記基板４上に結晶をエピタキシャル成長させて堆積させるための成長用治具１において、治具本体２の収容穴３を除く成長側の面２ｄに、結晶の堆積を防止するカバー１０を取り付けたものである。 （もっと読む）

【課題】基板外周部でのエピタキシャル層の膜厚の均一性、及びフラットネスの均一性を向上し、高品質のエピタキシャルウエーハを歩留り良く生産できる気相成長用サセプタを提供する。
【解決手段】基板を傾斜させて載置して下端にて支持する１つ以上のザグリを形成した気相成長用サセプタであって、該サセプタのザグリは、気相成長時に供給する原料ガスの上流側から下流側の方向に向かって深さが増すものであることを特徴とする気相成長用サセプタ。 （もっと読む）

【課題】工具による手作業もヒータユニットの移動も必要とすることなくサセプタを簡単に着脱することができる構造の気相成長装置を提供する。
【解決手段】サセプタ１３０が盤面と平行に支持機構１４０にスライド自在に支持されることで、ヒータユニット１２０に対向される。このため、工具による手作業もヒータユニット１２０の移動も必要とすることなく、ヒータユニット１２０と対向する位置にサセプタ１３０が着脱される。 （もっと読む）

【課題】ウエハをステージに確実に安定して固定できるようにしたウエハ固定装置を提供する。
【解決手段】ウエハ固定ねじ２０の頭部２０ＢをウエハＷに当接させる。そして、ウエハ固定ねじ２０のねじ部２０Ａにウエハ固定ナット３０を締結する。これにより、ウエハ固定ねじ２０とウエハ固定ナット３０とによる締結力を頭部２０ＢとウエハＷとの間に直接伝え、ウエハＷをウエハ固定ねじ２０の頭部２０Ｂとステージ１０のウエハ収容凹部１２の溝底との間で挟持した状態でウエハＷを確実に固定する。 （もっと読む）

本発明の実施形態は分離されたスリットバルブドアシールコンパートメント有するロードロックチャンバを含む。一実施形態において、ロードロックチャンバはメインアセンブリと、第１のスリットバルブドアシールコンパートメントと、シールアセンブリを含む。メインアセンブリはその中に形成された基板搬送キャビティを有する。２つの基板アクセスポートがメインアセンブリの中に形成され、流動可能に前記キャビティに結合されている。第１のスリットバルブドアシールコンパートメントは、アクセスポートのうちの１つの近傍にあり、アクセスポートのうちの１つに揃えられて配置された孔を有する。第１のスリットバルブドアシールコンパートメントはメインアセンブリから分離さている。シールアセンブリは第１のスリットバルブドアシールコンパートメントをメインアセンブリに結合する。
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【課題】基板処理量を最大化しながら設置面積を最小化することができる基板搬送装置を提供する。
【解決手段】基板搬送装置150は、それぞれ異なる高さで基板を支持する第１ブレード152及び第２ブレード154、第１及び第２ブレードと連結されて第１及び第２ブレードを移動させるアーム部160、及び、第１及び第２ブレードとアーム部を駆動する駆動部を含み、第１及び第２ブレードは、アーム部に同一（単一）軸線を中心にした旋回動作で旋回しながら開かれるか、または折りたたまれる。上述した構成を有する基板搬送装置は、設備の面積対比処理量を増加させることができ、基板の搬送及び処理時間を削減することができるという利点を有する。 （もっと読む）

【課題】極薄ウエハを破損せずに出し入れすると同時に、搬送、処理することが可能な薄板収納容器を提供する。
【解決手段】極薄化ウエハ３７を真空吸着し固定できる薄板収納容器を用いる。収納容器の真空吸着部は、ウエハを載置するウエハ吸着面、吸着面上に開口したウエハを真空吸着する複数の吸着孔、吸着孔が接続する減圧室、外部真空ラインと接続する吸引口および減圧室と吸引口とを接続する吸気孔を持つ。減圧室には支持隔壁が設置され、吸着板を支える。吸着板は、収納容器から分離できる構造である。吸着面が弾性材料で、他方が一定の強度を有する高分子材料で構成する二層構造である。収納容器は、好適にはウエハ吸着面が周縁部に対し凹状である。ウエハが真空吸着固定されるので、薄板収納容器の搬送やプロセスも自動化が可能となる。収納容器は繰り返し使用でき、環境負荷も少ない。 （もっと読む）

