【課題】移載室内のエア滞留発生を抑制して、移載室内における確実なエアフロー形成を実現する。
【解決手段】基板を処理する処理室と、基板を保持した状態で処理室内に対して搬入出される基板保持体と、未処理基板を基板保持体に保持させるチャージ動作および処理済基板を基板保持体から取り出すディスチャージ動作が行われる移載室と、移載室内にクリーンエアを吹き出すクリーンユニットと、を備えた基板処理装置において、クリーンユニットを、平面多角形状に構成された移載室内における角部に配設する。 （もっと読む）

【課題】基板保持部材の上面（基板載置面）を効率良く清掃する。
【解決手段】清掃ユニット４０は、基板搬入装置により粘着ローラ４２の外周面が基板載置面に当接する位置に搬送される。そして、基板搬出装置により清掃ユニット４０が基板ホルダ５０に対しＸ軸方向に相対移動されることにより、基板載置面上の塵が粘着ローラ４２に付着して除去される。そして、清掃ユニット４０は、基板搬出装置により粘着ローラ４２の外周面が基板載置面から離間する位置に搬送される。したがって、基板載置面の清掃に人員を要さず、その清掃効率に優れる。 （もっと読む）

【課題】作業員の作業負担を軽減して、位置合わせ作業に要する時間を短くすると共に、十分な位置合わせ精度を得ることができる位置合わせ方法を提供すること。
【解決手段】研削装置１の稼働前のメンテナンス時に、搬入搬出アーム１３の搬入動作を調整する方法であって、搬入搬出アーム１３の搬入動作の開始点をカセット６内のウェーハＷの任意の位置に合わせ、終点位置を仮置きテーブル３５の中心位置に合わせるステップと、搬入搬出アーム１３により仮置きテーブル３５上に搬入されたウェーハＷの中心位置を検出し、当該ウェーハＷの中心位置と仮置きテーブル３５の中心位置とから仮置きテーブル３５に対するウェーハＷの位置ズレ量を算出するステップと、ウェーハＷの位置ズレ量に基づいて搬入動作の始点位置を、カセット６内のウェーハＷの任意の位置から中心位置に補正するステップとを有する構成とした。 （もっと読む）

【課題】搬送チャンバー内にシリコン基板を搬送したときに、シリコン基板が面内温度分布に起因して反ることがない真空処理装置の提供。
【解決手段】真空雰囲気でシリコン基板２６に回路を形成する複数の処理を、それぞれ順次実行する為の複数のプロセスチャンバー２〜５と、複数のプロセスチャンバー２〜５に隣接し、シリコン基板２６をプロセスチャンバー２〜５内へ搬入しプロセスチャンバー２〜５内から搬出する搬送機構１９を有する搬送チャンバー１とを備える真空処理装置。ガスを吹き出す吹出口２２〜２５と、搬送チャンバー１内のガスを外部へ排気する排気口３１とを搬送チャンバー１内に備え、搬送機構１９がプロセスチャンバー２２〜２５から搬出し停止させたシリコン基板２６へ吹出口２２〜２５からガスを吹出させる構成である。 （もっと読む）

【課題】処理済ウエハを搬送するときにも未処理ウエハより速度を上げて搬送可能とし，これによって従来以上に処理全体のスループットを向上させる。
【解決手段】ローダアーム機構２００のピックを基板保持可能範囲を拡大して位置ずれが発生してもウエハを保持できるようにし，トランスファアーム機構３００を搬送制御する際，そのピック上に未処理ウエハＷがあるか否かを判断し，未処理ウエハなしと判断した場合は，ピック上にウエハなしの場合のみならず，処理済ウエハありの場合についても，ピック上に未処理ウエハありと判断した場合よりも速い速度で搬送制御する。 （もっと読む）

