【課題】搬送室の排気装置の排気能力に拘わらず、搬送室に接続可能な真空処理装置を提供する。
【解決手段】処理室１がターボ分子ポンプ１１を含む排気装置５０によって排気され、搬送室３１がターボ分子ポンプ３７を含む排気装置７０によって排気されている状態で仕切弁２２を開けて基板を搬送室３１と処理室１との間で搬送する。また、搬送室３１がメカニカルブースタポンプ４４およびロータリーポンプ４６によって数Ｐａに排気されているとき、処理室１を排気装置５０によって排気しながら仕切弁２２を開けて基板を搬送室３１と処理室１との間で搬送する。 （もっと読む）

【課題】基板表面への傷付きを防止すること。
【解決手段】基板８の斜め下側を向いた基板８裏面の周縁部を支持する複数の基板支持板５２，５３を備えた基板受け渡し機構により基板テーブル１２と基板８との隙間が制御され、基板テーブル１２には、基板受け面に配置される基板８の下側の端面を支持する基板支持突起３３と、基板支持板５２，５３を受け入れる複数の凹所３８，３９とが設けられ、基板８の受け渡し時に、搬送部４２に対して基板テーブル１２が駆動機構により進退可能に構成されているとともに、搬送部４２に対して基板支持板５２，５３が基板受け渡し機構により進退可能に構成され、基板受け渡し機構は、基板テーブル１２と基板支持板５２，５３との隙間を制御することで基板テーブル１２と基板８との隙間を制御するように構成した。 （もっと読む）

【課題】 均熱性、信頼性に優れたウェハ加熱用ヒータユニットおよびそれを搭載した半導体製造装置を提供することを目的とする。
【解決手段】 本発明のウェハ加熱用ヒータユニットは、ウェハ載置面を有する載置台と、該ウェハ載置面の反対側の面に抵抗発熱ユニットを有し、前記載置台と前記抵抗発熱ユニットを支持する支持板とから構成され、前記抵抗発熱ユニットは発熱体と該発熱体と前記載置台の間の絶縁層とからなり、前記発熱体のパターン間に介在物が存在することを特徴とする。前記発熱体と介在物とが同じ材料であることが好ましい。あるいは、前記発熱体と介在物の厚みが略同一であり、前記介在物が絶縁体であることが好ましい。あるいは、前記支持板が導電体であり、前記抵抗発熱ユニットと支持板の間に絶縁層が存在することが好ましい。 （もっと読む）

【課題】緻密な基板処理をしつつ、スループットを向上させることができる基板処理装置及び半導体装置の製造方法を提供する。
【解決手段】基板処理装置は、処理室内に設けられ、基板を支持する基板支持部と、前記基板支持部を移動する基板支持部移動機構と、前記処理室にガスを供給するガス供給部と、前記処理室のガスを排気する排気部と、前記基板支持部と対向するように設けられたプラズマ生成部と、を有する。 （もっと読む）

【課題】 各種処理における処理時間を短縮しても生産性が頭打ちになる事情を抑制できる被処理体処理装置を提供すること。
【解決手段】 複数の被処理体を搬送する第１の搬送装置３４が配置された搬送室３１と、搬送室３１の周囲に設けられ、複数の被処理体に処理を施す処理室３２と、搬送室３１と処理室３２との間に設けられ、第１の搬送装置３４が搬送してきた複数の被処理体を搬送装置３４から移載して処理室３２に搬送する第２の搬送装置３７が配置された移載室３３と、を備える。 （もっと読む）

【課題】 均熱性、信頼性に優れたウェハ加熱用ヒータユニットおよびそれを搭載した半導体製造装置を提供することを目的とする。
【解決手段】 本発明のウェハ加熱用ヒータユニットは、ウェハ載置面を有する載置台と、該載置台のウェハ載置面とは反対側の面に抵抗発熱ユニットを有し、前記載置台と抵抗発熱ユニットを支持する支持板とから構成され、前記抵抗発熱ユニットが、発熱体と該発熱体を挟み込む複数の絶縁層とからなり、前記絶縁層の少なくとも１層に溝が形成されており、前記発熱体は前記溝に収納されて、他の絶縁層によって挟み込まれており、前記絶縁層同士は互いに接着されていない部分を有することを特徴とする。前記絶縁層同士は、互いに接着されていないことが好ましい。 （もっと読む）

【課題】載置台に大きな熱応力が発生することを防止して破損を阻止し、更に載置台の裏面に被処理体の面内温度不均一性の原因となる不要な膜が付着することを防止することができる載置台構造を提供する。
【解決手段】被処理体を載置するための載置台構造において、載置台本体の上に被処理体を載置するための熱拡散板を支持させると共に、両者の境界部分にガス拡散室を設けてなる載置台と、加熱手段と、上端部が載置台の下面に接続されると共にガス拡散室に連通されてパージガスを流す１又は複数の支柱管６０と、載置台本体の側面と下面とを覆うようにして設けられた載置台カバー部材６３と、支柱管の周囲を囲むと共に上端部が載置台カバー部材に連結されて、ガス拡散室から載置台本体と載置台カバー部材との間の隙間に流れたパージガスを下方へ案内してガス出口１９６から排出する支柱管カバー部材６５とを備える。 （もっと読む）

