【課題】静電チャック部と温度調整用ベース部との間の絶縁破壊を防止し耐電圧性を向上させ、静電チャック部の板状試料の載置面の面内温度の均一性を向上させると共に、静電チャック部に設けられた加熱部材の耐電圧性を向上させることができる静電チャック装置を提供する。
【解決手段】本発明の静電チャック装置１は、表面を板状試料Ｗを載置する載置面とするとともに静電吸着用内部電極１３を内蔵した静電チャック部２と、この静電チャック部２を所望の温度に調整する温度調整用ベース部３とを備え、この静電チャック部２の下面にシート状の接着材４を介してヒータエレメント５が接着され、このヒータエレメント５が接着された静電チャック部２と温度調整用ベース部３とは、有機系接着剤層８及びシート状の絶縁部材７を介して接着一体化されている。 （もっと読む）

【課題】エピタキシャルウェーハの外周部の厚さを容易且つ適切に制御することのできる技術を提供する。
【解決手段】エピタキシャル層を生成する際における、ウェーハＷを載置するためのサセプタ２６の外周部の高さ位置から、サセプタ２６のウェーハＷを載置する位置までのザグリ深さを特定するザグリ深さ情報を決定し（ステップＳ１）、サセプタ２６におけるザグリ深さが、ザグリ深さ情報により特定されるザグリ深さとなるように、サセプタ２６の外周部の高さ方向にシリコン膜を生成させ（ステップＳ４）、サセプタ２６にウェーハＷを載置させ、ウェーハＷにエピタキシャル層を生成する（ステップＳ７）ようにする。 （もっと読む）

【課題】ロードロック装置の内容積を増やすことなく，その重量を大幅に軽量化する。
【解決手段】ロードロック装置２００は，内部圧力を減圧雰囲気と大気圧雰囲気に切り替え可能な基板収容室２０２，２０４と，基板収容室内に設けられ，収容された基板を一時的に載置するバッファ用載置台２２０と，を備え，バッファ用載置台は，１又は複数のバッファ部材２２２で構成し，バッファ部材は，その内部を中空にして気密を保持するように構成した。 （もっと読む）

【課題】 ウエハを載置する位置やゲートの向きに係わらずウエハを略真直ぐ入れることができる搬送装置を提供する。
【解決手段】 搬送装置１は、旋回ベース１３と、２つのハンド機構１３,１４と、２つのハンド用駆動機構３０，４０とを有する。２つのハンド機構１３，１４は、旋回ベース１３に回動軸線Ｌ２，Ｌ３を中心に回動可能に夫々設けられ、ハンド駆動機構３０，４０により個別に回動動可能に構成されている。ハンド機構１３，１４は、アーム２０と、ハンド２１と、連動機構２６とを有している。アーム２１は、回動軸線Ｌ２，Ｌ３を中心に回動可能に前記旋回リンクに夫々設けられ、ハンド２０は、ハンド用軸線Ｌ４，Ｌ５を中心に回動可能に前記アーム２１に夫々設けられている。連動機構２６は、アーム２０に対する前記ハンド２１の減速比が１．５５でアーム２０と前記ハンド２１とを連動させるように構成されている。 （もっと読む）

【課題】半導体ウエハ等の被処理体を支持する際に、この裏面（下面）にスクラッチや傷等が付くことを防止することが可能な保持体機構を提供する。
【解決手段】板状の被処理体Ｗを保持するための保持体構造において、被処理体の荷重を受けるための保持体本体１０４と、保持体本体の上面に形成された複数の凹部状の支持体収容部１０６と、各支持体収容部内に収容されると共に上端が保持体本体の上面よりも上方へ突出して上端で被処理体の下面と当接して支持しつつ支持体収容部内で転動可能になされた支持体１０８とを備える。これにより、半導体ウエハ等の被処理体を支持する際に、この裏面（下面）にスクラッチや傷等が付くことを防止する。 （もっと読む）

【課題】載置台と支柱との連結部の強度及び支柱自体の強度を向上させることが可能な載置台構造を提供する。
【解決手段】排気可能になされた処理容器２２内に設けられて処理すべき被処理体Ｗを載置するための載置台構造５４において、被処理体を載置するために少なくとも加熱手段６４が設けられた誘電体よりなる載置台５８と、載置台を支持するために処理容器の底部側より起立させて設けられると共に、上端部が載置台の下面に連結されて、内部に長さ方向に沿って形成された複数の貫通孔６０を有する誘電体よりなる支柱６３とを備える。これにより、載置台と支柱との連結部の強度及び支柱自体の強度を向上させる。 （もっと読む）