【課題】処理液消費量の低減を実現できるとともに、基板の広範囲に処理液を行き渡らせることができる基板処理装置および基板処理方法を提供すること。
【解決手段】ノズル３の対向面２３には吐出口２６が形成されている。対向面２３を、水平姿勢のウエハＷ表面に微小間隔Ｓを隔てて対向配置させる。ウエハＷの回転開始後、ウエハＷ表面の対向領域Ａ１と対向面２３との間の空間にＤＩＷを供給し、当該空間を液密状態とするとともにＤＩＷの供給を停止して、当該空間にＤＩＷの液溜まりＤＬを形成する。液溜まりＤＬの形成後、吐出口２６からＤＩＷが吐出される。ウエハＷの表面にＤＩＷの液膜が形成された後、吐出口２６からＤＩＷに代えて薬液が吐出される。ウエハＷの表面を覆う液膜が、ＤＩＷから薬液へと置換される。 （もっと読む）

【課題】被処理基板と支持基板の接合を効率よく行い、接合処理のスループットを向上させる。
【解決手段】接合システム１は、接合処理ステーション３に対して、被処理ウェハＷ、支持ウェハＳ又は重合ウェハＴを搬入出する搬入出ステーション２と、被処理ウェハＷと支持ウェハＳに所定の処理を行う接合処理ステーション３とを有している。接合処理ステーション３は、被処理ウェハＷに接着剤を塗布する塗布装置４０と、被処理ウェハＷを第１の温度に加熱する第１の熱処理装置４１〜４３と、被処理ウェハＷを第２の温度にさらに加熱する第２の熱処理装置４４〜４６と、支持ウェハＳの表裏面を反転させる反転装置３４〜３７と、被処理ウェハＷと支持ウェハＳを接合する接合装置３０〜３３と、各装置に対して被処理ウェハＷ、支持ウェハＳ又は重合ウェハＴを搬送するためのウェハ搬送領域６０とを有する。 （もっと読む）

【課題】保持台の表面に異常があるか否かを早期に検出できる技術を提供すること。
【解決手段】ウエハＷを保持台１に保持させ、当該保持台１を１回転以上回転させ、ウエハのＷ周縁位置を光センサ４により検出する。そして、この保持台１の回転方向の位置と光センサ４の受光出力との関係データを取得し、当該関係データに基づいてウエハの向き及び中心位置を検出する。さらに、前記関係データにおいて保持台の加速領域と減速領域に対応する実測データに基づいてウエハと保持台１に嵌め込まれた保持部材３との間で滑り現象が発生しているか否かを判定する。例えば前記関係データにおいて保持台１の等速領域に対応するデータに基づいて、前記滑り現象が生じていないときの、加速領域と減速領域におけるデータを推定し、推定されたデータと前記実測データとを比較して比較結果に基づいて前記判定を行う。 （もっと読む）

【課題】ウエハホルダ上の処理済みウエハの入れ替えに失敗した場合でも不良品の発生を防止できるウエハ処理装置を提供する。
【解決手段】ウエハ処理装置１は、ペディスタルＰ１〜Ｐ１３を有するウエハホルダ３１と、これらペディスタルＰ１〜Ｐ１３に載置されたウエハに処理が施された後、ウエハホルダ３１を回転させてペディスタルＰ１〜Ｐ１３を所定の取付位置に順次位置付けし、当該位置付けされたペディスタルからウエハを取り外し、その後、当該ペディスタルに未処理のウエハを載置させるウエハ搬送機構３０と、ウエハ搬送制御部６２と、検出センサ３８とを備える。ウエハホルダ３１は、被検出部３１ｓを有し、検出センサ３８は、ペディスタルＰ１〜Ｐ１３のいずれかが前記取外位置に位置付けされたときに被検出部３１ｓの位置が基準位置と一致するか否かを示す判定信号を出力する。 （もっと読む）

【課題】マスク保護用の複数のスペーサを、簡単な構成で短時間にチャックの表面に設置する。
【解決手段】チャック１０の内部から上昇する突き上げピン１２及び突き上げピン１２を上下に移動するモータ１１を有する複数の突き上げピンユニットをチャック１０に設け、マスク２をマスク搬送装置によりチャック１０へ搬入し、複数の突き上げピン１２により、マスク２をマスク搬送装置から受け取ってマスクホルダ１０に装着する。マスク２を載せた突き上げピン１２が下降したときマスク２のパターン面の周辺部を支持する複数のスペーサ３０を、チャック１０の内部に収納し、各スペーサ３０をチャック１０の内部からチャック１０の表面に出して、マスク２を載せた突き上げピン１２が下降したときマスク２のパターン面がチャック１０の表面に接触するのを防止する。 （もっと読む）

