【課題】気相成長中に基板の回転を防止することを目的とする。
【解決手段】ホルダ２に規制治具１０が設置される規制治具設置部１１を設け、規制治具１０および規制治具設置部１１の底面に基板４方向が低くなる傾斜１２を設けることにより、基板４が外側に広がるときには規制治具１０が傾斜１２を上って基板４にかかる力を緩和し、基板４と規制治具１０に隙間が生じるような動きをするときには規制治具１０が傾斜１２を下って基板４を規制することにより、基板４の破損を抑制しながら基板４の回転を防止することができる。 （もっと読む）

【課題】ウェハの均一な温度分布を実現するのに有効なサセプタと、スリップの発生を低減しつつ、均一な膜厚の膜を成膜することのできる成膜装置とを提供する。
【解決手段】サセプタ１０２は、シリコンウェハ１０１の外周部を支持するリング状の第１のサセプタ部１０２ａと、第１のサセプタ部１０２ａの外周部に接して設けられ、第１のサセプタ部１０２ａの開口部分を遮蔽する第２のサセプタ部１０２ｂとを有する。第２のサセプタ部１０２ｂは、シリコンウェハ１０１が第１のサセプタ部１０２ａに支持された状態でシリコンウェハ１０１との間に所定の間隔Ｈの隙間２０１が形成されるように配置されるとともに、第１のサセプタ部１０２ａとの間にも隙間２０１に連続し且つ所定の間隔Ｈと実質的に等しい間隔Ｈ’の隙間２０２が形成されるように配置される。 （もっと読む）

【課題】本発明は、ウェーハの跳ね現象を抑え、ウェーハ上に均一に成膜を行うとともに、歩留り、生産性の低下を抑え、半導体装置の信頼性の向上を図ることが可能な半導体製造方法および半導体製造装置を提供する。
【解決手段】本発明の半導体製造方法は、反応炉内にウェーハを搬入し、上昇させた突き上げシャフト上にウェーハを載置し、ウェーハの中心部と外周部が所定範囲の温度差となるように、ウェーハを加熱するためのインヒータと、ウェーハの外周部を加熱するためのアウトヒータを、第１の位置に配置して、突き上げシャフト上のウェーハを、インヒータおよびアウトヒータにより昇温し、突き上げシャフトを下降させて、保持部材上にウェーハを保持し、ウェーハの中心部と外周部の温度が実質均一となるように、インヒータおよびアウトヒータを第２の位置に配置して、保持部材上の前記ウェーハを所定の温度で加熱し、ウェーハを回転させ、ウェーハ上にプロセスガスを供給することを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】未処理のままのウェーハが存在するか否を確実に検出でき、また空処理等の不規則な処理にも対応することができ、従って未処理のウェーハを次工程へ送ってしまう等の損失を防止できるウェーハの処理システム及び処理システム並びにエピタキシャルウェーハの製造方法及びエピタキシャルウェーハの処理システムを提供する。
【解決手段】少なくとも、ウェーハの処理装置のロードロック室内に配したカセットに複数枚のウェーハを収納し、前記カセットから前記ウェーハを処理室に順次搬送して、該搬送した前記ウェーハに枚葉式で所定の処理を施すウェーハの処理方法において、前記カセットに移載装置によって前記ウェーハを投入する際に、前記ウェーハの投入枚数Ｎ１を計数する一方、前記カセットから前記処理室へウェーハを搬送した回数Ｎ２を計数し、前記Ｎ１と前記Ｎ２が一致するか否かを判定することを特徴とするウェーハの処理方法。 （もっと読む）

【課題】 予め定められた一方向にエンドエフェクタを移動させることで教示位置を教示可能な自動教示装置を提供する。
【解決手段】 半導体搬送ロボット１は、ハンド２と、第１及び第２光電センサ１４，１５と、制御部２８とを有する。第１及び第２光電センサ１４，１５は、ハンド２に設けられ、互いに異なる方向に延びる光軸Ｌ４，Ｌ５を有する。制御部２８は、予め定められた仮教示位置ｐ_ｃに向かってハンド２を移動させて第１及び第２光電センサ１４，１５により正教示位置ｐ_ｒに配置される冶具３１に立設されるピン３２を夫々検出させ、検出したときのハンド２の位置である第１及び第２検出位置ｐ_１，ｐ_２に基づいて正教示位置ｐ_ｒと仮教示位置ｐ_ｃとのズレ量Δｒ、Δθを演算して正教示位置ｐ_ｒを求める。制御部２８は、ピン３２を検出させる際、光軸Ｌ４．Ｌ５が延びる方向と異なる方向にハンド２を移動させる。 （もっと読む）

