【課題】均熱性の良好なウェハ支持部を提供する。
【解決手段】ウェハ支持部材１０は、基体３と、絶縁体５と、基体と絶縁体とを接合する接合層９０とを具備したウェハ支持部材であって、接合層は、第１の層９１と該第１の層よりも絶縁体側に位置する第２の層９２とを有する複数の層の積層構造であり、第１の層と第２の層との熱伝導率が異なることから、ウエハを載置する面の均熱性を良好にできる。 （もっと読む）

【課題】プラズマにおいて、ガラス基板などの絶縁性基板を短時間で加熱して静電吸着させることが可能な静電吸着方法を提供することである。
【解決手段】静電吸着機構を備えたプラズマ処理装置において、静電吸着機構に絶縁性基板を載置して、高周波電力を印加して絶縁性基板に面した空間にプラズマを形成する。該プラズマによって静電吸着機構を不必要に加熱することなく、被処理基板のみを急速に加熱することが出来る。これにより絶縁性基板の静電吸着を短時間で行うことが可能となる。 （もっと読む）

【課題】各種電子装置の製造で、基板に対して加熱処理や成膜処理等の表面処理を施す真空処理装置の基板の搬送方法であって、基板移載時におけるトレイへの基板移載機構の精度が低い場合においても、トレイに対して基板を常に安定して保持させることが可能な基板の搬送方法を提供する。
【解決手段】基板処理装置の設置面に対して水平の位置にある第一のトレイに基板を搭載し保持するステップと、基板を保持した第一のトレイを設置面に対して鉛直方向に傾いた第二のトレイに装着するステップと、第一のトレイが装着された第二のトレイを、基板処理装置が有する減圧したチャンバー内に搬送機構により搬送するステップと、を有することを特徴とする基板の搬送方法である。 （もっと読む）

【課題】大型の基板であっても、安定して搬送することができ、同時に、搬送する基板の下方に充分なスペースを確保することができる搬送機構を提供することにある。
さらに、係る搬送機構によって基板を安定に搬送しながら効率良く真空処理を行いうる真空処理装置を提供することにある。
【解決手段】駆動軸に回転運動を付与する駆動系と、駆動軸に該駆動軸の中央に最も径が大きいコロを有するローラーとを具備し、ローラーに接触する金属ベルトを、駆動系でローラーを回転させることにより進行させて、金属ベルト上の被搬送物を順次移送させることを特徴とする搬送機構であり、及びそれを備えた真空処理装置である。 （もっと読む）

【課題】基板を効率良く冷却して基板処理のスループットを高くすることができるロードロック装置を提供すること。
【解決手段】真空室に対応する圧力と大気圧との間で圧力を変動可能に設けられた容器３１と、容器３１内にパージガスを供給するパージガス供給機構４８と、容器３１内を排気する排気機構４４と、容器３１内が真空室５と連通した際に容器３１内の圧力を真空室５に対応する圧力に調整し、容器３１内が大気雰囲気の空間と連通した際に容器３１内の圧力を大気圧に調整する圧力調整機構４９と、容器３１内に設けられ、基板が近接配置されまたは載置されて基板を冷却する冷却部材３２と、冷却部材３２に近接配置されまたは載置された基板に対向する位置に設けられ、基板の輻射熱を吸収する吸熱層６１とを具備する。 （もっと読む）

【課題】静電チャックの表面の一部でチップ等を吸着することが可能な静電チャックを提供すること、または、半導体チップ等を、配列を異ならせて移載する半導体装置の製造方法を提供すること。
【解決手段】本発明は、静電引力を発生させる電極１８を有する複数の吸着領域Ｒ１〜Ｒ４と、前記複数の吸着領域Ｒ１〜Ｒ４それぞれに対し、他の吸着領域Ｒ１〜Ｒ４と独立して、その静電引力を制御する制御部２４と、を具備する静電チャック装置である。 （もっと読む）

【課題】ウエハの処理の効率または装置への作業の効率を向上させた真空処理装置を提供する。
【解決手段】減圧された内部に供給された処理用ガスを用いて生成したプラズマを用いて前記内部に配置された試料を処理する真空容器と、雰囲気圧下で前記真空容器と連結されて配置されこの真空容器で処理される試料がその内部の空間で搬送される搬送容器５と、この搬送容器５内に前記雰囲気の流れを生成するための送風機及び前記搬送容器５に配置された排出口と、前記搬送容器５内の前記流れ中に配置され前記真空容器で処理された後の試料が収納される収納容器と、この収納容器内の気体を排気する排気手段とを備えた試料処理装置。 （もっと読む）