【課題】 冷却速度を向上しても静電チャックの反りや破損が生じない基板保持体を提供する。
【解決手段】 静電チャック１０と静電チャック支持体２０とを備えた基板保持体であって、静電チャック支持体２０を構成する変形防止板２１および冷却機構２２は、この記載順に静電チャック１０に近い側から配置されており、変形防止板２１はその両面において摺動可能に挟持されており、基板Ｗの処理の際の静電チャック１０の表裏面の温度差をΔＴ_１、変形防止板２１の表裏面の温度差をΔＴ_２、冷却機構２２の表裏面の温度差をΔＴ_３、静電チャック１０の基板載置面１０ａの温度と冷却機構２２において変形防止板２１に対向する面とは反対側の面の温度との温度差をΔＴ_４とした時、これらはΔＴ_１／ΔＴ_４＜０.１かつΔＴ_２／ΔＴ_４＜０.１かつΔＴ_３／ΔＴ_４＜０.１の関係を有している。 （もっと読む）

【課題】プラズマエッチング装置等の処理装置に適用した場合に、シリコンウエハ等の板状試料の面内に局所的な温度分布を生じさせることにより、プラズマ印加に伴う経時的な温度変化の調整や広い温度範囲での温度の調整が可能であり、板状試料の局所的な温度制御を行うことが可能な静電チャック装置を提供する。
【解決手段】本発明の静電チャック装置１は、一主面を板状試料Ｗを載置する載置面とするとともに静電吸着用内部電極１３を内蔵した静電チャック部２と、この静電チャック部２を所望の温度に調整する温度調整用ベース部３と、これら静電チャック部２と温度調整用ベース部３との間に設けられた絶縁性有機フィルム４とを備え、この絶縁性有機フィルム４の設ける位置及び厚みを面内で調整することにより載置面における温度分布を調整した。 （もっと読む）

【課題】基板搬出入口の周りの壁面と弁体との間の隙間を微調整できるようにして、その壁面と弁体との間のシール効果を高めることができるゲートバルブ等を提供する。
【解決手段】ゲートバルブ２００は，カム機構２６０により弁体２１０を進退させて基板搬出入口１１２を開閉するように構成する。カム機構は，弁体の進退方向に直交する方向に摺動自在な長尺部材２６１と，長尺部材と弁体との間に設けられ，長尺部材の動作に連動して長尺部材の摺動動作を弁体の進退動作に変換する板状カム２７０と，板状カムに連動して弁体に当接し，その進退方向にスライドすることで弁体を進退駆動させる弁体駆動部材２８０と，弁体駆動部材の弁体に当接する先端面に設けられ，弁体と基板搬出入口との隙間を調整する隙間調整部材とを備える。 （もっと読む）

【課題】基板処理室内に石英部材を用い、高温時よりも低温時の方が石英部材のエッチング速度が大きいクリーニングガスを使用する基板処理装置において、クリーニングガスの加熱を安定して行う加熱機構を用いた基板処理装置を提供する。
【解決手段】基板処理装置を次のように構成する。すなわち、基板を収容し処理を行う基板処理室と、基板処理室内に連通するクリーニングガス供給管を経由して、前記基板処理室内にクリーニングガスを供給するクリーニングガス供給系と、クリーニングガス供給管内に連通する不活性ガス供給管を経由してクリーニングガス供給管内に不活性ガスを供給する不活性ガス供給系と、基板処理室外に設けられ、不活性ガス供給管からクリーニングガス供給管内に供給される不活性ガスを加熱する不活性ガス加熱部とを備え、基板処理室内をクリーニングする際は、クリーニングガスと不活性ガス加熱部により加熱された不活性ガスとを混合して基板処理室内に供給する。 （もっと読む）

【課題】ハロゲン系腐食性ガス及びそのプラズマ中で用いられ、十分な吸着力を有する静電チャック、低電圧駆動が可能で試料載置面を構成する絶縁性誘導体材料の厚さを厚くし得る静電チャック装置を提供する。
【解決手段】特定の複合酸化物焼結体を有する静電チャックであって、焼結体が、ＪＩＳ Ｚ ８７２９−１９９４に規定されるＣＩＥＬ^*ａ^*ｂ^*表色系において、Ｃ光源及び２°視野条件で測定される反射色調のＬ^*値が１０以上５０以下である静電チャック、及び（Ａ）試料を静電吸着するための試料載置面を有する板状体と、その背面に設けられた静電吸着用内部電極層と、絶縁性材料層とを有する静電チャック部材を備えてなる静電チャック装置であって、（Ａ）静電チャック部材における板状体の少なくとも試料載置面が、上記静電チャックを構成する複合酸化物焼結体からなる静電チャック装置である。 （もっと読む）

【課題】チャンバ内でガラス基板が割れたときにガラス破片を速やかに回収することができる基板処理方法を提供すること。
【解決手段】
本発明の基板処理方法は、チャンバ内に配置されたガラス基板に表面処理を施す基板処理方法であって、上方が開口された凹状の基板保持ケース２０にガラス基板１０を収容した状態でチャンバ内に搬送し、かつ、該基板保持ケース２０に収容した状態でガラス基板１０に表面処理を施すことを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】本発明は、エピタキシャルウェーハ裏面への傷、接触痕を防止でき、且つ高温処理において変形が起こりにくい気相成長装置用サセプタ及び該サセプタを用いた気相成長装置を提供することを目的とする。
【解決手段】本発明の気相成長装置用サセプタは、SiCを基材とするサセプタの表面全面又は少なくともウェーハ支持部を、ガラス状カーボンで被覆したことを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】基板の変形および熱割れを防止することができる、薄膜形成システムおよび薄膜形成方法を提供する。
【解決手段】処理室の一つであり、基板１６を加熱する加熱装置、および、基板１６と加熱装置とを相対的に移動させる駆動装置が配置された加熱室３と、処理室の一つであり、加熱された基板１６に薄膜を形成するスパッタ装置２６が配置されたＺｎＯスパッタ室４と、駆動装置を操作する制御装置２２とを備えている。駆動装置は、加熱室３からの基板１６の搬送が不能となった際に、加熱室３内の基板１６と加熱装置とを相対的に移動させ続けるように制御装置２２により操作される。 （もっと読む）

