【課題】パワー系半導体のメタル電極製造工程に於いて、薄膜化されたウエハの熱処理等の反りによる搬送ミスやウエハクラックを防止する製造方法を提供する。
【解決手段】半導体ウエハ１の裏面研削後に、ウエハを予熱した状態でスパッタリング成膜によりメタル膜を成膜するに際して、ウエハを円環状のサセプタに収容して処理するものであって、その円環の放射状垂直断面は、半導体ウエハの表面の周辺部を重力に対して保持する水平に近い第１の上側表面４１と、第１の上側表面に続いて、その外側にあって、半導体ウエハの側面を横ずれに対して保持する垂直に近い第２の上側表面４２を有するものである。 （もっと読む）

【課題】膜はがれの原因になる膜を付着しにくくすることができる基板保持装置を提供すること。
【解決手段】実施形態の基板保持装置は、スパッタ膜を生成する際に基板の裏面が載置される基板載置部と、前記基板載置部の底面よりも大きな上面を有するとともに、前記上面で前記基板載置部を前記基板載置部の底面側から支える支持部と、前記基板載置部の側面部と、前記支持部の上面のうち前記基板載置部の底面を支持していない外周部と、を覆うように前記支持部の上面に載置される環状のカバー部と、を備えている。そして、前記基板載置部の側面部は、前記基板載置部の上面側から所定の深さ方向に向かって外径寸法が小さくなる逆テーパ状に形成されている。 （もっと読む）

【課題】サセプタの撓みによるエピタキシャル膜面内の抵抗のばらつきを抑制しつつ、パイロメーターによるサセプタ裏面の温度検出の精度も確保して、高品質のエピタキシャル膜を形成できるエピタキシャル成長装置用サセプタサポートシャフトを提供する。
【解決手段】本発明のサセプタサポートシャフト１０３は、エピタキシャル成長装置内でサセプタ１０２を下方から支持するサセプタサポートシャフト１０３であって、前記サセプタ１０２の中心とほぼ同軸上に位置する支柱１０７と、該支柱１０７から前記サセプタ１０２の周縁部下方へ放射状に延びる複数本のアーム１０８と、隣接する該アーム１０８の先端同士を接続するアーム接続部材１０９と、該アーム接続部材１０９から延び、前記サセプタ１０２を支持するｎ本（ｎは４以上の自然数）の支持ピン１１０と、を有し、前記アーム１０８が（ｎ-１）本以下であることを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】パーティクルの発生や基板処理への構造物の影響が抑制され、基板温度制御性が改善され、さらに量産装置に対応し基板の脱着が容易な基板トレイを提供する。
【解決手段】基板を搬送し処理する間、基板を保持するための基板トレイであって、前記トレイは、トレイ本体と、基板を載置するための基板載置部を備えた基板載置板とからなり、前記トレイ本体は開口を有し、前記トレイ本体は該開口の端部に前記基板の周端部を保持する基板保持部を備えており、更に、前記基板載置板を前記トレイ本体に保持すべく、前記トレイ本体には、前記基板保持部より外側に磁石を配設したこを特徴とする基板トレイ。 （もっと読む）

【課題】吸着対象物を安定して吸着保持でき、かつ、放電が発生し難い基板温調固定装置を提供すること。
【解決手段】本基板温調固定装置は、基体に内蔵された電極に電圧を印加して吸着対象物を前記基体上に吸着保持する静電チャックと、接着層を介して前記静電チャックを固定するベースプレートと、前記電極と電気的に接続された給電部と、前記給電部を保持する保持部と、を有する基板温調固定装置であって、前記保持部は、保持部本体と、封止部と、を有し、前記保持部本体は、前記ベースプレートに固定され、前記接着層の反対側に開口する凹部と、前記凹部内から前記接着層側に貫通する貫通孔と、を備え、前記給電部は、電極ピンと、電線と、を有し、前記電極ピンは、前記凹部内に固定され、前記電線は、前記接着層内、前記貫通孔内、及び前記凹部内に配線されて、前記電極と前記電極ピンとを電気的に接続し、前記封止部は、少なくとも前記凹部に充填されている。 （もっと読む）

