【課題】生産効率を向上させ、処理ガスの使用効率を高めることができる基板処理装置を提供することができる。
【解決手段】処理室と、被処理基板を内蔵するための複数のサセプタと、前記処理室内にあって、前記複数のサセプタを並べて一定距離ずつ移動させる移動手段と、この移動手段により移動されるサセプタを加熱する加熱手段と、前記サセプタ内部へ反応性ガスを供給するガス供給手段と、を有する基板処理装置を有する。 （もっと読む）

【課題】真空容器を貫通した昇降軸により真空容器内にて昇降する昇降部材に関連する部位のメンテナンス作業を行うにあたって便利な真空処理装置を提供すること。
【解決手段】真空容器の底部に形成された開口部を塞ぐために当該底部に着脱自在に設けられ、昇降軸が貫通したカバープレートと、カバープレートの下方で昇降軸の下端部が着脱自在に取り付けられる取り付け部材と、第１の基体に設けられ、取り付け部材を昇降させるための第１の昇降機構と、前記底部の下方側に伸び出している前記昇降軸を囲むように設けられ、上端部及び下端部が夫々前記カバープレート及び前記取り付け部材に着脱自在に固定されたベローズ体と、前記真空容器におけるカバープレートの外側位置に固定された第２の基体と、第２の基体に設けられ、前記第１の基体を昇降させるための第２の昇降機構と、を備えるように装置を構成する。 （もっと読む）

【課題】被照射物たる半導体ウエハの温度ばらつきを抑制しつつ冷却する半導体ウエハ冷却装置の提供を目的とする。
【解決手段】本発明の半導体ウエハ冷却装置は、半導体ウエハ１０を載置する載置面を有するトレイ１と、トレイ１内に配置され、載置面上に載置された半導体ウエハ１０を冷却する冷媒が流れる冷却配管２と、載置面に開口を有してトレイ１に設けられ、載置面上に載置された半導体ウエハ１０を吸着する真空配管３と、を備える。 （もっと読む）

【課題】位置決め可能な許容範囲を拡大することにより、位置決めミスが減少した安定的な位置決めを可能にする位置決め装置を提供する。
【解決手段】本発明に係る位置決め装置２０は、突起物１８が形成された被位置決め部品１７を位置決めする装置であって、突起物１８を両側から当接して把持する一対の把持部材２３、２４と、一対の把持部材２３、２４を互いに接近または離反するように移動させる移動部２７とを備えている。把持部材２３は、突起物１８と当接面としてＶ字溝面２３ａを有しており、把持部材２４は、突起物１８と当接面として矩形面２４ａを有している。一対の把持部材２３、２４が突起物１８を把持したとき、把持部材２３におけるＶ字溝構造の両側部分２１が、Ｚ方向において、把持部材２４と重なる。 （もっと読む）

【課題】基板を鉛直方向に向けて搬送する場合にも安定した高速搬送が可能な基板搬送装置及び真空処理装置を提供する。
【解決手段】基板３ａ、３ｂを保持するトレイ４ａ、４ｂ、軸受（案内部材）６を介して搬送路７の上を移動するキャリア２０、キャリア２０を搬送路７に沿って移動させる駆動手段を具備する。駆動手段の駆動により搬送路に沿って基板を搬送路を含む面に対して鉛直方向に向けて搬送する。その際、搬送路７の床面との接触部分に搬送路７に沿って防振材８を配置し、キヤリア２０の搬送時の振動を抑制する。 （もっと読む）

【課題】基板を鉛直方向に向けて搬送する場合にも安定した高速搬送が可能な基板搬送装置及び真空処理装置を提供する。
【解決手段】基板３ａ、３ｂを保持するトレイ４ａ、４ｂ、軸受（案内部材）６を介して搬送路７の上を移動するキャリア２０、キャリア２０を搬送路７に沿って移動させる駆動手段を具備する。駆動手段の駆動により搬送路に沿って基板を搬送路を含む面に対して鉛直方向に向けて搬送する。その際、駆動手段は搬送路に沿って取り付けられたラックギア１６を有し、キャリア２０とラックギア１６との間に搬送路７に沿って防振材８を配置し、キヤリア２０の搬送時の振動を抑制する。 （もっと読む）