【課題】広範囲の温度領域で使用可能であり、高温で使用する際のウェハ載置面の反りを低減した静電チャックを提供する。
【解決手段】本発明の静電チャックは、双極型の静電チャック用電極と、ヒータ用電極とを備えた静電チャックであって、誘電層の体積固有抵抗率をρ１、静電チャック用電極の双極間の体積固有抵抗率をρ２、静電チャック用電極とヒータ用電極間の体積固有抵抗率をρ３としたときに、ρ１＜ρ２＜ρ３であることを特徴とする。また、前記誘電層内の体積固有抵抗は、静電チャック用電極側からウェハ載置面に向けて順次低くなっていることが好ましい。 （もっと読む）

【課題】半導体素子の微細化に伴って半導体製造装置から発生する微細粒径異物の低減が求められており、半導体処理装置のロードロック室と大気搬送手段間の試料搬入出処理時に乾燥窒素ガスを導入することにより、ロードロック室内のガス中に残留する水分を極力排除し、減圧排気時のガスの温度変化に伴う凝縮水の発生を大幅に抑制し、凝縮水の落下による試料上の付着異物によるパターン不良を低減しつつ、試料の生産効率を向上する。
【解決手段】ロードロック室９ａと大気搬送手段間の試料搬入出処理操作に対し、乾燥窒素ガスを導入し、ロードロック室９ａ内の湿度を低減する構成とし、乾燥窒素ガスの導入時に多孔質材により構成するガス導入部材４０を試料台１４ａに対向するロードロック室蓋２１の上面に設置することにより構成する。 （もっと読む）

【課題】不測の事態によって支持ピンが折れても装置の動作停止を回避することができる支持ピンおよび当該支持ピンを備えた基板載置装置を提供する。
【解決手段】支持ピン１０は、ガラス基板を載置する基板載置台の載置面と直交する方向に基板載置台を進退可能に貫通し、載置面から上方に突出した状態で基板を支持する支持ピンであって、長手方向の中間部に設けられ、他の部分よりも径が小さいくびれ部１１と、くびれ部１１に対して長手方向の反対側に位置する二つの部分を連結する連結部材１２とを備える。 （もっと読む）

【課題】基板の位置ずれを発生させることなく，基板の裏面のキズやパーティクルの発生を防止する。
【解決手段】 基板載置台１２０の表面から突没自在に設けられ，基板載置台から基板を持ち上げて脱離させる複数のリフトピン２００と，これらリフトピンを昇降させるリフタとを備え，各リフトピンは，その先端が一方向に可動するように構成し，その可動方向が，加熱された基板を各リフトピンで持ち上げたときにその基板が冷えて収縮する方向と一致する向きに配置した。 （もっと読む）

【課題】半導体装置の軽量化を図る。
【解決手段】半導体装置の製造方法は、主面側に回路が形成された半導体ウエハの裏面にレーザー透過性の裏面保護テープ６７を貼着した状態で、裏面保護テープ６７越しに半導体ウエハの裏面にレーザー６９を照射することによって半導体ウエハの裏面にマーキングをし、そのマーキングの前又は後に、半導体ウエハを複数の半導体チップ１１に個片化し、マーキング及び個片化の後に、複数の半導体チップ１１を裏面保護テープ６７から剥離することとした。 （もっと読む）

【課題】 大型の基板保持体であっても、所定の温度まで加熱することができ、かつ大型化した基板載置面の温度均一性を確保することが可能な基板保持体を提供する。
【解決手段】 本発明の基板保持体は、被処理物である基板を載置する基板載置面と、基板載置面の反対側の面あるいは内部に抵抗発熱体回路を有しており、該抵抗発熱体回路は、発熱部、および発熱部に電力を供給する非発熱部とからなり、前記発熱部と前記非発熱部との境界部分が、前記基板保持体の中心に対して略対称な位置に１組または２組以上の対となって存在しており、前記抵抗発熱体回路は、前記境界部分それぞれにおいて２個の回路に分岐することにより、対となる境界部分同士の間で並列回路をなし、前記並列回路それぞれにおいて、並列をなす２個の回路の抵抗値が、該２個の回路の抵抗値の平均値に対して、±１０％の範囲内で略等しい抵抗値を持つことを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】ドライクリーニング処理回数を抑制したり、或いはドライクリーニング処理自体をなくして原料自体の回収や原料に含まれる金属の回収を効率的に且つ低コストで行うことが可能な載置台構造を提供する。
【解決手段】真空排気が可能になされた処理容器内で有機金属化合物の原料よりなる原料ガスを用いて薄膜を表面に形成するための被処理体Ｗを載置する載置台構造２２において、被処理体を載置すると共に内部に加熱ヒータ２６が設けられた載置台本体１１４と、載置台本体の側面と底面とを囲んだ状態で載置台本体を支持すると共に内部に冷媒を流す冷媒通路２８が設けられて、原料ガスの分解温度未満で且つ固化温度又は液化温度以上の温度範囲に維持された基台１１６とを備える。これにより、ドライクリーニング処理自体をなくすなどして原料自体の回収や原料に含まれる金属の回収を効率的に行う。 （もっと読む）

