【課題】高い確率において基板トレイを吸着できる搬送装置を提供することにある。
【解決手段】搬送装置２は、吸着体２２に基板トレイ３２を吸着させて搬送することによって、載置台１０への基板トレイ３２の載置、および該載置台１０からの基板トレイ３２の載置解除の少なくとも何れかをおこなう搬送手段１４と、吸着体２２の吸着状態を検知する検知手段と、吸着体２２が基板トレイ３２に吸着していないことが上記検知手段によって検知された場合に、基板トレイ３２に対する複数の吸着体２２のうちの少なくとも１つの位置が変わるように載置台１０を回転させて該載置台１０上の基板トレイ３２を回転させる回転機構１２とを備えている。 （もっと読む）

【課題】処理対象物を支持部材上の正確な位置に載置して処理対象物を支持部材上に正しい姿勢で支持することができるようにしたプラズマ処理装置及びプラズマ処理装置におけるトレイの載置方法を提供することを目的とする。
【解決手段】トレイ６の下面側から下方に突出して設けられた突起５２と、トレイ載置面５に下方に窪んで設けられた突起嵌入穴５３を有する。昇降ピン７によってトレイ６がトレイ載置面５に載置される過程で、トレイ６の下面側に設けられた突起５２が突起嵌入穴５３に上方から嵌入する。 （もっと読む）

【課題】スループットの低下を低減する基板処理装置及び基板搬送方法を提供すること。
【解決手段】基板処理装置は、計測ユニット１０と、搬送機構とを備える。計測ユニット１０は、基板Ｗの状態を所定の計測位置Ｐｍで計測する計測器１５と、第１のトレイ１１と、第２のトレイ１２と、所定の計測位置Ｐｍと第１のトレイ１１及び第２のトレイ１２との間で基板Ｗを移動させるステージ１６とを有する。搬送機構には、基板Ｗを把持する第１の把持部２１及び第２の把持部２２を有するロボットハンド２５が設けられている。第１のトレイ１１に基板Ｗを載置したロボットハンド２５が計測ユニット１０から出ずに計測後の基板Ｗを計測ユニット１０の外に取り出すことで、計測ユニット１０に対する１回のアクセスで計測前後の基板Ｗを入れ替えることができてスループットの低下を低減することができる。 （もっと読む）

【課題】パレット保持の信頼性及び動作の信頼性を確保し、生産性を向上する。
【解決手段】基板支持装置が、基板１２を搭載するパレット８と、パレットを鉛直姿勢した状態で、パレットの径方向両端部を保持するパレット両端保持機構１５と、パレットの中心部を回転可能に保持するパレット中央保持機構１３と、装置本体を移動する移動機構１１と、を備え、パレット両端保持機構は、パレットの径方向両端部を板厚方向の両側から把持する機構で、移動中はパレット両端保持機構がパレットを保持し、パレット両端保持機構からパレット中央保持機構への受け渡し時は、双方の保持機構によってパレットが保持され、基板処理時はパレット中央保持機構によってパレットの中心部を回転可能に保持し、パレット両端保持機構による保持は解除される。 （もっと読む）

【課題】 基板を保持するためのサセプタ、サセプタの対面、基板を加熱するためのヒータ、サセプタの中心部に設けられた原料ガス導入部、サセプタとサセプタの対面の間隙からなる反応炉等を有するIII族窒化物半導体の気相成長装置であって、大きな直径を有するサセプタに保持された、大口径、多数枚の基板の表面に、結晶成長する場合であっても、基板を１０００℃以上の温度で加熱して結晶成長する場合であっても、効率よく高品質の結晶成長が可能なIII族窒化物半導体の気相成長装置を提供する。
【解決手段】 設置される基板とサセプタの対面との距離が非常に狭く、かつサセプタの対面に冷媒を流通する構成を備えてなる気相成長装置とする。さらに、サセプタの対面に、不活性ガスを反応炉内に向かって噴出するための微多孔部、及び不活性ガスを微多孔部に供給するための構成を備えてなる気相成長装置とする。 （もっと読む）