【課題】半導体ウェハを傷つけることなく、半導体ウェハの裏面に材料が堆積されることを抑制することができる半導体ウェハカバーを提供する。
【解決手段】半導体ウェハカバーは、第１のカバー部と、第２のカバー部とを備える。第１のカバー部は、半導体ウェハの表面を露出させつつ半導体ウェハの裏面の少なくとも外縁部を被覆するように半導体ウェハを収容し、半導体ウェハの裏面の中心部分において第１の開口部を有する。第２のカバー部は、第１の開口部に嵌合し、半導体ウェハの裏面の中心部分を被覆する。第１の開口部の径が半導体ウェハの搭載面から半導体ウェハの非搭載面に向かって小さくなるように該第１の開口部の内側面はテーパーを有する。 （もっと読む）

【課題】磁性シートを円滑に移載することができる磁性シートの移載システム、キャリア及び磁性シートの移載方法を提供する。
【解決手段】本発明の一実施形態に係るキャリア１０は、第１の非磁性基板１１と、第２の非磁性基板１２と、磁石１３とを有する。第１の非磁性基板１１は、磁性シートＭを支持する第１の面１１ａとこれとは反対側の第２の面１１ｂとを有する。第２の非磁性基板１２は、第２の面１１ｂに対向し、磁石１３は、第２の非磁性基板１２に固定され、第１の面１１ａに磁場を形成する。第１の非磁性基板１２は、第２の非磁性基板１２と近接した第１の支持位置と第２の非磁性基板１２から離間した第２の支持位置との間を移動可能に構成され、第２の支持位置で第２の非磁性基板１２からウェーハカセットへ磁性シートとともに移載される。 （もっと読む）

【課題】プラズマＣＶＤによって基板上に薄膜を形成するプラズマＣＶＤ成膜処理において、基板搭載部への薄膜成分の吸着確率を低くし、基板上の薄膜成膜に対する影響を低減する。
【解決手段】基板搭載部の基板を搭載する上表面を平滑面とすることによって、基板搭載部への薄膜成分の吸着確率を低くし、基板上の薄膜成膜に対する影響を低減する。基板搭載部は基板を保持する保持部材を備え、保持部材の表面の内、基板と搭載する上表面は、基板を搭載した状態において少なくとも基板で覆われずに露出する部分を平滑面とする。保持部材の上表面を平滑面とすることによって、基板搭載部への薄膜成分の吸着確率を低くする。 （もっと読む）

【課題】基板を均一に処理するために有利な処理装置を提供する。
【解決手段】処理装置は、処理空間において基板を支持する基板支持部と、前記処理空間を外部空間から仕切る仕切り部材３０，４２と、前記処理空間にガスを供給するための環状ガス流路９０とを備える。環状ガス流路９０の前記処理空間への出口は、環状スリットであり、環状ガス流路９０に対して供給されるガスが環状スリットを通して前記処理空間に供給される。 （もっと読む）

【課題】地震等による破損の発生を防止する。
【解決手段】ボート２１７を支持する断熱筒２１８を有する基板処理装置において、断熱筒２１８をボート２１７の下に締結される上筒１０と、上筒１０の下に締結される下筒２０とから構成する。上筒１０はボート２１７と同質の炭化珪素で同径の円筒形状に形成し、ボートの下側端板２１７ａに炭化珪素のボルト１８によって締結する。下筒２０は石英で上筒１０と同径の円筒形状に形成し、上筒１０の上に印籠結合するとともに、ボルト２６によって締結する。ボルト２６は石英で形成し、基端部にねじ部２７、先端部にねじ部の無い接触部２８を形成する。ボルト２６は下筒２０に等間隔に突設された固定片２４のねじ孔２５にねじ部２７をねじ込み、接触部２８を上筒１０の側壁１１の熱通し孔１３の内周面に接触させる。 （もっと読む）