【課題】薄膜形成の再現性を向上させる。
【解決手段】薄膜形成装置は、第１のサセプタに支持された被処理基板を搬送する搬送アームが設置された搬送室と、前記搬送室に連結され、前記搬送アームによって搬送された前記被処理基板に処理を施すことが可能な複数の処理室と、前記搬送室に連結され、前記第１のサセプタの表出面を覆う第２のサセプタを前記第１のサセプタに着脱することが可能なサセプタ交換室と、を備える。 （もっと読む）

【課題】複数枚の絶縁層被覆単結晶半導体基板に対して効率よくイオン注入を行い、大面積の単結晶半導体層を備えた半導体基板の作製方法を提供することを課題の一とする。
【解決手段】半導体基板の作製工程において、表面のファンデルワールス力を調整した保持用トレイに表面に絶縁層が形成された複数枚の単結晶半導体基板を貼り合わせ、複数枚の単結晶半導体基板にイオン照射工程を行うことで複数枚の単結晶半導体基板の所定の深さに脆化層を形成し、複数枚の単結晶半導体基板にファンデルワールス力を調整したベース基板を貼り合わせることでファンデルワールス力の差を利用して保持用トレイを選択的に分離し、剥離加熱処理を行い劈開面を形成して単結晶半導体基板をベース基板から分離することにより、絶縁層を介して単結晶半導体基板をベース基板に転載する。 （もっと読む）

【課題】ウエハの処理枚数が多く、また、ウエハへの膜の成膜後のウエハ良否の選別処理機能を有する常圧気相成長装置を提供する。
【解決手段】ウエハトレー１と、前記ウエハトレー１を水平方向に搬送するウエハトレー駆動装置と、ウエハ３に、原料ガスを吹き付けるガスヘッド６と、前記ウエハトレー１を加熱するヒーター７と、成膜前にウエハ上部を加熱しウエハ３の反りを矯正する機構７１と、成膜後のウエハトレー１を垂直下降方向に移動させるＤＯＷＮリフトと、成膜前のウエハトレー１を、垂直上昇方向に移動させるＵＰリフトとで構成され、前記ＤＯＷＮリフトの下端と、ＵＰリフトの下端との間に、ウエハトレー反転機構４が配置されており、ＤＯＷＮリフトから運搬された成膜後のウエハトレー１を設定した角度内で反転させて、成膜途中にて破損したウエハ３を、ウエハトレー１から脱落させる機能を有する常圧気相成長装置とする。 （もっと読む）

【課題】基板処理速度を向上できる基板処理装置を提供する。
【解決手段】基板処理装置１０は、垂直姿勢で水平方向に積層された複数枚の基板Ｗに対して一括して処理を施す基板処理部２と、基板受け渡し位置Ｐ１，Ｐ２と基板処理部２との間で複数枚の基板Ｗを一括搬送する主搬送機構３と、フープＦに対して複数枚の基板Ｗを一括して搬出入するとともに、その複数枚の基板Ｗを水平姿勢と垂直姿勢との間で一括して姿勢変換させる搬出入機構４と、移載機構５と、第１および第２水平搬送機構６，７とを備えている。移載機構５は、移載位置Ｐ３において、搬出入機構４との間で基板Ｗを授受し、第１および第２水平搬送機構６，７との間で基板Ｗを授受する。第１および第２水平搬送機構は、それぞれ基板受け渡し位置Ｐ１，Ｐ２で、主搬送機構３との間で基板Ｗを授受し、移載位置と基板受け渡し位置Ｐ１，Ｐ２との間で基板Ｗを搬送する。 （もっと読む）

