【課題】吸着状態の誤判断を防ぐことができる吸着装置、当該吸着装置を備えた気相成長装置、および吸着方法を提供すること。
【解決手段】本発明では、吸着部１６を構成する各吸着パッド（図示せず）には、流量センサ６６が接続されており、個々の流量センサ６６は、各吸着パッドとポンプ８２との間の空気の流量を測定する。また、全体用流量センサ６２は、吸着部１６とポンプ８２との間の空気の流量を測定する。制御部５４では、個々の流量センサ６６および全体用流量センサ６２の測定値に応じて、流量センサ６６の測定値の閾値を変更する。変更した閾値に基づいて、吸着部１６の吸着状態の判定を再度行うことによって、実際には基板トレイ３２を吸着しているにも拘らず、基板トレイ３２を吸着していないと誤判断されてしまうのを防ぐことができる。 （もっと読む）

【課題】基準位置に正確に取り付けられた基準部材を有する位置決め装置を提供する。
【解決手段】位置決めのために基準となる基準部材と、前記基準部材を支持するための支持部と、前記支持部に設けられ、前記基準部材と前記支持部とを固定し、または固定を解除する第1の固定部材と、を有し、前記基準部材は、可動する状態で前記支持部と接続されており、位置決めされた後、前記第１の固定部材により前記支持部に固定されるものであることを特徴とする位置決め装置を提供することにより上記課題を解決する。 （もっと読む）

【課題】コロナ放電を用いたイオナイザの電極針先端部に堆積した不純物がウェーハの表面に落下することを防ぐ。
【解決手段】プリアライナ１の上方を覆うカバー１３と、カバー１３の外周部又は外周部の下方に設置されたイオン供給部１４とを含み、イオン供給部１４のイオン供給口１５がカバー１３とプリアライナ１との間の空間部に向けられているウェーハ除電装置を用いる。 （もっと読む）

【課題】基板の中心と回転中心とを一致させ基板を処理することが可能な基板処理装置を提供する。
【解決手段】被処理基板に処理流体を供給して基板処理を行う基板処理部と、前記被処理基板の側面に接触させ、前記被処理基板の位置を定める位置決め機構部と、前記位置決め機構部を駆動する位置決め駆動部と、前記位置決め機構部の位置を検出する検出部と、前記被処理基板の基準となる基準基板に対する前記位置決め機構部の位置を基準位置情報として記憶する記憶部と、前記基準位置情報と前記検出部において検出された前記位置決め機構部の位置情報との差を算出し、前記差より前記被処理基板の実測情報を算出する演算部と、を有することを特徴とする基板処理装置を提供することにより上記課題を解決する。 （もっと読む）

【課題】基板裏面側に形成されるエピタキシャル層を低減するエピタキシャル成長装置を提供する。
【解決手段】チャンバー２と、該チャンバー内に配置され、エピタキシャル成長させる基板Ｗを載置する、複数の貫通孔を有するサセプタ３と、該サセプタを支持するサポートシャフト７と、前記チャンバー２内の前記サセプタ３上に載置された基板Ｗに反応ガス供給源からの反応ガスを供給する反応ガス供給手段４と、反応後のガスを前記チャンバー２外に排出する反応ガス排出手段５と、を具備するエピタキシャル成長装置１において、前記サセプタ３の裏面側を覆うカバー９１を配設する。 （もっと読む）

【課題】回転軸に対し円形基板の中心の位置決めを正確に行うことのできる基板位置決め装置を提供する。
【解決手段】基板３０の位置決めを行うための基板位置決め装置において、基板載置部４４と、前記基板の側面に接触する第１の基準部１１を有する第１の位置決め機構部１０と、前記基板３０の側面に接触する第２の基準部２１を有する第２の位置決め機構部２０と、前記第１の位置決め機構部１０を駆動させる第１の駆動部１３と、前記第１の駆動部１３を制御する制御部５０と、を有し、前記第２の基準部２１は、前記基板３０と接触部２４において接触するものであって、前記接触部２４に対し前記駆動部１３の移動方向に力を加えることのできる弾性部と、前記位置決め機構部２０の位置情報を検出するための検出部２８とを有する。 （もっと読む）

【課題】ウェーハの表面に傷を付けることなく、ウェーハを吸引保持して搬送することができるウェーハ保持具を提供する。
【解決手段】本発明のウェーハ保持具は、テーブルと、吸引孔と、支持部材とを備えており、また、吸引孔の表面側の一部は拡径処理が施されており、拡径部および円環状テラスが形成されている。該円環状テラスに支持部材を固定することにより、ウェーハに直接接触する支持部材の面積が低減され、ウェーハの表面に傷を付けることなくウェーハを吸引保持することができる。 （もっと読む）