【課題】ウエハ検査装置でベアウエハ（鏡面ウエハ）を検査する場合、ウエハ上には何もマークがないため、ベアウエハを正しく位置決めできない。
【解決手段】本発明は、前記基板を移動する搬送系と、前記基板に光を照射する照明光学系と、前記基板からの光を検出する検出光学系と、前記検出光学系の検出結果に基づいて前記基板の欠陥を検出する第１の処理部と、前記検出光学系の検出結果に基づいて画像を取得する第２の処理部とを有し、前記第２の処理部は、前記基板の外周部の画像、及び前記基板のノッチ部の画像を取得し、前記外周部の画像に基づいて、前記基板の中心位置を計算し、前記中心位置、及び前記ノッチ部の画像に基づいて、前記基板の回転ずれを計算し、前記搬送系は、前記中心位置、及び前記基板の回転ずれに基づいて前記基板の位置決めを行うことを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】磁性流体シールを使用する必要がない磁気浮上型を採用し、しかも装置としてのアキシャル方向の長さを極力短くすることができるようにする。
【解決手段】回転動力を出力する回転子１２を備え、回転子１２は、回転子１２のラジアル方向に配置されて該回転子１２のラジアル方向変位を非接触で制御する２組以上のラジアル磁気軸受４０と、回転子１２の周囲に３組以上に分割配置されて該回転子１２のアキシャル方向変位を非接触で制御するアキシャル磁気軸受５０によって、所定の位置に非接触で回転支承され、ラジアル磁気軸受４０のラジアル電磁石４４とアキシャル磁気軸受５０のアキシャル電磁石５４は、略同一平面上に配置されてケーシング部１４に固定されている。 （もっと読む）

【課題】 サイズの大きな被加工物のハンドリングを容易にする加工装置を提供することである。
【解決手段】 被加工物を保持するチャックテーブルと、該チャックテーブルに保持された被加工物に加工を施す加工手段と、該チャックテーブルに搬送する被加工物を収容する被加工物収容ユニットと、該チャックテーブルと該被加工物収容ユニットとの間で被加工物を搬送する搬送手段と、を備えた加工装置であって、該被加工物収容ユニットは、移動手段と載置面と連結面を有し、加工装置に取り外し可能に連結されるワゴン本体と、該ワゴン本体の該載置面上に載置され、被加工物を収容する収容部を内部に有する被加工物収容ボックスとを具備し、該移動手段で該ワゴン本体を移動して該連結面で加工装置に連結し、該被加工物収容ボックス内に収容された被加工物を該搬送手段で該チャックテーブルに搬送することを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】 本発明は、膜厚分布の偏りを解消し、均一な膜厚のエピタキシャル膜を形成させることができるエピタキシャルウェーハの製造方法及びエピタキシャル成長装置を提供する。
【解決手段】 基板載置台と該基板載置台に載置された基板とを回転させ、前記基板の主面上に原料ガスを流通させることにより、前記基板主面上にエピタキシャル膜を形成させるエピタキシャルウェーハの製造方法において、前記基板載置台の回転方向の位置に応じて、膜厚制御パラメータを変化させて前記エピタキシャル膜を形成させることを特徴とするエピタキシャルウェーハの製造方法。 （もっと読む）

【課題】真空容器を貫通した昇降軸により真空容器内にて昇降する昇降部材に関連する部位のメンテナンス作業を行うにあたって便利な真空処理装置を提供すること。
【解決手段】真空容器の底部に形成された開口部を塞ぐために当該底部に着脱自在に設けられ、昇降軸が貫通したカバープレートと、カバープレートの下方で昇降軸の下端部が着脱自在に取り付けられる取り付け部材と、第１の基体に設けられ、取り付け部材を昇降させるための第１の昇降機構と、前記底部の下方側に伸び出している前記昇降軸を囲むように設けられ、上端部及び下端部が夫々前記カバープレート及び前記取り付け部材に着脱自在に固定されたベローズ体と、前記真空容器におけるカバープレートの外側位置に固定された第２の基体と、第２の基体に設けられ、前記第１の基体を昇降させるための第２の昇降機構と、を備えるように装置を構成する。 （もっと読む）