【課題】真空処理室に設けられる基板載置台の表面部の状態の確認や当該表面部の交換を行うことによる真空処理の停止時間を短くすると共に、前記表面部の状態を精度高く管理すること。
【解決手段】基板が搬送される常圧雰囲気の常圧搬送室と、常圧搬送室とロードロック室を介して接続される真空処理室と、前記真空処理室に設けられ、本体部と、当該本体部に対して着脱自在な表面部とを有する基板載置台と、前記ロードロック室または常圧搬送室に設けられ、前記表面部を収納するための保管部と、常圧搬送室からロードロック室を介して真空処理室へ基板を搬送し、また前記保管部と前記真空処理室の本体部との間で前記表面部を搬送するための搬送機構と、を備えるように基板処理装置を構成する。これによって真空処理室の大気開放を防ぐと共に表面部の状態の確認が容易になるので当該表面部を精度高く管理することができる。 （もっと読む）

【課題】
本発明の実施形態では、ずれを防止し、取り替え作業を容易に実施できる保護層を有した載置台を提供する。
【解決手段】
載置台１０は、ウェーハＷを載置する載置面４を有する電極本体２と、前記載置面４に設けられ、紫外光を照射されることによって前記載置面４に対する粘着力が可変となる着脱自在な保護層３とを有することを特徴とする。また、載置台１０をプラズマ処理装置１００に適用し、プラズマ発生時の紫外光を用いて、保護層３の粘着力を可変とする。 （もっと読む）

【課題】 真空排気系が簡素化された、しかもコストの安いマルチチャンバー型真空処理装置を提供する。
【課題を解決するための手段】 被処理物１を搬入・搬出するロードロック室３と前記ロードロック室３及び所定の処理をするプロセス室４と、該プロセス室４に隣接して、前記被処理物１を前記プロセス室４との間で搬送するセパレーション室５を備えたマルチチャンバー型真空処理装置であって、真空排気装置として、前記プロセス室４には粗排気装置だけを備え、前記セパレーション室５には高真空排気装置と粗排気装置を備えている。 （もっと読む）

【課題】ウエハの温度を精度良く制御する方法を提供する。
【解決手段】ウエハの裏面膜の種類の測定結果を取得する取得ステップと、チャンバ内に投入されるパワーと裏面膜の種類とウエハの温度とを対応付けて記憶した第１のデータベース３３０から、前記測定結果であるウエハの裏面膜の種類と、前記ウエハを処理するために投入されるパワーとに対応したウエハの温度を選択する選択ステップと、前記選択されたウエハの温度に基づき、前記ウエハの温度を調整する調整ステップと、を含むことを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】占有スペースの削減、装置全体としての動作不能時間の短縮を可能にし、基板処理のスループットを向上させることができる基板処理装置を提供する。
【解決手段】基板を減圧雰囲気下で処理する複数の処理室が周囲に設けられており、該処理室との間で基板を搬入出する搬送機構を内部に有する複数の真空搬送室と、各真空搬送室に夫々設けられたロードロック室と、外部から供給された基板を一の前記ロードロック室へ搬送する第１大気搬送機構と、該第１大気搬送機構から基板を受け取り、受け取った該基板を他の前記ロードロック室へ搬送する第２大気搬送機構とを備え、前記第２大気搬送機構を前記一のロードロックが設けられている真空搬送室の上側又は下側に配し、前記複数の真空搬送室を、前記第２大気搬送機構による基板の搬送方向に沿って直列的に配する。 （もっと読む）