【課題】蓋付気相成長装置においてチャンバーの開閉に伴うチャンバー蓋の上下動に影響されることがない、被成膜物載置台上の塵埃除去を実現する。
【解決手段】本発明の気相成長装置は、チャンバー本体４とチャンバー蓋６とから構成されたチャンバー１と、チャンバー１内に配置された基板トレイ載置台９と、チャンバー１の中心軸Ｏを回転軸として、基板トレイ載置台９を回転させる回転機構１１と、基板トレイ載置台９上の塵埃を除去する掃除手段２とを備えている。掃除手段２は、基板トレイ載置台９へ延びたアーム２２と、アーム２２の一方の端部に設けられた吸引ノズル２１と、中心軸Ｏと平行な第１の方向に延びた第１の回転軸シャフト部２５をチャンバー１外部に有し、第１の回転軸シャフト部２５を回転軸としてアーム２２を回転させることにより、吸引ノズル２１を上記チャンバーの外部から内部へ、及び外部から内部へ移動させる移動機構２３とを備えている。 （もっと読む）

【課題】支持台の上に基板を置き、基板を支持台から加熱するのでなく基板より高温のガスを吹き付けることにより基板上の膜を焼成して膜を形成するとき、焼成した膜のストレスにより基板が変形したり、膜にクラックが入る。
【解決手段】基板の支持台より高温のガスの吹き付けを、一定の熱量で行った後に、その一定熱量以上の吹き付けを行う焼成熱処理を行う。熱量の差をガス温度、ガス流量、基板の移動速度、基板とガス吹き付け装置との距離の差でつけることを特徴とする。屈曲可能なシート状の樹脂基板上の膜でも熱焼成処理が可能となった。 （もっと読む）

【課題】新たな駆動系や専用の処理室を用いることなく、半導体基板２のオリエンテーションマークの向きを搬送室１内で調整することができるようにする。
【解決手段】伸縮、回転及び昇降駆動可能な搬送アーム９を備えた搬送室内１に、搬送アーム９の下降により搬送アーム９のハンド部９ｃから半導体基板２が移し置かれ、搬送アーム９の上昇により当該移し置かれた半導体基板２がハンド部９ｃへ移し返される基板支持部材１０を設ける。そして、搬送アーム９を下降させて半導体基板２を基板支持部材１０上に移し置いた状態で、オリエンテーションマークの方向に対してハンド部９ｃの向きが所定の向きとなるまで搬送アーム９を回転させた後、搬送アーム９を上昇させて、半導体基板２を基板支持部材１０からハンド部９ｃへ移し返すことができる基板搬送装置とする。 （もっと読む）

【課題】 基板裏面への温度調整ガスの流量を調整することで基板全体を均一に温度調整することができる。
【解決手段】
基板処理装置は、処理容器に設けられた基板ホルダと、基板ホルダに基板を固定するための固定装置（静電吸着装置３など）と、基板ホルダ内部に設けられ、基板の裏面側に温度調整ガスを供給するための第１ガス配管（６）と、第１ガス配管（６）より基板の内側に設けられた第２ガス配管（７）と、第１ガス配管及び第２ガス配管に設けられ、温度調整ガスの流量を調整するための第１ガス調整部（８）及び第２ガス調整部（９）と、第１ガス調整部及び第２ガス調整部のガス流量を制御する制御部（１２，１３）と、プラズマ発生手段とを備え、制御部は、プラズマ発生手段が作動したときには、第１ガス調整部及び第２ガス調整部に対してそれぞれ異なるガス流量に変更しているように制御する。 （もっと読む）