【課題】製品の生産性を低下させることなく熱拡散板の亀裂やひび割れ等の割れを迅速に且つ容易に検出することができる割れ検出装置を提供する。
【解決手段】
処理すべき被処理体Ｗを載置するための熱拡散板６１を有する載置台５８を処理容器２２の底部から支柱６０により起立させて設けてなる載置台構造の割れを検出する割れ検出装置において、処理容器の外部に設けられる振動検出手段２０２と、振動検出手段で得られる信号中から熱拡散板の割れ態様に応じて発生する振動数の信号である割れ振動信号を検出する割れ検出手段２０４とを備える。これにより、製品の生産性を低下させることなく熱拡散板の亀裂やひび割れ等の割れを迅速に且つ容易に検出する。 （もっと読む）

【課題】アーム部自体の温度上昇を抑制して搬送精度を高く維持することが可能な搬送機構を提供する。
【解決手段】処理容器５６内で被処理体Ｗに熱処理を施す処理装置に対して被処理体を搬出入させる搬送機構において、複数のアーム９４、９６、９８を有して屈伸及び旋回が可能になされたアーム部３６Ａ、３６Ｂと、アーム部の先端に連結されて被処理体を保持するフォーク部３８Ａ、３８Ｂと、アーム部の内で処理容器内に侵入する部分に設けた熱遮蔽板１０４とを備える。これにより、アーム部自体の温度上昇を抑制して搬送精度を高く維持する。 （もっと読む）

【課題】 簡易な構成で、熱負荷によるガラス基板の割れなどを誘発することなく、１枚のガラス基板から複数枚のパネルを省エネルギーのもとに調製することを可能にする、基板への蒸着被膜の形成方法および当該方法を実施するための搬送トレイを提供すること。
【解決手段】 搬送トレイを、四角形状の枠体と、枠体の対向する枠辺と枠辺の間に、その両端を枠体の各枠辺と弾性部材を介して連結することでテンションを付加して架設した薄体状部材とから構成し、複数本の薄体状部材を、基板が搬送トレイに載置されている状態を形成するための保持部材として機能させるとともに、基板における２つ以上の蒸着被膜形成領域を画定するためのマスク部材として機能させる。 （もっと読む）

【課題】基板移載時におけるトレイへの基板移載機構の精度が低い場合においても、トレイに対して基板を常に安定して保持させることができるようにし、基板搬送時のトレイからの基板のずれ、破損、脱落の発生を抑制すること。
【解決手段】本発明の一実施形態では、第一のトレイ106に基板102が搭載された際に与圧機構が基板102に圧力を与えて第一のトレイ106が基板102を保持した状態とし、この第一のトレイ106を第二のトレイ107に装着し、第二のトレイ107を斜めの姿勢にして搬送機構がプロセスチャンバー109に搬送する。プロセスチャンバー109では、減圧下でガスが導入され、基板102上に薄膜を堆積させる。 （もっと読む）

【課題】処理室が連結されている搬送機構部に、複数の真空ロボットが配され、複数の真空ロボット間で被処理体の受け渡しが行われる線形ツールの真空処理装置において、効率の良い搬送の制御方法を提供する。
【解決手段】複数の制御方法を備え、被処理体の処理時間から搬送ロボットが律速となるか、処理室が律速となるかを判定し、その律速する部位に応じた制御方法に切り替える手段を備えた真空処理装置を提供する。 （もっと読む）

【課題】搬送により発生するパーティクルが基板へ付着するのを広範囲にわたり低減させ、メンテナンス時、低減させたパーティクルの処理を容易にできる基板処理装置を提供することにある。
【解決手段】処理基板をトレイに搭載した状態で、排気可能な処理室の間を、トレイごと搬送しながら処理基板に処理室内で所定の処理を施す基板処理装置であって、トレイの搬送路の下方に、該トレイの搬送路の方向に沿って同じ磁極で向き合う磁性体を配置し、かつ、その上を非磁性材料からなる部材で覆われているパーティクル吸着体が備えられていることを特徴とする。 （もっと読む）