【課題】ウェーハの外周を画像処理により検出してウェーハの中心位置を算出する場合において、ウェーハ外周位置の誤認識に起因してウェーハ中心位置が誤って算出されることを回避する。
【解決手段】ウェーハの外周エッジＥ１，Ｅ２，Ｅ３，Ｅ４の位置座標を４点以上検出し、検出した複数の外周エッジの位置座標値から３点の位置座標の組み合わせをすべて求め、各組み合わせについて中心位置Ｏ_１，Ｏ_２，Ｏ_３，Ｏ_４の座標を算出し、算出された中心位置Ｏ_１，Ｏ_２，Ｏ_３，Ｏ_４の座標のバラツキを算出し、所定のしきい値より大きいバラツキがある場合にはエッジ５２の位置座標の誤認識があると判定して再度エッジの位置座標を検出し、算出したバラツキが所定のしきい値以内であれば正常にエッジが認識されたと判断することにより、画像処理による誤認識に起因してウェーハ中心位置が誤って算出されることを回避する。 （もっと読む）

【課題】ウェハの厚みを精度よく制御でき、ウェハの面内均一性が向上した半導体装置の製造方法を提供することを目的とする。
【解決手段】本発明にかかる半導体装置の製造方法は、（ａ）ウェハ２１と、ウェハ２１上に形成された保護部材２４とからなる処理対象を用意する工程と、（ｂ）保護部材２４の厚みを、複数点において測定する工程と、（ｃ）複数点における測定結果に基づいて、ウェハ２１と保護部材２４とを合わせた厚みの目標値を設定し、当該目標値に従ってウェハ２１を研削する工程とを備える。 （もっと読む）

【課題】基板ホルダのずれとバイメタル作用による基板ホルダの平面度の悪化を防止する。
【解決手段】微動ステージ２１の四隅に真空吸着のＯＮ／ＯＦＦの切り替えが可能な吸着部８２を設け、基板ホルダＰＨが衝撃等によりずれるおそれのあるときには、吸着部８２の真空吸着を行い基板ホルダＰＨのずれを防止し、基板ホルダＰＨがずれるおそれのないときには吸着部８２の真空吸引を停止若しくは弱めることで、バイメタル作用を緩和し、基板ホルダＰＨの平面度の悪化を防止する。 （もっと読む）

【課題】等速移動中のステージに保持された基板の高さを正確に計測することが可能な露光装置を提供する。
【解決手段】基板４を走査する第１方向および前記投影光学系の光軸に沿う第２方向に前記ステージを位置決めする位置決め機構２５と、前記第１方向に沿って間隔を置いて位置する複数の計測点で前記基板の高さを計測する計測器１６と、制御器２６とを備え、前記計測器により第１計測点で前記基板の高さを計測し、前記第１計測点で計測された高さに基づいて前記位置決め機構により前記ステージ５を前記第２方向に位置決めしながら前記基板を露光する。 （もっと読む）

【課題】第１搬送手段及び第２搬送手段の調整処理と、調整が終了した処理室へのプロセス前準備を並行して実施可能とすることで、調整処理時間の短縮を図る基板処理装置を提供する。
【解決手段】基板に処理を施す複数の処理室５，６と、該処理室へ基板を搬送する第１搬送手段を備えた第１搬送室２と、大気圧状態で基板を搬送する第２搬送手段を備えた第２搬送室７と、第１搬送室と第２搬送室を連結する減圧可能な予備室３，４と、第１搬送手段及び第２搬送手段の駆動を制御する第１制御手段と、前記第１搬送手段及び前記第２搬送手段の調整処理を指示する第２制御手段とを具備し、組立時の調整処理の際に、第１搬送手段及び／又は第２搬送手段の調整処理と、処理室のプロセス前準備を並行して実施可能に構成した。 （もっと読む）

【課題】外縁位置や方位マークの検出を確実に精度良く行うことができるようにすること。
【解決手段】ウエハＷのオリフラＯＦやＶノッチＮ、外縁位置を検出し、その位置データを出力するカメラ１８と、ウエハＷの外縁全域からはみ出す大きさに設けられるとともに、当該ウエハＷを支持可能な支持面２０を有する支持手段１５と、支持面２０内で支持手段１５を回転させる回転手段１６と、カメラ１８の検出領域ＡＲに向かって発光する発光手段１９とを備えて位置検出装置１１が構成されている。支持手段１５は、発光手段１９の光を透過可能な素材によって支持面２０を形成する。発光手段１９は、支持面２０を平面視したときに当該支持面２０からはみ出さない位置に設けられている。 （もっと読む）