【課題】大入熱エッチング処理時における半導体ウエハの温度を、高速かつ面内均一に制御するための手段を提供する。
【解決手段】試料台１に環状の冷媒流路２が形成されている。冷媒の熱伝達率は冷媒供給口３から冷媒排出口４に向けて大きく変化することから、冷媒の熱伝達率を冷媒流路２内で一定にするために、冷媒流路２の断面積は断面積の異なる複数の流路領域で構成されている。これにより、冷媒の熱伝達率が上昇する乾き度領域において冷媒の流速を下げることで、冷媒の熱伝達率の上昇を抑制した。また、冷媒流路の断面積を減少することで、冷媒の熱伝達率の低下を抑制した。これにより、冷媒流路２内で冷媒の熱伝達率の均一化を図った。 （もっと読む）

【課題】基板の割損やずれを発生させずに，静電吸着力が残留しているか否かの判定を容易にする。
【解決手段】載置台２００の表面に設けられ，直流電圧を印加して発生した静電吸着力で載置台の表面に載置された基板を保持する静電チャック２１２と，載置台の表面から突没自在に設けられ，載置台の表面から基板を持ち上げて脱離させるリフトピン２３２と，リフトピンを昇降させるリフタ２３０と，リフトピンを上昇させる前に，リフトピンで基板を持ち上げるときのリフト推力を基板重量と同等の力に設定し，静電吸着用の直流電圧を止めて基板の電荷を除去する除電処理を実行し，リフタを駆動させて設定したリフト推力でリフトピンを上昇させる制御部３００とを備える。 （もっと読む）

【課題】フリーボールベアリングからチャンバ内への粉塵の飛散を防止することができ、しかも受け球を押さえ込んで主球の回転抵抗を増大させるための受け球押さえリングの移動抵抗を、グリスを使用しないノングリス方式にて低く抑えることができる技術の提供。
【解決手段】本体２０の球受け部２３の半球状凹面２１と主球４２との間に挿入して受け球４２を押さえ込むことで主球４２の回転抵抗を増大させるリング状の押さえ片５５を有する受け球押さえリング５０を内蔵するフリーボールベアリング１１０を台板８９ａに固定し、受け球押さえリング５０に固定されたロッド６２を移動して受け球押さえリング５０を待機位置から受け球押さえ位置に移動する押さえ用駆動装置７０が台板８９ａの裏面側に設けられているベアリングユニット、フリーボールベアリング１１０、支持テーブル、搬送設備、ターンテーブルを提供する。 （もっと読む）

【課題】本発明の態様は、かかる課題の認識に基づいてなされたものであり、被処理物を載置する側に形成された樹脂層の剥離抑制効果を向上させることができる静電チャックおよび静電チャックの製造方法を提供する。
【解決手段】誘電体基板と、前記誘電体基板の第１の主面に開口する貫通孔の開口部分に形成された第１の面取り加工部と、前記第１の主面に形成され、前記貫通孔が開口する位置に開口部を有する樹脂層と、を備え、前記樹脂層の開口部の周端は、前記第１の面取り加工部に形成されていること、を特徴とする静電チャックが提供される。 （もっと読む）

【課題】基板ホルダーが配置される真空容器内の減圧雰囲気により膨らむことがなく、被処理基板を安定に載置或いは保持することを可能とする基板ホルダーを提供する。
【解決手段】本発明の基板ホルダー１０１は、均熱用の金属性板状部材１２１或いは静電吸着用電極と、被処理基板を載置或いは保持する被処理基板載置面１６１を有し被金属材料からなる第１の母材１１２と、金属性板状部材或いは静電吸着用電極を埋め込む被金属材料からなる第２の母材１１１と、から成る基板ホルダーであって、金属性板状部材１２１或いは静電吸着用電極に複数の貫通穴１８１を厚さ方向に設け、前記貫通穴１８１を介して前記第１の母材１１２と第２の母材１１１とを接合し、金属性板状部材１２１或いは静電吸着用電極を内部に埋め込んだことを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】 成膜装置により高温に加熱された基板を搬送中に十分冷却することができる基板搬送機構を提供する。
【解決手段】 吸盤からなる第１基板保持部６２ａの列とベルヌーイチャックからなる第２基板保持部６２ｂの列とを有し基板の着脱が可能な保持体６２を備えており、搬入コンベア７０上の成膜前の基板６ａの列を第１基板保持部６２ａにより保持した状態で、トレイ４上の成膜後の基板６ｂの列を第２基板保持部６２ｂにより保持し、ついで、第１基板保持部６２ａに保持されていた成膜前の基板６ａをトレイ４上に搭載した後、搬入コンベア７０上の成膜前の基板６ａの列を第１基板保持部６２ａにより保持し、次に、第２基板保持部６２ｂに保持されていた成膜後の基板６ｂを搬出コンベア７２上に搭載する基板搬送機構。 （もっと読む）