【課題】ウエハを正確に移載することによってウエハの破損を防止することができるウエハ移載装置及びウエハ移載方法を提供する。
【解決手段】ウエハを保持するウエハチャック部と、ウエハを所定の載置位置に案内する案内部材を備えるウエハガイド部と、ウエハチャック部によって保持されたウエハと案内部材とがウエハの落下方向において対向するように、ウエハチャック部及びウエハガイド部を保持する本体部と、を有することを特徴とするウエハ移載装置。 （もっと読む）

【課題】薄板蓋部を用いる微小変位出力装置において、大気圧以外の気圧雰囲気でも使用可能とすることである。
【解決手段】微小変位出力装置１０は、筐体部１２と上蓋部３０と下蓋部３４を含んで構成され、その内部の収納空間１４には、中心軸４０の軸方向に沿って、複数の平板状可動子６０と薄板状可動子８０とが交互に整列配置される。平板状可動子６０の表面と裏面には、それぞれ中央部から外周部に延びる複数の細溝が設けられる。薄板メンブレムで構成される上蓋部３０と下蓋部３４は、中心軸４０の両端で固定される。筐体部１２の底面部１６には気体連通穴２０が設けられ、底面部１６の裏側で下蓋部３４と向かい合うくぼみ１８は、収納空間１４と同じ気圧とされる。 （もっと読む）

【課題】 組立容易であり、しかも、シェルの積層間に形成される隙間の気密性を維持することの可能な加熱装置及び加熱装置の製造方法を提供すること。
【解決手段】複数の筒状のシェルユニット５１を積層することにより形成したシェル５０の中に基板を処理する処理室を設ける。このシェル５０の内周に支持されると共に基板を加熱するヒーター２０を備える。これらシェルユニット５１の積層間に形成される隙間５０ｓを変形可能な封止部材５２で封止する。シェルユニット５１の端部近傍にシェル５０の外周側に突出する第一の鍔５３を設ける。シェルユニット５１の端部に対し隙間５０ｓで対向するシェルユニット５１の端部近傍にシェル５０の外周側に突出する第二の鍔５９を設ける。封止部材５２は第一の鍔５３と第二の鍔５９との間に配置される。第一の鍔５３は封止部材５２が筒状の外側へ移動することを規制する規制部５３ｂを備える。 （もっと読む）

【課題】形状が互いに異なる複数種類の板状の被搬送物を安定して吸着保持・搬送するための搬送システム、搬送方法および薄膜形成装置を提供する。
【解決手段】搬送システムは、第１の被搬送物２および第２の被搬送物３を載置可能な回転テーブル４と、被搬送物に接触する吸着面に吸着孔を有する吸着部材４０と、吸着部材４０を回転テーブル４の径方向に移動可能な移動機構２１とを有する。そして、前記吸着孔内の気圧を下げることで被搬送物を前記吸着面に接触させた状態で吸着可能であり、前記被搬送物２の外面で前記吸着孔が吸着可能な第１の吸着可能領域の形状と、前記被搬送物３の外面で前記吸着孔が吸着可能な第２の吸着可能領域の形状とを重ね合わせて重複する領域から求められる第１の重心と、前記吸着孔の開口領域の第２の重心とが、吸着部材４０で被搬送物２または被搬送物３を吸着する場合のいずれにおいても略同一の垂線上にある。 （もっと読む）