【課題】加熱された基板を、より均一かつ迅速に冷却する冷却方法、および真空処理装置を提供する。
【解決手段】実施形態の基板冷却方法は、減圧状態が維持可能な処理室において加熱された基板を、前記処理室から減圧状態が維持可能なロードロック室内に搬送するステップと、前記ロードロック室内に搬送された前記基板の外周を前記ロードロック室内に設けられたガイド機構に支持させるステップと、前記ガイド機構に支持された前記基板の主面に冷却体を接触させずに接近させて、前記基板の温度が前記ロードロック室内に搬送された直後の温度Ｔ_１よりも低い温度Ｔ_２になるまで前記基板を冷却するステップと、を備える。 （もっと読む）

【課題】大気開放の時間を短縮し、スループットを向上させた基板処理装置を提供する。
【解決手段】本発明の基板処理装置１は、チャンバ１１と、前記チャンバ内に配され、基板２が載置されるステージ１２と、ガス供給ライン１３ａを通じて、前記チャンバ内に所定のガスを導入するガス供給手段１３と、前記チャンバ内の圧力Ｐ_１ を検出する圧力センサ１５と、前記ガスの導入圧力Ｐ_２ を制御する制御手段１６と、を備え、前記ガス供給手段が、前記チャンバ内に所定のガスを導入圧力Ｐ_２ で導入して前記チャンバを真空状態から大気開放する際に、前記圧力センサは、チャンバ内の圧力Ｐ_１ を検出し、前記制御手段は、前記Ｐ_１ に対して、前記Ｐ_２ と前記Ｐ_１ との差が略一定となるように、前記Ｐ_２ を制御すること、を特徴とする。 （もっと読む）

【課題】基板を一部はみ出させた状態で支持し、該基板の側面に接して囲むように、主面に保持部を設けたトレイが備えられた、半導体製造装置を提供する。
【解決手段】プロセス処理を行うチャンバ１０１と、チャンバ１０１内に配され、平坦な一面１０２Ｓを有する支持台１０２と、一方の主面１０３Ｓが、支持台の一面１０２Ｓに接して重なるように載置される、一枚の平板状のトレイ１０３と、を有し、トレイの他方の主面１０３Ｔに複数のウェハ状の基板１０４が載置され、基板１０４の非処理面１０４Ｂの一部が少なくともトレイの他方の主面１０３Ｔと非接触の領域Ｒ２をなすように、トレイ１０３の形状が規定され、トレイの他方の主面１０３Ｔのうち、基板の非処理面１０４Ｂが接していない領域に、基板の側面に接して囲むように基板の保持部１０５が設けられている、ことを特徴とする半導体製造装置１００。 （もっと読む）

【課題】被処理体に対する処理効率を向上させることができる生産効率化装置を提供する。
【解決手段】被処理体を処理する複数の処理装置２との間で情報を通信する第１通信手段と、前記複数の処理装置２間で被処理体を搬送する搬送装置３２を有する搬送システム３との間で、該搬送装置３２の制御に関わる制御情報を通信する第２通信手段と、前記第１通信手段にて通信した情報に基づいて、該情報の通信先の処理装置２が処理済の被処理体に対する搬出および未処理の処理体の搬入を要する搬送時機を予測する手段と、該手段が予測した搬送時機に前記情報の通信先の処理装置２へ前記搬送装置３２が到着するように前記搬送システムへの制御情報を生成する生成手段とを生産効率化装置１に備える。 （もっと読む）

【課題】トレイに対するマスクの位置ずれをより正確に検知する。
【解決手段】真空処理装置は、基板を真空処理する真空処理室と、前記基板と、前記基板を載置可能なトレイと、前記トレイに載置されるマスクと、からなる組体と、前記組体を前記真空処理室内に搬送する搬送アームと、前記真空処理室内に設置され、前記組体を支持する支持台と、前記真空処理室内に設置され、前記搬送アームと前記支持台の間で前記組体を移動させるリフタと、を備え、前記組体の状態を検出可能な複数の検出手段を有し、前記検出手段からの複数の検出結果によって前記マスクと前記トレイとの位置がずれた状態と判断する判断手段が設けられている。 （もっと読む）