【課題】単一のイオンブロー手段を用いて、装置内の複数箇所においてワークに除電処理を施すことができるダイシング加工装置を提供すること。
【解決手段】ダイシング加工装置１は、噴出口１４３からのイオン化されたエアが、スピンナ洗浄手段１０のスピンナテーブル１０１上のワークおよび仮置部１１上のワークに吹き付けるように調整する調整部１４４を有するイオンブロー手段１４を備える。調整部１４４は、スピンナ洗浄手段１０１のスピンナテーブル１０１から仮置部１１までワークを搬送している間は、搬送アーム１３に保持されたワークへ向けてイオン化されたエアを吹き付けるように噴出口１４３の向きを調整する。 （もっと読む）

【課題】基板を移動するステージをリニアモータにより駆動する際、ステージの温度変化を小さくして、パターンの焼付けを精度良く行う。
【解決手段】ステージの温度を調節する温度調節液が流れる通路５２ａ，５２ｂをＸステージ５，Ｙステージ７に設け、ステージの動作状態に応じて、互いに異なる温度の温度調節液を供給する複数の供給装置５３，５４の内の１つから、温度調節液を通路５２ａ，５２ｂへ供給する。ステージの温度変化が小さくなり、パターンの焼付けが精度良く行われる。 （もっと読む）

【課題】ワークへの保護膜形成やワークからの保護膜除去の際に、当該処理に伴い発生する保護膜成分を含む液滴のワーク搬送機構等の可動部への飛散を抑え、可動部の固着を防止すること。
【解決手段】レーザー加工装置１は、上面に開口部２７を有する筐体２８と、ウェーハＷを保持すると共に筐体２８内部に収容可能な保護膜形成・除去用テーブル２６と、筐体２８内部に設けられたウェーハＷの被加工面を洗浄する洗浄用ノズル３２と、ウェーハＷの洗浄の際に開口部２７を覆うシャッター機構３０とを備える。シャッター機構３０は、開口部２７を被覆可能なシート部材３３と、シート部材３３が巻回される巻回ローラ３４と、シート部材３３の先端部を保持し、筐体２８上面に設けられた一対のガイドレール３５、３５上を、開口部２７を開放する開放位置と開口部２７を閉塞する閉塞位置との間でスライド可能なシート部材保持部３６と、を有する。 （もっと読む）

【課題】成長条件とを駆使し、基板上への成長膜厚を均一にする方法を提供する。
【解決手段】チャンバ１２０内に、支持台１１０上に載置された基板１０１が収容され、この基板１０１上に成膜するためのガスを供給する第１の流路及びガスを排気する第２の流路が接続された気相成長装置を用い、基板上に半導体層を気相成長する際に、成膜するための反応ガス及びキャリアガスの流量と濃度、チャンバ内の真空度、基板温度及び基板を回転する回転速度を制御して、半導体層の膜厚を均一にする。 （もっと読む）

【課題】被処理基板と支持基板の剥離処理を効率よく行い、当該剥離処理のスループットを向上させる。
【解決手段】剥離システム１は、剥離処理ステーション３に対して、被処理ウェハＷ、支持ウェハＳ又は重合ウェハＴを搬入出する搬入出ステーション２と、被処理ウェハＷ、支持ウェハＳ及び重合ウェハＴに所定の処理を行う剥離処理ステーション３と、搬入出ステーション２と剥離処理ステーション３との間で、被処理ウェハＷ、支持ウェハＳ又は重合ウェハＴを搬送する第１の搬送装置２０とを有している。剥離処理ステーション３は、重合ウェハＴを被処理ウェハＷと支持ウェハＳに剥離する剥離装置３０と、剥離装置３０で剥離された被処理ウェハＷを洗浄する第１の洗浄装置３１と、剥離装置３０で剥離された支持ウェハＳを洗浄する第２の洗浄装置３３とを有している。 （もっと読む）