【解決手段】絶縁体層とこの絶縁体層内に設けられた電極とを有する静電チャックの被吸着体と接触する表面に、
(A)オルガノポリシロキサン、
(B)Ｒ₃ＳｉＯ_1/2単位（Ｒは一価炭化水素基）とＳｉＯ₂単位を主成分とし、Ｒ₃ＳｉＯ_1/2単位とＳｉＯ₂単位とのモル比［Ｒ₃ＳｉＯ_1/2／ＳｉＯ₂］が０．５〜１．５で、かつ１×１０^-4〜５×１０^-3ｍｏｌ／ｇのビニル基を含有するシリコーン樹脂質共重合体、
(C)オルガノハイドロジェンポリシロキサン、
(D)有機過酸化物
を含有してなるシリコーンゴム組成物の硬化物からなるシリコーンゴム層を形成してなる静電チャック。
【効果】本発明はウエハとの密着性がよく、冷却性能に優れるため、半導体集積回路の製造においてウエハの保持が必要となる工程、特に、プラズマエッチング工程やイオン注入工程、スパッタリング工程において、ウエハの温度を精度よく均一かつ一定に保つことができるため、高精度の加工を行うのに有用である。 （もっと読む）

【課題】ダミーウェハを適切に使用することで生産処理とダミー処理とを効率よく実行する基板処理装置を提供する。
【解決手段】ダミー基板と製品基板とを含む基板に処理を施す複数の処理室と、前記各処理室へ基板を基板保持部に保持して搬送する第一搬送手段を備えた第一搬送室と、大気圧状態で基板を搬送する第二搬送手段を備えた第二搬送室と、前記第一搬送室と前記第二搬送室を連結する減圧可能な予備室と、前記搬送室と前記予備室に対して設けられる排気手段と、複数の基板が収納された基板収納手段と前記処理室との間の前記第一搬送手段および前記第二搬送手段の搬送を制御する制御手段とを設けた基板処理装置である。前記制御手段は、複数のダミー基板の使用状態を個別に管理し、ダミー基板の使用状態が予め定められた使用状態に達したか否かを判定する。 （もっと読む）

【課題】メインコントローラの起動後に必要に応じて破損ファイルの発生を操作画面に表示し、警告を促すことで安全性を向上した基板処理装置を提供する。
【解決手段】基板処理装置１のメインコントローラ２４０は、立ち上げ時にレシピ実行時に使用されるパラメータファイルの破損を発見した場合、起動後に破損ファイル一覧ダイアログを操作端末２４１に表示するとともにレシピを実行させないように構成される。もし、レシピ開始ボタンが押されたとしても、アラームメッセージが表示されるだけであり、レシピ開始ボタンは無効となる。 （もっと読む）

【課題】搬送手段によりウエハを搬送する製造ラインであって、制御がより簡単な製造ラインを提供する。
【解決手段】循環する経路に沿ってウエハを搬送する搬送手段と、複数の加工装置と、各ウエハの周回数をカウントする周回数カウント手段と、加工を行う周回数を記憶している記憶手段と、制御手段を備えている。前記経路上には、加工装置毎に判定領域が設けられている。制御装置は、各加工装置と搬送手段を、（１）判定領域内に位置するウエハの周回数がその判定領域に対応する加工装置で加工を行う周回数と一致しているときに、その加工装置によって加工を行ってからそのウエハを下流側に送り出し、（２）判定領域内に位置するウエハの周回数がその判定領域に対応する加工装置で加工を行う周回数と一致していないときに、その加工装置によって加工を行わないでそのウエハを下流側に送り出すように制御する。 （もっと読む）

【課題】材料の遅延時間を監視することで、次工程での材料処理のスケジュールを調整可能にする基板処理システムを提供する。
【解決手段】基板を処理する基板処理装置１００と、前記基板処理装置１００の少なくとも一台に接続される管理装置１０を含む基板処理システムであって、基板処理装置１００は、少なくとも基板処理の遅延許容時間を設定する操作画面を有し、材料処理の遅延時間を監視する遅延時間監視処理プログラムを実行して、前記基板処理装置１００における材料処理の遅延時間が遅延許容時間を超えた場合に警告を発すると共に管理装置１０に通知される。 （もっと読む）

【課題】 容易に構成情報を設定する。
【解決手段】 本発明は、搬送チャンバに識別情報を容易に設定可能な識別情報設定装置、および識別情報設定方法を提供する。本発明の一実施形態では、記憶装置５０４は、搬送ロボットを有する搬送チャンバを配置可能な各位置に対し予め設定したフィールド識別情報を格納する。実際に搬送チャンバを配置させる位置及び当該搬送チャンバの情報を指定情報として、受け付ける。実際に配置させる搬送チャンバと識別情報との対応を格納する。
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【課題】基板のプラズマ処理において、動的な温度制御能力を有する基板支持体を提供する。
【解決手段】プラズマ処理装置に用いられる基板支持体４０であって、金属熱伝達部材４８と、基板支持表面を有した上に位置する静電チャック５０と、を備え、前記熱伝達部材４８は、当該熱伝達部材４８に加熱及び冷却の少なくとも一方を行うために、それを通して液体が循環される少なくとも１つの流路を有する。前記熱伝達部材は、小さい熱質量を有し、プラズマ処理の間に、前記基板温度を急激に変化させるように、前記液体によって所望の温度に急激に加熱及び／又は冷却することが出来る。 （もっと読む）