【課題】基板収容部に収容される処理済の基板の順序を維持しつつ、従来よりも短時間で処理装置と基板収容部との間で基板の受け渡しを行う。
【解決手段】基板処理システム１は、複数の基板に所定の処理をバッチ式に施す処理チャンバ４０と、前記処理チャンバに設けられ、複数の基板を同心円上に載置する正転及び逆転自在な基板載置台４１と、複数の基板を鉛直方向に多段に収容する基板収容部５０、５１と、基板収容部５０、５１と処理チャンバ４０との間で基板Ｗを搬送する基板保持部５６、５７と、基板収容部５０、５１を昇降させる昇降機構５４、５５を有している。未処理基板Ｗは基板載置台４１を一の方向に回転させながら、基板載置台４１に載置され、基板Ｗの処理の完了後は、基板載置台４１を他の方向に回転させながら、処理済の基板の搬出と、未処理基板Ｗの搬入とを行う。 （もっと読む）

【課題】研磨後の試料に酸化、腐食又はその他の不具合が発生することを防止できる化学的機械研磨方法を提供する。
【解決手段】研磨前又は研磨後のウェハ（試料）を一時的に載置するペデスタル（試料台）の上に、ペデスタルパッド（試料台パッド）１２５を配置する。このペデスタルパッド１２５は樹脂により形成され、少なくともウェハに接触する面が液体に対し非吸収性であって、組織が緻密で平滑であり、液体を保持する孔等の空隙を有していない。 （もっと読む）

【課題】処理装置と基板収容部との間での基板の搬送の時間を短縮し、基板処理システムのスループットを向上させる。
【解決手段】処理装置２２に対して基板Ｗの搬送行う基板搬送装置２４は、処理装置２２に搬入される複数の基板Ｗを鉛直方向に多段に収容する基板収容部５０と、処理装置２２から搬出される複数の基板Ｗａを鉛直方向に多段に収容する基板収容部５１と、基板収容部５０から処理装置２２に基板Ｗを搬送する基板保持部５６と、処理装置２２から基板収容部５１に基板を搬送する基板保持部５７を有している。基板収容部内５０は基板Ｗと基板保持部５６とを相対的に上下方向に移動させる昇降機構５４を備え、基板収容部内５１は基板Ｗａと基板保持部５７とを相対的に上下方向に移動させる昇降機構５５を備えている。 （もっと読む）

【課題】成膜を行なう半導体製造装置において、基板の処理における加熱を行なう際の、処理対象物を保持する部材における熱応力の集中を抑制する。
【解決手段】処理対象物を保持する、回転可能なサセプタ３と、サセプタ３の外周部に設置され、サセプタ３とともに回転可能なフレーム２３と、フレーム２３を支持するサセプタ支持部２１と、サセプタ支持部２１を固定する架台２２とを備えている。サセプタ支持部２１と架台２２とが互いに対向する領域において、架台２２に対するサセプタ支持部２１の位置を固定するように、サセプタ支持部２１と架台２２との一方の表面に凹部２１ｂが形成され、サセプタ支持部２１と架台２２との他方の表面には凹部２１ｂに挿入固定される凸部２２ｂが形成される。凹部２１ｂおよび凸部２２ｂは、サセプタ３の中心から外周側へ向かう径方向に対して交差する方向に延びるように形成されている半導体製造装置を提供する。 （もっと読む）

【課題】
プラズマ処理システムの加工室において基板を保持する基板ホルダーと共に使用する磁気クリップを提供する。
【解決手段】磁気クリップは、締め付け面及び磁石をそれぞれが有する第１の本体部材及び第２の本体部材を含む。第１の本体部材は、基板ホルダーと機械的に接続されるように構成される。第２の本体部材は、閉位置と開位置との間で第１の本体部材に対して移動するようにヒンジによって第１の本体部材と枢着される。閉位置では、第１の締め付け面と第２の締め付け面との間に基板の縁領域が位置決めされる。開位置では、縁領域は解放される。第２の本体部材の磁石は、第２の本体部材が閉位置にあるときに第１の本体部材の磁石を磁気的に引き付け、第１の締め付け面及び第２の締め付け面に対する基板の縁領域の移動を拘束する力を加える。 （もっと読む）