【課題】 基材の熱伝導率よりも低い熱伝導率の膜で表面全体あるいは一部を覆うことで、被覆された部分の熱伝導を減少させ、周囲部材曲部や細部に熱応力が発生することを防止することが目的である。
【解決手段】 プラズマ環境に曝される耐食部材であって、耐熱基材１の表面の少なくとも一部を耐食性の高い膜で覆われており、前記耐熱基材１の熱伝導率よりも低い熱伝導率の膜で覆われている耐食部材である。 （もっと読む）

【課題】デバイスのサイズが小さくなるにつれ問題となる基板のムラを低減する。
【解決手段】チャンバ監視システムは、単一のセンサコントロールシステムが多数の異なる処理チャンバコントロールボードセンサ線に連結された並列アーキテクチャを含む。タコメータ等の単一の回転センサが、処理チャンバから離れた中央コントロールユニット内に存在しているため、回転データは単一のシステムにより処理され、その後、様々な異なるネットワーク通信プロトコルに従ってメインシステムコントローラ、ファクトリインターフェース又はその両方にルーティングされる。中央コントロールユニット及びチャンバコントロールボード内のプルアップネットワークをマッチさせることにより、クロウバー効果等の電気信号の異常を低減する。 （もっと読む）

【課題】半導体基板の搭載のためにホルダーが装着されるバッチ型半導体の製造装置のボートにおいて、製造が簡単な半導体基板ホルダーの製造方法及びこのホルダーを通じてよりコンパクトな半導体基板のボート搭載を遂行してその生産性が向上するバッチ式ボートとそれを用いた半導体基板のローディング／アンローディング方法並びにこれらが含まれた半導体の製造装置を提供する。
【解決手段】半導体基板の底部が安着される外周と内周大きさを有するパイプ形状のホルダー基材１０を成形し、ホルダー基材１０を半導体基板のローディング用ボートで半導体基板の配置間隔に合わせてリング形状に切断してホルダーリング１２を製作する。 （もっと読む）

【課題】装置の外径サイズを一定寸法以下に維持しつつ、生産効率及びコストパフォーマンスの高い真空装置を提供する。
【解決手段】真空排気可能なチャンバ３０と、第１及び第２トレイを、チャンバ３０の上部の第１及び第２の領域の直下に、交互に移動させるように回転する円盤状の回転機構３１とを備え、第１の領域の直下を第１及び第２トレイ１１，２１のいずれかが仕切ることにより、第１の領域がなす密閉領域を処理室２０として定義し、第２の領域の直下を第１及び第２トレイ１１，２１の他のいずれかが仕切ることにより、第２の領域がなす密閉領域をロードロック室１０として定義し、チャンバ３０の内部において、第１及び第２トレイ１１，２１をロードロック室１０と処理室２０との間を交互に搬送し、回転機構３１の載置面で規定される領域のサイズに応じて第１及び第２トレイ１１，２１のそれぞれが複数の被処理基板１０１，２０１を配列する。 （もっと読む）

【課題】 装置内部からのパーティクル飛散を防止するとともに、ＣＶＤやＰＶＤなどの腐食性ガスを使用する環境においても内部に腐食性ガスが侵入することがなく、極めて長期的に安定した耐腐食性能を得ることができるプリアライナー装置を提供する。
【解決手段】 機枠２１の内部を機枠２１に設けた排気用継ぎ手３２から真空排気などにより吸引することによって陰圧化するとともに、機枠２１の外側に外被容器１１を設け、外被容器１１には気体導入用の継ぎ手１２を設けておき、気体導入用の継ぎ手１２から清浄なエアを印加して機枠２１と外被容器１１との間の空間１４に充填することで、外被容器１１の内側を外部雰囲気３に対して陽圧とする。 （もっと読む）