本発明により、プラズマ加工用の、少なくとも１基板を担持する方法と装置が得られる。前記方法及び装置は、プラズマ加工用のプラズマ・システム内で基板支持体上へ、担体上に非接着状態で載置された基板を搬送するための担体を含んでいる。基板は、プラズマ加工中、基板支持体に結合された静電式クランプによって、担体を介して基板支持体に静電式に固定される。
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【課題】いわゆるオープンカセットを用いる場合の不具合を解消することができる研削装置を提供すること。
【解決手段】第一のカセットテーブル１２と第二のカセットテーブル１４に載置された第一のカセットと第二のカセットをそれぞれ閉塞する閉塞位置に位置づけ可能な第一のカセットカバー６６と第二のカセットカバー６７を設けるとともに、第一のカセットと搬出手段との間、および第二のカセットと搬入手段との間をそれぞれ開閉可能に仕切る第一の仕切り壁６４と第二の仕切り壁６５を設け、第一の仕切り壁６４や第二の仕切り壁６５の開状態で搬出手段または搬入手段が作用する時にはそれぞれ第一のカセットカバー６６や第二のカセットカバー６７により閉塞させることで、手が入り込まないようにした。 （もっと読む）

実施形態は、サセプタ及びこれを備える半導体製造装置を提供する。実施形態に係るサセプタは、ウェハがローディングされ、底面が傾いたポケットを一つ以上含む。実施形態に係る半導体製造装置は、反応チェンバと、反応チェンバ内で熱を発生する加熱手段と、ウェハがローディングされ、少なくとも一つは底面が傾いたポケットを一つ以上含むサセプタと、前記サセプタに軸結合される回転軸と、を含む。 （もっと読む）

【課題】有機物汚染の試料への付着を抑制できる予備排気室、試料処理装置、試料分析装置、試料処理方法および試料分析方法を提供する。
【解決手段】ウェーハ５０、６０が処理室３に導入され処理される際、２枚のウェーハ５０、６０がその被処理面５１、６１同士を互いに向い合わせた状態で、処理室３の前室である予備排気室１の内部に導入される。そして予備排気室１内部が減圧された後に処理室３内に２枚のウェーハ５０、６０が、互いの被処理面５１、６１同士を互いに背中合わせとなるように処理ステージ１４に設置され、同時に酸化などの処理が施される。 （もっと読む）

【課題】 ウエハ基板を均一に加熱するシステム及び方法を提供する。
【解決手段】 化学蒸着反応装置などのウエハ処理システムに用いられるウエハキャリアに配置されるウエハ基板を均一に加熱するシステム及び方法である。ウエハ区画の第１パターン、例えば、ウエハキャリアの１つ又は複数のリングが、ウエハキャリアの表面に設けられ、ウエハキャリアの材料と異なる嵌込み材料の第２パターンが、ウエハキャリアの底面に嵌め込まれる。嵌込み材料の第２パターンは、ウエハ区画の第１パターンとは実質的に相補的な関係にある。その結果、ウエハ区画のない中間領域には、少なくともウエハとウエハ区画とを有するウエハ支持領域におけるよりも多い材料接触面が存在する。 （もっと読む）

【課題】イオンビームによる基板加工時にホルダからの塵の発生を防止することができる基板保持装置及び、ホルダからの発塵を防止して歩留まりを向上した基板加工装置を提供する。
【解決手段】基板１００が載置されるステージ１４と、ステージ１４上に載置された基板１００の周縁部に当接して基板１００をステージ１４との間に挟持可能に設けられた爪部１５を有するホルダ１６とを有し、ホルダ１６の爪部１５の少なくとも先端部に、爪部１５の母材よりもイオンビームによって加工され難い材料からなる剛体部２１を設ける。 （もっと読む）