【課題】、生産コストの高騰や、装置の大型化を招来することなく、サセプターの品質や生産性を飛躍的に向上させることができるＣＶＤ装置を提供することを目的とする。
【解決手段】 炭素質基材５を支持部材により支持した状態で、内部にガスを導入することにより、炭素質基材５の表面にＳｉＣ被膜を形成するＣＶＤ装置において、上記支持部材は、上記炭素質基材５が載置されて炭素質基材の下部を支持する下部支持部材６と、上記炭素質基材５の上部を支持する上部支持部材１３とを有し、この上部支持部材１３は上記炭素質基材５の外周縁に設けられると共に、この上部支持部材１３にはＶ字状の溝１３ｄが形成され、このＶ字状の溝１３ｄにより構成される炭素質基材配置空間１７内には、十分な遊びを有する状態で上記炭素質基材５が配置されることを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】キャリアの開放時における基板への自然酸化膜の堆積やパーティクルの付着、基板搬送室の汚染や酸素濃度の上昇等の弊害の発生を防止する。
【解決手段】ポッド１０の収納室１０ｃからウエハ９を取り出す際に、収納室１０ｃの出し入れ口１０ｂを塞ぐ蓋体１０ａを出し入れ口１０ｂから移動させ、出し入れ口１０ｂが開かれ、ポッド１０と連設されたポッドオープナ室６１を密封した状態で、ポッドオープナ室６１へ不活性ガスを流し、収納室１０ｃに不活性ガスを供給する。空のポッド１０の収納室１０ｃにウエハ９を収納する際に、空のポッド１０の収納室１０ｃにウエハ９を収納する前に、収納室１０ｃの蓋体１０ａを出し入れ口１０ｂから移動させて、出し入れ口１０ｂを開き、ポッドオープナ室６１を密封した状態で、ポッドオープナ室６１に不活性ガスを流し、収納室１０ｃに不活性ガスが供給する。 （もっと読む）

【課題】複数のウエハーを搬送し、真空処理するための手段を提供する。
【解決手段】本発明の真空処理装置によれば、第一、第二の受渡用真空槽１１２ａ,１１２ｂと処理用真空槽１１３とはそれぞれ接続されており、各受渡用真空槽１１２ａ,１１２ｂ内に配置された第一、第二のトレイ２１ａ,２１ｂに基板３１ａ,３１ｂをそれぞれ配置し、各受渡用真空槽１１２ａ,１１２ｂから交互に処理用真空槽１１３へと、基板を第一、第二のトレイ２１ａ,２１ｂに乗ったまま搬入し、真空処理を行う。各トレイ２１ａ,２１ｂはこれらの真空槽１１２ａ,１１２ｂ、１１３の外部に出ることはなく、また処理用真空槽１１２へは多数の受渡用真空槽から基板を出し入れできる。 （もっと読む）

【課題】支持具に支持される基板間のピッチを縮小し、処理枚数を増大させることができる基板処理装置を提供する。
【解決手段】熱処理装置１０は、基板７２を処理する反応炉４０と、反応炉４０内で基板７２を支持する支持具３０とを有し、支持具３９は、基板７２と接触する支持板５８と、支持板５８を支持する支持片６６とを有し、支持片６６はスケルトン構造であり、支持板５８には少なくとも一つの貫通孔８４が設けられ、支持片６６は貫通孔８４とは重ならないように構成されている。 （もっと読む）