【課題】 ウエーハ裏面側に研削屑が付着したり、研削屑による傷の発生を抑制可能な洗浄装置のチャックテーブルを提供することである。
【解決手段】 ウエーハ洗浄装置のチャックテーブルであって、回転可能なチャックテーブル基台と、該チャックテーブル基台の上面に該チャックテーブル基台の回転中心を中心とする同心円状に等間隔離間して配設された弾性部材からなる少なくとも３個の真空吸着パッドとを具備し、該チャックテーブル基台は該真空吸着パッドの各々に連通する吸引路を有していることを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】基板のハンドリングに際し、速度と信頼性とを改善することによって、処理速度を改善し、機器のコストおよび複雑さを減少させ、および／または、基板が微粒子に曝される可能性を減少させる基板処理システムを提供する。
【解決手段】第１の態様においては、第１の基板処理システム１１が提供され、その第１の基板処理システムは、（１）基板を運搬することができる複数の開口１５ａ〜１５ｄを有するチャンバ１３、（２）複数の開口中の第１の開口に結合された基板キャリアオープナー、（３）複数の開口中の第２の開口に結合された熱処理チャンバ１９ａ、１９ｂ、（４）基板クランプ・ブレードと、高温基板を運搬するように適合されたブレードとを有するチャンバ内に含まれるウエハ・ハンドラー２５を含む。その他の様々な態様が提供され、同様に、これらの、そして、その他の態様に基づいた方法およびコンピュータプログラムプロダクトが提供される。 （もっと読む）

【課題】インプリントリソグラフィ装置のスループットを改善することができる、インプリントリソグラフィ装置用の振動絶縁システムを提供する。
【解決手段】インプリントリソグラフィ装置１００は、基板ホルダ１２０に対してインプリントテンプレートホルダ１１０を変位させるアクチュエータ１３０を備える。インプリントテンプレートホルダ１１０および／または基板ホルダ１２０の支持構造１４０は、基部１６０に取り付けられた振動絶縁システム１５０に取り付けられる。振動絶縁システム１５０は、基部１６０に対する支持構造１４０の振動を絶縁する。インプリント過程中にアクチュエータ１３０を制御する制御ユニットは、振動絶縁システム１５０の調節部材を制御して、インプリント過程の少なくとも一部の間、振動絶縁システム１５０の動特性を調節し、支持構造１４０に作用する力による、基部１６０に対する支持構造１４０の変位を低減させる。 （もっと読む）

【課題】極薄のウェーハを安全、簡単、確実かつ迅速に単離させることができ、かつ従来と比べて処理スピードが改善されたウェーハ単離方法及びウェーハ単離装置を提供する。
【解決手段】多数枚又は複数枚のウェーハが積層されたウェーハ積層体を液体中に浸漬させて準備するステップと、前記最上層のウェーハの一端部を吸着し、前記最上層のウェーハの他端部は吸着せずにおさえ、前記最上層のウェーハを水平方向で傾斜させる吸着ステップと、前記最上層のウェーハの下面と隣接する下側のウェーハの上面との間に流体を吹き込む流体吹き込みステップと、前記傾斜させた最上層のウェーハを、その傾斜の延長線上に沿って変位させて液中から前記最上層のウェーハを取出せしめるウェーハ変位ステップと、を含み、ウェーハを単離するようにした。 （もっと読む）

【課題】本発明の目的は、微粒子による汚染を減少させることのできる基板ホルダを提供することである。
【解決手段】本発明は、基板支持体と、第１の位置においては支持体上に配置された基板と係合し、別の位置においては基板から離れて配置されるように構成された可動クリッピング手段と、クリッピング手段を第２の位置から第１の位置へ動かすための位置決め手段とを備えた基板ホルダに関する。基板が支持体上に配置されていないときにクリッピング手段と支持体との接触を防止するために、弾性停止要素が使用され、この弾性停止要素は、クリッピング手段の運動を制限する。さらに本発明は、これらの基板ホルダおよびクリッピング装置を使用したクリッピング装置およびイオン注入装置に関する。 （もっと読む）

【課題】ウェハの直径が大きくなる傾向にある近年、重ねあわされる互いのウェハ全面において均一に加圧加熱することが困難になってきている。
【解決手段】ウェハを加圧加熱する加圧加熱モジュールは、軸方向に押圧力を発生させるアクチュエータに接続された支柱部と、押圧力を受けた支柱部に押圧されるヒータプレートと、ヒータプレートに押圧及び加熱されるステージ部を備え、支柱部がヒータプレートを押圧する第１の押圧面は、ヒータプレートがステージを押圧する第２の押圧面より小さい。 （もっと読む）