【課題】簡単な構造でサセプタの回転軸の振れを抑制してエピタキシャルウェーハの膜厚のばらつきを低減できる気相成長装置、及びそれを利用した化合物半導体基板の製造方法を提供することを目的とする。
【解決手段】少なくとも、リアクタと、該リアクタの内部に配置され、回転軸周りに回転するバレル型サセプタとを備えた気相成長装置において、前記サセプタの回転軸はコレットチャック機構により固定されているものであることを特徴とする気相成長装置。 （もっと読む）

【課題】ウエハからサポートプレートをより容易に剥離する。
【解決手段】本発明に係る剥離方法は、非極性溶剤に対して溶解性を示す接着化合物又は高極性溶剤に対して溶解性を示す接着化合物により形成された接着剤層４を介してサポートプレート３が貼着されたウエハ２から、サポートプレート３を剥離する剥離方法であって、接着剤層４に上記非極性溶剤又は上記高極性溶剤を供給する供給工程を包含している。したがって、溶剤の供給時に、ウエハ２に貼り付けられたダイシングテープ５を保護する必要がない。 （もっと読む）

【課題】半導体ウエーハなどの薄い紙状の対象物の正確な位置決めを行う。
【解決手段】半導体装置の製造装置１は、塗布対象物Ｗの中心をハンド３ａの中心に合わせるセンタリング部４ａを具備しており、センタリング部４ａは、塗布対象物Ｗを支持する支持台３１と、支持台３１上の塗布対象物Ｗを押して移動させ、支持台３１に対して位置決めされたハンド３ａの中心に塗布対象物Ｗの中心を合わせる複数の押圧部３２とを具備している。 （もっと読む）

【課題】ポリマー層を剥離するために必要な化学的/物理的パラメータを正確に維持しかつ迅速・完全にポリマー層を除去/剥離できる装置または方法を提供すること
【解決手段】本発明は、基板表面からポリマー層を剥離させる装置であり、基板背面を受ける基板保持手段と、ポリマー層を剥離させる流体をポリマー層に塗布する塗布手段と、加熱手段の加熱表面をポリマー層に塗布された流体と接触させて熱を流体に伝える加熱手段とを備える装置、ならびに基板表面からポリマー層を剥離させる方法であり、基板保持手段上で基板を受けるステップと、塗布手段により、ポリマー層を剥離させるための流体をポリマー層に塗布するステップと、加熱手段により流体中に熱を伝達し、それにより、加熱手段の加熱表面が、ポリマー層に塗布された流体と接触状態になるステップとを含む方法に関する。 （もっと読む）

【課題】基板支持装置上に載置された基板の位置を修正する。
【解決手段】 基板Ｐは、基板トレイ９０上に載置された状態で基板搬入装置８０により搬送される。基板搬入装置８０は、搬送時における基板Ｐの移動経路上に基板ＰのＸ軸方向、Ｙ軸方向、及びθｚ方向に関する位置情報を計測する基板位置検出装置を有し、その計測結果に基づいて押圧装置８８ａ、８９ａ、８８ｂ、８９ｂを用いて基板トレイ９０上で基板Ｐの位置調整（アライメント）を行う。この際、基板トレイ９０は、基板Ｐの下面に対して加圧気体を噴出し、該基板Ｐを浮上支持する。 （もっと読む）

【課題】塗布対象物に接着剤の塗布膜を所望する膜厚で形成する。
【解決手段】半導体装置の製造装置１は、塗布対象物Ｗの塗布面に紫外線を照射する照射部５と、照射部５により紫外線が照射された塗布面に接着剤を塗布する塗布部６とを備え、照射部により紫外線が照射された塗布面に接着剤を塗布する。また前記塗布対象物を支持するハンドを有し、前記ハンドにより前記塗布対象物を搬送する搬送部をさらに備え、前記照射部は、前記搬送部により移動する前記塗布対象物の前記塗布面に前記紫外線を照射する。前記照射部は、前記紫外線を発生させるランプと、前記ランプによって発生する前記紫外線の光量を検出する検出器と、前記検出器によって検出された前記紫外線の光量に基づいて前記塗布面に対する照射光量を設定値に維持するように調整する調整手段とを具備する。 （もっと読む）

【課題】ウェハから補強部をなくす際のスループットの低下を防ぐこと。設備コストの増大を抑制すること。ウェハ当たりのチップの取れ数が減るのを防ぐこと。
【解決手段】ウェハを垂直または任意の角度で傾いた状態で保持して回転するレーザ加工ステージ２と、レーザ加工ステージ２に保持されたウェハの素子領域とその素子領域よりも厚い補強部との境界またはその境界よりも内側の部位に固定位置からレーザを照射するレーザヘッド３と、レーザ照射部位に斜め上方から、ウェハの回転の向きに対して逆向きでかつウェハの外へ向けてガスを吹き付けるガス噴射部４と、レーザ照射後のウェハに、ダイシング時にウェハを保護するテープを貼り付けるテープ貼り付け装置１０と、を備える。 （もっと読む）