【課題】
段取り替えに要する時間を短くして生産性を向上させた切断装置を提供する。
【解決手段】
本発明の切断装置は、ワーク１０を切断する切断装置１であって、ワーク１０を供給する供給部１００と、切断刃７１〜７４によりワーク１０を切断して、ワーク１０を複数の個片化ワーク１１に分割する加工部２００と、複数の個片化ワーク１１を収納する収納部３００と、ワーク１０を供給部１００から加工部２００へ搬送するローダ４０と、複数の個片化ワーク１１を加工部２００から収納部３００へ搬送するアンローダ４１とを有し、供給部１００、加工部２００及び収納部３００は着脱可能に直列に配置されており、ローダ４０は第１接続部材によりワーク保持動作用の駆動源に接続されており、第１接続部材の長さを変えることによりローダ４０の搬送範囲Ｒ１は可変である。 （もっと読む）

【課題】半導体ウェーハとチャックピンとの接触に起因するパーティクルの発生を抑制する。
【解決手段】本発明のイオン注入装置のチャック機構は、支持盤の半導体ウェーハ２８が載置される面の反対側の面に、回転体の中心と半導体ウェーハの中心を結ぶ線（対称軸４０）に軸対称に起立して設けられた支軸４２と、支軸回りに回動可能かつ一端部が半導体ウェーハの内周側の周縁部より外側へ突出して設けられたリンク部材４４と、リンク部材の一端部から半導体ウェーハの方向に起立して設けられたチャックピン４６と、リンク部材を時計回りに回動させるチャックバネ４８を備えている。リンク部材は、チャックバネによる回動を妨げる方向に回転体の回転に伴う遠心力を働かせるカウンタウェイト５２が着脱可能になっており、カウンタウェイトの重量を異ならせてこの遠心力を調整可能になっている。 （もっと読む）

【課題】ロータディスクおよびワークピース（例えば半導体ウェハ）の摩耗と損傷の危険性を最小にすることのできる装置を提供することである。
【解決手段】一つの案内部（４８）が、前記ピン構成体の周囲に延在する少なくとも一つのショルダ（５０）によって形成され、該ショルダの直径はピン構成体の第１の比較的大きな直径と第２の比較的小さな直径との間にあり、
別の案内部（４８）が、前記ピン構成体の周囲に延在する少なくとも一つの溝（１５）の側面（５６，５８）によって形成されている。 （もっと読む）

【課題】高スループット化と省フットプリント化の相反する条件の両立を実現し、ウエハのレジスト剥離均一性を確保することができる。
【解決手段】基板を処理する処理室と、前記処理室に内包された基板載置台４１と、前記基板載置台４１上で基板を一時待機させることが可能な基板搬送部材４０と、前記基板載置台４１を囲むように設けられた排気孔４９aと、前記排気孔４９aと前記基板載置台４１の上端部を結んだ線と、前記基板載置台４１との間に、前記基板搬送部材４０を退避させる退避空間４２と、を有する。 （もっと読む）

【課題】液処理後の液残りを少なくしてウォーターマーク等のしみの発生を抑制することができ、かつウエハ等の転倒を防止でき、スループットの向上を図れるようにする。
【解決手段】半導体ウエハＷを垂直に保持した状態で搬送する搬送手段を具備する基板処理装置において、搬送手段であるウエハボート５は、ウエハの下端部を支持する下側保持体２０と、ウエハの転倒時に該ウエハの下部側端部を保持する左右一対の上側保持体３０とを具備し、下側保持体は、ウエハの下端部を直接支持する保持溝２１を有する保持溝部２２と、該保持溝部に隣接して設けられ、保持溝によるウエハの支持が解かれた際にウエハを保持する転倒防止溝２３を有する転倒防止溝部２４と、を一体に形成してなる。 （もっと読む）

半導体ウェハの支持体は、ウェハを支持するためのサポート表面と、上記サポート表面から離れて形成されそれにより上記ウェハから離間される窪んだ表面と、を有するプレートを含む。複数のホールが、上記窪んだ表面から延び、サポート表面には、ウェハの汚染を防止するため、ホールが存在しない。
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