【課題】本発明は、エピタキシャルウェーハ裏面における傷、接触痕を発生させるのを防止し、且つ半永久的に使用できるサセプタを提供することを目的とする。
【解決手段】本発明の気相成長装置用サセプタは、サセプタ基材の少なくともウェーハ支持領域に、ガラス状カーボン製のウェーハ支持部材を交換可能に設置したことを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】基板のずれ及び／又は破損を検出するのに必要なセンサの数を少なくし、比較的低コストで実施する。
【解決手段】移動中の基板１０６の少なくとも２つの平行な端部の長さに沿った、破損やずれ等の基板の欠陥の存在を検出する少なくとも２つのセンサ１４０Ａ、１４０Ｂを組み込んだ装置及び方法を提供する。一実施形態において、装置は、基板の欠陥を検出するための、少なくとも２つの平行な端部近傍で、基板をセンシングするセンサ構成を含む。他の実施形態において、装置は、基板サポート表面を有するロボット１１４又は１３０と、基板の欠陥を検出するための、少なくとも２つの平行な端部近傍で、基板をセンシングするセンサ構成とを含む。 （もっと読む）

【課題】基板をトレイに載置して搬送して処理を行う複数の処理室を有する基板処理装置において、処理室間を搬送する際に基板回転させる機構をなくし、且つ装置の大型化を防止することを課題とする。
【解決手段】基板処理装置を、第一の真空室から第二の真空室に向かう第一の直線方向に沿ってトレイを搬送する第一のトレイ搬送機構、第一の真空室から第三の真空室に向かう第二の直線方向に沿ってトレイを搬送する第二のトレイ搬送機構、前記第一の真空室の第二の搬送機構の真空室側の構成を搬送レベルから退避させて前記第一の真空室及び前記第二の真空室の間で前記第一の直線方向に沿ってトレイを搬送し、前記第一の真空室の前記第一のトレイ搬送機構の真空室側の構成を前記搬送レベルから退避させて前記第一の真空室及び前記第三の真空室の間で前記第二の直線方向に沿ってトレイを搬送する構成とする。 （もっと読む）

【課題】従来よりも高精度且つ迅速に基板搬送機構のベアリング間の段差を調整することで、装置稼働率、製品歩留まりの向上及びメンテナンスコストの低減を図ることができるインライン式成膜装置の搬送振動監視装置を提供する
【解決手段】本発明の搬送振動監視装置は、基板６を搭載してインライン式成膜装置Ｓ内に配設された搬送路Ｒに沿って搬送されるキャリアＴに加わる振動を監視するものであって、キャリアＴに取付けられた加速度変化を測定できる加速度センサ５と、加速度センサ５で測定された加速度データと解析するＰＣ１３とを備えて構成されている。 （もっと読む）

【課題】回転浮上体の径方向の力と回転トルクとを同一の電磁石で制御することにより不要な外乱の発生を抑制することができる処理装置を提供する。
【解決手段】被処理体に対して処理を施す処理装置において、処理容器と、被処理体を支持する非磁性材料よりなる回転浮上体と、回転浮上体に所定の間隔で設けられた磁性材料よりなる複数の回転ＸＹ用吸着体と、回転浮上体に周方向に沿って設けられた磁性材料よりなる浮上用吸着体と、処理容器の外側に設けられて浮上用吸着体に垂直方向上方に向かう磁気吸引力を作用させて回転浮上体の傾きを調整する浮上用電磁石群と、処理容器の外側に設けられて回転ＸＹ用吸着体に磁気吸引力を作用させて浮上された回転浮上体を水平方向で位置調整しつつ回転させる回転ＸＹ用電磁石群と、ガスを供給するガス供給手段と、被処理体に処理を施す処理機構と、装置全体の動作を制御する装置制御部とを備える。 （もっと読む）

【課題】受け渡しチャンバ室の機構を大型化、複雑化させることなく、処理前後のウェハの退避場所を確保できる、真空処理装置を提供することを目的とする。
【解決手段】２つの真空チャンバ間に設けられた基板受け渡しチャンバを有する真空処理装置において、前記基板受け渡しチャンバが、基板を支持するリフトピンと、基板を仮置きするバッファーアームと、基板を載置する基板ステージとを具備し、前記リフトピンが、斜め方向に昇降することを特徴とする。 （もっと読む）