【課題】放電開始直後に基板に位置ずれが発生しても，それを早期に検出して直ぐに処理を中止することで，異常放電による載置台の損傷を極力防止する。
【解決手段】伝熱ガスの供給開始で一時的に上昇した伝熱ガスの流量が低下して安定するよりも前に所定の調圧終了基準値以下になると，処理容器内に高周波電力を供給して放電を開始し，基板保持面上の被処理基板上に処理ガスのプラズマを発生させる放電ステップとを有し，上記放電ステップにおいて，流量センサで検出した伝熱ガス流量が所定の閾値を超えたときに基板ずれありと判定する判定ポイントを伝熱ガス流量が安定する前の時点において複数設け，各判定ポイントごとに閾値を設定することによって，伝熱ガス流量の安定を待たずに基板ずれ判定を行う。 （もっと読む）

【課題】ハロゲン系腐食性ガス及びそのプラズマ中で用いられ、十分な吸着力を有し、しかも該吸着力が面内で均一であり機械的強度に優れ、残留吸着力の低い静電チャック及びその製造方法を提供する。
【解決手段】酸化イットリウムアルミニウム結晶相（Ａ）又は酸化イットリウムアルミニウムのイットリウムの一部をイットリウムでない希土類元素で置換してなる結晶相（Ｂ）と、イットリウムを除く希土類元素−アルミニウム酸化物結晶相（Ｃ）とを含む複合酸化物焼結体を含み、Ｘ線回折プロファイルに基づき所定の式で算出される結晶相（Ｃ）の含有率が０．０５％以上１０％以下である静電チャック及びその製造方法である。 （もっと読む）

【課題】 基板搬送用ロボットのフィンガーの変形を精度よく検出する。
【解決手段】 基板を保持可能なフィンガーを有した基板搬送用のロボット、及び、前記ロボットにより基板を搬出入させるための基板搬送口を備えた搬送チャンバと、前記基板搬送口に着脱可能に接続され、前記搬送チャンバ内部に連通する開口を有し、外部に対して密閉された内部空間を形成する筐体、及び、前記内部空間に挿入される前記フィンガーの変形を検出するための変位センサを備えたセンシングポートと、前記搬送チャンバに設けられる排気口を介して、前記搬送チャンバ及び前記筐体内部を排気する排気手段と、前記排気手段により前記搬送チャンバ及び筐体内部を減圧させた状態で、前記筐体の内部空間に挿入されたフィンガーの形状の前記変位センサによる検出結果を取得する制御手段と、を備える。 （もっと読む）

【目的】ウェハに反りがある場合に短時間の紫外線照射で良好に紫外線剥離テープを剥離できる半導体装置の製造方法およびその製造装置を提供することである。
【解決手段】ウェハ１に反りがある場合でも紫外線透過板１４でウェハ１の反りを矯正し、ウェハ１に貼り付けた紫外線剥離テープ８に紫外線１２を均一に照射することで、紫外線光源１３と紫外線剥離テープ８の距離Ｌを短縮できる。また、紫外線透過板１４で紫外線光源１３の熱を遮蔽することで、ウェハ１の温度上昇を抑制することができる。その結果、ウェハ１の温度上昇を抑制しつつ、短時間の紫外線照射で接着剤の残渣がなく紫外線剥離テープ８をウェハ１から良好に剥離することができる。 （もっと読む）

【課題】基板のセット時や搬送時の衝撃により被処理基板の被処理面に傷や割れが発生することを抑制できる基板ホルダー及び基板搬送装置を提供する。
【解決手段】被処理基板を支持するホルダー本体が、被処理基板Ｓの被処理面を露出させる第１開口２１２を有し、被処理基板Ｓの被処理面側の外周部に当接するマスク部材２１と、第１開口よりも広い第２開口１１３を有し、マスク部材の外周部に当接して被処理基板の被処理面を第１開口を介して第２開口から露出させた状態でマスク部材を支持して被処理基板を支持する支持部材１１と、支持部材とマスク部材とが当接する領域に設けられた衝撃吸収性を有する緩衝材１２とを備える。基板搬送装置はこれを有する。 （もっと読む）

【課題】高温ウエハを急速冷却し、ウエハズレ起因の異物発生を防止及び抑制できる真空処理装置及び処理方法を提供する。
【解決手段】本発明は被処理体を処理する処理室と、前記処理室で処理された高温の前記被処理体を冷却する冷却室と、真空搬送ロボットを内部に設置し前記処理室と前記冷却室とを接続した真空搬送室とを備える真空処理装置において、前記冷却室は、前記冷却室内を減圧にする排気手段と、前記冷却室にガスを供給するガス供給手段と、前記冷却室内の圧力を制御する圧力制御手段と、前記高温の被処理体を支持する支持手段と、前記支持手段に支持された被処理体を近接保持する載置台とを具備し、前記載置台は、前記載置台表面の温度を前記高温の被処理体を冷却できる温度に温調する温調手段を有し、前記支持手段は昇降速度可変手段を有することを特徴とする真空処理装置である。 （もっと読む）